專利名稱：銅銦鎵硒硫薄膜太陽電池光吸收層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，更確切地說涉及銅銦鎵硒硫(CIGSS)薄膜太陽電池光吸收層的制備方法，屬于光伏材料新能源技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
銅銦鎵硒(Cu(In， Ga)S^，簡稱CIGS)薄膜太陽電池是新一代最有前途的太陽電池，它具有成本低、效率高、壽命長、弱光性能好、抗輻射能力強(qiáng)等多方面的優(yōu)點(diǎn)。自上世紀(jì)90年代以來，CIGS就一直是實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率最高的薄膜太陽電池。2008年，美國可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)又將其實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率刷新為19.9% (Ingrid R印ins， MiguelA. Contreras， Brian Egaas， Clay DeHart， John Scharf， Craig L Perkins, Bobby Toand Rommel Noufi， Progress in Photovoltaics -Research and Applications,16(3)，
235-239， 2008)，與多晶硅的實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率20. 3 %已非常接近，具有廣闊的發(fā)展前
旦豕。 CIGS光吸收層的制備是CIGS薄膜太陽電池的核心工藝。NREL制備高效CIGS太陽電池光吸收層的工藝為三步共蒸發(fā)法(A.M.Gabor， J. R. Tuttle， D. S. Albin，M. A. Contreras， and R. Noufi， Appl. Phys. Lett. 65， 198， 1994)，采用三步共蒸發(fā)法所制備的小面積CIGS光吸收層薄膜，雖然制備的CIGS光吸層質(zhì)量高、性能好，但由于需要對(duì)銅、銦、鎵、硒四個(gè)蒸汽壓相差非常大的單質(zhì)源進(jìn)行獨(dú)立精確的控制，尤其是硒的反蒸發(fā)和銦鎵硒化合物的反蒸發(fā)，對(duì)薄膜最終成分的控制帶來了非常大的困難，在制備大面積CIGS光吸收層薄膜時(shí)難以保證薄膜成分均勻性和質(zhì)量的可靠性，因而難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
先采用磁控濺射制備前驅(qū)合金膜，然后熱處理硒化的工藝是目前CIGS薄膜太陽電池產(chǎn)業(yè)化的首選工藝。但由于銦是低熔點(diǎn)的軟金屬，采用磁控濺射法制備銦薄膜時(shí)，高功率密度將導(dǎo)致銦靶的熔化變形，多以不宜采用高濺射功率密度，而過低的功率密度意味著薄膜沉積速率非常低，生產(chǎn)節(jié)拍太慢，不利于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。而且銦靶的表面極易鈍化，在濺射過程中的沉積速率不穩(wěn)定，使薄膜的制備工藝無法穩(wěn)定。 在CIGS薄膜中引入一定量的S元素，成為CIGSS薄膜。S元素的加入，不僅可以進(jìn)一步調(diào)整薄膜的禁帶寬度，使之與太陽光譜更加匹配；而且可以使吸光層薄膜CIGSS與緩沖層薄膜之間的帶階更加適合，有效降低電池p-n結(jié)的界面復(fù)合，提高p-n結(jié)的品質(zhì)因子，這一點(diǎn)在采用無Cd過渡層時(shí)顯得尤為重要。從而形成本發(fā)明的構(gòu)思。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供CIGSS薄膜的一種制備方法，所提供的制備方法不但可以提高大面積CIGSS薄膜制備工藝的穩(wěn)定性和成分的均勻性，提高CIGSS薄膜太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，而且可以實(shí)現(xiàn)薄膜的高速沉積；而且通過S元素的引入，使CIGSS與緩沖層之間的帶階更加匹配，減少界面上少子的復(fù)合，提高CIGSS薄膜太陽電池p-n結(jié)的品質(zhì)因子，有效地促進(jìn)無Cd高效CIGSS薄膜太陽電池的成功開發(fā)。
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本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的 銅銦鎵硒硫(CIGSS)吸光層薄膜的一種制備方法，其特征在于銅銦鎵金屬前驅(qū) 膜的制備采用濺射與蒸發(fā)復(fù)合的方法，實(shí)現(xiàn)薄膜的高速穩(wěn)定沉積；并在銅銦鎵硒表面引入 硫元素，改善電池的界面性能。具體包括以下步驟 (a)在襯底上常溫下(18_25°C )通過磁控濺射法制備Cu薄膜； (b)在上述薄膜的表面通過蒸發(fā)法制備In-Ga薄膜，形成Cu-In-Ga合金膜； (c)將Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se單質(zhì)或氣態(tài)H2Se源反應(yīng)生成銅銦鎵硒(CIGS)
