專(zhuān)利名稱(chēng)：基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法、基板處理方法、計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)以及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)針對(duì)2008年9月30日申請(qǐng)的日本特愿2008-253937號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，參照 并援引該日本特愿2008-253937號(hào)的全部?jī)?nèi)容。本發(fā)明涉及在將半導(dǎo)體晶片等基板加熱而進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改性 處理、結(jié)晶化處理等處理的處理裝置中，在基板以異常的狀態(tài)載置于基板載置臺(tái)上時(shí)用于 檢測(cè)其的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法、利用該方法的基板處理方法、利用上述方法的 計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)以及基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，針對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板而進(jìn)行成膜等處理的處理裝 置，在反應(yīng)室內(nèi)具有載置基板的基板載置臺(tái)，在用該基板載置臺(tái)支承基板的狀態(tài)下進(jìn)行處 理。在基板載置臺(tái)上內(nèi)裝有加熱器，以便能根據(jù)處理內(nèi)容對(duì)基板進(jìn)行加熱，例如利用熱CVD 法等進(jìn)行成膜處理的情況下，通過(guò)加熱器將基板載置臺(tái)的溫度加熱至500°C 700°C左右 (例如日本特開(kāi)2006-283173號(hào)公報(bào))。但是，在基板載置臺(tái)與基板之間進(jìn)入異物等而導(dǎo)致基板從載置面浮起，或因傳送 裝置的錯(cuò)誤動(dòng)作而基板在基板載置臺(tái)上從正常位置偏離位置而被載置的情況下，存在從基 板載置臺(tái)向基板的導(dǎo)熱變得不均勻，處理內(nèi)容(成膜情況下為膜厚等)在基板面內(nèi)變得不 均勻等的問(wèn)題。并且，在基板本身產(chǎn)生翹曲而部分產(chǎn)生浮起的情況，或在基板載置臺(tái)本身發(fā) 生變形、破損等問(wèn)題而基板不能在正常位置載置的情況下，也發(fā)生與上述相同的問(wèn)題。以往，在發(fā)生基于異物、位置偏離、基板的異常、基板載置臺(tái)的異常等的基板的異 常載置狀態(tài)的情況下，沒(méi)有在處理的中途可靠地檢測(cè)所述問(wèn)題的方法。因此，通常情況是， 針對(duì)制成設(shè)備時(shí)導(dǎo)致批次不良、產(chǎn)品不良的情況，才事后調(diào)查原因，查出是異常的載置狀 態(tài)。因此，一旦發(fā)生異常載置狀態(tài)，就會(huì)連續(xù)發(fā)生批次不良、產(chǎn)品不良，成為降低成品率的主 要原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述實(shí)情作出的，其目的在于提供能在早期發(fā)現(xiàn)基板相對(duì)于基板載 置臺(tái)的異常載置狀態(tài)的方法。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，對(duì)在設(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置的基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理時(shí)，檢測(cè)該基板 的載置狀態(tài)的異常，其特征在于，包括在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載 置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值、或上述電 力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值、或檢測(cè)出的上述累計(jì)值判定上述基板的異常載置狀態(tài)的工序。根據(jù)本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，由于能夠以向上述加熱器供給的 電力輸出的最大值及最小值或累計(jì)值或上述基板載置臺(tái)的溫度的最大值及最小值或累計(jì) 值作為指標(biāo)，每當(dāng)處理一張基板時(shí)判定基板的異常載置狀態(tài)，因而能最大限度地抑制產(chǎn)品 不良率，從而提高成品率。并且，由于不需要例如用于檢測(cè)基板的載置位置的傳感器等新設(shè) 備，因而能容易應(yīng)用于現(xiàn)有的設(shè)備。本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，在上述進(jìn)行檢測(cè)的工序由檢測(cè)上述電 力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值的工序構(gòu)成的情況下，也可以包括求出上述最大 值與上述最小值之差的工序，上述進(jìn)行判定的工序包括通過(guò)將上述差與預(yù)定的閾值比較而 判定上述基板的異常載置狀態(tài)的步驟。根據(jù)該特征，通過(guò)將上述最大值與最小值之差與預(yù) 先設(shè)定的閾值比較，能容易進(jìn)行基板的異常載置狀態(tài)的判定。并且，本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，在上述進(jìn)行檢測(cè)的工序由檢測(cè) 上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值的工序構(gòu)成的情況下，還包括求出上述 最大值與上述最小值之差的工序；和利用上述差與在前一張基板的處理中求出的電力輸出 或計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值之差進(jìn)行運(yùn)算處理而求出運(yùn)算結(jié)果的工序，上述進(jìn)行判定的 工序包括通過(guò)將上述運(yùn)算結(jié)果與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的異常載置狀態(tài)的步驟。 根據(jù)該特征，即使在成膜處理等中因堆積物而基板載置臺(tái)的狀態(tài)發(fā)生變化的情況下，通過(guò) 將以相同的處理內(nèi)容處理前一張的基板作為基準(zhǔn)進(jìn)行校正(運(yùn)算處理)，能精度良好地檢 測(cè)基板的異常載置狀態(tài)。并且，本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，在上述進(jìn)行檢測(cè)的工序由檢測(cè) 上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序構(gòu)成的情況下，上述進(jìn)行判定的工序包括通 過(guò)將上述累計(jì)值與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的異常載置狀態(tài)的步驟。根據(jù)該特征， 通過(guò)累計(jì)值與預(yù)先設(shè)定的閾值比較，判定變得容易。