專利名稱：用于大氣壓力下的甚高頻等離子體輔助cvd的設(shè)備和方法及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及大氣壓力甚高頻(very high-frequency)(包括微波)等離子體增強 CVD沉積方法，還涉及實施其的設(shè)備以及所述方法的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
在玻璃、金屬或聚合物襯底上的薄膜功能涂層存在多種潛在應(yīng)用。有利地，通過通 常也被稱為等離子體CVD的PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積)技術(shù)來制造這些薄膜。該 技術(shù)的基本原理為在通過放電產(chǎn)生的等離子體中激發(fā)化學(xué)蒸氣，所述蒸氣接觸襯底。等離 子體的作用為產(chǎn)生高反應(yīng)性不穩(wěn)定的氣相前體以提供逐漸構(gòu)成材料的薄表面膜的新原子， 這些氣相前體具有在襯底表面上冷凝并與襯底表面反應(yīng)的特性。通過選擇氣態(tài)化學(xué)前體的特性和比例，可以形成能夠以極大的適應(yīng)性進行調(diào)整的 各種組分的材料(例如，非晶硅氧碳氮化物合金SiOxNyCz)。還可以通過連續(xù)地控制等離子 體相的特性來形成貫穿厚度的特性梯度，一些特性梯度被證明是使用諸如濺射的PVD (物 理氣相沉積)的較舊方法所不能實現(xiàn)的，在這些較舊方法中由固體源提供膜的原材料。此 外，PECVD潛在地更適合于在三維形狀的物體上均勻沉積材料，這是因為與物理物種(被蒸 發(fā)或濺射的原子)的輸運相比，化學(xué)物種(species)的輸運較不具有方向性，并且化學(xué)物種 可通過改變流體力學(xué)特性和氣相擴散而得到控制。起初，為了形成構(gòu)成微電子電路、LCD平面屏幕和太陽能電池的材料的薄膜而開 發(fā)出等離子體CVD技術(shù)。這些應(yīng)用需要使用具有極高純度的氣體的超凈反應(yīng)器和至少約 200°C的襯底溫度。對于提供了下列類型的一種或多種功能性的涂層的新應(yīng)用而言，對材料、方法以 及設(shè)備的要求是非常不同的，這些功能性為抗磨損性、化學(xué)阻擋、熱阻擋、抗腐蝕性、濾光、 粘附底漆(adhesion primer)、UV抗性等等。被認為具有用于這些應(yīng)用的高質(zhì)量的材料首先要具有致密的結(jié)構(gòu)，其中，平均上 的原子晶格的良好的連接性、最小的納米尺度的孔隙度、以及在微米尺寸沒有不均勻的柱 或粒子結(jié)構(gòu)。另一方面，局域的電活性缺陷總體上不具有主要影響。此外，這些薄膜功能涂 層的目的為具有與例如微電路晶片或顯示屏相比非常低的每單位面積的附加值的產(chǎn)品。因 此，使沉積機器的折舊和每平方米處理的操作成本最小化是絕對必要的。因此，沉積速率必 須盡可能地高。功能涂層的這些新應(yīng)用所用于的大多數(shù)工業(yè)產(chǎn)品，尤其是由薄片形式的聚 合物、鋼和鋁合金制成的產(chǎn)品不能經(jīng)受高于室溫幾十度的溫度。然而，平面玻璃可以經(jīng)受 再加熱，但對制造商而言，該處理在后面的階段，在熱制造之后，即，再加熱處理，會不希望 地浪費能量。將要涂敷的對象通常大于硅晶片、太陽能電池或IXD屏幕，并可能具有三維形 狀。還可能需要處理連續(xù)行進的薄襯底。為了滿足這些各種專用要求，已經(jīng)逐漸開發(fā)出低壓PECVD解決方案，并且目前其 處于實驗室或工業(yè)試驗規(guī)模。這些低壓PECVD解決方案通常組合
-高密度、微波、感應(yīng)或轉(zhuǎn)移弧等離子體源，其能夠傳送高密度的受激自由電子，并 可以通過非彈性碰撞產(chǎn)生大量的沉積前體，并由此在最小化處理時間的同時獲得最高生長 速率；-以內(nèi)部物理激發(fā)物種或離子轟擊的形式為襯底提供大的且可控的量的非熱能量 的裝置；以及-復(fù)雜設(shè)計的大PECVD反應(yīng)器，用于產(chǎn)生、輸運均勻的高通 量的化學(xué)和物理非熱活 性物種，并將其傳遞在襯底表面上的所有點處。該裝置分配等離子體源，徹底調(diào)查化學(xué)氣體注入模式，并分配泵浦。通常有利地在 幾個0. lPa的量級的最小壓力下操作，以獲得長平均自由程并使流體力學(xué)的影響最小化。為了構(gòu)想在大面積上均勻涂敷的可能性，需要難以實施的復(fù)雜設(shè)置。原因例如參 考在由Metal Process SARL公司提出的分布式電子回旋共振的概念中的近年來已成為必 要的發(fā)展。非定域氣體注入設(shè)備依賴于具有大量極小直徑孔的精細機械施工。分布式渦輪 分子泵浦也是昂貴的(與具有等效組合能力的一個大的泵相比，若干個小泵更昂貴)。該類型的技術(shù)仍然被保留用于形成這樣的涂層，這些涂層具有非常復(fù)雜的功能性 且具有足夠的附加值，即濾光器、多重(磨損、外部老化、化學(xué)阻擋)保護涂層、創(chuàng)新的納米 材料等等。為了使用等離子體方法產(chǎn)生較簡單的表面功能性，其目的在于以極大的量制造具 有很小附加值的普通產(chǎn)品(這些產(chǎn)品可以具有大尺寸和難處理的形狀)，著實需要簡單、廉 價且易于在大氣壓力下實施的PECVD沉積技術(shù)。此外，與用于維持真空的基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)的限制相當大。除了操作成本(在能量、維 護、備用零件、消耗、熟練的操作者方面)之外，大尺寸的真空設(shè)備需要專門的知識和基礎(chǔ) 設(shè)施，以便通過控制順序或連續(xù)的氣壓過渡艙(airlock)的復(fù)雜系統(tǒng)、裝載和卸載操作等 等以可靠的方式和高的生產(chǎn)率一天操作24小時，而控制氣壓過渡艙的復(fù)雜系統(tǒng)、裝載和卸 載操作形成了瓶頸。