專利名稱：具有孔隙網(wǎng)絡(luò)的化學(xué)機(jī)械平坦化墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體而言涉及一種化學(xué)機(jī)械平坦化(chemical mechanical planarization ； CMP)墊，具體而言，涉及一種在墊基質(zhì)內(nèi)包含孔隙網(wǎng)絡(luò)的CMP墊。孔隙可通過以下方 式形成為墊提供分散于聚合物基質(zhì)中的多個構(gòu)件，然后移除所述構(gòu)件以提供對應(yīng)的孔 隙。
背景技術(shù)：
當(dāng)在諸如半導(dǎo)體晶片、毯覆聚硅酮晶片(blanket silicone wafer)及計算機(jī)硬盤等 微電子裝置的制造中應(yīng)用化學(xué)機(jī)械平坦化(Chemical Mechanical Planarization ； CMP)作
為工藝步驟時，可將拋光墊與含磨料或不含磨料的漿料搭配使用來實(shí)現(xiàn)裝置表面的平坦 化。為在裝置表面上實(shí)現(xiàn)高度平坦化(通常以埃數(shù)量級進(jìn)行衡量)，漿料流應(yīng)均勻地分布 于裝置表面與墊之間。為有利于漿料的此種均勻分布，可在拋光墊上提供多個凹槽或凹 陷結(jié)構(gòu)。這多個凹槽可分別具有0.010英寸至0.050英寸的凹槽寬度、0.010英寸至0.080 英寸的深度、以及相鄰凹槽間具有0.12英寸至0.25英寸的間距。盡管凹槽可提供上述有益效果，然而其可能不足以在半導(dǎo)體晶片上實(shí)現(xiàn)芯片 (或單個微芯片)層次的局部的平坦化。此可能是由于凹槽與微芯片上各種表征(例如互 連線)之間相對大的差別。例如，先進(jìn)ULSI及VLSI微芯片可具有約0.35微米(0.000014 英寸)的表征尺寸，這要比拋光墊上各個凹槽的寬度及深度小許多倍。另外，微芯片上 的表征尺寸也比相鄰凹槽間的間距小上千倍，此可導(dǎo)致漿料在表征尺寸水平上不均勻分 布。為努力提高局部均勻性(表征尺寸等級的平坦化)，在某些情形中，CMP墊制造 商會在墊的表面上提供凹凸或高低不平的區(qū)域。這些凹凸可具有自20微米至100微米以 上的尺寸。盡管與凹槽相比，這些凹凸在尺寸上可更接近于微芯片的表征，然而凹凸的 形狀及尺寸可能會在拋光過程中發(fā)生變化，并可能需要通過用帶有金剛石研磨顆粒的調(diào) 節(jié)器砥磨拋光墊表面來進(jìn)行連續(xù)再生。調(diào)節(jié)器上的金剛石研磨顆粒會連續(xù)地擦掉由于拋 光墊、漿料與裝置表面之間的摩擦接觸而變形的表面凹凸，并暴露出新的凹凸以維持持 續(xù)的平坦化。然而，調(diào)節(jié)過程可能不穩(wěn)定，因?yàn)槠淇赡軙娩J利的金剛石顆粒來切斷 已變形的凹凸。對已變形凹凸的切斷無法被很好地控制，致使凹凸的尺寸、形狀及分布 發(fā)生變化，而此又可能導(dǎo)致平坦化的均勻性發(fā)生變化。此外，因進(jìn)行調(diào)節(jié)而產(chǎn)生的摩擦 熱也可能會通過改變墊的表面特性(包括諸如剪切模量、硬度及可壓縮性等特性)而造成 平坦化的不均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個方 面涉及一種制造拋光墊的方法。該方法可包括提供鑄具，其具 有第一腔室及第二腔室，其中第一腔室定義凹槽?？商峁┌紫缎纬蓸?gòu)件的聚合物基 質(zhì)材料至凹槽中?？尚纬蓲伖鈮|，并可在用于化學(xué)/機(jī)械平坦化步驟之前，通過化學(xué)方 法或機(jī)械方法中的一者，自拋光墊中移除至少一部分的所述構(gòu)件，從而在拋光墊內(nèi)形成 孔隙空間。本發(fā)明另一方面涉及一種用于拋光的裝置。