并且，本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，在上述進(jìn)行檢測(cè)的工序由檢測(cè) 上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序構(gòu)成的情況下，也可以包括利用上述累計(jì)值 與在前一張基板的處理中檢測(cè)出的累計(jì)值進(jìn)行運(yùn)算處理而求出運(yùn)算結(jié)果的工序，上述進(jìn)行 判定的工序包括通過(guò)將上述運(yùn)算結(jié)果與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的異常載置狀態(tài) 的步驟。根據(jù)該特征，即使在成膜處理等中因堆積物而基板載置臺(tái)的狀態(tài)發(fā)生變化的情況 下，通過(guò)將以相同的處理內(nèi)容處理前一張的基板作為基準(zhǔn)進(jìn)行校正，能精度良好地檢測(cè)基 板的異常載置狀態(tài)。此時(shí)，設(shè)上述累計(jì)值為A1，在前一張基板的處理中檢測(cè)出的上述累計(jì)值為Atl時(shí)，上 述運(yùn)算結(jié)果可以由A1與Atl的比構(gòu)成，或上述運(yùn)算結(jié)果也可以由A1與Atl之差構(gòu)成。并且，本發(fā)明的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，在上述進(jìn)行檢測(cè)的工序由檢測(cè) 上述電力輸出的最大值及最小值或上述電力輸出的累計(jì)值的工序構(gòu)成的情況下，向上述加 熱器供給的電力輸出可為向加熱器供給的供給電力、供給電流或供給電壓中任一個(gè)以上。由于所述參數(shù)為在工藝中通常管理的向加熱器供給的電力輸出的參數(shù)，因而通過(guò) 利用所述參數(shù)，對(duì)控制系統(tǒng)的負(fù)荷小也可以，能容易應(yīng)用于現(xiàn)有設(shè)備。本發(fā)明的基板處理方法，其特征在于，包括在設(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置基板的工序；
對(duì)上述基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理的工序；和檢測(cè)被處理的上述基板的載置狀態(tài)的異常的工序，上述檢測(cè)異常的工序，包括在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載 置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值或上述電力 輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值或檢測(cè)出的上述累計(jì)值判定上述基板的 異常載置狀態(tài)的工序。本發(fā)明的計(jì)算機(jī)能讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上工作的控制程序，其特征在于，上述控制程序?qū)υ谠O(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置的基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理 時(shí)，使上述計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下的工序在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載 置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值或上述電力 輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值或檢測(cè)出的上述累計(jì)值判定上述基板的 異常載置狀態(tài)的工序。本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，包括載置基板的基板載置臺(tái)；加熱器，設(shè)在上述基板載置臺(tái)上，對(duì)在該基板載置臺(tái)上載置的基板進(jìn)行加熱；加熱器電源，與上述加熱器電連接；溫度計(jì)測(cè)部，計(jì)測(cè)上述基板載置臺(tái)的溫度；存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)向上述加熱器供給的電力輸出或上述基板載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度；和判定部，檢測(cè)向上述加熱器供給的電力輸出的最大值與最小值之差或向該加熱器 供給的電力輸出的累計(jì)值或上述基板載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差或該基板 載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值，根據(jù)上述差或累計(jì)值，判定上述基板的異常載置狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的基板異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，可根據(jù)對(duì)加熱器的電力輸出或基板 載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度求出最大值及最小值或累計(jì)值，通過(guò)進(jìn)行簡(jiǎn)單的運(yùn)算而能在早期準(zhǔn)確地 掌握基板的異常載置狀態(tài)。因此，能最大限度地抑制產(chǎn)品不良，改善成品率。并且，本發(fā)明的方法，由于不設(shè)置檢測(cè)基板的位置的光學(xué)傳感器等設(shè)備就能實(shí)施， 因而容易應(yīng)用于現(xiàn)有的設(shè)備，利用價(jià)值高。


圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的成膜裝置的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示圖1的成膜裝置的控制系統(tǒng)的方框圖。圖3是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法的順序的流程圖。圖4是說(shuō)明晶片的正常載置狀態(tài)與異常載置狀態(tài)的不同點(diǎn)的圖。圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法的順序的流程圖。圖6是表示晶片的正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)下的工作臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度、向加熱器供給的供給電力的△值變化的圖表。圖7是表示晶片的正常載置狀態(tài)和模擬的異常載置狀態(tài)下的向加熱器供給的供 給電力的長(zhǎng)時(shí)間變化的圖表。圖8是表示晶片的正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)下的向加熱器供給的供給電力 的累計(jì)值的圖表。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在圖1中示出作為基板處理 裝置的一實(shí)施方式的成膜裝置100的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)例。該成膜裝置100具有以氣密方式構(gòu)成的 大致圓筒狀的處理容器1。在處理容器1中配備有作為基板載置臺(tái)的工作臺(tái)3，該工作臺(tái)3 水平地支承作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“晶片”)W。如圖1所示，工作臺(tái)3被圓筒狀的支承部件5支承。