此外，在發(fā)生故障時，進行介入工作需要解除真空，這是耗時的，與非常 嚴格的滿流(tight-flow)連續(xù)生產(chǎn)線不匹配。然而，在大氣壓力下，與其中用于維持非熱等離子體的氣體為稀薄狀態(tài)的情況相 比，修改了基本的物理和化學(xué)過程，對等離子體CVD技術(shù)施加了更大的限制并限制了可能 的應(yīng)用。首先，在大氣壓力下的非熱放電環(huán)境的存在代表單一物理情境，為了獲得該情境 需要非常特別的設(shè)備設(shè)置和操作方法。這是因為，當氣體中的粒子密度增加時，碰撞也變得 頻繁得多，并傾向于建立局部熱動力學(xué)平衡，也就是說，向電弧狀態(tài)的過渡(除非采取了特 定預(yù)防)會造成設(shè)備的劣化或損壞。此外，因為粒子之間的更頻繁的相互作用，在大氣壓力等離子體設(shè)備或PECVD反 應(yīng)器中，所有梯度更顯著。在等離子體處理中包括的電子和離子、以及化學(xué)和物理活性物種 (species)在與真空等離子體的情況相比短得多的特征長度內(nèi)消失。這意味著更難以產(chǎn)生 等離子體和在除基本形狀之外的幾何形狀上均勻地分布活性物種。具體而言，不可能制造 這樣的大氣壓力等離子體沉積反應(yīng)器，該反應(yīng)器能夠處理相對于一個或多個等離子體發(fā)生 器保持固定的三維形狀的襯底。由于幾何限制，經(jīng)常甚至不能在等離子體區(qū)域內(nèi)放置這樣 的襯底。
在氣相粒子之間的強相互作用對所沉積的材料的質(zhì)量具有另一種影響構(gòu)成涂層 原材料的自由基化學(xué)物種在甚至到達膜的表面之前具有彼此過早反應(yīng)的顯著傾向。這會導(dǎo) 致以均勻相成核和不可逆地產(chǎn)生完全不希望的固體粒子。在更低的程度上，自由基聚集成 較大尺寸的鍵合原子的團簇，與單獨冷凝的原子相比，這些團簇在到達表面上之后將更加 難以通過供給非熱能量進行重新排列?，F(xiàn)在，同樣由于在氣相中粒子之間的相互作用更加 頻繁，與在稀薄氣體中的情況相比，攜帶該非熱能量的物種在到達表面之前更容易失去其 內(nèi)部激勵。該缺陷不能通過對襯底施加離子轟擊來補償，因為在大氣壓力下不能使襯底相 對于等離子體而被顯著偏置。因此，使用大氣PECVD來獲得質(zhì)量比得上通過低壓PECVD獲 得的膜的膜是非常困難的。
能夠使用非熱大氣放電來沉積PECVD涂層的另一條件為，通過在體積內(nèi)均勻地并 在時間上連續(xù)地發(fā)生的電離過程來產(chǎn)生高能電子(這些高能電子接下來將作為產(chǎn)生沉積 物種的源)，這與真空等離子體中的情況相同。如果不能滿足該條件，所沉積的材料將具有 不規(guī)則的和異質(zhì)的結(jié)構(gòu)并具有不適宜的質(zhì)量。在非熱大氣放電當中，最常見的類型為在被供給低頻AC電壓的兩個電極之間維 持的電介質(zhì)阻擋放電(DBD)，并且所述電極的表面涂敷有電介質(zhì)。該電介質(zhì)通過限制放電電 流而阻止了向電弧狀態(tài)的過渡。然而，該設(shè)置通常不能獲得均勻放電。一旦施加了足夠的 功率以實現(xiàn)放電的引發(fā)(ignition)或“擊穿”(即，為了實現(xiàn)其中電離補償帶電粒子的損失 的狀態(tài))，便發(fā)現(xiàn)電離增強且沿垂直于電極的路徑非常迅速地傳播，給出被暗空間分離的大 數(shù)目的等離子體流光(streamer)，在所述暗空間中不存在電荷且因此不能在其中產(chǎn)生沉積 活性物種。電介質(zhì)的存在在流光被無限放大而進入電弧狀態(tài)之前“截止(abort)”每一個流 光，但是相應(yīng)地，放電是不均勻的，不能用于PECVD。然而，近年來，已經(jīng)成功地實現(xiàn)了均勻電介質(zhì)阻擋放電在稀有氣體中的輝光狀態(tài) (glow regime)或在氮氣中的Townsend狀態(tài)下大氣放電。為了引發(fā)持續(xù)的放電，同時仍然 在電極之間的整個體積中保持在以分布方式發(fā)生的“軟”電離狀態(tài)，需要促進這樣的電離機 制，該電離機制不涉及直接非彈性電子碰撞(其會導(dǎo)致流光狀態(tài))，而是涉及除了電子之外 的攜帶內(nèi)部激勵的物種(即，其一個量子能級高于基態(tài)的物種)之間的能量轉(zhuǎn)移，特別是亞 穩(wěn)原子和分子。相應(yīng)地，可以修改(adapt)支配放電時的能量沉積狀態(tài)的電壓信號的幅度 和頻率，以及由此修改將控制所希望的電離狀態(tài)的物種。然而，使均勻放電發(fā)生的這些條件是精細并且矛盾的。例如，需要向等離子體氣中 加入氣體，該氣體在受激時將對于給出控制電離狀態(tài)所需的特定的亞穩(wěn)物種，但是該氣體 對于該過程而言是不希望的。相反，添加的化學(xué)前體蒸氣會與均勻電離過程中所包含的受 激物種反應(yīng)，并使其過早消失，因此使放電返回到流光狀態(tài)。用于維持均勻狀態(tài)的條件還對 由PECVD過程施加的附加限制(例如，氣體流量和襯底加熱)敏感。此外，可以維持這些均勻狀態(tài)的幾何形狀同樣受到限制平行平面電極具有相對 大的面積，而在另一方面，在氮氣中均勻Townsend放電的情況下間隙不能超過幾毫米，而 在稀有氣體的均勻輝光放電的情況下則稍微大一些。這不能夠處理除了薄扁平(flat)襯 底之外的襯底。此外，用于維持均勻放電的物理機制的固有特性導(dǎo)致這些襯底必須由相對 絕緣的材料制成。在放電時引入任何的導(dǎo)電襯底會立即導(dǎo)致向不均勻流光模式的轉(zhuǎn)變。存在其他的均勻冷大氣放電，它們實質(zhì)上是在圓形或平行六面體(parallel印ipedal)橫截面的管狀幾何形狀中的通量維持的放電，在后一情況下，可選地 橫向地伸展(在所謂的APPJ(大氣壓力等離子體噴射)概念中，如SurfX Technologies公 司所售賣的)。