專利名稱：一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低溫記憶合金記憶回復(fù)率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于記憶合金技術(shù)領(lǐng)域，特指一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低溫記憶合 金記憶回復(fù)率的方法。
背景技術(shù)：
CuAlMn低溫記憶合金可以應(yīng)用在超低溫環(huán)境，如液氮溫度下的工作環(huán)境(小于 200K)。如果利用CuAlMn低溫記憶合金來制作一個控溫閥，使其在高溫時自動把液氮瓶口 打開，釋放出液氮制冷，當溫度降低到所需要的低溫時又自動把瓶口關(guān)閉，這樣就可以減少 低溫系統(tǒng)中液氮的流量，從而能夠有效地減少液氮的消耗量，延長制冷裝置的工作時間。用 CuAlMn低溫記憶合金制作控溫閥中的一個動作元件，這個動作元件會根據(jù)工作環(huán)境溫度而 動作，從而起到控溫閥門的作用。這個動作元件一般制作成園狀、或彈簧狀使用，因為記憶 合金的特點是制作元件過程中不能出現(xiàn)直角，否則會失去記憶效應(yīng)。將CuAlMn低溫記憶合 金制作成園狀、或彈簧狀使用，就有一個預(yù)應(yīng)變量(O的問題，CuAlMn低溫記憶合金預(yù)應(yīng) 變量的大小會影響該合金的記憶回復(fù)率。本發(fā)明提出了一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低 溫記憶合金記憶回復(fù)率的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低溫記憶合金記憶回復(fù)率的 方法，其特征在于選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%，將CuAlMn低溫記憶合 金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，隨著預(yù)應(yīng)變量 的增加，預(yù)應(yīng)變量大于2%以后，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高。但是預(yù)變形量 超過8%以后，雙程記憶回復(fù)率有所下降。所以對于CuAlMn低溫記憶合金，預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在 4% -8%范圍內(nèi)。


圖1預(yù)應(yīng)變量與記憶回復(fù)率的關(guān)系由圖1可以看出預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在4% -8%范圍內(nèi)，CuAlMn低溫記憶合金的記憶回復(fù)
率最聞。
具體實施例方式實施例1選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園 狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為2%時，CuAlMn低溫記憶合金雙程記 憶回復(fù)率是78%。實施例2
3
選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為4%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園 狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為4%時，CuAlMn低溫記憶合金雙程記 憶回復(fù)率是85%。實施例3選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為6%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園 狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為6%時，CuAlMn低溫記憶合金雙程記 憶回復(fù)率是86%。實施例4選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為8%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園 狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為8%時，CuAlMn低溫記憶合金雙程記 憶回復(fù)率是86%。實施例5選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為10%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成 園狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為10%時，CuAlMn低溫記憶合金雙程 記憶回復(fù)率是82%。
權(quán)利要求
1. 一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低溫記憶合金記憶回復(fù)率的方法，其特征在于選取 預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng) 變量做成園狀，然后進行記憶回復(fù)率測定；其結(jié)果是，隨著預(yù)應(yīng)變量的增加，預(yù)應(yīng)變量大于 2%以后，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高；但是預(yù)變形量超過8%以后，雙程記 憶回復(fù)率有所下降；所以對于CuAlMn低溫記憶合金，預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在4% -8%范圍內(nèi)。
全文摘要
一種通過預(yù)應(yīng)變量控制CuAlMn低溫記憶合金記憶回復(fù)率的方法，屬于記憶合金技術(shù)領(lǐng)域，其特征在于選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2％、4％、6％、8％、10％，將CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是，隨著預(yù)應(yīng)變量的增加，預(yù)應(yīng)變量大于2％以后，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高。但是預(yù)變形量超過8％以后，雙程記憶回復(fù)率有所下降。所以對于CuAlMn低溫記憶合金，預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在4％-8％范圍內(nèi)。
文檔編號C22F1/08GK102002655SQ201010508970
公開日2011年4月6日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者劉光磊, 司乃潮, 司松海, 張志敏 申請人:鎮(zhèn)江憶諾唯記憶合金有限公司