在與晶片W的中央部對(duì)應(yīng)的 工作臺(tái)中央部的區(qū)域，埋設(shè)有作為加熱單元的加熱器6a。并且，在加熱器6a的外側(cè)，即在與 晶片W的周緣部對(duì)應(yīng)的工作臺(tái)周緣部的區(qū)域，環(huán)狀地埋設(shè)有加熱器6b。所述加熱器6a、6b 是分別獨(dú)立地通過(guò)從加熱器電源7供電而將作為被處理基板的晶片W加熱至預(yù)定的溫度的 電阻加熱式加熱器。在本實(shí)施方式中，考慮到在晶片W的中央部和周緣部之間容易產(chǎn)生溫 度差，采用通過(guò)配備內(nèi)外分成2部分的加熱器6a、6b來(lái)分別獨(dú)立地控制所述兩個(gè)區(qū)域的加 熱溫度的結(jié)構(gòu)。并且，在工作臺(tái)3上配備有熱電偶(TC)(溫度計(jì)測(cè)部)8，能實(shí)時(shí)地計(jì)測(cè)工作 臺(tái)3的溫度。并且，雖然省略了圖示，在工作臺(tái)3上，以可相對(duì)于工作臺(tái)3的基板載置面S進(jìn)出 的方式設(shè)有用于支承晶片W并使其升降的多個(gè)支承銷(xiāo)。所述支承銷(xiāo)構(gòu)成為通過(guò)任意的升降 機(jī)構(gòu)沿上下位移，在上升位置處與搬送裝置(省略圖示)之間進(jìn)行晶片W的交接。如圖1所示，在處理容器1的頂板Ia上設(shè)有噴頭11。該噴頭11在內(nèi)部具有氣體 擴(kuò)散空間11a。并且，在噴頭11的下表面中，形成有與氣體擴(kuò)散空間Ila連通的多個(gè)氣體吐 出孔13。并且，在噴頭11的中央部，連接有與氣體擴(kuò)散空間Ila連通的氣體供給配管15。 該氣體供給配管15經(jīng)由MFC(質(zhì)量流量控制器)17和未圖示的多個(gè)閥，連接在供給成膜原 料氣體等的氣體供給源19上。從氣體供給源19經(jīng)由氣體供給配管15，除了成膜原料氣體以外，還向噴頭11供給 用于清潔處理容器1內(nèi)的清潔氣體、用于進(jìn)行處理容器1內(nèi)的氣氛置換的吹掃氣體等。在噴頭11上經(jīng)由匹配器21連接有高頻電源23。通過(guò)從該高頻電源23向噴頭11 供給高頻電力，可將經(jīng)由噴頭11供給至處理容器1內(nèi)的原料氣體進(jìn)行等離子化而進(jìn)行成膜。如圖1所示，在處理容器1的底壁Ic上連結(jié)有排氣室30。在該排氣室30的側(cè)部 形成有排氣孔31。在該排氣孔31上經(jīng)由排氣管33連接有排氣裝置35。并且，在排氣管33 的中途配備有閥37，構(gòu)成為能以氣密方式截?cái)嗵幚砣萜?的內(nèi)部與排氣裝置35之間。并 且，構(gòu)成為在打開(kāi)閥37的狀態(tài)下，通過(guò)使排氣裝置35工作而將處理容器1內(nèi)減壓至預(yù)定的 真空度為止。在構(gòu)成處理容器1的各部件的接合部分上，為了確保該接合部分的氣密性，配備 有作為密封部件的0形密封圈。在圖1上，例如在頂板Ia與側(cè)壁Ib之間的接合部分上環(huán)狀地配備有0形密封圈41，并且，在底壁Ic與排氣室30的凸緣部30a之間的接合部分上環(huán) 狀地配備有0形密封圈45。在如上所述結(jié)構(gòu)的成膜裝置100中，通過(guò)在使處理容器1內(nèi)為真空并在工作臺(tái)3 上載置了晶片W的狀態(tài)下，利用加熱器6a、6b對(duì)晶片W進(jìn)行加熱的同時(shí)從噴頭11向晶片W 供給原料氣體，而可在晶片W的表面上通過(guò)CVD法例如形成Ti膜、TiN膜等預(yù)定的薄膜。此 時(shí)，為了提高成膜反應(yīng)效率的目的，還可以從高頻電源23向噴頭11供給高頻電力。構(gòu)成成膜裝置100的各終端設(shè)備(例如加熱器電源7、熱電偶8、MFC17、高頻電源 23、排氣裝置35等)為連接到控制部70而被控制的結(jié)構(gòu)。將成膜裝置100中的控制系統(tǒng) 的結(jié)構(gòu)例如在圖2示出?？刂撇?0包括具有CPU的計(jì)算機(jī)即控制器71、與該控制器71連 接的用戶(hù)界面72以及存儲(chǔ)部73。用戶(hù)界面72具有工序管理人員為了管理成膜裝置100而 進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤(pán)、觸摸屏、將成膜裝置100的運(yùn)行狀況可視化而顯示的顯示 器等。在存儲(chǔ)部73保存有用于通過(guò)控制器71的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)在成膜裝置100執(zhí)行的各種處 理的控制程序(軟件)、記錄有處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的配方(recipe)。并且，根據(jù)需要，通過(guò)來(lái) 自用戶(hù)界面72的指示等從存儲(chǔ)部73調(diào)出任意的程序、配方并讓控制器71執(zhí)行，在控制器 71的控制下，在成膜裝置100的處理容器1內(nèi)進(jìn)行所希望的處理。另外，上述控制程序、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等配方，可通過(guò)將存儲(chǔ)到計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ) 介質(zhì)中的狀態(tài)下的資料安裝到存儲(chǔ)部73而利用。作為計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)74，例如可 使用⑶-ROM、硬盤(pán)、軟盤(pán)、閃存、DVD等。并且，上述配方可從其他裝置，例如經(jīng)由專(zhuān)用線(xiàn)路隨 時(shí)傳輸而以在線(xiàn)方式利用。并且，控制部70的控制器71控制從加熱器電源7向加熱器6a、6b的電力輸出，例 如控制向加熱器6a、6b供給的供給電力、向加熱器6a、6b供給的供給電流以及加熱器6a、6b 供給的供給電壓。從加熱器電源7向加熱器6a、6b的上述電力輸出，根據(jù)基于熱電偶8的 工作臺(tái)3的溫度計(jì)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行反饋控制，以維持由用戶(hù)界面72、配方設(shè)定的預(yù)定的溫度，并 且自動(dòng)控制成當(dāng)工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度高于被設(shè)定的預(yù)定溫度時(shí)，抑制上述電力輸出，當(dāng)工 作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度低于被設(shè)定的預(yù)定溫度時(shí)，增加上述電力輸出。在對(duì)一張晶片進(jìn)行處理 的期間，上述電力輸出的數(shù)據(jù)、基于熱電偶8的溫度計(jì)側(cè)數(shù)據(jù)，被存儲(chǔ)在作為存儲(chǔ)單元的存 儲(chǔ)部73 (或也可以是控制器71的RAM等)。而且在這里，在對(duì)一張晶片進(jìn)行處理的期間，是 指針對(duì)載置于處理容器1內(nèi)的工作臺(tái)(基板載置臺(tái))3上的一張晶片根據(jù)任意的控制程序、 配方進(jìn)行所希望的處理的期間。并且，控制器71發(fā)揮如下的運(yùn)算單元的功能取得在對(duì)一張晶片W進(jìn)行處理的期 間或一張晶片W被送入處理容器1并載置于工作臺(tái)3后、從處理容器1送出為止的期間的 上述電力輸出、溫度的最大值、最小值，運(yùn)算其差，或運(yùn)算對(duì)一張晶片W進(jìn)行處理的期間的 上述電力輸出、溫度的累計(jì)值。并且，控制器71還發(fā)揮如下的判定部的功能根據(jù)如上所述 地得到的差、累計(jì)值，例如通過(guò)與預(yù)定的閾值進(jìn)行比較，判定晶片W的異常載置狀態(tài)。