在管壁與內(nèi)部反電極之間引發(fā)等離子體，而不需要電介質(zhì)阻擋。作為使用高 流速的基本上純氦作為等離子體氣體的結(jié)果，確保了極有效的消熱，使放電穩(wěn)定，并保持放 電遠離電弧狀態(tài)。然而，增加其他等離子體氣體(特別地，氮或氬)的所有嘗試都會使放電 不可用于應(yīng)用。除了成本之外，氦氣為不可再生資源并且市場的供給通常很少，以及該氣體 被保留用于更重要的戰(zhàn)略應(yīng)用，因此不希望使用氦氣。 存在由University of Wisconsin開發(fā)的另一概念(參見文件US6764658)，其由 多個平行并置的多個同軸電介質(zhì)阻擋流放電構(gòu)成。這些管狀源被設(shè)置在平行六面體塊中， 伸展的(extended)形狀的襯底面對該平行六面體塊。氣流具有朝向?qū)⒈惶幚淼囊r底表面 向外局部噴射等離子體(其中，存在電荷粒子的輝光區(qū))的作用，但這些物種迅速減少，并 且在放電后等離子體(post-discharge plasma)的極限(其中活性物種數(shù)目較少并且能量 也較小)處進行處理。利用該系統(tǒng)不能獲得具有良好膜質(zhì)量的高沉積速率。最后，存在多種“冷炬”概念，其中通過適宜的設(shè)置為炬提供高頻或低頻AC電壓， 或提供脈沖DC電壓，可以將具有電弧特征的流光轉(zhuǎn)變?yōu)閿U散性更強且更冷的等離子體。這 些炬不需要通過稀有氣體進行穩(wěn)定，并可以例如在空氣中操作。然而，其不允許產(chǎn)生高密度 等離子體，也不能很好地控制活性物種的產(chǎn)生。這些炬對于進行簡單的表面清潔、除銹、去 氧化或激活操作而言是非常有用的工具。此外，即使沒有阻止其與注入的沉積前體組合，也 僅可以進行非常簡單的聚合，并且不能非常精確地以可控制和可重復(fù)的規(guī)范沉積薄膜，特 別是不能以大多數(shù)的工業(yè)應(yīng)用所要求的高速率來沉積薄膜。均勻冷大氣放電具有與維持真空的射頻容性輝光放電相同量級的電子密度(即， IO8-IO9Cm-3)。在這些條件下產(chǎn)生活性物種的速率不會導(dǎo)致極高的沉積速率。比較而言，微波大氣放電具有明顯高的電子密度，從IO12到1015cm_3，至多接近微波 的與等離子體的耦合，并且非彈性電子碰撞產(chǎn)生大量化學(xué)和物理活性物種，這些物種有助 于具有良好膜質(zhì)量的高沉積速率。因此還構(gòu)思采用微波大氣放電用于表面處理。存在用于產(chǎn)生微波等離子體的各類設(shè)備，其中一些設(shè)備原則上工作在大氣壓力 下。源的主要類型為例如在由M-Moisan和J. Pelletier出版的“Microwave-Excited Plasmas”，第4-5章，Elsevier (1992)中所描述的所述源位于微波波導(dǎo)電路、共振腔、表面 波發(fā)生器以及炬的內(nèi)部。除了共振腔的情況之外，這些設(shè)備在小的體積內(nèi)(通常在小直徑 的電介質(zhì)管的內(nèi)部)維持等離子體，這基本上使它們并不非常適合于在具有伸展的形狀的 物體上的CVD沉積。還存在面幾何形狀的微波場施加器，其能夠在擴展的面積內(nèi)維持等離 子體，例如，輻射縫槽波導(dǎo)、面?zhèn)鞑テ骰蛎姹砻娌òl(fā)射器。然而，這僅是真空等離子體的情況。這是因為在大氣壓力下，會發(fā)生微波放電收縮 禾口成絲(filamentation)現(xiàn)象(Y. Kabouzi et al. ， Journal ofApplied Physics 91(3)， 1008(2002))。該不均性具有與冷大氣放電中普遍的物理根源非常不同的物理根源，并由彈 性電子碰撞對氣體的不均勻加熱所導(dǎo)致。該機制實際上具有建立陡峭的溫度梯度的傾向， 這與等離子體內(nèi)的同樣意義上的電子密度梯度相關(guān)。在擴展的體積中，等離子體聚集在被 包含很少的電荷或不包含電荷以及由此的可忽略數(shù)目的活性物種的空間所分離的極強離 散流光中。任何均勻沉積都是不可能的，并且將被處理的襯底會遭受局部熱損傷。
作為該規(guī)則的例外，公知這樣的兩種情況，其中在適宜的體積中獲得均勻大氣壓 力微波等離子體。第一實例是來自iPlas GmbH公司的Cyrarmus 源，其使用通過槽型環(huán) 波導(dǎo)供給的共振腔。高氬氣通量阻止了氣體被非均勻加熱。然而，該狀態(tài)本質(zhì)上是不穩(wěn)定 的，并且過程的正常波動時會發(fā)生向非均勻模式的轉(zhuǎn)變。即使在均勻操作時，PECVD(氮化 硅SiN)試驗導(dǎo)致不可接受的非均勻性。沉積速率看起來不很大，不大于每分鐘幾百納米， 這可以通過以下事實來解釋，載體氣體的高流速“稀釋” 了注入的功率，相應(yīng)地減小了沉積 物種的產(chǎn)生速率。極高的氬氣消耗同樣是不令人滿意的經(jīng)濟因素。第二實例涉及來自Dana Corporation公司的AtmoPlas 技術(shù)(從現(xiàn)在開始歸BTU International所有)。在該概念中，通過在氣體中分散用作非定域引發(fā)中心并由此永久誘 導(dǎo)微波吸收的導(dǎo)電粒子來平均地均勻化等離子體，以便在整個體積電離氣體。然而，這些粒 子的存在似乎與具有良好控制的組分和微結(jié)構(gòu)的涂層的CVD沉積不匹配。通常屬于微波的對應(yīng)的頻率范圍的下限的限定不是絕對的。合法的用于ISM(工 業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué))應(yīng)用的允許頻率中的一個為434MHz，一些作者認為該頻率不在術(shù)語“微 波”(該名稱被指派給在允許的頻率915MHz的緊接之上的頻率)所涵蓋的頻率內(nèi)。