薄膜； (d)將上述生成的CIGS薄膜與固態(tài)S單質(zhì)或氣態(tài)H^源反應(yīng)生成銅銦鎵硒硫 (CIGSS)吸光層薄膜。 在上述制備步驟(a)中，磁控濺射法制備Cu薄膜的厚度為50nm 350nm，優(yōu)選 為80nm 280nm ;采用的濺射條件為濺射功率密度為0. 2Wcm—2 lOWcm—2，靶距為4cm 20cm，工作氣壓為0. 05Pa 20Pa，其中濺射功率密度優(yōu)選為0. 5Wcm—2 5Wcm—2，耙距優(yōu)選為 5cm 15cm，工作氣壓優(yōu)選為0. 2Pa lOPa ; 在上述制備步驟(b)中，蒸發(fā)法制備In-Ga薄膜的厚度為，lOOnm 800nm，優(yōu)選為 200nm 600nm ;蒸發(fā)源為In源和Ga源或In-Ga合金源，蒸發(fā)源溫度為400°C 1800°C ，工 作氣壓為0. 02Pa 200Pa，其中蒸發(fā)源優(yōu)選為In源和Ga源，蒸發(fā)源溫度優(yōu)選為為600°C 1600°C ，工作氣壓優(yōu)選為為0. 2Pa 20Pa。 在上述制備步驟(b)中Cu-In-Ga合金膜中Cu原子數(shù)與In和Ga原子數(shù)之和的比 為0. 4 1. 0，即0. 4《Cu/(In+Ga)《1. O，優(yōu)選為0. 6《Cu/(In+Ga)《0. 95。
在上述制備步驟(c)中，Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源反應(yīng)溫度為35(TC 60(TC， 反應(yīng)時(shí)間為5秒 3600秒；其中Cu-In-Ga前驅(qū)膜與固態(tài)Se單質(zhì)或氣態(tài)H2Se源反應(yīng)溫度 優(yōu)選為450°C 570°C，反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為300秒 1800秒。 在上述制備步驟(d)中，CIGS薄膜與固態(tài)S單質(zhì)或氣態(tài)4S源反應(yīng)生成CIGSS吸 光層薄膜反應(yīng)溫度為350°C 60(TC，反應(yīng)時(shí)間為〉0秒 3600秒；其中CIGS薄膜與固態(tài) S單質(zhì)或氣態(tài)H2S源反應(yīng)溫度優(yōu)選為450°C 570°C，反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為50秒 1800秒。
在所制備的CIGSS光吸收層薄膜中，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比大于 0而小于1，即0 < S/(S+Se) < 1. O，優(yōu)選為0. 05《S/(S+Se)《0. 35。
本發(fā)明所提供的CIGSS薄膜的制備方法，不僅避免了三步共蒸發(fā)法中的大面積薄 膜成分難以控制的問題，也克服了磁控濺射法中成膜速率過慢的問題，而且改善了 CIGSS 薄膜的表面狀態(tài)，減少了 CIGSS電池的界面復(fù)合，且環(huán)境友好，有利于CIGSS薄膜太陽電池 的工業(yè)化生產(chǎn)。


圖1為實(shí)施例4所制備的CIGSS薄膜掃描電子顯微鏡(SEM)圖；
圖2為實(shí)施例4所制備的CIGS薄膜太陽電池的I-V曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明絕非限于實(shí)施例。
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實(shí)施例1 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為0. 2Wcm-2，靶距為4cm，工作氣壓為0. 05Pa，制備的Cu膜的厚度為50nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為600°C， Ga源的溫度為40(TC，工作氣壓為0. 02Pa，制備的In-Ga膜的厚度為250nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 4 ;將所制備的Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源在60(TC下反應(yīng)5秒，制備出CIGS薄膜；將CIGS薄膜與固態(tài)S源在35(TC反應(yīng)5秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0.4。在CIGSS薄膜的表面采用化學(xué)浴沉積法制備硫化鋅(ZnS)層，厚度為70nm，磁控濺射法制備本征氧化鋅(i-ZnO)層和摻鋁氧化鋅(ZnO:Al)層，厚度分別為100nm和600nm，制成CIGSS薄膜太陽電池，該電池的開路電壓為360mV，短路電流為10. 6mAcm—2。
