專利名稱：用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件以及相關(guān)的方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)發(fā)光層的材料，電致發(fā)光顯示裝置可分為無機(jī)電致發(fā)光顯示裝置和有機(jī)電致 發(fā)光顯示裝置。由于與無機(jī)電致發(fā)光顯示裝置相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置可具有更高的 亮度和更快的響應(yīng)時(shí)間，并且還能夠顯示彩色圖像，所以近年來在有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置 的領(lǐng)域中取得了相當(dāng)?shù)陌l(fā)展。通常，作為平板顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置為自發(fā)光顯示裝置。由于例如有機(jī) 發(fā)光顯示裝置的視角寬、對(duì)比度高、驅(qū)動(dòng)電壓低、重量輕、外觀薄且響應(yīng)時(shí)間快，所以有機(jī)發(fā) 光顯示裝置作為下一代顯示裝置已經(jīng)受到了很多關(guān)注。關(guān)于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造，可利用例如真空沉積法來形成有機(jī)層和/或電 極?？衫美缥g刻法來制造在真空沉積法中使用的掩模。然而，由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置 已被開發(fā)出較高的分辨率，所以掩模中的開口會(huì)具有較窄的寬度和較小的分布。因此，當(dāng)使 用蝕刻法時(shí)，由于可通過形成掩模的材料的厚度來確定在掩模中形成的開口的寬度，所以 會(huì)需要較薄的材料，以制造適于制造分辨率較高的產(chǎn)品的掩模。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提出了一種用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件以及相關(guān)的方法，它們實(shí)質(zhì)上克 服了現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)缺陷、限制和/或缺點(diǎn)。實(shí)施例的特征在于提供了一種易于焊接到框架的用于薄膜沉積的掩模框架組件?？赏ㄟ^提供一種用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件來實(shí)現(xiàn)上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)的 至少一個(gè)，所述用于薄膜沉積的掩模框架組件包括框架，包括開口部分和支撐部分；掩 模，包括在與所述開口部分對(duì)應(yīng)的位置處的沉積區(qū)，其中，所述掩模包括第一層和第二層， 所述第一層包括所述沉積區(qū)和設(shè)置在所述沉積區(qū)外部的外圍部分，所述第二層包括第一表 面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第二層的第一表面的至少一部分面向所述第一 層并接觸所述外圍部分，所述第二表面被焊接到所述框架的支撐部分。所述掩模可包括至少兩個(gè)單位掩模帶，每個(gè)單位掩模帶具有相對(duì)的端部，僅所述 至少兩個(gè)單位掩模帶的相對(duì)的端部與所述框架的支撐部分成為一體。所述第一層和所述第二層可包含不同的材料。所述第二層可包含鎳鐵合金。所述第一層可包括與所述第二層上的被焊接到所述框架的支撐部分的焊接點(diǎn)對(duì) 應(yīng)的焊接圖案。所述第二層還可包括所述第一表面上的第一焊接凸出，所述焊接圖案可具有端 部，所述第一焊接凸出可具有中心，所述第一焊接凸出的中心與所述焊接圖案的端部可分 隔開。
所述第一層的至少一部分可接觸所述第二層。所述第二層還可包括第二焊接凸出，所述第二焊接凸出可具有中心，所述第二焊 接凸出的中心可與所述第一層分隔開。所述第一層和所述第二層可相互成為一體。所述掩模還可包括設(shè)置在所述第一層和所述第二層之間的粘合層。還可通過提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法來實(shí)現(xiàn)以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)，所述方法包括在基底上形成第一電極和第二電極，使得第一電極和第二電極 相互面對(duì)；在第一電極和第二電極之間形成有機(jī)層，其中，形成有機(jī)層或第二電極的步驟包 括利用實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件來沉積所述層。還可通過提供一種用于制造用于薄膜沉積的掩模框架組件的方法來實(shí)現(xiàn)以上和 其它特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)，所述方法包括準(zhǔn)備框架，使得框架包括開口部分和支撐部 分；制備掩模，使得所述掩模包括第一層和第二層，所述第一層包括在與所述開口部分對(duì)應(yīng) 的位置處的沉積區(qū)和設(shè)置在沉積區(qū)外部的外圍部分，所述第二層包括彼此相對(duì)的第一表面 和第二表面，其中，所述第二層的第一表面的至少一部分接觸所述第一層的外圍部分，并且 所述第二層的第二表面被焊接到所述框架的支撐部分。