該裝置可包括墊，該墊包括聚合物 基質(zhì)，具有多個定義在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)的孔隙，其中所述孔隙的長度對直徑比為4 1 或更大且所述孔隙是至少部分交互連通的。本發(fā)明的又一方面涉及一種拋光方法。該方法可包括提供具有表面的用于拋 光的基材；提供含水漿料至所述基材的所述表面的至少一部分上；提供包括聚合物基質(zhì) 的墊，具有多個定義在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)的孔隙，其中所述孔隙的長度對直徑比為4 1 或更大且所述孔隙是至少部分交互連通的；以及通過所述基材、所述含水漿料及所述墊 的交互作用而拋光所述表面。本發(fā)明的再一方面涉及一種用于拋光電子基材表面的拋光墊。該墊可包括包含 孔隙的聚合物基質(zhì)，其中所述墊具有用于拋光的第一工作表面及第二表面。該墊還可被 定義為具有自墊工作表面延伸至第二墊表面的厚度T，其中所述孔隙僅位于所述墊表面至 0.95T厚度的區(qū)域內(nèi)。最后，本發(fā)明的還一方面涉及一種用于拋光電子基材表面的拋光墊，其包括包 含孔隙的聚合物基質(zhì)，其中所述墊具有用于拋光的第一工作表面及第二表面。所述墊還 可被定義為具有自墊工作表面延伸至墊第二表面的厚度T。所述拋光墊還可包含所述孔 隙均勻分布的區(qū)域、及不存有所述孔隙的區(qū)域，其中所述不存有所述孔隙的區(qū)域構(gòu)成所 述墊體積的至少5.0%。


通過結(jié)合附圖閱讀下文對本文所述實(shí)施例的說明，將更明顯地得知及更佳地理 解本發(fā)明的上述及其他特征以及其實(shí)現(xiàn)方式，附圖中圖Ia顯示在本文所述的CMP墊中包含的孔隙網(wǎng)絡(luò)的實(shí)例；圖Ib顯示其中包含孔隙網(wǎng)絡(luò)的CMP墊的剖視圖；圖Ic顯示CMP墊的剖視圖，該墊包含選擇性地位于墊的厚度內(nèi)的孔隙網(wǎng)絡(luò)；圖Id顯示CMP墊的剖視圖，該墊包含選擇性地位于墊的某一區(qū)域內(nèi)的孔隙網(wǎng) 絡(luò)；以及圖2顯示用于在CMP墊中形成孔隙的系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式應(yīng)理解，本發(fā)明的揭露內(nèi)容并不限于其對在下文說明中所述及在附圖中所示的 構(gòu)造細(xì)節(jié)及元件排列的應(yīng)用。本文的實(shí)施例可具有其他實(shí)施例并可以各種不同方式來實(shí) 踐或?qū)嵤?。還應(yīng)理解，本文所用的措辭及術(shù)語是用于說明目的，而不應(yīng)被視為具有限制意義。本文使用的“包括”、“包含”或“具有”及其變化形式旨在囊括其后所列的 各個項(xiàng)及其等價項(xiàng)以及其他項(xiàng)。除非另外加以限制，否則本文中的用語“連接”、“耦 合”及“安裝”及其變化形式是廣義地使用并囊括直接及間接的連接、耦合及安裝。另 夕卜，用語“連接”、“耦合”及其變化形式并不限于物理或機(jī)械連接或耦合。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)墊，具體而言，涉及一種可包含孔隙網(wǎng)絡(luò)的化學(xué)機(jī)械平坦化墊。該化學(xué)機(jī)械平坦化墊可在對晶片或其他基材進(jìn)行平坦化的半導(dǎo) 體制造工藝中使用。該CMP墊可與漿料結(jié)合使用，漿料可包含或可不包含磨料、潤滑劑 及/或其他添加劑。如圖Ia及圖Ib所示，CMP墊可由聚合物基質(zhì)形成。