因此， 我們在此后替代地用甚高頻來表示比100MHz高的頻率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人在本申請人在同一天提交的專利申請中描述了使用(具有微帶 線路或中空導(dǎo)體線路的類型)細長導(dǎo)體的甚高頻等離子體源。該等離子體的原理基于由中 空導(dǎo)體線路或微帶線路形成的用于傳播甚高頻波的線式結(jié)構(gòu)，該線式結(jié)構(gòu)被施加到將其與 等離子體分離的電介質(zhì)襯底上。通過沿導(dǎo)體傳播期間所吸收的甚高頻功率產(chǎn)生等離子體。更具體而言，由申請人在與本申請同一天提交的專利申請涉及等離子體發(fā)生器設(shè) 備，其包括至少一個甚高頻(大于100MHz)功率源，該甚高頻功率源經(jīng)由阻抗匹配系統(tǒng) 而被連接到具有與其長度相比的小橫截面的細長導(dǎo)體(例如，微帶線路或中空導(dǎo)體線路類 型)，該細長導(dǎo)體以緊密接觸其整個下表面的方式被固定到電介質(zhì)支撐物；至少一個用于 冷卻所述導(dǎo)體的裝置；至少一個等離子體氣體進口(feed)，其靠近電介質(zhì)支撐物的在與支 撐導(dǎo)體的一側(cè)相反的一側(cè)。因此，該產(chǎn)生等離子體的方法的原理為沿基于微帶線路的功率 傳輸線傳播電磁功率，以便分布該功率并沿線路以非定域的方式激發(fā)等離子體。實際上，所 述線路的具體存在需要存在接地參考，而接地參考在現(xiàn)有技術(shù)中采取連續(xù)的導(dǎo)電金屬面的 形式。根據(jù)該等離子體發(fā)生器設(shè)備的有利的實施例，申請人得到了以下構(gòu)思，等離子體 片是具有本征電勢的導(dǎo)體，因此等離子體片可以非常好地用作功率傳輸線的電勢參考。然 而，為了使設(shè)備實際工作，需要增加絕對局域電勢參考以確保建立傳播模式-該設(shè)備包括局部(partial)接地面，該接地面面對電介質(zhì)的與支撐該導(dǎo)體的一 側(cè)相反的一側(cè)的面延伸，該接地面的局部特性由以下事實表示，僅僅小面積的導(dǎo)體線路與 接地面相對；-局部接地面位于導(dǎo)體線路的開始處，S卩，在微波到達設(shè)備的點處；-微波發(fā)射(launch)區(qū)域在導(dǎo)體線路的輸入處具有包括細長導(dǎo)體、電介質(zhì)以及局 部接地面的常規(guī)結(jié)構(gòu)，接地面在距導(dǎo)體線路輸入的短距離處被中斷，并接著被在所述導(dǎo)體線路的整個剩余的長度范圍內(nèi)隨所述導(dǎo)體延伸的所述等離子體所取代，所述等離子體作為 用于導(dǎo)引的微波傳播的電勢參考；以及-微波發(fā)射區(qū)域在導(dǎo)體線路的輸入處具有包括細長導(dǎo)體、電介質(zhì)以及局部接地面 的常規(guī)結(jié)構(gòu)，接地面在距導(dǎo)體線路輸入的短距離處被中斷，并接著被等離子體取代，該導(dǎo)體 延伸為基本上不超過接地面的邊界。因此，等離子體用作電勢參考和波傳播導(dǎo)體支撐(與 表面波相似的模式，但在這里為面幾何形狀)。本發(fā)明基于對該類型的具有微帶線路場施加器的甚高頻等離子體源的使用，以制 造傳遞活性氣流“幕(curtain)，，的CVD等離子體模塊，該氣體在致密的均勻等離子體中被 提前激發(fā)，該活性氣體幕碰撞襯底的表面。在該表面上，活性氣體同樣具有等離子體的特 性，即，其包含不可忽略的比例的帶電粒子，或?qū)嵸|(zhì)上為放電后等離子體介質(zhì)，換言之，僅僅 包含中性受激(neutral)物種和/或活性物種。正是最快速的流速促進帶電物種(其數(shù)目 減少得最迅速)距其產(chǎn)生位置留存特定的距離，其中通過將電磁波的能量耦合到氣體中而 產(chǎn)生等離子體。該等離子體設(shè)備在使用電能產(chǎn)生沉積活性物種的方面具有最高的效率。電 能基本上沒有像例如電弧等離子體的情況那樣被轉(zhuǎn)變?yōu)闊幔⑶覛怏w的溫度保持足夠低， 以便可以通過修改(adapt)襯底通過活性氣體噴射的速率而處理熱敏襯底。該等離子體模 塊可用于在平面(flat)行進的襯底上沉積材料薄膜，或被安裝在機器人臂上以通過三維 襯底的受控的掃描移動來執(zhí)行相同的處理。具體而言，本發(fā)明非常適合于在其上靜電噴涂油漆(paint)之前在聚合物車體部 件(特別地，防御物(fender))上施加導(dǎo)電無機膜。旨在用該膜取代使用液體處理施加且 需要耗時的干燥操作的導(dǎo)電粘附底漆溶液。在根據(jù)形成本發(fā)明的基礎(chǔ)的構(gòu)思的、使用微帶線路的甚高頻等離子體設(shè)備中，當 與等離子體接觸的電介質(zhì)壁為面且為伸展式(extended)時并且當氣體實質(zhì)上被分散時， 發(fā)現(xiàn)無論采用何種等離子體氣體(特別地為氬或氦或其混合物)，大氣壓力等離子體具有 流光結(jié)構(gòu)。為了使等離子體穩(wěn)定化和均勻化，采用一種能夠試驗實施的設(shè)置，其中在對應(yīng)于 與甚高頻電磁功率耦合的強等離子體區(qū)域的邊界處建立橫向氣流，該等離子體區(qū)域被限制 在位于電介質(zhì)襯底中的窄通道中。這些試驗的結(jié)果示出了非常適合于開發(fā)PECVD設(shè)備的特 征。因此，本發(fā)明涉及一種用于在襯底上進行沉積的CVD方法，該方法在大氣壓力下 進行，其特征在于，其受到由使用具有與其長度相比的小橫截面的細長導(dǎo)體(導(dǎo)體為微帶 線路型或中空的例如圓柱線路型)的場施加器產(chǎn)生的甚高頻等離子體的輔助。通過專門設(shè) 計的固態(tài)發(fā)生器來為該等離子體源提供電磁功率(例如，在434MHz)。這些發(fā)生器受益于用 于電信工業(yè)的功率電子技術(shù)，特別是大規(guī)模生產(chǎn)的功率晶體管，其可以確保安全供應(yīng)和隨 訂購的數(shù)量而迅速降低的成本。