實(shí)施例2 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為lOWcm—2，靶距為15cm，工作氣壓為20Pa，制備的Cu膜的厚度為lOOnm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為1800°C ， Ga源的溫度為160(TC，工作氣壓為200Pa，制備的In-Ga膜的厚度為200nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 1. 0 ;將所制備的Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源在35(TC下反應(yīng)3600秒，制備出CIGS薄膜，將CIGS薄膜與固態(tài)S源在60(TC反應(yīng)5秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0.05。 ZnS層、i-ZnO層和ZnO:Al層的制備同實(shí)施例l，制成CIGSS薄膜太陽電池，該電池的開路電壓為325mV，短路電流為15. 8mAcm—2。
實(shí)施例3 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為2Wcm—2，靶距為6cm，工作氣壓為0. 5Pa，制備的Cu膜的厚度為120nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為800°C ， Ga源的溫度為60(TC，工作氣壓為2Pa，制備的In-Ga膜的厚度為300nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 89 ;將所制備的Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源在55(TC下反應(yīng)900秒，制備出CIGS薄膜，將CIGS薄膜與固態(tài)S源在350°C反應(yīng)5秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 1 。ZnS層、i-ZnO層和ZnO:Al層的制備同實(shí)施例l，制成CIGS薄膜太陽電池，該電池的開路電壓為512mV，短路電流為28. 2mAcm—2。
實(shí)施例4 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為4Wcm—2，靶距為12cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為150nm ;采用In-Ga合金源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，溫度為60(TC，工作氣壓為lOPa，制備的In-Ga膜的厚度為200nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) =0. 98 ;將所制備的Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源在600°C下反應(yīng)900秒，制備出CIGS薄膜，將CIGS薄膜與固態(tài)S源在60(TC反應(yīng)600秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 4。所制備的CIGSS吸收層薄膜的SEM見圖1。 ZnS層、i-ZnO層和ZnO:Al層的制備同實(shí)施例1，制成CIGS薄膜太陽電池，該電池的開路電壓為565mV，短路電流為26. 6mAcm—2，其I-V特性見圖2。
實(shí)施例5: 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為lOWcm—2，耙距為10cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為350nm ;采用In-Ga合金源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，溫度為80(TC，工作氣壓為20Pa，制備的In-Ga膜的厚度為600nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 89 ;將Cu-In-Ga合金膜與H2Se源在550。C下反應(yīng)300秒，制備出CIGS薄膜，將所制備的CIGS薄膜與H2S源在55(TC反應(yīng)300秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 5。
實(shí)施例6 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為1. 5Wcm—2，靶距為8cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為150nm ;采用In-Ga合金源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，溫度為1800°C，工作氣壓為20Pa，制備的In-Ga膜的厚度為800nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 42 ;將Cu-In-Ga合金膜與H2Se源在350。C下反應(yīng)3600秒，制備出CIGS薄膜，將所制備的CIGS薄膜與單質(zhì)S源在60(TC反應(yīng)10秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 05。