CMP墊100的聚合物基質(zhì) 102可包括聚氨酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚烯烴、聚砜、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚 甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯、聚丁二烯-苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、及上述材料的組合 及/或共聚物。此外，可通過提供預(yù)聚合物或聚合物前驅(qū)物并經(jīng)固化而使聚合物前驅(qū)物 成為固體來形成CMP墊。在一個實(shí)例中，CMP墊可包括氨基甲酸酯預(yù)聚合物及固化劑， 提供固化劑是用于交聯(lián)或聚合氨基甲酸酯預(yù)聚合物。CMP墊可包括若干交互連通的孔隙104。孔隙可以是由聚合物基質(zhì)限定或囊封 在聚合物基質(zhì)中的孔隙網(wǎng)絡(luò)?？紫毒W(wǎng)絡(luò)可以是交互連通的或不交互連通的。此外，網(wǎng)絡(luò) 中的孔隙可在墊內(nèi)均勻分布、隨機(jī)分布或以圖案或梯度形式分布。在一個實(shí)例中，大多 數(shù)的孔隙可位于最靠近CMP墊的工作表面106的位置，其中孔隙的體積朝墊的相對(非 工作)表面108減小，或者反之。亦即，大多數(shù)的孔隙可位于靠近相對表面108的位置， 且孔隙的體積朝工作表面106減小。CMP墊的工作表面可被理解為與待平坦化或拋光的 表面相接觸的CMP墊表面。在另一實(shí)例中，孔隙可相對均勻地分布，其中墊基質(zhì)的給定 體積可包括相對近似的孔隙體積。例如，對于具有從墊的工作表面(即用于拋光的表面)延伸至非工作表面的厚 度T的墊(參見圖lc)，含孔隙的區(qū)域可僅被隔離在所述墊的延伸至墊厚度的95% (或 0.95T)的那一部分。例如，孔隙可延伸至墊厚度的10% (0.10T)、或20% (0.20T)、或 30% (0.30T)、或 40% (0.40T)、或 50% (0.50T)等、最高到 95%。如圖 Ic 所示，墊可 因此包含不存在孔隙(即適用于拋光的孔隙)的區(qū)域103。例如，對于厚度為0.50英寸 的墊，孔隙可僅存在于墊的上部0.475英寸中，且墊的下部0.025英寸可不包含孔隙，該 區(qū)域因此可被理解為不含孔隙的區(qū)域。可以理解，此可提供更有效的墊設(shè)計，這是因?yàn)?孔隙僅被選擇成位于墊厚度的將發(fā)生拋光的那一區(qū)域內(nèi)。因此，現(xiàn)在可以理解，在本文的CMP墊中形成的孔隙并不僅限于形成于墊的工 作表面上，而是可以三維方式形成并位于墊體積的所選部分內(nèi)。換句話說，孔隙可形成 于距工作表面某一距離處，使得當(dāng)在拋光操作中使用墊及墊表面隨時間而出現(xiàn)磨損時， 可立即得到現(xiàn)成的孔隙。亦即，對于本文的拋光墊，不必在CMP操作中使用墊來首先形 成孔隙(例如依靠給定的拋光漿料來與墊相互作用并形成一或多個孔隙)，這是因?yàn)榭紫?早已存在并選擇性地定位成使CMP步驟最佳化?？紫犊臻g的直徑或橫截面(即最大剖面軸)可為0.1 μ m或以上，包括其中的所 有值及范圍，例如以Ι.Ομιη為增量從Ο. μιη至500μιη。因此，孔隙可有效地容納漿 料。亦即，孔隙結(jié)構(gòu)可通過增大漿料中磨料顆粒的移動性而提供用于增強(qiáng)拋光速率及均勻性的孔，同時減少對被拋光表面的劃傷。換句話說，這些孔可充當(dāng)磨料顆粒的臨時存儲區(qū)域，從而減小磨料顆粒與被拋光表面之間的高度摩擦性接觸。較佳范圍是20μιη至 200μιη。此外，孔隙空間可表現(xiàn)出4 1或以上的長度對直徑比(L D)，包括處于 4 1至1000 1范圍內(nèi)的任一比率，包括分?jǐn)?shù)以及整數(shù)。例如，本文的孔隙可具有 25 1 至 1000 1 的 L D 比率。本文的孔隙空間也可采取若干種所期望的幾何形狀，這是本文方法的另一優(yōu) 點(diǎn)。