此外，與都具有有限壽命的基于真空管(磁控管等等)的 發(fā)生器不同地，其不需要任何周期性維護。如通過閱讀前述內(nèi)容所理解的，根據(jù)本發(fā)明，將術(shù)語“甚高頻”理解為表示IOOMHz以上的頻率，并且特別地為由用于ISM帶的國際規(guī)章允許以下“離散”頻率434MHZ、 915MHz、2450MHz 和 5850MHz。在根據(jù)本發(fā)明的方法中，等離子體氣體優(yōu)選為氬氣，并可選地向其添加0. 1到5體 積％、優(yōu)選0. 2到4體積％、更優(yōu)選0. 5到2體積％的氮氣。在氬氣中，在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的幾何形狀中維持的等離子體在視覺上(visually)保持均勻，而不會明顯地顯示出收縮 或成絲。然而，在純氮氣中在大氣壓力下操作是不可能的不僅不能得到足夠強的微波源， 而且該結(jié)構(gòu)也沒有被設(shè)計為包含對應(yīng)于維持大氣氮等離子體的最小功率密度。對于作為本 發(fā)明的對象的大多數(shù)工業(yè)過程而言，從經(jīng)濟的觀點觸發(fā)，使用氬氣是非?？扇〉??？赡艿靥?加少量百分比的氮氣有助于修改放電時的能量轉(zhuǎn)移，從而促進形成特定的沉積自由基。
當然，首先根據(jù)注定形成將被沉積的固體材料的化學(xué)元素來選擇前體的化學(xué)性 質(zhì)。然而，將考慮在大氣PECVD方法中對于前體的使用所特有的其他標準。這些前體中的一 些將為以壓縮形式存儲的，或在室溫下高蒸氣壓下液化的“正?！睔怏w，例如，硅烷、甲烷、乙 炔等等。然而，如果希望擴展可能的材料的范圍(金屬及其氧化物、氮化物、碳化物等等)， 通常還需要設(shè)想使用低蒸氣壓的液體有機金屬源，其將在大氣壓力載體氣體中輸運。該載 體氣體選自氬、氮、氦、氪、氙以及氖。該載體氣體不存在于等離子體產(chǎn)生區(qū)域中，由此其等 離子體產(chǎn)生特性是不重要的。然而，其特性卻對在襯底附近的活性物種的傳送(流體力學(xué) 和擴散)具有影響，甚至?xí)绊懫淙ゼせ?復(fù)合。這些前體以這樣的分壓并入到所述載體氣 體中，該分壓足以使前體在等離子體中或在緊鄰等離子體(所謂的放電后等離子體區(qū)域) 而離解為活性自由基之后，在入射到襯底上的活性氣體噴射中提供足夠的原子通量，以便 以需要的生長速率構(gòu)成膜材料。這暗含著在足夠高的溫度下蒸發(fā)前體，載體氣體被保持在 該溫度直到向活性氣體幕注入的點，活性氣體幕通過與甚高頻波耦合而從等離子體產(chǎn)生區(qū) 域提取。該溫度具有由PECVD模塊的材料的電阻(resistance)設(shè)定的實際上限。(顯然， 假設(shè)前體不會由于在該最大溫度下的簡單的熱影響而過早分解)。根據(jù)一種特定的實施方法，前體選自以壓縮形式存儲或以在室溫下的高蒸氣壓 下液化的氣體；具有低蒸氣壓的液體有機金屬；以及其混合物。這些氣態(tài)前體選自硅烷、甲 烷、乙炔、乙烯及其混合物。有機金屬選自包含固體材料的前體，即，金屬氧化物、氮化物和 碳化物及其混合物，更具體地，有機鈦和有機錫化合物、以及四甲基硅烷。與任何的大氣壓力等離子體方法相同，根據(jù)本發(fā)明的方法容易受到由氣相中的粒 子間的更頻繁的相互作用而導(dǎo)致的限制，為了最小化對處理速率和膜質(zhì)量的這些影響，組 合了幾個新的方面。首先，主等離子體矢量(vector)氣體(通常為氬)在微帶線下方的通道中被高度 激發(fā)。由此產(chǎn)生的等離子體具有通過氣體的動態(tài)流通而均勻化的大氣壓力微波等離子體的 特征。此時，其電子密度為IO11-IO12cnT3的量級，并且氣體的溫度為1000到2000K。從高密 度等離子體提取的活性氣體噴射的該沉積方法的基本原理在于，使用該高能濃度在注射化 學(xué)前體之后而產(chǎn)生高通量的物理和化學(xué)活性物種，并且與此同時，將氣流中的物種以最短 可能時間輸送到襯底的表面。由此，1)前體自由基的數(shù)目的減小受到限制，以維持高沉積速 率；2)受激的物理物種的損失也受到限制，受激的物理物種有利于使入射的原子重新排列 并致密化所沉積的材料；以及3)降低了前體被低聚化為原子的較粗團簇(該較粗團簇更難 以最優(yōu)地容納在膜中并會構(gòu)成另一降低質(zhì)量的因素)的概率。因此，化學(xué)沉積前體化合物必須被引入到不太遠離等離子體激發(fā)區(qū)域的下游的主 流動中，以便充分地完成前體的離解以形成活性自由基。另一方面，過度延長這些自由基到 襯底表面的傳輸路徑是不利的，因為這些自由基由此會具有在氣相中的更高的反應(yīng)概率， 使沉積過程變?yōu)榉腔钚院蛠G失，或者經(jīng)受會有損質(zhì)量的低聚化。
然而，使等離子體產(chǎn)生區(qū)域(在微帶線路之下的通道)與將被處理的襯底表面之 間的距離最小化并不總是明智的。如上所述，這使得最大量的非熱活性物種被提供到生長 的膜的表面上(以獲得最高的沉積速率和最佳的質(zhì)量)。然而，襯底被設(shè)置得越靠近等離子 體激發(fā)源，襯底就會越多地暴露到高溫，這會超過材料所能承受的極限，特別是該材料為聚 合物的情況。在動態(tài)沉積模式(在PECVD源與被處理的襯底之間的相對切向位移)中，最 大溫度還依賴于行進速率或掃描速度。由此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠使該距離適應(yīng)將被處 理的支撐物的性質(zhì)和支撐物相對于等離子體源的位移速度。如上所述，使用申請人在同一天提交的專利申請中描述的設(shè)備實施本發(fā)明的方法 (同樣本說明書也進行了描述)，該設(shè)備與前體供給單元連接。