所述掩?？砂ㄖ辽賰蓚€(gè)單位掩模帶，每個(gè)單位掩模帶可具有相對(duì)的端部，僅所 述至少兩個(gè)單位掩模帶的相對(duì)的端部可被焊接到所述框架的支撐部分。準(zhǔn)備所述掩模的步驟可包括準(zhǔn)備導(dǎo)電基底；在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置所述第二 層，使得所述導(dǎo)電基底的端部的至少一部分接觸所述第二層；將抗蝕劑涂覆于所述導(dǎo)電基 底和所述第二層；圖案化所述抗蝕劑；通過電鍍法在所述導(dǎo)電基底、所述抗蝕劑和所述第 二層上形成所述第一層；去除所述抗蝕劑；將包括所述第一層和所述第二層的掩模與所述 導(dǎo)電基底分離。圖案化所述抗蝕劑的步驟可包括在所述導(dǎo)電基底上形成第一圖案和在所述第二 層上形成第二圖案。圖案化抗蝕劑的步驟可包括在所述導(dǎo)電基底上形成第一圖案和在所述第二層的 外圍上形成第三圖案，所述第一層的至少一部分接觸所述第二層。準(zhǔn)備所述掩模的步驟可包括準(zhǔn)備所述第一層，準(zhǔn)備所述第二層，然后將所述第一 層粘附到所述第二層。將所述第一層粘附到所述第二層的步驟可包括準(zhǔn)備粘合層，將粘合層設(shè)置在所述 第一層和所述第二層之間。所述第一層和所述第二層包含不同的材料。所述第二層可包含鎳鐵合金。


通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來說將會(huì)變得更清楚，其中圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖2示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩模框架組件的分解的透視圖；圖3示出了圖2中的用于薄膜沉積的掩模框架組件的組裝的透視圖4示出了沿圖3的線I-I截取的剖視圖；圖5示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖6示出了圖5中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖；圖7示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖8示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖9示出了圖8中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖；圖10示出了沿圖9中的線II-II截取的剖視圖；圖11示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖12示出了圖11中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖；圖13示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖；圖14示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩模框架組件的分解的透視圖；圖15示出了利用電鍍形成掩模的方法的流程圖；圖16示出了利用電鍍制造掩模的方法的剖視圖，其中，所述掩模在第一層上具有 焊接圖案；圖17示出了利用電鍍制造掩模的方法的剖視圖，其中，所述掩模的所述第一層的 至少一部分接觸第二層；圖18示出了設(shè)置在矩形導(dǎo)電基底周圍的第二層的透視圖；圖19示出了設(shè)置在導(dǎo)電基底兩端上沿縱向方向延伸的第二層的透視圖；圖20示出了圖16的方法中的操作(b)的透視圖，其中，當(dāng)制造具有一體(即，單 體)結(jié)構(gòu)的掩模時(shí)，第二圖案抗蝕劑形成在第二圖案抗蝕劑被焊接到框架的焊接點(diǎn)上；圖21示出了圖16的方法中的操作(b)的透視圖，其中，當(dāng)制造具有多體結(jié)構(gòu)的掩 模時(shí)，第二圖案抗蝕劑形成在第二圖案抗蝕劑被焊接到框架的焊接點(diǎn)上；圖22示出了圖17的方法中的操作(b)的透視圖，其中，當(dāng)制造具有單體結(jié)構(gòu)的掩模時(shí)，第三圖案抗蝕劑形成在第二層周圍；圖23示出了圖17的方法中的操作(b)的透視圖，其中，當(dāng)制造具有多體結(jié)構(gòu)的掩 模時(shí)，第三圖案抗蝕劑形成在第二層的周圍；圖24示出了通過將第一層附著到第二層而形成具有兩層結(jié)構(gòu)的掩模的方法的流 程圖；圖25示出了通過利用粘合層將第一層粘合到第二層而形成具有兩層結(jié)構(gòu)的方法 的流程圖；圖26示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
具體實(shí)施例方式2009年4月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的題目為“Mask Frame Assemblyfor Thin Film Deposition, Method of Manufacturing the Same, and Method ofManufacturing Organic Light Emitting Display Device，，的第 10-2009-0033191 號(hào)韓 國(guó)專利申請(qǐng)通過引用完全包含于此。在下文中將參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例，然而，示例實(shí)施例可以以不同的 形式來實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開將是徹底的和完整的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