例如，孔隙可為腓骨狀、管狀、圓柱形、球形、長方形、立方形、矩形、梯形以及 其他三維或多面體形狀。亦即，通過控制自拋光墊中移除孔隙形成構(gòu)件的條件(此將在 下文中更全面地說明)，可提供不同的形狀，特別是除圓形或球形以外的形狀。此外，各 單獨(dú)孔隙空間也可與其他孔隙空間部分地或完全地連通。CMP墊內(nèi)的總孔隙可占墊體積 的0.1%至95%，包括其中的所有值及增量?？紫犊捎晌挥贑MP墊基質(zhì)內(nèi)的構(gòu)件形成。例如，所述構(gòu)件可包括纖維或顆粒， 在墊形成之后，便可從墊中選擇性地排出或移除全部或一部分纖維或顆粒。例如，纖維 可形成為織造或非織造織物或襯墊。形成非織造襯墊的工藝可包括紡粘、熔融紡絲、熔 噴、針刺等。孔隙形成構(gòu)件還可由諸如聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、藻酸鹽、聚乙二醇、或 其組合形成。此外，孔隙形成構(gòu)件可由可溶性材料形成，可溶性材料可被理解為可充分 溶解于所選溶劑中而形成孔隙的材料。此外，所述構(gòu)件可由中空纖維形成。在制造包括選擇性形成的孔隙空間的CMP墊的方法的一個實(shí)例中，可首先將孔 隙形成構(gòu)件(即纖維(例如呈織物或襯墊形式的纖維)或顆粒)放置于鑄具內(nèi)?？蓪⒕?合物基質(zhì)材料以樹脂形式傾注或定位于纖維周圍并進(jìn)行澆鑄或加熱?？梢曅枰獔?zhí)行沖壓 操作，并可使CMP墊固化而在構(gòu)件周圍形成基質(zhì)。之后，一部分的纖維可自CMP墊基 質(zhì)中溶解或移除。例如，可從墊基質(zhì)中移除10%或100%的纖維。此外，如上文所述， 孔隙可形成于CMP墊的所選區(qū)域中。例如，孔隙可選擇性地形成于CMP墊的上半部分 (例如，上部垂直剖面)或工作部分中，而墊的其余部分則可不包含任何孔隙。在形成孔 隙之前或之后，可研磨或擦亮CMP墊以移除墊表面上的表皮，從而暴露出孔隙。此外， 可在CMP墊表面上開制凹槽及/或穿孔，并可將CMP墊粘貼或?qū)訅旱阶右r墊及/或壓敏 粘合劑上。此外，現(xiàn)在應(yīng)理解，通過提供使孔隙可部分地交互連通的特征，有利于移除孔 隙形成構(gòu)件來提供交互連通的孔隙形態(tài)。換句話說，當(dāng)從墊中移除孔隙形成構(gòu)件并形成 交互連通的孔隙時，具有能形成部分交互連通的孔隙的構(gòu)件這一特征可使得在給定墊體 積的整個所選區(qū)域中形成孔隙。在此意義上，可以理解，因此可制備一種如下拋光墊除了具有存在于所選厚 度處的孔隙(同樣參見圖Ic)之外，該拋光墊還具有位于墊內(nèi)任意位置的包含孔隙的區(qū) 域、以及位于墊內(nèi)任意位置的不包含孔隙的區(qū)域，從而使孔隙不均勻地分布于墊內(nèi)。因 此如圖Id所示，在本文中可制成包含不存在孔隙(即適用于CMP拋光的孔隙)的區(qū)域 110的墊，區(qū)域110是界定在墊中在水平方向及垂直方向上的任意位置。類似于上文所述的將孔隙的存在控制于給定墊厚度內(nèi)的考慮因素，對于給定的 墊體積，墊內(nèi)不存在此種孔隙的區(qū)域現(xiàn)在可被選擇成可用墊體積的5%至95%，包括其 中的所有值及增量?；蛘?，換句話說，本文的墊可包含在給定墊體積百分比中的、均勻分布的孔隙；并包含不存在孔隙(即適用于拋光的孔隙)的區(qū)域。例如，此種可不存在 孔隙的區(qū)域可占墊體積的5%、10%, 15%等，最高至95%。此外，不存在孔隙的區(qū)域(同樣參見圖Id中的區(qū)域110)為不會影響存有孔隙的 墊體積的區(qū)域。此外，所提到的均勻分布的孔隙可被理解為當(dāng)在墊的給定體積中存在孔 隙時，孔隙大致分布于整個給定聚合物基質(zhì)中的情形，其中各個孔之間的相對距離的變 化不超過+/-10%或以下，例如+/-9%、+/-8%> +/-7%> 一直到+/_0.1%?？