實(shí)施例7 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為5Wcm—2，靶距為10cm，工作氣壓為lOPa，制備的Cu膜的厚度為250nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為IOO(TC， Ga源的溫度為80(TC，工作氣壓為2Pa，制備的In-Ga膜的厚度為600nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 59 ;將Cu-In-Ga合金膜與單質(zhì)Se源在45(TC下反應(yīng)1800秒，制備出CIGS薄膜，將所制備的CIGS薄膜與H2S源在60(TC反應(yīng)300秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 1。
實(shí)施例8 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為5Wcm—2，靶距為10cm，工作氣壓為lOPa，制備的Cu膜的厚度為250nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為IOO(TC ， Ga源的溫度為80(TC，工作氣壓為20Pa，制備的In-Ga膜的厚度為600nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 59 ;將Cu-In-Ga合金膜與單質(zhì)Se源在50(TC下反應(yīng)100秒，制備出CIGS薄膜，將所制備的CIGS薄膜與H2S源在50(TC反應(yīng)3000秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 85。
實(shí)施例9 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為2Wcm—2，靶距為8cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為300nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為1800°C ， Ga源的溫度為120(TC，工作氣壓為5Pa，制備的In-Ga膜的厚度為800nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 48 ;將Cu-In-Ga合金膜與單質(zhì)Se源在50(TC下反應(yīng)900秒，制備出CIGS薄膜，將所制備的CIGS薄膜與H2S源在50(TC反應(yīng)900秒，得到CIGSS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 5。
實(shí)施例10 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為2Wcm—2，靶距為8cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為300nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為1500°C， Ga源的溫度為IOO(TC，工作氣壓為lOPa，制備的In-Ga膜的厚度為700nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 50 ;將Cu-In-Ga合金膜與單質(zhì)Se源在50(TC下反應(yīng)1800秒，得到出CIGS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0。
實(shí)施例11 : 在鍍鉬(Mo)的鈉鈣硅玻璃上，用Cu靶濺射制備Cu膜，其中濺射功率密度為2Wcm—2，靶距為8cm，工作氣壓為5Pa，制備的Cu膜的厚度為300nm ;采用In源和Ga源蒸發(fā)沉積In-Ga膜，其中In源的溫度為IOO(TC， Ga源的溫度為100(TC，工作氣壓為20Pa，制備的In-Ga膜的厚度為600nm ;所制備的Cu-In-Ga合金膜中，Cu/(In+Ga) = 0. 55 ;將Cu-In-Ga合金膜與H2S源在50(TC反應(yīng)1800秒，得到CIGS薄膜，其中S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為1.0。
權(quán)利要求
一種銅銦鎵硒硫薄膜太陽電池光吸收層的制備方法，其特征在于先采用濺射與蒸發(fā)復(fù)合的方法制備銅銦鎵金屬前驅(qū)膜，然后在銅銦鎵硒表面引入硫元素，具體包括以下步驟(a)在襯底上常溫下通過磁控濺射法制備Cu薄膜；(b)在步驟(a)制備的Cu薄膜的表面通過蒸發(fā)法制備In-Ga薄膜，形成Cu-In-Ga合金膜；(c)接著將Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se單質(zhì)或氣態(tài)H2Se源反應(yīng)生成銅銦鎵硒薄膜；(d)最后將步驟(c)生成的銅銦鎵硒薄膜與固態(tài)S單質(zhì)或氣態(tài)H2S源反應(yīng)生成銅銦鎵硒硫吸光層薄膜。