因此，本發(fā)明涉及等離子體增強的化學(xué)氣相薄膜沉積設(shè)備，其包括至少一個甚高頻(大于100MHz)功率源，該甚高頻功率源經(jīng)由阻抗匹配設(shè)備而被連接到具有與其長度相 比的小橫截面的細長導(dǎo)體(例如，微帶線路或中空例如圓柱導(dǎo)體線路類型)，該細長導(dǎo)體 被固定到電介質(zhì)支撐物；至少一個用于冷卻所述導(dǎo)體的裝置；至少一個等離子體氣體進口 (feed)，其靠近電介質(zhì)支撐物的與支撐所述導(dǎo)體的一側(cè)相反的一側(cè)，沿導(dǎo)體線路在電介質(zhì) 之下產(chǎn)生等離子體；以及至少一個前體進口，其將前體注入到從通過與微波耦合而形成的 等離子體產(chǎn)生區(qū)域提取的活性氣流中。本發(fā)明的設(shè)備的說明書中通過引用而包括申請人在同一天提交的申請中所描述 并尋求保護的設(shè)備的特征。氣體進口 “靠近”或“鄰近”介質(zhì)支撐物這一表達應(yīng)被理解為表示入口典型地在距 離支撐物小于15mm處且優(yōu)選地距離支撐物小于IOmm處開口。在本發(fā)明中，術(shù)語“微帶線路”應(yīng)理解為表示細長形狀并且厚度小的電導(dǎo)體部件， 其厚度典型地為一毫米或小于一毫米的量級。微帶線路的長度和寬度不是任意的，但可以 被設(shè)計為最優(yōu)化沿構(gòu)成該微帶線路的傳輸線路的功率傳播特性。作為變體，如上所述，可用 中空細長部件，特別地，圓形、矩形或方形橫截面的中空細長部件，來取代微帶線路，該中空 管的壁厚度要足以保證良好的機械強度，并對電特性沒有影響。微帶線路并不受限于特定 的面、直線幾何形狀，而是還可以采用彎曲(curved)的面形狀或在其長度方向上具有凹陷 或凸起曲率的翹曲(warped)形狀。應(yīng)該理解，在之前和以下的描述中，導(dǎo)體、中空導(dǎo)電線路以及微帶線路之間沒有區(qū) 另IJ，并且任何時候本發(fā)明都不受限于這些線路類型中的僅僅一種。因為高頻電流流動遵守趨膚效應(yīng)，并且因為趨膚效應(yīng)依賴于頻率和構(gòu)成導(dǎo)體的材 料的導(dǎo)電性，電流在其中流動的實際厚度將遠小于0. 1mm。然而，因為傳送的功率高(幾百 瓦的量級)，并且因為金屬的導(dǎo)電性隨溫度升高而減小，微帶線路的厚度將遠大于由趨膚效 應(yīng)限定的理論厚度，因此需要冷卻微帶線路以保持其物理完整性。因此，微帶線路將具有1 毫米的量級的厚度，并由作為良好的電和熱導(dǎo)體的材料制成，其選自具有良好的機械強度 的材料，該材料可以為銅合金，例如，黃銅或優(yōu)選地鈹銅。有利地，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備包括縫槽(slot)，其在電介質(zhì)襯底中設(shè)置的限制與 微波功率耦合的等離子體產(chǎn)生區(qū)域的通道之下，從等離子體產(chǎn)生區(qū)域提取的流動活性氣體 幕通過該縫槽逃逸，并且以前體到達垂直于活性氣體流的縫槽的方式設(shè)置前體進口裝置。特別有利地，通過兩個相對的橫向入口將等離子體氣體流對稱地饋入到用于將微波功率耦合到等離子體的活性區(qū)域。這些入口在與電介質(zhì)襯底的表面的相距可變的距離處 開口，以在等離子體限制通道中給出氣流的適宜的動力學(xué)。例如，入口在靠近微波耦合區(qū)域 的下限處開口，或甚至在稍微超出該下限處開口。在該情況下，將在等離子體通道中產(chǎn)生渦 流效應(yīng)，其可以有效地提取活性物種且防止氣流“吹走”等離子體的效應(yīng)，該效應(yīng)會損害等 離子體的穩(wěn)定性。然后，迫使氣流沿垂直方向進入朝向襯底表面的活性氣體“幕”或射流的 注入縫槽中。使攜帶化學(xué)前體(提供構(gòu)成要沉積的材料的原子)的氣體對稱并垂直地注射 到活性氣體流中。根據(jù)一個特定的實施例，前體進口裝置被設(shè)置在進口塊中，該進口塊被設(shè)置在設(shè)備之下并可以從那里移動。因此可以具有一組不同高度的進口塊。由此，通過選擇進口塊， 可以根據(jù)處理條件來適應(yīng)(adapt)與激發(fā)區(qū)域的距離，以及在前體注入點與被處理的襯底 之間的距離，其中在激發(fā)區(qū)域處，在到自由空間的射流的出口處的微帶線路之下通過耦合 甚高頻功率而激發(fā)等離子體。如果根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備在大氣壓力下操作，則由于碰撞表面的氣流的動力學(xué)，所 有入射的自由基不會直接到達該表面以最終并入到膜中，并且在表面附近建立再循環(huán)，這 將延長氣相中的自由基的停留時間，并促進在氣相中的相互作用，劣化在等離子體幕的碰 撞點的任一側(cè)上沉積的材料的質(zhì)量。因此，通過例如在處理頭上增加致偏器(deflector) 設(shè)備來適應(yīng)等離子體注射縫槽的形狀以減小再循環(huán)是有利的。作為示例，下面將描述示例性實施例。因此，微帶線路的最優(yōu)的形狀使得可以在下 方縫槽中產(chǎn)生約150mm的長度和約8mm的橫截面的效率為97%的300W的入射功率的等離 子體，其代表了極大線性能量密度和由此的極大的活性物種的密度。然而，在其中氬作為支 配性成分的等離子體氣體中使用的設(shè)備能承受大得多的功率水平，例如500-600W，由此改 善沉積速率和涂層的質(zhì)量。允許該操作的總氣體(等離子體氣體、載體氣體以及前體)流速范圍，約10到 100slm(每分鐘標準升)，提供了用于控制將來自于等離子體的活性物種射流傳遞到被處 理的襯底上的動力學(xué)的寬的可能性范圍，該動力學(xué)為，以使處理最優(yōu)化。最終，該設(shè)備在其 等離子體能量傳送效率(電抗匹配)的質(zhì)量方面卓越。即使大于反射功率的極低平均值 (3% )，也會在操作參數(shù)的極寬變化范圍內(nèi)維持該值。因此，PECVD模塊的操作特別穩(wěn)定且 對由應(yīng)用(多步處理、傳送(pass)之間的空閑(idle)操作等)導(dǎo)致的操作條件的變化和 波動不敏感。根據(jù)本發(fā)明的各種設(shè)備可以被并置，以便，特別地，提高襯底在每一個所述設(shè)備之 下行進的速度并由此提高方法的生產(chǎn)率。