(第一實(shí)施方式)接著，對(duì)在成膜裝置100中進(jìn)行的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的晶片W的異常載置狀 態(tài)的檢測(cè)方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示本實(shí)施方式的晶片W的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法的順 序的概況的流程圖。該異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法是用成膜裝置100對(duì)一張晶片W進(jìn)行處理 的期間進(jìn)行的，其可以將全部晶片W的處理作為對(duì)象實(shí)施，也可以在批次中，對(duì)被選擇的任意數(shù)量的晶片W進(jìn)行處理時(shí)實(shí)施。并且，例如在控制部70內(nèi)設(shè)置標(biāo)記寄存器(省略圖示)，該標(biāo)記寄存器保存判斷是 否進(jìn)行異常載置狀態(tài)的檢測(cè)的標(biāo)記信息，通過(guò)參照該標(biāo)記信息，而能根據(jù)基于上述配方的 成膜內(nèi)容，選擇是否實(shí)施異常載置狀態(tài)的檢測(cè)。首先，在圖3的步驟Si，在一張晶片W的處理期間，檢測(cè)從加熱器電源7向加熱器 6a (或加熱器6b)供給的電力的最大值和最小值，并將它們保存在存儲(chǔ)部73中。該步驟Sl 是通過(guò)控制器71進(jìn)行的。在對(duì)一張晶片W進(jìn)行處理的期間從加熱器電源7輸出的電力值， 例如以一秒間隔由控制器71取得。在一張晶片W的處理期間，通過(guò)依次覆蓋所取得的電力 的最大值和最小值進(jìn)行更新，而可在一張晶片W的處理結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)檢測(cè)此期間的最大值 和最小值?？刂破?1將檢測(cè)出的電力的最大值和最小值保存到存儲(chǔ)部73。其中，電力的最 大值和最小值，不一定以對(duì)一張晶片W進(jìn)行處理的期間的整體作為基準(zhǔn)，也可以檢測(cè)一部 分時(shí)間內(nèi)的最大值和最小值。接著，在步驟S2中，控制器71求出在步驟Sl保存了的從加熱器電源7向加熱器 6a(或加熱器6b)供給的供給電力的最大值與最小值之差(最大值-最小值)。其中，在本 說(shuō)明書(shū)中，作為表示電力輸出、溫度的“最大值與最小值之差”的詞匯，有時(shí)使用“ Δ值”的 詞匯。接著，在步驟S3中，將在步驟S2得到的供給電力的△值與預(yù)先設(shè)定的閾值比較， 判斷Δ值是否比閾值大。在這里，“閾值”可根據(jù)在正常的載置狀態(tài)下對(duì)晶片W進(jìn)行處理 時(shí)的Δ值、其統(tǒng)計(jì)的平均值等設(shè)置一定的差額而設(shè)定。并且，當(dāng)Δ值大于閾值時(shí)(是)， 在步驟S4中載置狀態(tài)被判斷為“無(wú)異?！?。另一方面，在步驟S3中，在△值不大于閾值時(shí) (否)，在步驟S5中載置狀態(tài)被判斷為“存在異?！薄４藭r(shí)，在步驟S6中例如可進(jìn)行基于警 報(bào)的警告、向顯示器顯示錯(cuò)誤信息等。并且，在步驟S6中還可采取成膜裝置100的自動(dòng)停 止(批次處理的中斷)等措施。對(duì)在本實(shí)施方式中能基于△值檢測(cè)晶片W的異常載置狀態(tài)的原因進(jìn)行說(shuō)明。圖 4是示意性地說(shuō)明晶片W針對(duì)工作臺(tái)3的載置狀態(tài)的圖，圖4(a)表示晶片W與工作臺(tái)3的 表面(基板載置面S)面接觸的正常的載置狀態(tài)，圖4(b)表示因異物F的介入而使晶片W 從工作臺(tái)3的表面(基板載置面S)浮起的異常的載置狀態(tài)。在圖4中，白箭頭Η1、Η2示意 性地表示從工作臺(tái)3向晶片W傳導(dǎo)的熱，箭頭的大小表示熱量的大小。如圖4(a)所示，在 正常的載置狀態(tài)下，由于晶片W與工作臺(tái)3面接觸，所以工作臺(tái)3的熱有效地向相對(duì)冷的晶 片W—側(cè)移動(dòng)。另一方面，如圖4(b)所示，在因存在異物F使晶片W從工作臺(tái)3浮起的狀 態(tài)下，由于在工作臺(tái)3與晶片W之間產(chǎn)生間隙，因而從工作臺(tái)3向晶片W的熱移動(dòng)變小。因 此，針對(duì)工作臺(tái)3的溫度損失，圖4(b)的情況比圖4(a)的情況小。如上所述，由于向加熱器6a(或加熱器6b)供電的加熱器電源7受到根據(jù)基于熱 電偶8溫度計(jì)測(cè)數(shù)據(jù)針對(duì)設(shè)定溫度的反饋控制，因而如工作臺(tái)3的溫度損失大，則來(lái)自加熱 器電源7的供給電力也變大，相反，如工作臺(tái)3的溫度損失小，則來(lái)自加熱器電源7的供給 電力也變小。S卩，在比較圖4(a)和圖4(b)的狀態(tài)時(shí)，與需要彌補(bǔ)向晶片W移動(dòng)的量的熱的 圖4(a)的狀態(tài)相比，向晶片W的熱的移動(dòng)少的圖4(b)的狀態(tài)下來(lái)自加熱器電源7的供給 電力變小。這種輸出的不同點(diǎn)可通過(guò)求出來(lái)自加熱器電源7的電力輸出的偏差幅度即其輸出的最大值與最小值之差(Δ值)而更明確地區(qū)分。S卩，與圖4(a)的狀態(tài)相比，圖4(b)的 狀態(tài)下由于向晶片W的熱的移動(dòng)較少，因而來(lái)自加熱器電源7的電力輸出穩(wěn)定化，Δ值較 小地表示出來(lái)。因此，通過(guò)根據(jù)晶片W的正常載置狀態(tài)下的來(lái)自加熱器電源7的供給電力 的Δ值設(shè)定預(yù)定的閾值，并將該閾值和計(jì)測(cè)出的△值比較而進(jìn)行判定，從而能檢測(cè)晶片W 的載置異常。例如，Δ值比閾值小意味著從工作臺(tái)3向晶片W的熱的移動(dòng)量異常小，表示 其為異常載置狀態(tài)的可能性高。 如此，本實(shí)施方式的方法利用了如下原理在因異物的介入、晶片W的位置偏離、 晶片W的變形、工作臺(tái)3的變形、破損等而發(fā)生晶片W相對(duì)于工作臺(tái)3的載置異常的情況下， 與正常的載置狀態(tài)相比來(lái)自加熱器電源7的供給電力變小，其在Δ值中明顯出現(xiàn)。
根據(jù)基于參照?qǐng)D4說(shuō)明了的來(lái)自工作臺(tái)3的向晶片W的熱傳遞的說(shuō)明，可理解為 不僅是從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)的供給電力，作為與電力輸出有關(guān)的其 他參數(shù)，即使利用基于從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)的供給電壓的輸出的△ 值或給予供給電流的輸出的△值，也能與以上相同地，檢測(cè)晶片W的載置異常。并且，可理解為即使以由熱電偶8計(jì)測(cè)的工作臺(tái)3的溫度的偏差幅度(Δ值)作 為指標(biāo)，也能同樣地檢測(cè)晶片W的載置異常。由熱電偶8計(jì)測(cè)溫度變動(dòng)(溫度降低)之后， 通過(guò)反饋控制使從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)供給的電力增加直到恢復(fù)工作 臺(tái)3的溫度為止，存在時(shí)滯。因此，在比工作臺(tái)3冷的晶片W以正常的狀態(tài)載置于工作臺(tái)3 上的情況下，熱電偶8的計(jì)測(cè)溫度暫時(shí)降低后至通過(guò)反饋控制恢復(fù)溫度為止的期間花費(fèi)一 些時(shí)間，其表現(xiàn)出為溫度的Δ值。另一方面，在晶片W以異常的載置狀態(tài)被載置的情況下， 由于幾乎不發(fā)生溫度降低，因而Δ值變小。S卩，在以工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的Δ值作為指標(biāo) 時(shí)，相比晶片W正常地被載置的狀態(tài)，異常載置狀態(tài)時(shí)與向晶片W的熱的移動(dòng)越少計(jì)測(cè)溫度 越穩(wěn)定化，Δ值變小。