衫酶鞣N方法從CMP墊中移除構(gòu)件?？稍诒┞队趻伖鉂{料之前通過化學(xué)方法 移除構(gòu)件，此可被理解為以流體(液體及/或氣體)溶解。此種溶解可發(fā)生于所選的流 體的高的溫度、壓力及/或流速下。因此，流體可包括水及/或有機(jī)溶劑，其中可選擇 能夠移除(選擇性地溶解)受控量的構(gòu)件，從而得到對應(yīng)的孔隙形成量的水及有機(jī)溶劑。此外，或者無關(guān)于使用化學(xué)方法，在墊的制備期間以及同樣在暴露于拋光漿料 之前，可使CMP墊暴露于機(jī)械方法，例如振動、脈動、超聲波或壓縮(加壓)及/或弛 豫(減壓)，以產(chǎn)生所期望的孔隙網(wǎng)絡(luò)。相應(yīng)地，在本發(fā)明的上下文中，可在給定的墊拋 光步驟期間暴露于漿料之前，通過應(yīng)用化學(xué)及/或機(jī)械方法在墊的所選位置中選擇性地 形成孔隙。此外，關(guān)于上述化學(xué)方法與機(jī)械方法中的一者或兩者，可在孔隙形成期間調(diào)節(jié) 所施加的熱量(溫度)。相應(yīng)地，本文所述的化學(xué)方法及/或機(jī)械方法可被理解為一種在 拋光環(huán)境以外進(jìn)行的孔隙形成方法，該方法以其自身的一組變量來控制孔隙的形成，然 后利用這些孔隙來提高拋光效率。關(guān)于化學(xué)方法，現(xiàn)在可以理解，可調(diào)節(jié)構(gòu)件的溶解性，同樣地，在拋光操作之 前，在暴露于流體下控制最終孔隙形成。此外，可包含能影響構(gòu)件對外部參數(shù)(化學(xué)的 或機(jī)械的)的溶解性的額外成分，以類似地影響可形成的孔隙的大小及數(shù)目。例如，如 上所述，可使用相當(dāng)于混合溶劑體系的流體，其中一種溶劑能夠溶解孔隙形成構(gòu)件、而 另一種溶劑則不能夠溶劑孔隙形成構(gòu)件。相應(yīng)地，該步驟將使得能夠在拋光墊用于晶片 拋光之前，在給定溫度范圍內(nèi)，所選的時間段下，通過控制用于處理拋光墊的兩種溶劑 的相對量來控制在給定墊內(nèi)形成的孔隙的數(shù)目及大小。如圖2所示，可將其中具有構(gòu)件的實(shí)例性CMP墊200置于箱體202內(nèi)，并可對 箱體202加壓。泵204可迫使受熱流體(水及/或有機(jī)溶劑抑或多種溶劑的混合物)206 在各種壓力下經(jīng)過箱體進(jìn)入CMP墊中，以溶解及移除CMP墊中的可溶性纖維并從而形成 孔隙。然后，可從箱體中移出墊，在去離子水或另一種流體中進(jìn)行超聲波清洗，然后予 以干燥。用于形成孔隙的流體可包含各種各樣的用于提高溶解率的添加劑。例如，可在 流體中加入表面活性劑，此可減小纖維、聚合物基質(zhì)及/或流體之間的表面張力。在另 一實(shí)例中，可使新鮮的水(即先前未暴露于拋光墊的水)而非循環(huán)水流經(jīng)其中具有CMP 墊的箱體。其他溶劑可包括有機(jī)溶劑，例如有機(jī)醇類、酮類(例如丙酮)等。因此，所 選的溶劑應(yīng)能夠溶解墊中被設(shè)計成在溶解后提供孔隙位置的構(gòu)件。承上所述，可增大或減小箱體202內(nèi)的相對壓力，所述方式是設(shè)計成能增強(qiáng)或 調(diào)節(jié)給定流體與墊內(nèi)用以在溶解后提供孔隙的給定構(gòu)件之間的相互作用。例如，可增大 壓力，以增加所形成 的孔隙的數(shù)目，或者減小壓力以減少所形成的孔隙的相對數(shù)目。本 文所設(shè)想的壓力可包括處于I-IOOOpsi范圍內(nèi)的壓力，包括其中的所有值及增量。