在附圖中，為了示出的清晰，可夸大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層或元 件被稱作在另一層或基底“上”時(shí)，它可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。 此外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在另一層“下方”時(shí)，它可以直接在另一層下方，也可以 存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在兩層“之間”時(shí)，它可以是所 述兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元 件。圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解透視圖。參照?qǐng)D1， 掩模框架組件可包括掩模100和框架200。框架200包括開口部分210和支撐部分220。掩 模100包括沉積區(qū)110，其位置與開口部分210對(duì)應(yīng)。掩模100可包括第一層IOOa和第二層100b。第一層IOOa可包括沉積區(qū)110，沉 積區(qū)110可具有多個(gè)沉積開口部分111，多個(gè)沉積開口部分111用于在大面積的基底(未示 出)上一次形成例如多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的圖案。第一層IOOa還可包括設(shè)置在沉積區(qū) 110周圍的外圍部分120a。第二層IOOb可包括焊接部分120b和開口部分115。外圍部分 120a可設(shè)置在第一層IOOa的沉積區(qū)110的外部，并且可接觸第二層IOOb的焊接部分120b。盡管每個(gè)沉積開口部分111可包括具有圖1中的多個(gè)切口的掩模圖案，但是沉積 開口部分111可包括具有例如前開口(open front)的掩模圖案或點(diǎn)形的掩模圖案。因此， 圖1中的沉積開口部分111的數(shù)量、構(gòu)造和形狀為示例性的，實(shí)施例不限于此。第二層IOOb的第一表面可接觸至少一部分第一層100a，第二層IOOb的第二表面 可被焊接到框架200的支撐部分220?？赏ㄟ^形成第一層IOOa和第二層100b，然后通過例 如焊接、粘合或在第一層IOOa和第二層IOOb之間插入粘合層將第一層IOOa固定到第二層 IOOb來形成掩模100?？蛇x擇地，可通過利用例如電鍍法同時(shí)形成第一層IOOa和第二層 IOOb來形成掩模100，這將在后面參照?qǐng)D15至圖23進(jìn)行解釋。因此，盡管圖1中分開示出 第一層IOOa和第二層100b，但是第一層IOOa和第二層IOOb可單獨(dú)形成，隨后被固定在一 起，或者可同時(shí)形成第一層IOOa和第二層100b。第一層100a和第二層IOOb可包含不同的材料。因此，第二層IOOb可包含焊接性 比第一層IOOa的焊接性高的材料，例如鎳鐵合金(64FeNi，Invar)。為了避免掩模100附著到框架200時(shí)第一層IOOa的變形，第一層IOOa可具有各 種形狀。因此，僅可將第二層IOOb焊接到框架200。因此，對(duì)于將第二層IOOb焊接到框架 200，可使用同一激光焊接設(shè)備，與第一層IOOa的形狀無關(guān)。另外，由于第二層IOOb的焊接 部分120b不會(huì)影響第一層100a，所以可將由于焊接對(duì)經(jīng)掩模沉積的所得圖案所產(chǎn)生的不 利影響最小化，并可提高掩模100的精確度。第一層IOOa可具有與第二層IOOb的開口部分115對(duì)應(yīng)的圖案孔 (patternaperture)。另外，第一層IOOa可小于第二層100b，從而第二層IOOb延伸超過第 一層IOOa的部分可被焊接到框架200。在每種情況下，掩模100可包括一條掩模帶或多個(gè) 單位掩模帶(即，具有多體結(jié)構(gòu)的掩模)，多個(gè)單位掩模帶可沿預(yù)定的方向分開。下面將參 照?qǐng)D5至圖13來解釋這些示例。圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解透視圖。參照?qǐng)D2， 與第二層IOOb的焊接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第一焊接圖案130a可形成在第一層IOOc上。