2. 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于步驟(a)中，磁控濺射法制備Cu薄膜 的厚度為50nm 350nm ;采用的濺射條件為濺射功率密度為0. 2W cm—2 10W cm—2，靶距 為4cm 20cm，工作氣壓為0. 05Pa 20Pa。
3. 按權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于濺射功率密度為0. 5Wcm—2 5W cm—2， 靶距為5cm 15cm，工作氣壓為0. 2Pa lOPa，磁控濺射法制備Cu薄膜的厚度為80_280nm。
4. 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于步驟(b)中，蒸發(fā)法制備In-Ga薄膜 的厚度為100nm 800nm;蒸發(fā)源為In源和Ga源或In-Ga合金源，蒸發(fā)源溫度為400°C 180(TC，工作氣壓為0. 02Pa 200Pa ;制備的Cu-In-Ga合金膜中Cu原子數(shù)與In和Ga原 子數(shù)之和的比為0. 4 1.0，即0. 4《Cu/(In+Ga)《1.0。
5. 按照權(quán)利要求1或4所述的制備方法，其特征在于蒸發(fā)源為In源和Ga源，蒸發(fā) 源溫度為600°C 1600°C，工作氣壓為0. 2Pa 20Pa ;蒸發(fā)法制備In-Ga薄膜的厚度為 200-600nm ;在制備Cu-In-Ga合金膜中0. 6《Cu/(In+Ga)《0. 95。
6. 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于步驟(c)中，Cu-In-Ga合金膜與固態(tài) Se源反應(yīng)溫度為350°C 600°C，反應(yīng)時(shí)間為5秒 3600秒。
7. 按照權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于步驟(c)中Cu-In-Ga前驅(qū)膜與固 態(tài)Se單質(zhì)或氣態(tài)H2Se源反應(yīng)溫度為450°C 570°C，反應(yīng)時(shí)間為300秒 1800秒。
8. 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于步驟(d)中，CIGS薄膜與固態(tài)S單質(zhì)或 氣態(tài)H2S源反應(yīng)生成CIGSS吸光層薄膜反應(yīng)溫度為350°C 600°C ，反應(yīng)時(shí)間為5秒 3600 秒。
9. 按照權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于步驟(d)中CIGS薄膜與固態(tài)S單 質(zhì)或氣態(tài)H2S源反應(yīng)溫度為450°C 570°C，反應(yīng)時(shí)間為50秒 1800秒。
10. 按照權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于所制備的CIGSS光吸收層薄膜中S原 子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為大于0而小于l，即0〈S/(S+Se) < 1. 0。
11. 按照權(quán)利要求1或8所述的制備方法，其特征在于所制備的CIGSS光吸收層薄膜中 S原子數(shù)與S和Se原子數(shù)之和的比為0. 05《S/(S+Se)《0.35。
全文摘要
本發(fā)明涉及銅銦鎵硒硫(CIGSS)光吸收層薄膜的制備方法。特征在于首先采用磁控濺射法在基片沉積Cu膜，然后采用蒸發(fā)法沉積In-Ga膜，形成Cu-In-Ga合金膜，再次將Cu-In-Ga合金膜與固態(tài)Se源或氣態(tài)H2Se源反應(yīng)生成銅銦鎵硒(CIGS)薄膜，最后將CIGS薄膜與固態(tài)S單質(zhì)或氣態(tài)H2S源反應(yīng)生成銅銦鎵硒硫(CIGSS)吸光層薄膜。本發(fā)明所提供的CIGSS薄膜的制備方法，不僅避免了三步共蒸發(fā)法中的大面積薄膜成分難以控制的問題，也克服了磁控濺射法中成膜速率過慢的問題，而且改善了CIGSS薄膜的表面狀態(tài)，減少了CIGSS電池的界面復(fù)合，有利于高效率CIGSS薄膜太陽電池的規(guī)?；a(chǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/14GK101789469SQ201010118290
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月5日
發(fā)明者呂旭杰, 朱小龍, 王晶, 王耀明, 黃富強(qiáng) 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所