因此，與加熱器6a(或加熱器6b)的電力輸出相同地，根據(jù)作為計(jì)測(cè) 溫度的偏差幅度的△值，也能檢測(cè)晶片W的異常載置狀態(tài)。如上所述，在本實(shí)施方式中，通過(guò)以從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)供 給的供給電力、供給電壓、供給電流中任意的一個(gè)以上或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度作為指標(biāo)，求 出其偏差幅度(Δ值)，并與閾值進(jìn)行比較，從而能在短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)晶片W的載置異常。另 外，在具有獨(dú)立控制中央部和周緣部這兩個(gè)區(qū)域的加熱器6a、6b的圖1的成膜裝置100的 工作臺(tái)3中，針對(duì)加熱器6a或加熱器6b中任一方實(shí)施圖3的順序即可，但也可以對(duì)加熱器 6a及加熱器6b雙方實(shí)施圖3的順序。并且，清楚的是，該檢測(cè)方法也同樣能應(yīng)用于具有將 工作臺(tái)整體作為一個(gè)區(qū)域控制的加熱器構(gòu)造的工作臺(tái)。(第二實(shí)施方式)接著，對(duì)在成膜裝置100中進(jìn)行的本發(fā)明第二實(shí)施方式的晶片W的異常載置狀態(tài) 的檢查方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示本實(shí)施方式的晶片W的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法的順序 的概況的方框圖。其中，在以下說(shuō)明中，以與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)相 同的結(jié)構(gòu)省略說(shuō)明。在第一實(shí)施方式中，通過(guò)針對(duì)從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)供給的 電力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度求出最大值與最小值之差(Δ值)，通過(guò)將其作為指標(biāo)與規(guī) 定的閾值進(jìn)行比較，而檢測(cè)了晶片W的異常載置狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，代替△值，而求出 上述電力輸出或計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值，將其作為指標(biāo)而與閾值比較，檢測(cè)晶片W的異常載置狀態(tài)。并且，在本實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式不同點(diǎn)在于，在與閾值比較之前，以相同 處理內(nèi)容的前一張的晶片w(是指基于相同配方的上一個(gè)批次的最后晶片W或同一批次中 的前一張晶片W，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“上一次”)的處理中的上述電力輸出或計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值為 基準(zhǔn)進(jìn)行校正。校正方法可實(shí)施求出前一次處理中的累計(jì)值與當(dāng)前處理中的累計(jì)值之比的 方法、求出前一次處理中的累計(jì)值與當(dāng)前處理中的累計(jì)值之差的方法等的運(yùn)算處理。在這 里，采用了求出前一次處理中的累計(jì)值與當(dāng)前處理中的累計(jì)值之比的方法。首先，在圖5的步驟Sll中，在成膜裝置100中通過(guò)與從此進(jìn)行的處理相同內(nèi)容的 前一次處理(即，針對(duì)基于相同配方的前一次對(duì)晶片的處理)中，將處理前一張的晶片W時(shí) 檢測(cè)出的從加熱器電源向加熱器6a(或加熱器6b)的供給電力的累計(jì)值設(shè)定為Α。。由于該 累計(jì)值A(chǔ)tl或作為其基礎(chǔ)的供給電力的數(shù)據(jù)保存在存儲(chǔ)部73中，因而通過(guò)控制器71參照所 述數(shù)據(jù)，可計(jì)算出累計(jì)值&。接著，在步驟S12中，在處理當(dāng)前的一張晶片W的期間，計(jì)算出從加熱器電源71向 加熱器6a (或加熱器6b)的供給電力的累計(jì)值A(chǔ)1，并保存在存儲(chǔ)部73中。在該步驟S12中， 通過(guò)控制器71在處理一張晶片W的期間例如以1秒間隔取得從加熱器電源7輸出的電力 值，并依次對(duì)其進(jìn)行相加，從而能容易地計(jì)算出累計(jì)值?？刂破?1將計(jì)算出的累計(jì)值A(chǔ)1保 存在存儲(chǔ)部73。接著，在步驟S13中，控制器71根據(jù)在步驟Sll設(shè)定的累計(jì)值A(chǔ)tl和在步驟S12計(jì) 算出的累計(jì)值A(chǔ)1來(lái)對(duì)比A1Atl進(jìn)行運(yùn)算，并將該值與預(yù)定的閾值比較。并且，在比A1Atl大 于閾值時(shí)(是)，在步驟S14載置狀態(tài)被判定為“無(wú)異常”。此時(shí)，在步驟S15將累計(jì)值A(chǔ)tl清 零，使在當(dāng)前的步驟S12取得的累計(jì)值A(chǔ)1為“前一次累計(jì)值A(chǔ)tl”進(jìn)行重新設(shè)定處理。另一方面，在步驟S13，在比A1Atl不大于閾值時(shí)(否)，在步驟S16載置狀態(tài)被判 定為“存在異常”。此時(shí)，在步驟S17，例如可進(jìn)行基于警報(bào)的警告、向顯示器顯示錯(cuò)誤信息寸。在本實(shí)施方式中，代替在第一實(shí)施方式中使用的△值，而以從加熱器電源7向加 熱器6a (或加熱器6b)的供給電力的累計(jì)值之比A1Aq作為了指標(biāo)，但基本原理與第一實(shí)施 方式相同。即，基于如下的原理在因異物、位置偏離等而發(fā)生晶片W的載置異常時(shí)，由于從 工作臺(tái)3向晶片W的熱的移動(dòng)量變小，所以工作臺(tái)3的溫度降低也變小，因而與正常的載置 狀態(tài)相比來(lái)自加熱器電源7的供給電力變小，其成為累計(jì)值A(chǔ)1的變化(減少)而顯現(xiàn)(參 照?qǐng)D4)。并且，不僅是從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)的供給電力輸出的累計(jì) 值，作為其他電力輸出，利用從加熱器電源7向加熱器6a(或加熱器6b)的供給電壓的累計(jì) 值或供給電流的累計(jì)值，也能與以上相同地，檢測(cè)晶片W的載置異常。并且，即使以由熱電偶8計(jì)測(cè)的工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值作為指標(biāo)，也同樣能 檢測(cè)晶片W的載置異常。如上所述，在比工作臺(tái)3冷的晶片W以正常的狀態(tài)載置于工作臺(tái) 3上的情況下，由熱電偶8計(jì)測(cè)到溫度變動(dòng)(溫度降低)之后，通過(guò)反饋控制從而時(shí)滯存在 直到恢復(fù)工作臺(tái)3的溫度為止。并且，該時(shí)滯成為原因，由此在使從加熱器電源7向加熱器 6a(或加熱器6b)供給的電力增加而恢復(fù)工作臺(tái)3的溫度的過(guò)程中，發(fā)生過(guò)沖。即，工作臺(tái) 3的溫度(由熱電偶8計(jì)測(cè)的計(jì)測(cè)溫度)上升直到暫時(shí)超過(guò)設(shè)定溫度為止，從而逐漸接近設(shè)定溫度。