第一層100c可包括沉積區(qū)110、沉積開口部分111和外圍部分120c。設(shè)置在沉積 區(qū)Iio外部的外圍部分120c可包括第一焊接圖案130a，第一焊接圖案130a在與焊接部分 120b被焊接到框架200的支撐部分220的焊接點(diǎn)(未示出)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中可穿過外圍部分 120c。圖3示出了圖2中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖。圖4示出了 沿圖3的線I-I截取的剖視圖。參照?qǐng)D3和圖4，第一焊接圖案130a可穿過第一層IOOc的外圍部分120c，從而當(dāng) 第二層IOOb被焊接到框架200時(shí)，在第二層IOOb上產(chǎn)生的第一焊接凸出140a的中心可與 第一焊接圖案130a的邊緣分隔開。第一焊接圖案130a可足夠大到不與第一焊接凸出140a 接觸。每個(gè)第一焊接凸出140a的高度可小于第一層IOOc的厚度。 第二層IOOb和第一層IOOc之間的接觸部分可設(shè)置在沉積區(qū)110的外部，從而不 會(huì)阻礙沉積。由于第一層IOOc和第二層IOOb可形成具有兩層結(jié)構(gòu)的掩模100，所以當(dāng)?shù)诙?層IOOb被焊接到框架200時(shí)，掩模100可因此被固定到框架200?？衫美珉婂兎ㄍ瑫r(shí)制造第一層IOOc和第二層100b?？蛇x擇地，可單獨(dú)地制造 第一層IOOc和第二層100b，隨后通過例如焊接或粘附將第一層IOOc和第二層IOOb彼此 固定。如果單獨(dú)地制造第一層IOOc和第二層100b，然后將它們彼此焊接，則焊接部分120b 可設(shè)置在沉積區(qū)110的外面，從而在薄膜沉積過程中不會(huì)阻礙例如掩模100和大面積基底 之間的粘附。圖5示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖。參 照?qǐng)D5，掩模100可包括設(shè)置在第一層IOOd上的第二焊接圖案130b，第一層IOOd可包括多 個(gè)單位掩模帶(即，具有多體結(jié)構(gòu)的掩模)。第二焊接圖案130b可對(duì)應(yīng)于第二層IOOb的焊 接點(diǎn)(未示出)。單位掩模帶可沿預(yù)定的方向分開。圖6示出了圖5中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖。可通過例 如電鍍來形成包括多個(gè)單位掩模帶的第一層100d，第一層IOOd可以以不同的方式被固定 到第二層100b。第一層IOOd可通過例如電焊、激光焊或通過利用粘合劑被附著到第二層 IOOb0第一層IOOd和第二層IOOb之間的接觸部分可設(shè)置在沉積區(qū)110的外部。因此，將 第一層IOOd附著到第二層IOOb時(shí)可產(chǎn)生的焊接凸出140b不會(huì)阻礙例如薄膜沉積時(shí)掩模 100和大面積基底之間的粘附。第二層IOOb可對(duì)應(yīng)于框架200。盡管在圖5中示出了具有單體結(jié)構(gòu)的框架200， 但是框架200可包括至少兩個(gè)部分。另外，在實(shí)現(xiàn)過程中，單位掩模帶可被對(duì)齊并焊接以在 單位掩模帶之間形成預(yù)定的間隙。圖7示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖。參 照?qǐng)D7，掩模100可包括第一層IOOe和第二層IOOf。第一層IOOe可包括與第二層IOOf的 焊接點(diǎn)(未示出)對(duì)應(yīng)的第三焊接圖案130c。兩層IOOe和IOOf可包括多個(gè)單位掩模帶 (即，具有多體結(jié)構(gòu)的掩模)，所述多個(gè)掩模帶可沿預(yù)定的方向分隔開。盡管圖7中的掩模100像圖5中的掩模100 —樣可具有多體結(jié)構(gòu)，但是在圖7中， 第二層IOOf可與第一層IOOe分隔開。換句話說，第二層IOOf可包括與第一層IOOe的多 個(gè)單位掩模帶對(duì)應(yīng)的多個(gè)單位掩模帶，第一層IOOe的多個(gè)單位掩模帶可沿預(yù)定的方向分 隔開。從而，第二層IOOf和第一層IOOe可形成具有多體結(jié)構(gòu)的掩模。
由于第一層100e和第二層100f可彼此附著以形成掩模100，所以當(dāng)?shù)诙?00f 被焊接到框架200時(shí)，第一層100e可被固定。由于第一層100e可具有第三焊接圖案130c， 所以第二層100f被焊接到框架200時(shí)在第二層100f上產(chǎn)生的焊接凸出的中心可與第三焊 接圖案130c的邊緣分隔開。第一層100e和第二層100f可利用例如電鍍法同時(shí)形成，或者可單獨(dú)形成，然后以 各種方式相互粘附。由于延伸的掩模100可被支撐在框架200上，所以框架200應(yīng)具有足 夠的硬度。圖8示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解透視圖。如圖 8所示，第一層100g的至少一部分可接觸第二層100b。此外，第一層100g可小于第二層 100b。第一層100g可包括沉積區(qū)110、沉積開口部分111和外圍部分120f。第二層100b 可包括第二層開口部分115和焊接部分120b。第二層100b的焊接部分120b可設(shè)置在與第 一層100g的外圍部分120f對(duì)應(yīng)的位置處。焊接部分120b可延伸超過外圍部分120f附著 到第二層100b的接觸部分250a。參照?qǐng)D8，第二層100b的焊接部分120b可被焊接到框架 200的支撐部分220并形成為與框架200的支撐部分220對(duì)應(yīng)。圖9示出了圖8中的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的組裝的透視圖。用于薄膜 沉積的掩?？蚣芙M件可包括框架200和掩模100。