在又一實(shí)例中，諸如超聲波等機(jī)械方法可單獨(dú)使用或者與壓力相結(jié)合地使用來 移除CMP墊中的構(gòu)件，從而提供孔隙。例如，可在箱體中或直接向CMP墊提供或引入超 聲波振動，以產(chǎn)生給定頻率或頻率范圍的振動。一旦形成足夠體積的孔隙(此可歸因于 流體選擇與振動水平的組合效果)，便可從箱體中移出CMP墊并進(jìn)行干燥，由此在墊中 的所選位置處具有所選大小及所選濃度的孔隙。超聲波頻率范圍可處于15KHz至70KHz 范圍內(nèi)，包括其中的所有值及增量。在另一實(shí)例中，可通過向墊提供能夠揮發(fā)的添加劑來產(chǎn)生孔隙空間，例如在用 于形成墊基質(zhì)的樹脂配方中提供添加劑。可通過暴露于熱或其他能源來激發(fā)可蒸發(fā)的 添加劑以形成氣體。相應(yīng)地，可使用諸如起泡劑等固體化合物，其可被理解為可分解及 /或轉(zhuǎn)變成次級化合物并形成氣體的無機(jī)或有機(jī)物質(zhì)，所述氣體可隨后產(chǎn)生上述孔隙結(jié) 構(gòu)。因此，起泡劑可在開始時作為固體顆粒及/或液體存在。起泡劑的實(shí)例可包括偶氮 二酰亞胺(azodicarbonimide)，且液體起泡劑可包括具有相對高蒸氣壓力的相對低分子量 化合物，其也可與墊基質(zhì)前驅(qū)物混合，然后在墊固化時由于在固化期間通常發(fā)生的與聚 合相關(guān)聯(lián)的放熱反應(yīng)而揮發(fā)。因此，可以理解，墊基質(zhì)前驅(qū)物可相當(dāng)于單體及/或低聚 物，其可隨后固化并聚合成相對高的分子量。出于例示目的，上文提供了對若干方法及實(shí)施例的說明。本說明并非旨在作為窮盡性說明或?qū)?quán)利要求限制為所揭露的確切步驟及/或形式，而是顯然，可根據(jù)上述 教示內(nèi)容而作出諸多種修改及變化。本發(fā)明的范圍旨在由隨附權(quán)利要求書加以限定。
權(quán)利要求
1.一種制造拋光墊的方法，包括提供鑄具，其具有第一腔室及第二腔室，其中所述第一腔室定義凹槽；提供包含孔隙形成構(gòu)件的聚合物基質(zhì)材料至所述凹槽中；形成拋光墊，且在用于化學(xué)/機(jī)械平坦化步驟之前，通過化學(xué)方法或機(jī)械方法中 的一者，自所述拋光墊中移除至少一部分的所述構(gòu)件，從而在所述拋光墊內(nèi)形成孔隙空 間。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物基質(zhì)材料包括聚合物基質(zhì)前驅(qū)物。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，移除至少一部分的所述構(gòu)件包括溶解所述 構(gòu)件。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件是在加壓的情況下被移除。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件包括顆粒。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件包括纖維。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件包括織物。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件包括可溶性材料。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)件是由中空纖維所形成。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空間的直徑為0.1微米或更大。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空間是至少部分連通的。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔隙空間的長度對直徑比為4 1 或更大。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述CMP墊的孔隙體積可在0.1%至 95%的范圍，以所述墊的總體積計。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在用于化學(xué)/機(jī)械平坦化步驟之前包括 在曝露至一拋光漿料之前。