通過下列附圖的描述將更好地理解根據(jù)本發(fā)明操作的設(shè)備，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的橫截面；以及圖2示出了具有圓柱形橫截面的傳輸線路的備選(alternative)設(shè)備的橫截面， 其中該設(shè)備包含內(nèi)部水循環(huán)。
具體實施例方式圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備1，其由一個層疊在另一個之上的下列各種部件構(gòu)成-基底2，其被兩個對稱的縱向通道3a和3b穿過，通過通道3a和3b輸送用于沉 積固體材料的前體，這些通道經(jīng)由前體傳送縫槽4a和4b而被對稱性地連接到中心出口縫 槽5，出口縫槽5使得能夠提取來自等離子體6的活性氣體流；-電介質(zhì)7，其為平行六面體板的形式；-微帶線路8，其設(shè)置在電介質(zhì)7的面7a的中心上，由連接到連接器(未示出)的 導(dǎo)電金屬帶構(gòu)成，微帶線路的寬度大于縫槽5的寬度，以便基底2的上面用作局部接地面；-陶瓷電介質(zhì)散熱器9，其具有縱向通道10，水循環(huán)通過該縱向通道10，該陶瓷電 介質(zhì)散熱器9被施加到微帶線路8的整個表面之上；-主傳送塊11，其具有兩個對稱的等分部分Ila和11b，具有平行六面體的總形狀， 其中在下部中，肩IlcUld朝向設(shè)備的中心延伸，在所述肩的自由表面上承載該電介質(zhì)，這 些肩的兩個自由端彼此面對并使中心縫槽5空出，塊11的每一個等分部分1 Ia和1 Ib在其 上部被縱向圓柱通道12a和12b穿過，冷卻水流過該圓柱通道12a和12b，并且每一個等分 部分Ila和lib在其下部被縱向圓柱通道13a和13b穿過，等離子體氣體經(jīng)由該圓柱通道 13a和13b而到達，通道13a和13b中的每一個經(jīng)由縫槽14a和14b而暴露于中心縫槽5 中；-電介質(zhì)支撐物塊14，其為頂部向下的U形，位于電介質(zhì)散熱器10的頂部上，確保 電介質(zhì)襯底7、傳送塊11的下部以及基底2被保持在一起；以及-金屬封閉板15，其被緊固到塊11并使得夾持系統(tǒng)16能夠被并入，該夾持系統(tǒng)一 方面使得塊11和電介質(zhì)散熱器9保持在襯底2上的適當位置，并使將電介質(zhì)襯底7壓在塊 11上的電介質(zhì)塊14保持在適當?shù)奈恢?；位于塊11的下部中的0環(huán)密封17和位于電介質(zhì)7 之下的0環(huán)密封19確保密封其中放電展開(develop)的體積。金屬板15在上部封閉塊11，整個組件由此構(gòu)成了法拉第罩以限制由微帶線路傳 送的甚高頻電磁輻射，從而不會丟失能量并未不在環(huán)境中造成干擾(電磁兼容性和操作者 安全問題)。低壓等離子體引發(fā)腔18被放置在基底2之下。該腔可以(如果需要，使用外部泵 浦裝置(未示出))降低在微帶線路之下的用于耦合電磁功率的區(qū)域中的壓力，以便使引發(fā) 更容易(顯然在大氣壓力下更難以引發(fā))。通過虛線示出了該腔，因為其是可移動的，所以 一旦引發(fā)了等離子體，便去除該腔。圖2示出了本發(fā)明的等離子體發(fā)生器設(shè)備的另一實施例，其與圖1的實施例的區(qū) 別在于，電介質(zhì)7/帶線路8/絕緣散熱器被這樣的系統(tǒng)所取代，該系統(tǒng)包括通常為平行六面 體形狀的電介質(zhì)19，在電介質(zhì)19的表面19a上形成了縱向凹陷，該縱向凹陷與形式為中空 導(dǎo)體管21的傳播線路部件的輪廓匹配，冷卻水22循環(huán)通過中空導(dǎo)體管21，該中空管上覆有 電介質(zhì)保持塊23。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備可以以這樣的方式被有利地放置在機器人臂上，以便通過使用 機器人臂掃描襯底的表面而在不移動襯底的情況下處理可能為大尺寸和翹曲形狀的襯底。本發(fā)明的方法和/或本發(fā)明的設(shè)備可以用于各種應(yīng)用，特別地，用于提供下列一 種或多種功能性的涂層抗磨損性、化學(xué)阻擋、抗熱性、抗腐蝕性、濾光、粘附底漆、UV抗性等等.具體而言，本發(fā)明非常適合于在其上靜電噴涂油漆之前在聚合物車輛體部件(特 別地，防御物)上施加導(dǎo)電無機膜。該膜用于取代通過液體處理施加并需要耗時的干燥操 作的導(dǎo)電粘附底漆溶液。由此，本發(fā)明的另一目的為在靜電噴涂油漆之前，使用上述方法在車輛體部件 (特別地，防御物)上施加導(dǎo)電無機膜。在該特定用途中，材料特別地選自氧化錫和氧化 銦錫(ITO)；氮化鈦TiN和氮摻雜的氧化鈦；以及可選的摻雜的硅和/或碳合金。對應(yīng)的前 體特別地為四丁基錫(tetra-n-butyltin)、異丙氧基鈦、四甲基硅烷以及乙烯。使用這樣的前體沉積的材料滿足能夠釋放靜電荷的基本的涂層的功能要求，該要 求通過以每方塊歐姆(Ω/ □)給出的表面電阻率(涂層的任何方塊部分都具有相同的電 阻而不管每一邊的長度)表達。1000 Ω / □的量級的值似乎非常適合于應(yīng)用。將涂層限制 為合理厚度(與希望的處理時間有關(guān))(典型地，IOOOnm的量級)的薄膜，這使材料具有小 于10_3Ω · m的電阻率。
權(quán)利要求