掩模100可包括第一層100g和第二層 100b。圖10示出了沿圖9中的線II-II截取的剖視圖。參照?qǐng)D8至圖10，掩模100可包括彼此接觸的第一層100g和第二層100b。當(dāng)?shù)?二層100b被焊接到框架200時(shí)，掩模100可被固定到框架200。在第二層100b接觸第一層 100g的地方，第二層100b可足夠大到延伸超過第一層100g的外圍部分120f，從而焊接過 程中會(huì)產(chǎn)生的第二焊接凸出240a不接觸第一層100g。另外，每個(gè)第二焊接凸出240a的高 度可小于第一層100g的厚度，從而不會(huì)阻礙例如薄膜沉積時(shí)第一層100g和大面積基底之 間的粘附。此外，第二焊接凸出240a可形成在沉積區(qū)110的外部，從而不會(huì)阻礙例如薄膜 沉積時(shí)第一層100g和大面積基底之間的粘附。第一層100g和第二層100b可通過例如電鍍法同時(shí)形成，或者可單獨(dú)地形成，然后 通過例如粘合劑或通過焊接而相互固定。第二層100b的焊接部分120b可足夠大到不會(huì)在 焊接過程中對(duì)第一層100g的沉積區(qū)110產(chǎn)生不利影響。第一層100g的外部部分120f可 為接觸第二層100b的區(qū)域。圖11示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩模框架組件的分解的透視圖。 圖12示出了圖11中的用于薄膜沉積的掩模框架組件的組裝的透視圖。參照?qǐng)D11和圖12， 掩模100可包括多個(gè)單位掩模帶(即，具有多體結(jié)構(gòu)的掩模)，多個(gè)單位掩模帶可沿預(yù)定的 方向分隔開。掩模100的第二層100i可延伸超過第一層100h。第一層100h可通過例如電鍍法形成，并可以以多種方式被固定到第二層100i。第 一層100h可通過例如電焊、激光焊或通過使用粘合劑被附著到第二層100i。第一層100h 和第二層100i之間的接觸部分可設(shè)置在沉積區(qū)110的外部，從而掩模100附著到框架200 時(shí)會(huì)產(chǎn)生的焊接凸出240b不會(huì)阻礙在薄膜沉積過程中掩模100和大面積基底之間的粘附。第二層100i的焊接點(diǎn)230a可被焊接到框架200的支撐部分220。第二層100i可 足夠大，從而焊接凸出240b不會(huì)到達(dá)第一層100h。在實(shí)現(xiàn)過程中，單位掩模帶可被對(duì)齊并
9焊接以在單位掩模帶之間形成預(yù)定的間隙。圖13示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖。 參照?qǐng)D13，掩模100可包括形成第一層100 j和第二層100k的單位掩模帶(即，具有多體結(jié) 構(gòu)的掩模)。單位掩模帶可沿預(yù)定的方向分隔開。盡管在圖13中示出了第二層100k具有 單體結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此，并且第二層100k可包括至少兩個(gè)部分?？赏ㄟ^單獨(dú)形成第一層100 j和第二層100k，然后通過例如焊接或粘附將第一層 100j附著到第二層100k來形成掩模100。掩模100可通過例如焊接第二層100k的第二 焊接點(diǎn)230b而被附著到框架200。第二焊接點(diǎn)230b可設(shè)置在第一層100j被附著到第二 層100k的接觸部分250b的外部，從而由焊接產(chǎn)生的焊接凸出(未示出)不會(huì)接觸第一層 100 j。圖14示出了根據(jù)另一實(shí)施例的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的分解的透視圖。 參照?qǐng)D14，粘附層180可設(shè)置在第一層100a和第二層100b之間。如圖14所示，掩模100 可形成為利用粘附層180將第一層100a附著到第二層100b。圖15示出了利用電鍍形成掩模100的方法的流程圖。圖16示出了利用電鍍形成 掩模100的方法的剖視圖，掩模100在第一層上具有焊接圖案。圖16中示出的方法可被用 于形成具有在第一層的外圍部分上的焊接圖案的掩模100，如圖2至圖4或者圖7所示。圖17示出了利用電鍍制造掩模100的方法的剖視圖，其中，掩模100的第一層的 至少一部分接觸第二層。當(dāng)圖17中示出的方法被用于形成掩模100時(shí)，第一層的至少一部 分可接觸第二層，第二層可足夠大到延伸超過第一層的外圍部分，如圖8至圖12所示?，F(xiàn) 在將參照?qǐng)D15至圖19來解釋制造掩模的方法。首先，可準(zhǔn)備導(dǎo)電基底410或510。為了制造具有單體結(jié)構(gòu)的掩模，導(dǎo)電基底410 或510可具有基本上是正方形的形狀，如圖18所示。為了制造具有單體結(jié)構(gòu)的掩模，導(dǎo)電 基底410或510可具有沿縱向方向延伸的矩形形狀，如圖19所示。在操作S310，可將第二層430或530設(shè)置成導(dǎo)電基底410或510的至少一部分接 觸第二層430或530的至少一部分。當(dāng)掩模具有單體結(jié)構(gòu)時(shí)，第二層430或530可設(shè)置在 導(dǎo)電基底410或510周圍，如圖18所示?？蛇x擇地，當(dāng)掩模具有多體結(jié)構(gòu)時(shí)，第二層430或 530可設(shè)置在導(dǎo)電基底410或510的兩端，如圖19所示。