專利名稱：(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液及其腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液及其腐蝕方法。
背景技術(shù)：
當前由于科技的快速發(fā)展及新能源的開發(fā)，需要太陽能電池。而在空間則需要高轉(zhuǎn)換效率的鍺太陽能襯底片，但是晶向為(100)重摻雜的鍺單晶的位錯按現(xiàn)有的國家標準卻難以有效的腐蝕出來。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 —種(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液及其腐蝕方法，首先配制腐蝕溶液 用聚乙烯塑料(Polyethylene)或聚丙烯塑料(Polypropylene)量杯配制蝕刻溶
液，溶液為硝酸、氫氟酸、及硝酸銅，配比為麗03 : hf : 10% Cu(no3)2 = 2 :3:2; 10% Cu(N03)2溶液可用100gCu(N03)2 3H20結(jié)晶，加600ml的水獲得。 腐蝕溶液配制時會放熱應(yīng)將盛溶液的量杯放置在盛有冰塊和水的的較大容器
中，降低溶液的溫度，冰鎮(zhèn)約45 60min(在冰塊和水中適量的鹽，可使水溫降至0°C以下)。 待腐蝕的薄晶片可在正常生產(chǎn)的拋光和清洗工藝后進行。
待腐蝕的晶片置于聚乙烯塑料網(wǎng)內(nèi)要腐蝕的面朝下，放入已接近ot:的腐蝕溶
液，腐蝕5 8分鐘左右，取出后立即用水沖洗干凈，并擦干。
本發(fā)明創(chuàng)造的有益效果 使用本發(fā)明的腐蝕溶液可以有效的把晶向為(100)重摻雜的鍺單晶的位錯腐蝕出來。
具體實施例方式
以下通過具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案做進一步的說明。
實施例1 :
1.0°晶片方法 1. 2.用聚乙烯塑料(Polyethylene)或聚丙烯塑料(Polypropylene)量杯配制蝕
刻溶液，溶液為硝酸、氫氟酸、及硝酸銅，配比為麗03 : hf : 10% Cu(no3)2 = 2 :3:2 10% Cu(N03)2溶液可用100gCu(N03)2 3H20結(jié)晶，加600ml的水獲得。
1. 3.腐蝕溶液配制時會放熱應(yīng)將盛溶液的量杯放置在盛有冰塊和水的的較大
容器中，降低溶液的溫度，冰鎮(zhèn)約45 60min (在冰塊和水中適量的鹽，可使水溫降至0°C以下)。 實施例2: 2.6° 9°晶片方法
2.1(100)6°的薄晶片，可在正常生產(chǎn)的拋光和清洗工藝后進行。
2.2.腐蝕溶液配制為麗03 : hf : 10% Cu(no3)2 = i : i : i配制溶液后需要
降低溫度同上。 2.3.待腐蝕的晶片置于聚乙烯塑料網(wǎng)內(nèi)要腐蝕的面朝下，放入已接近Ot:的腐 蝕溶液，腐蝕5分鐘，取出后立即用水沖洗干凈，并擦干。 備注晶片的厚度不能太大，不要超過l毫米，另外，腐蝕時溶液中不能連續(xù)產(chǎn)生 大量的氣泡，(氣泡可以間歇性的少量的出現(xiàn))，這表示腐蝕時溶液溫度高，影響腐蝕效果。 (100)位錯腐蝕的最重要的因素就是低溫，在腐蝕過程中一定要把握好。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，但它們并不是用來限定本發(fā)明，任何熟悉
此技藝者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，自當可作各種變化或潤飾，因此本發(fā)明的保護 范圍應(yīng)當以本申請的權(quán)利要求保護范圍所界定的為準。
權(quán)利要求
一種(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液，它是由下述體積比的物質(zhì)組成溶液為試劑級的硝酸、氫氟酸、及硝酸銅，配比為HNO3∶HF∶10％Cu(NO3)2＝2∶2～3∶2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液，其特征在于所述10% Cu(N03)2溶液可用100gCu(N03)2 3H20結(jié)晶，加600ml的水獲得。
3. —種(100)鍺單晶的位錯腐蝕方法，其特征在于用聚乙烯塑料(Polyethylene)或 聚丙烯塑料(Polypropylene)量杯配制蝕刻溶液，溶液為硝酸、氫氟酸、及硝酸銅，配比為hno3 : hf : io%cu(no3)2 = 2 : 3 : 2 ;待腐蝕的晶片置于聚乙烯塑料網(wǎng)內(nèi)要腐蝕的面朝下，放入已接近0°C的腐蝕溶液，腐蝕5 8分鐘左右，取出后立即用水沖洗干凈，并擦干。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的(100)鍺單晶的位錯腐蝕方法，其特征在于所述10% Cu(N03)2溶液可用100gCu(N03)2 3H20結(jié)晶，加600ml的水獲得。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的(100)鍺單晶的位錯腐蝕方法，其特征在于腐蝕溶液配制 時會放熱應(yīng)將盛溶液的量杯放置在盛有冰塊和水的的較大容器中，降低溶液的溫度，冰鎮(zhèn) 約45 60min (在冰塊和水中適量的鹽，可使水溫降至0°C以下)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的(100)鍺單晶的位錯腐蝕方法，其特征在于待腐蝕的薄晶 片可在正常生產(chǎn)的拋光和清洗工藝后進行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種(100)鍺單晶的位錯腐蝕溶液及其腐蝕方法，首先配制腐蝕溶液用聚乙烯塑料(Polyethylene)或聚丙烯塑料(Polypropylene)量杯配制蝕刻溶液，溶液為硝酸、氫氟酸、及硝酸銅，配比為HNO3∶HF∶10％Cu(NO3)2＝2∶3∶2；腐蝕溶液配制時會放熱應(yīng)將盛溶液的量杯放置在盛有冰塊和水的較大容器中，降低溶液的溫度，冰鎮(zhèn)約45～60min；待腐蝕的晶片置于聚乙烯塑料網(wǎng)內(nèi)要腐蝕的面朝下，放入已接近0℃的腐蝕溶液，腐蝕5～8分鐘左右，取出后立即用水沖洗干凈，并擦干。
文檔編號C23F1/24GK101701360SQ20091023334
公開日2010年5月5日 申請日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月20日
發(fā)明者張莉萍, 焦欣文, 謝瑞慶 申請人:南京中鍺科技股份有限公司