在晶片W正常載置的狀態(tài)下，由于發(fā)生上述過(guò)沖，因而工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的累計(jì) 值變大。在異常載置狀態(tài)的情況下，由于向晶片W的熱的移動(dòng)變小，因而計(jì)測(cè)溫度接近設(shè)定 溫度而穩(wěn)定化，沒(méi)有過(guò)沖，從而作為計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值而言變小。因此，與加熱器6a(或加 熱器6b)的電力輸出相同地，通過(guò)計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值也能檢測(cè)晶片W的異常載置狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，作為與第一實(shí)施方式不同點(diǎn)，將前一張的晶片W處理中的電力 輸出的累計(jì)值設(shè)定為“上一次累計(jì)值&”，每當(dāng)處理以后的晶片W時(shí)，依次重新設(shè)定Atl的原 因如下所述。在通過(guò)工作臺(tái)3對(duì)晶片W進(jìn)行加熱的同時(shí)進(jìn)行的熱處理的過(guò)程中，有如基于 等離子體的氧化處理、氮化處理一樣以元素向晶片W內(nèi)部的導(dǎo)入(擴(kuò)散)為目的的情況和 如CVD —樣原子或分子向晶片W表面的堆積為目的的情況。在后者(堆積)的成膜處理中， 每當(dāng)處理晶片W時(shí)，在也包含工作臺(tái)3的處理容器1內(nèi)的各部件上蓄積堆積物。其結(jié)果，處 理容器1內(nèi)的反射熱、輻射熱慢慢變化，來(lái)自工作臺(tái)3向晶片W的熱傳遞的效率隨著繼續(xù)進(jìn) 行處理而逐漸變化。如此處理容器1內(nèi)的環(huán)境因晶片W的處理張數(shù)而變化的成膜工藝的情況下，可認(rèn) 為更優(yōu)選的是，與固定的閾值比較而進(jìn)行判定時(shí)，以之前的正常處理中的電力輸出、計(jì)測(cè)溫 度為基準(zhǔn)進(jìn)行校正。因此，在本實(shí)施方式中，每當(dāng)處理一張晶片W時(shí)，如上所述地重新設(shè)定 了累計(jì)值&。此時(shí)，只要晶片W向工作臺(tái)3的載置狀態(tài)正常，累計(jì)值之比A1Atl就應(yīng)成為大 致一定的值，通過(guò)將該值與閾值比較，能準(zhǔn)確地檢測(cè)晶片W的異常載置狀態(tài)。另外，代替累 計(jì)值之比A1Atl,也可以求出累計(jì)值之比AciA1,同樣檢測(cè)晶片W的載置異常。并且，累計(jì)值不一定是以處理一張晶片W期間的全部期間計(jì)算出的。S卩，也可以在 處理一張晶片W的期間內(nèi)，僅對(duì)因載置狀態(tài)的異常而容易發(fā)生電力輸出、計(jì)測(cè)溫度的變化 的區(qū)間(例如開(kāi)始將成膜氣體導(dǎo)入處理容器1內(nèi)之后的一定時(shí)間)計(jì)算累計(jì)值。如上所述，在本實(shí)施方式中，通過(guò)以來(lái)自加熱器電源7的供給電力、供給電壓、供 給電流中任意的一個(gè)以上或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度作為指標(biāo)，將比A1Atl與閾值進(jìn)行比較，從 而能在短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)晶片W的載置異常。另外，不僅是累計(jì)值之比A1Atl，也可以求出累計(jì)值 之差A(yù)1-Atl,將其與預(yù)先設(shè)定的閾值(與比A1Atl的情況不同的值)比較。此時(shí)，在異常載置 狀態(tài)下，差A(yù)1-Atl成為負(fù)值。因此，可以作為閾值而設(shè)定負(fù)值，當(dāng)差A(yù)1-Atl在閾值以上的情況 下，判定為正常的載置狀態(tài)，當(dāng)差A(yù)1-Atl比閾值小的情況下，判定為異常載置狀態(tài)。或者，也 可以是取差A(yù)1-Atl的絕對(duì)值，當(dāng)差A(yù)1-Atl的絕對(duì)值小于預(yù)定的閾值(正值)的情況下判定為 正常的載置狀態(tài)，當(dāng)SA1-Atl的絕對(duì)值不小于上述閾值(即閾值以上)的情況下判定為異常 載置狀態(tài)。另外，代替累計(jì)值之SA1-Atl，而求出累計(jì)值之差A(yù)tl-A1，也可以同樣地檢測(cè)晶片W 的載置異常。并且，在堆積物較少、難以發(fā)生處理容器1內(nèi)的內(nèi)部環(huán)境的變化的工藝的情況下， 也可以不與第一實(shí)施方式相同地進(jìn)行校正(即，不設(shè)定累計(jì)值A(chǔ)tl),通過(guò)累計(jì)值A(chǔ)1本身與預(yù) 定的閾值(與比、從、差、、的情況為不同的值)之比較來(lái)進(jìn)行判定。本實(shí)施方式的其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第一實(shí)施方式相同。因此，也可以利用在當(dāng)前的晶片W的處理中求出的向加熱器6a(或加熱器6b)的 電力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差、和在前一張(上一次)的晶片W 的處理中求出的向加熱器6a(或加熱器6b)的電力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的最大值與 最小值之差來(lái)進(jìn)行運(yùn)算處理而求出運(yùn)算結(jié)果。此時(shí)，與以上相同地，通過(guò)比較運(yùn)算結(jié)果與閾值來(lái)判定基板的異常載置狀態(tài)。另外，作為運(yùn)算處理的方法，也可以提取在當(dāng)前的晶片W的處理中求出的向加熱 器6a(或加熱器6b)的電力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差、與在前一 張(上一次)晶片W的處理中求出的向加熱器6a(或加熱器6b)的電力輸出或工作臺(tái)3的 計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差的比而提取運(yùn)算結(jié)果。并且，也可以提取在當(dāng)前的晶片W 的處理中求出的向加熱器6a(或加熱器6b)的電力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的最大值與 最小值之差與在前一張(上一次)晶片W的處理中求出的向加熱器6a (或加熱器6b)的電 力輸出或工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差的再次差而提取運(yùn)算結(jié)果。接著，對(duì)作為本發(fā)明基礎(chǔ)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行說(shuō)明。在成膜裝置10中，將處理多張晶 片W時(shí)的正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)下的工作臺(tái)3的計(jì)測(cè)溫度、向加熱器6a、6b供給的 供給電力的Δ值(最大值-最小值)圖表化。圖6(a)的縱軸表示計(jì)測(cè)溫度的Δ值，圖 6(b)的縱軸表示向加熱器6a供給的供給電力的△值，圖6(c)的縱軸表示向加熱器6b供 給的供給電力的△值。其中，該數(shù)據(jù)是在工作臺(tái)3中可改變升降地支承晶片W的升降機(jī)構(gòu) 的部件破損，其碎片混入工作臺(tái)3和晶片W之間而引起異常載置狀態(tài)的事例。并且，在圖 6(a)至圖6(c)中，由于因載置異常以外的要素而容易發(fā)生變動(dòng)，因而省略各批次的最初的 第一張至第三張的數(shù)據(jù)。