在操作S320，可將抗蝕劑420或520涂覆在導(dǎo)電基底410或510和第二層430或 530上，如圖16和圖17中的操作(a)所示?？蓪ɡ绺赡た刮g劑(DFR)的各種抗蝕劑 涂覆到導(dǎo)電基底410或510和第二層430或530上。在操作S330，可通過曝光和/或顯影抗蝕劑420或520來執(zhí)行圖案化，如圖16和 圖17中的操作(b)所示。圖案化可包括在導(dǎo)電基底410或510上形成第一抗蝕劑圖案450a 或550a以及在第二層430形成第二抗蝕劑圖案460a或在第二層530上形成第三抗蝕劑圖 案560a。根據(jù)掩模開口部分，可以以多種方式在導(dǎo)電基底410或510上形成第一抗蝕劑圖 案450a或550a?？稍诘诙?30上形成第二抗蝕劑圖案460a，使得第二層430被焊接到 框架時(shí)產(chǎn)生的焊接凸出的中心可與第一層440的焊接圖案分隔開。然而，可在第二層530 上形成第三抗蝕劑圖案560a，使得第二層530被焊接到框架時(shí)產(chǎn)生的焊接凸出的中心可與 第一層540分隔開。由于焊接凸出的中心可與第一層440或540分隔開，所以焊接凸出不會(huì)接觸或者幾乎不會(huì)接觸第一層440或540，可將由于例如焊接凸出的熱而導(dǎo)致的第一層440或540 的變形最小化。圖20至圖23示出了在導(dǎo)電基底410和第二層430上形成第二抗蝕劑圖案 460a或在導(dǎo)電基底510和第二層530上形成第三抗蝕劑圖案560a的方法。然而，實(shí)施例不 限于此，并可以按照不同的方式來改變形成第二抗蝕劑圖案460a或第三抗蝕劑圖案560a 的方法以及第二抗蝕劑圖案460a或第三抗蝕劑圖案560a的形狀。圖20示出了圖16中示出的用于形成具有單體結(jié)構(gòu)的掩模的方法的操作(b)的透 視圖。參照?qǐng)D20，可在第二層430的將被焊接到框架的預(yù)計(jì)的焊接點(diǎn)處形成第二抗蝕劑圖 案460a。如果期望多體結(jié)構(gòu)的掩模，則可在位于導(dǎo)電基底410端部沿縱向方向延伸的第二 導(dǎo)電層430上形成第二抗蝕劑圖案460a，參照?qǐng)D21。第二抗蝕劑圖案460a可以形成在第 二層430的將被焊接到框架的預(yù)計(jì)的焊接點(diǎn)處。例如，在電鍍過程中去除抗蝕劑之后，第二 抗蝕劑圖案460a可形成圖2至圖4的第一焊接圖案130a或圖7的第三焊接圖案130c。圖22示出了圖17中的用于形成具有單體結(jié)構(gòu)的掩模的方法的操作(b)的透視 圖。參照?qǐng)D22，第三抗蝕劑圖案560a可沿第二層530的外圍形成在第二層530上。如果期 望多體結(jié)構(gòu)的掩模，則可在第二層530的端部處形成第三抗蝕劑圖案560a，如圖23所示。例 如，在電鍍過程中去除抗蝕劑之后，第三抗蝕劑圖案560a可形成用于將第二層100b/100i 焊接到框架的空間，該空間可足夠大到延伸超過第一層100g或100h，如圖8至圖12所示。 在操作S340，可通過如圖16和圖17中的操作(c)示出的電鍍法來形成第一層440或540。在操作S350中，如圖16和圖17中的操作(d)所示，可去除抗蝕劑圖案。如果從 第一層440去除第一抗蝕劑圖案450a和第二抗蝕劑圖案460a或從第一層540去除第一抗 蝕劑圖案550a和第三抗蝕劑圖案560a，則第一圖案450b和第二圖案460b可分別形成在第 一層440上，或第一圖案550b和第三圖案560b可分別形成在第一層540上。例如，參照?qǐng)D16，第二圖案460b可形成為圖2至圖4中的第一焊接圖案130a或圖 7中的第三焊接圖案130c。另外，圖17中的第三圖案560b可形成為具有與第一層100g或 100h的外圍和第二層的邊緣之間的距離(如圖8至圖12所示)對(duì)應(yīng)的寬度的空間。在操作S360中，可從第一層440或540和第二層430或530去除導(dǎo)電基底410或 510。在操作S370中，可清洗并干燥所得結(jié)構(gòu)，從而形成具有雙層結(jié)構(gòu)的掩模，在所述雙層 結(jié)構(gòu)中，第一層440或540和第二層430或530可相互結(jié)合。圖24示出了通過將第一層100a附著到第二層100b來形成具有雙層結(jié)構(gòu)的掩模 的方法的流程圖。為了制造掩模100，在操作S610中，可通過電鍍法形成第一層100b。在 操作S620中，可與第一層100a分開單獨(dú)形成第二層100b。在操作S630中，可通過例如電 焊或激光焊或者利用粘合劑將第一層100a和第二層100b相互附著?？稍诘谝粚?00a的 沉積區(qū)110的外部執(zhí)行焊接，從而不會(huì)阻礙例如薄膜沉積過程中大面積基底和第一層100a 之間的粘附。圖25示出了具有包括第一層100a和第二層100b的雙層結(jié)構(gòu)的掩模100的方法 的流程圖，可利用粘合層將第一層100a和第二層100b相互粘附。參照?qǐng)D25，在操作S710， 可單獨(dú)準(zhǔn)備第一層100a和第二層100b。在操作S720，可將粘合層設(shè)置在第一層100a和第 二層100b之間。在操作S730，可通過粘合層將第一層100a和第二層100b相互粘附。圖26示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的局部剖視圖。圖26的有機(jī)發(fā)光顯 示裝置可為有源矩陣(AM)型，其子像素示出在圖26中。子像素可包括至少一個(gè)薄膜晶體