一種在大氣壓力下實施的用于在襯底上沉積的CVD方法，其特征在于，所述方法受到甚高頻等離子體的輔助，所述甚高頻等離子體由使用微帶線路型或中空導(dǎo)體線路型的細長導(dǎo)體的場施加器產(chǎn)生。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述方法采用等離子體氣體，所述等離子體氣 體為氬，并可選地向氬添加0. 1到5體積％、優(yōu)選0. 2到4體積％、更優(yōu)選0. 5到2體積％ 的氮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述方法采用一種或多種前體，所述前體 選自在室溫在高蒸氣壓下以壓縮或液化的形式存儲的氣體；具有低蒸氣壓的液體有機金 屬；及其混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于，所述氣態(tài)前體特別地選自硅烷、甲烷、乙炔、 乙烯、及其混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4的方法，其特征在于，所述有機金屬特別地選自鈦、錫、鋅、以 及硅前體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任一項的方法，其特征在于，所述等離子體的激發(fā)頻率優(yōu)選 為 434MHz。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任一項的方法，其特征在于，所采用的總氣體流速的范圍為 每分鐘10到100標準升。
8.一種用于在襯底上沉積的CVD設(shè)備，包括至少一個甚高頻功率源，其經(jīng)由阻抗匹配 系統(tǒng)而被連接到微帶線路型或中空導(dǎo)體線路型的細長導(dǎo)體，所述細長導(dǎo)體被以緊密接觸其 整個下表面的方式固定到電介質(zhì)支撐物；至少一個用于冷卻所述導(dǎo)體的裝置；至少一個等 離子體氣體進口，其靠近所述電介質(zhì)支撐物的與支撐所述導(dǎo)體的一側(cè)相反的一側(cè)，沿所述 導(dǎo)體線路在所述電介質(zhì)之下通過耦合所述甚高頻功率而產(chǎn)生所述等離子體；以及至少一個 前體進口，其用于將所述前體供給到從所產(chǎn)生的等離子體提取的活性氣體流中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其在所述電介質(zhì)之下具有縫槽，來自所產(chǎn)生的等離子體的 活性氣體經(jīng)由所述槽縫而逸出，以使所述前體垂直于所述活性氣體流到達所述縫槽的方式 來設(shè)置所述前體進口裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8和9中的任一項的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括局部接地面，所 述局部接地面面對所述電介質(zhì)的與支撐所述導(dǎo)體的一側(cè)相反的一側(cè)的面而延伸，所述接地 面的局部特性由以下事實表示，僅僅小面積的所述導(dǎo)體線路與接地面相對。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的設(shè)備，其特征在于，所述局部接地面位于所述導(dǎo)體線路的開始 處，在所述微波到達所述設(shè)備的點處。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的設(shè)備，其特征在于，微波發(fā)射區(qū)域在所述導(dǎo)體線路的輸入處具 有包括所述細長導(dǎo)體、所述電介質(zhì)、以及所述局部接地面的常規(guī)結(jié)構(gòu)，所述接地面在距所述 導(dǎo)體線路輸入的短距離處被中斷，并接著被在所述導(dǎo)體線路的整個剩余的長度范圍內(nèi)隨所 述導(dǎo)體延伸的所述等離子體所取代，所述等離子體作為用于被導(dǎo)引的微波傳播的電勢參 考。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的設(shè)備，其特征在于，微波發(fā)射區(qū)域在所述導(dǎo)體線路的輸入處具 有包括所述細長導(dǎo)體、所述電介質(zhì)、以及所述局部接地面的常規(guī)結(jié)構(gòu)，所述接地面在距所述 導(dǎo)體線路輸入的短距離處被中斷，并接著被所述等離子體所取代，所述導(dǎo)體延伸為基本上不超過所述接地面的邊界。
14.一種根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任一項的方法或根據(jù)權(quán)利要求8到13中的任一項的 設(shè)備的用途，用于在聚合物車輛體部件，特別地，防御物上靜電噴涂油漆之前在其上施加導(dǎo) 電無機膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的用途，其特征在于，所述膜的材料選自氧化錫和氧化銦錫；氮 化鈦TiN ；氮摻雜的氧化錫；以及可選地摻雜的硅和/或碳合金，并且所述氣態(tài)前體選自四 丁基錫、異丙氧基鈦、四甲基硅烷以及乙烯。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在大氣壓力下在襯底上進行CVD的方法，其特征在于，所述方法受到甚高頻等離子體的輔助，所述甚高頻等離子體由使用微帶線路型或中空導(dǎo)體線路型的細長導(dǎo)體的場施加器產(chǎn)生。本發(fā)明還涉及該方法的用途，用于在交通工具的車體部件(特別地，緩沖器)上施加導(dǎo)電無機層。
文檔編號C23C16/511GK101802259SQ200880107800
公開日2010年8月11日 申請日期2008年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月20日
發(fā)明者D·介朗, F·諾埃爾, H·丹尼爾, J-C·羅斯坦 申請人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司