當(dāng)比較正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)時(shí)，如圖6(a)所示，異常載置狀態(tài)時(shí)計(jì)測(cè)溫 度的△值有意地降低，并且如圖6(b)及圖6(c)所示，異常載置狀態(tài)時(shí)供給電力的△值有 意地降低。并且，由于在正常載置狀態(tài)的△值和異常載置狀態(tài)的△值之間觀察到一定的 幅度，因而還可知在兩者的中間能設(shè)定閾值。因此，確認(rèn)了通過(guò)檢測(cè)正常載置狀態(tài)和異常載 置狀態(tài)的△值，并將其與預(yù)先設(shè)定了的閾值比較，能檢測(cè)晶片W在工作臺(tái)3上的載置異常。圖7是在成膜裝置100中將根據(jù)TiN成膜的配方進(jìn)行處理時(shí)的處理時(shí)間與向加熱 器6a供給的供給電力的變化之間的關(guān)系制成圖表的圖。在本例中，在工作臺(tái)3和晶片W之 間，特意設(shè)置0. Omm(正常的面接觸狀態(tài))、0. 5mm、l. Omm以及2. Omm的間隙(浮起)并載置 晶片W而進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。根據(jù)圖7，在浮起為0. 5mm的模擬異常載置狀態(tài)下，與正常載置狀態(tài)(0. Omm)相比 沒(méi)有確認(rèn)較大差異。但是，在浮起為1. Omm及2. Omm的模擬異常載置狀態(tài)下，在從開(kāi)始至約 50 70秒的處理時(shí)間的范圍內(nèi)，與正常載置狀態(tài)(0. Omm)相比確認(rèn)了向加熱器的供給電力 上有較大差異。該50 70秒的期間是通過(guò)將TiN的原料氣體向處理容器1內(nèi)導(dǎo)入，而使 處理容器1內(nèi)的壓力上升，使得壓力達(dá)到作為設(shè)定成膜壓力的約667Pa而趨于穩(wěn)定的區(qū)間。 因此，在基于該配方的TiN成膜的情況下，確認(rèn)了通過(guò)求出從開(kāi)始至約50 70秒的處理時(shí) 間的范圍內(nèi)向加熱器6a供給的供給電力的△值或累計(jì)值，能容易進(jìn)行正常載置狀態(tài)和異 常載置狀態(tài)的判定。如此，也有時(shí)不是針對(duì)處理一張晶片W的期間的全部區(qū)間，而是針對(duì)一 部分區(qū)間檢測(cè)△值或累計(jì)值而能進(jìn)行精度高的判定的情況。并且，圖8是將成膜裝置100中處理多個(gè)晶片W時(shí)的正常載置狀態(tài)、異常載置狀 態(tài)、修復(fù)后(正常載置狀態(tài))中的各自的向加熱器6a供給的供給電力的累計(jì)值制成圖表的 圖。如圖8所示，在正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)下，向加熱器6a供給的供給電力的累計(jì) 值有較大不同。并且，由于在正常載置狀態(tài)的累計(jì)值和異常載置狀態(tài)的累計(jì)值之間存在足 夠的幅度(圖8的圖表上的線(xiàn)的間隔)，因而確認(rèn)了在其間可用任意的值來(lái)容易設(shè)定閾值。因此，確認(rèn)了通過(guò)在正常載置狀態(tài)和異常載置狀態(tài)下計(jì)算向加熱器6a供給的供給電力的 累計(jì)值，并將其與設(shè)定的閾值比較，能檢測(cè)晶片W在工作臺(tái)3上的載置異常。接著，進(jìn)行了在成膜裝置100中根據(jù)TiN成膜的配方處理多張晶片W，檢測(cè)晶片W 的載置異常的實(shí)驗(yàn)。在TiN的成膜中，每次在重疊晶片W的處理張數(shù)時(shí)在處理容器1內(nèi)附 著堆積物，處理容器1內(nèi)的環(huán)境發(fā)生變化。因此，在本實(shí)驗(yàn)中，計(jì)算向加熱器6a(6b)供給的 供給電力的累計(jì)值A(chǔ)1，并且根據(jù)在前一張的晶片W的處理中同樣計(jì)算出的累計(jì)值A(chǔ)tl，求出累 計(jì)值之比A1Atl以及差A(yù)1-Atl，進(jìn)行校正。其結(jié)果表示在表1中。表 1
晶片張數(shù)n-5n-4n-3n-2n-1η累計(jì)值A(chǔ)1 [W]569. 9572. 3558. 2561. 6560. 3494. 6比 A1A01. 0250. 9751. 0060. 9980. 883差 A「A014. 2-14. 13. 4-1. 3-65. 7在表1中，在第η張晶片W的處理中累計(jì)值A(chǔ)1的值大幅度降低，檢測(cè)出發(fā)生了載置 異常。在本實(shí)驗(yàn)的情況下，將累計(jì)值A(chǔ)1直接與預(yù)定的閾值(例如500W)比較時(shí)也能檢測(cè)到 晶片W的載置異常。并且，在表1中可知，針對(duì)比A1Atl或差A(yù)1-Atl的值，在第η張晶片W的 處理中有較大變動(dòng)。因此，通過(guò)將與預(yù)定的閾值(例如0.9)比較或?qū)⒉預(yù)1-Atl與預(yù) 定的閾值(例如-40)比較，也能檢測(cè)出晶片W的載置異常。根據(jù)以上結(jié)果確認(rèn)了通過(guò)求出向加熱器6a(6b)供給的供給電力的累計(jì)值A(chǔ)1、與前 一張的晶片W處理中的累計(jì)值的A0比或差A(yù)1-Atl,并將其與預(yù)定的閾值比較，能明確地檢測(cè) 晶片W的載置異常。以上說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可進(jìn)行各種變形。 例如在上述實(shí)施方式中，作為真空裝置的一例而舉例說(shuō)明了成膜裝置100，但不限于成膜裝 置，只要是加熱基板的同時(shí)進(jìn)行預(yù)定處理的處理裝置，就可不受特別限制地應(yīng)用本發(fā)明。并且，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)將Δ值或累計(jì)值與閾值比較而進(jìn)行了是正常還是 異常的判定，也可以設(shè)定多個(gè)閾值，階段性地檢測(cè)異常載置狀態(tài)(例如輕度的異常載置狀 態(tài)、重度的異常載置狀態(tài)等)。此時(shí)，為了能進(jìn)行更加細(xì)致的判定，可與被檢測(cè)出的異常載置 狀態(tài)的級(jí)別一致地設(shè)定及選擇警報(bào)警告、錯(cuò)誤信息的注意顯示、裝置的自動(dòng)停止等緊急措 施。并且，在上述各實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了在處理容器1內(nèi)設(shè)置一個(gè)工作臺(tái)(基板載 置臺(tái))3，按每張晶片(基板)進(jìn)行處理的逐張式處理裝置，但不限于此，也可以將本發(fā)明應(yīng) 用于在處理容器1內(nèi)設(shè)置多個(gè)工作臺(tái)(基板載置臺(tái))3，一次針對(duì)多張晶片(基板)進(jìn)行處 理的批量式處理裝置。并且，在上述各實(shí)施方式中，作為被處理體的基板舉例說(shuō)明了半導(dǎo)體晶片，但不限 于此，例如也可以將本發(fā)明應(yīng)用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
權(quán)利要求