11管(TFT)和電致發(fā)光(EL)元件。電致發(fā)光(EL)元件可為自發(fā)光器件，并可為有機(jī)發(fā)光器 件。然而，子像素不限于圖26示出的結(jié)構(gòu)，并且可以按各種方式來修改TFT的數(shù)量和結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)在將詳細(xì)解釋圖26的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(0LED)。參照?qǐng)D26，緩沖層830可設(shè)置在基底820上，TFT可設(shè)置在緩沖層830上。TFT可 包括半導(dǎo)體有源層831、覆蓋有源層831的柵極絕緣層832和柵極絕緣層832上的柵電極 833。層間絕緣層834可覆蓋柵電極833，源電極和漏電極835可設(shè)置在層間絕緣層834上。 源電極和漏電極835可分別通過層間絕緣層834和柵極絕緣層832中的接觸孔接觸半導(dǎo)體 有源層831的源區(qū)和漏區(qū)。源電極和漏電極835可連接到第一電極層821。第一電極層821 可為0LED的陽極。第一電極層821可設(shè)置在平坦化層837上，像素限定層838可覆蓋第一 電極層821。在像素限定層838中形成預(yù)定的開口之后，可形成0LED元件的有機(jī)層826，并 且將第二電極層827沉積在所得的結(jié)構(gòu)上。第二電極層827可為0LED的共電極。0LED的有機(jī)層826可包括紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)有機(jī)發(fā)光層，以產(chǎn)生全色 圖像。可使用根據(jù)實(shí)施例的包括沉積開口部分111的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件來改善 大面積基底和掩模100之間的粘附性并獲得高精度圖案，其中，沉積開口部分111包括具有 多個(gè)切口的掩模圖案。此外，根據(jù)實(shí)施例的包括沉積開口部分111的用于薄膜沉積的掩模 框架組件可改善大面積基底和掩模100之間的粘附性并可獲得高精度圖案，其中，沉積開 口部分111包括在第二層827具有前開口的掩模圖案。根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置可被密封以防止例如外部氧和濕氣的滲透。實(shí)施例不 限于圖26的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且可以按各種方式來修改有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)。當(dāng)通過電鍍法來制造掩模時(shí)，與使用蝕刻法時(shí)的情況相比，在掩模中形成的開口 可具有更高的精度和更小的分布。因此，近年來已經(jīng)使用了電鍍法，以實(shí)現(xiàn)高分辨率產(chǎn)品。 然而，當(dāng)使用電鍍法時(shí)，由于難以形成與沉積的入射角一致的錐角，并且在沉積過程中會(huì)出 現(xiàn)陰影，所以應(yīng)該使用更薄的材料。另外，與蝕刻法不同，可在電鍍法中使用鎳，因此焊接到框架的掩模和框架之間的 粘附性會(huì)是差的。當(dāng)薄金屬板通過例如激光焊被附著到框架時(shí)，掩模和框架之間的接觸表 面會(huì)受熱變形，從而會(huì)在接觸表面上形成預(yù)定尺寸的小的焊接凸出。因此，當(dāng)為了沉積例如 有機(jī)發(fā)光材料或金屬材料而在大面積基底上使掩模對(duì)齊時(shí)，焊接凸出會(huì)對(duì)大面積基底和掩 模之間的粘附產(chǎn)生不利的影響，并且會(huì)由于陰影而形成低質(zhì)量的圖案。這里已經(jīng)公開了示例性實(shí)施例，盡管采用了特定的術(shù)語，但是使用這些術(shù)語并將 它們解釋為僅為普通和描述性的意思，而不是為了限制的目的。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì) 節(jié)上作出各種修改。
權(quán)利要求
一種用于薄膜沉積的掩模框架組件，所述組件包括框架，包括開口部分和支撐部分；掩模，包括在與所述開口部分對(duì)應(yīng)的位置處的沉積區(qū)，其中，所述掩模包括第一層和第二層，所述第一層包括所述沉積區(qū)和設(shè)置在所述沉積區(qū)周圍的外圍部分，所述第二層包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第二層的第一表面的至少一部分面向所述第一層并接觸所述外圍部分，所述第二表面被焊接到所述框架的支撐部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述掩模包括至少兩 個(gè)單位掩模帶，每個(gè)單位掩模帶具有相對(duì)的端部，僅所述至少兩個(gè)單位掩模帶的相對(duì)的端 部與所述框架的支撐部分成為一體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第一層和所述第 二層包含不同的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第二層包含鎳鐵1=1 巫 o