15.—種用于拋光的裝置，包括包括聚合物基質(zhì)的拋光墊，具有多個定義在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)的孔隙，其中所述孔 隙的長度對直徑比為41或更大且所述孔隙是至少部分交互連通的。
16.如權(quán)利要求15所述的用于拋光的裝置，其特征在于，所述孔隙的體積在0.1%至 90%的范圍，以所述墊的總體積計。
17.如權(quán)利要求15所述的用于拋光的裝置，其特征在于，還包括構(gòu)件。
18.如權(quán)利要求15所述的用于拋光的裝置，其特征在于，所述孔隙是相對均勻地分布 在所述墊的體積中。
19.如權(quán)利要求15所述的用于拋光的裝置，其特征在于，所述孔隙在所述墊中是以體 積梯度形式分布于其中。
20.—種拋光方法，包括提供具有表面的用于拋光的基材；提供含水漿料至所述基材的所述表面的至少一部分上；提供包括聚合物基質(zhì)的拋光墊，具有多個定義在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)的孔隙，其中所 述孔隙的長度對直徑比為41或更大且所述孔隙是至少部分交互連通的；以及通過所述基材、所述含水漿料及所述墊的交互作用而拋光所述表面。
21.—種用于拋光電子基材表面的拋光墊，包括包含孔隙的聚合物基質(zhì)，其中所述墊具有用于拋光工作表面的第一工作表面及第二 表面；所述墊具有自所述工作表面延伸至所述第二表面的厚度T ；其中所述孔隙僅位于所述墊表面至0.95T厚度的區(qū)域內(nèi)。
22.如權(quán)利要求21所述的拋光墊，其特征在于，所述孔隙，其中所述孔隙的長度對直 徑比為41或更大且所述孔隙是至少部分交互連通的。
23.如權(quán)利要求21所述的拋光墊，其特征在于，所述孔隙僅位于所述墊表面至0.50T 厚度的區(qū)域內(nèi)。
24.如權(quán)利要求21所述的拋光墊，其特征在于，所述孔隙的直徑為0.1微米或更大。
25.如權(quán)利要求21所述的拋光墊，其特征在于，所述孔隙是均勻分布在所述孔隙所在 的區(qū)域內(nèi)。
26.—種用于拋光電子基材表面的拋光墊，包括包含孔隙的聚合物基質(zhì)，其中所述墊具有用于拋光工作表面的第一工作表面及第二 表面；所述墊具有自所述工作表面延伸至所述第二表面的厚度T ；其中所述拋光墊包含所述孔隙均勻分布的區(qū)域，及不存有所述孔隙的區(qū)域，其中所 述不存有所述孔隙的區(qū)域構(gòu)成所述墊體積的至少5.0%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種拋光墊及一種制造拋光墊的方法。該方法包括提供鑄具，其具有第一腔室及第二腔室，其中第一腔室定義凹槽；提供包含孔隙形成構(gòu)件的聚合物基質(zhì)材料至凹槽中；形成拋光墊，且在用于化學(xué)/機(jī)械平坦化步驟之前，通過化學(xué)方法或機(jī)械方法中的一者，自拋光墊中移除至少一部分的所述構(gòu)件，從而在拋光墊內(nèi)形成孔隙空間。
文檔編號B24D11/00GK102015212SQ200880128670
公開日2011年4月13日 申請日期2008年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月11日
發(fā)明者A·馬修, D·A·威爾斯, O·K·許, P·利菲瑞, S·X·喬, 吳光偉 申請人:音諾帕德股份有限公司