一種基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，對(duì)在設(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置的基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理時(shí)，檢測(cè)該基板的載置狀態(tài)的異常，其特征在于，包括在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值、或上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值、或檢測(cè)出的上述累計(jì)值判定上述基板的異常載置狀態(tài)的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括求出上 述最大值與上述最小值之差的工序，上述進(jìn)行檢測(cè)的工序包括檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值的步驟，上述進(jìn)行判定的工序包括通過(guò)將上述差與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的異常載 置狀態(tài)的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括 求出上述最大值與上述最小值之差的工序；和利用上述差與在前一張基板的處理中求出的電力輸出或計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值 之差來(lái)進(jìn)行運(yùn)算處理而求出運(yùn)算結(jié)果的工序，上述進(jìn)行檢測(cè)的工序包括檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值的步驟，上述進(jìn)行判定的工序包括通過(guò)將上述運(yùn)算結(jié)果與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的 異常載置狀態(tài)的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，上述進(jìn)行檢測(cè)的工序包括檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的步驟， 上述進(jìn)行判定的工序包括通過(guò)將上述累計(jì)值與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的異 常載置狀態(tài)的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，還包括利用上 述累計(jì)值與在前一張基板的處理中檢測(cè)出的累計(jì)值進(jìn)行運(yùn)算處理而求出運(yùn)算結(jié)果的工序，上述進(jìn)行檢測(cè)的工序包括檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序， 上述進(jìn)行判定的工序包括通過(guò)將上述運(yùn)算結(jié)果與預(yù)定的閾值比較而判定上述基板的 異常載置狀態(tài)的情況。
6.如權(quán)利要求5所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，設(shè)上述累計(jì)值 為A1，在前一張基板的處理中檢測(cè)出的上述累計(jì)值為A0時(shí)，上述運(yùn)算結(jié)果由A1與A0之比構(gòu) 成。
7.如權(quán)利要求5所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，在設(shè)上述累計(jì) 值為A1、前一張基板的處理中檢測(cè)出的上述累計(jì)值為A0時(shí)，上述運(yùn)算結(jié)果由A1與A0之差構(gòu) 成。
8.如權(quán)利要求1所述的基板的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，其特征在于，上述進(jìn)行檢測(cè) 的工序包括檢測(cè)上述電力輸出的最大值及最小值、或上述電力輸出的累計(jì)值的工序，向上述加熱器供給的電力輸出為向加熱器供給的供給電力、供給電流或供給電壓中任一個(gè)以上。
9.一種基板處理方法，其特征在于，包括 在設(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置基板的工序； 對(duì)上述基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理的工序；和檢測(cè)被處理的上述基板的載置狀態(tài)的異常的工序， 檢測(cè)上述異常的工序，包括在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載置臺(tái) 的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值、或上述電力輸 出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值、或檢測(cè)出的上述累計(jì)值來(lái)判定上述基板的異 常載置狀態(tài)的工序。
10.一種計(jì)算機(jī)能讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上工作的控制程序，其特征在于， 上述控制程序在對(duì)在設(shè)有加熱器的基板載置臺(tái)上載置的基板加熱的同時(shí)進(jìn)行處理時(shí)，使上述計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下的工序在處理一張基板的期間，根據(jù)向上述加熱器供給的電力輸出的信息或上述基板載置臺(tái) 的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值、或上述電力輸 出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值或檢測(cè)出的上述累計(jì)值來(lái)判定上述基板的異 常載置狀態(tài)的工序。
11.一種基板處理裝置，其特征在于，包括 載置基板的基板載置臺(tái)；加熱器，設(shè)在上述基板載置臺(tái)上，對(duì)在該基板載置臺(tái)上載置的基板進(jìn)行加熱； 加熱器電源，與上述加熱器電連接； 溫度計(jì)測(cè)部，計(jì)測(cè)上述基板載置臺(tái)的溫度；存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)向上述加熱器供給的電力輸出或上述基板載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度；和 判定部，檢測(cè)向上述加熱器供給的電力輸出的最大值與最小值之差或向該加熱器供給 的電力輸出的累計(jì)值、上述基板載置臺(tái)的計(jì)測(cè)溫度的最大值與最小值之差或該基板載置臺(tái) 的計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值，根據(jù)上述差或累計(jì)值，判定上述基板的異常載置狀態(tài)。
全文摘要
基板(W)的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，用于對(duì)在設(shè)有加熱器(6a、6b)的基板載置臺(tái)(3)上載置的基板(W)加熱的同時(shí)進(jìn)行加熱時(shí)，檢測(cè)該基板(W)的載置狀態(tài)的異常。上述基板(W)的異常載置狀態(tài)的檢測(cè)方法，包括在處理一張基板(W)的期間，根據(jù)向上述加熱器(6a、6b)供給的電力輸出的信息或上述基板載置臺(tái)(3)的計(jì)測(cè)溫度的信息，檢測(cè)上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的最大值及最小值或上述電力輸出或上述計(jì)測(cè)溫度的累計(jì)值的工序；和根據(jù)檢測(cè)出的上述最大值及上述最小值或檢測(cè)出的上述累計(jì)值判定上述基板的異常載置狀態(tài)的工序。
文檔編號(hào)C23C16/52GK101990707SQ20098011231
公開(kāi)日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者五味曉志, 宮下晃一, 江田淑惠, 茅野孝, 長(zhǎng)澤稔 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社