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第一層包括與所 述第二層上的被焊接到所述框架的支撐部分的焊接點(diǎn)對(duì)應(yīng)的焊接圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第二層還包括所 述第一表面上的第一焊接凸出，所述焊接圖案具有端部，所述第一焊接凸出具有中心，所述 第一焊接凸出的中心與所述焊接圖案的端部分隔開。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第一層的至少一 部分接觸所述第二層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于薄膜沉積的掩模框架組件，其中，所述第二層還包括第 二焊接凸出，所述第二焊接凸出具有中心，所述第二焊接凸出的中心與所述第一層分隔開。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述第一層和所述第 二層相互成為一體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件，其中，所述掩模還包括設(shè)置 在所述第一層和所述第二層之間的粘合層。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括在基底上形成第一電極和第二電極，使得第一電極和第二電極相互面對(duì)；在第一電極和第二電極之間形成有機(jī)層，其中，形成有機(jī)層或第二電極的步驟包括利 用如權(quán)利要求1所述的用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件來沉積所述層。
12.一種制造用于薄膜沉積的掩?？蚣芙M件的方法，所述方法的步驟包括準(zhǔn)備框架，使得框架包括開口部分和支撐部分；制備掩模，使得所述掩模包括第一層和第二層，所述第一層包括在與所述開口部分對(duì) 應(yīng)的位置處的沉積區(qū)和設(shè)置在沉積區(qū)外部的外圍部分，所述第二層包括彼此相對(duì)的第一表 面和第二表面，其中，所述第二層的第一表面的至少一部分接觸所述第一層的外圍部分，并 且所述第二層的第二表面被焊接到所述框架的支撐部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述掩模包括至少兩個(gè)單位掩模帶，每個(gè)單位 掩模帶具有相對(duì)的端部，僅所述至少兩個(gè)單位掩模帶的相對(duì)的端部被焊接到所述框架的支撐部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，準(zhǔn)備所述掩模的步驟包括 準(zhǔn)備導(dǎo)電基底；在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置所述第二層，使得所述導(dǎo)電基底的端部的至少一部分接觸所述第一層；將抗蝕劑涂覆于所述導(dǎo)電基底和所述第二層； 圖案化所述抗蝕劑；通過電鍍法在所述導(dǎo)電基底、所述抗蝕劑和所述第二層上形成所述第一層； 去除所述抗蝕劑；將包括所述第一層和所述第二層的掩模與所述導(dǎo)電基底分離。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，圖案化所述抗蝕劑的步驟包括在所述導(dǎo)電基 底上形成第一圖案和在所述第二層上形成第二圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，圖案化抗蝕劑的步驟包括在所述導(dǎo)電基底上形成第一圖案和在所述第二層的外圍上 形成第三圖案，所述第一層的至少一部分接觸所述第二層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，準(zhǔn)備所述掩模的步驟包括準(zhǔn)備所述第一層，準(zhǔn) 備所述第二層，然后將所述第一層粘附到所述第二層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述第一層粘附到所述第二層的步驟包括 準(zhǔn)備粘合層，將粘合層設(shè)置在所述第一層和所述第二層之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一層和所述第二層包含不同的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二層包含鎳鐵合金。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于薄膜沉積的掩模框架組件，所述組件包括框架，包括開口部分和支撐部分；掩模，具有在與所述開口部分對(duì)應(yīng)的位置處的沉積區(qū)，其中，所述掩模包括第一層和第二層，所述第一層包括所述沉積區(qū)和設(shè)置在所述沉積區(qū)外部的外圍部分，所述第二層包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第二層的第一表面的至少一部分面向所述第一層并接觸所述外圍部分，所述第二表面被焊接到所述框架的支撐部分。
文檔編號(hào)C23C14/04GK101864552SQ20101016161
公開日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2010年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者姜擇教, 李相信, 洪承柱, 高政佑 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社