專(zhuān)利名稱(chēng)：用于低溫?zé)崆鍧嵉姆椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。更特別地，本發(fā)明涉及從半導(dǎo)體 處理室的至少一個(gè)表面清潔不希望有的物質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
通過(guò)化學(xué)蒸氣沉積("CVD，，)或通過(guò)原子層沉積("ALD")在硅基質(zhì)上沉 積物質(zhì)，是在集成電路制造中的常見(jiàn)步驟。由于這些沉積技術(shù)的性質(zhì)，想 要沉積在基質(zhì)上的物質(zhì)常常也無(wú)意地沉積在半導(dǎo)體處理室內(nèi)的表面。必須 周期性的清潔這些在半導(dǎo)體處理室的各種表面的不希望有的物質(zhì)的無(wú)意 沉積；否則它們可能積累或影響以后在同一室內(nèi)執(zhí)行的沉積步驟。因此， 為了維持高的產(chǎn)品質(zhì)量，周期性的清潔整個(gè)室是必需的，并且優(yōu)選具有高 清潔速率的清潔方法以便保持工具最小的停機(jī)時(shí)間和工具最大的吞吐量。
眾所共知幾種室清潔的方法。室的潤(rùn)濕化學(xué)清潔是可能的，但是由于 其需要反應(yīng)室的拆卸，它需要高的勞動(dòng)力消耗和長(zhǎng)的停機(jī)時(shí)間。所謂干清 潔包括向室內(nèi)引入氣體混合物，其與不希望有的物質(zhì)反應(yīng)，并且隨后通過(guò)吹掃步驟容易除去。有些干清潔方法通過(guò)微波在室內(nèi)產(chǎn)生等離子體以將氣 體混合物解離成通過(guò)化學(xué)反應(yīng)清潔沉積物質(zhì)的反應(yīng)性物質(zhì)。當(dāng)需要等離子 體時(shí)，室內(nèi)與等離子體不直接接觸的部分將不能充分地清潔。而且，隨著 時(shí)間過(guò)去，等離子體可通過(guò)其對(duì)室和其中存儲(chǔ)的任意組分的損害和劣化可 能對(duì)室條件產(chǎn)生不利影響。使用遠(yuǎn)端等離子體系統(tǒng)對(duì)室的上游的反應(yīng)物解 離是可能的，但需要安裝另外的工具和裝置并且通過(guò)工具所有者操作，這 非常昂貴并且可能增加總的清潔停機(jī)時(shí)間。
在不存在等離子體時(shí)，可增加室的溫度以便嘗試促進(jìn)清潔氣體混合物 的熱離解。由于加熱室增加總清潔步驟的停機(jī)時(shí)間，并且也可能損害室和 其中存儲(chǔ)的組分，這種高溫型清潔的商業(yè)可行性差。這種類(lèi)型的加熱步驟 還可能需要另外的設(shè)備。
因此，需要一種在室內(nèi)不需要等離子體的室清潔方法，其可以在相對(duì) 低溫下實(shí)施，并且其上游需要安裝最少的附加設(shè)備或與半導(dǎo)體處理工具結(jié) 合操作。
發(fā)明概述
本文描述了用于低溫清潔半導(dǎo)體處理室的新的配方和方法。該公開(kāi)的 方法和配方使用預(yù)處理的清潔氣體混合物，當(dāng)其在低溫下引入半導(dǎo)體處理 室時(shí)，從室表面除去不希望有的物質(zhì)。清潔氣體混合物的具體配方和組合 可能不同。
在一個(gè)實(shí)施方案中，提供了在室內(nèi)的表面包含至少一種不希望有物質(zhì) 的半導(dǎo)體處理室。預(yù)處理包含氟源和氧源的第一氣體混合物以形成含活性
氟物質(zhì)的預(yù)處理的第一氣體混合物。該預(yù)處理的第一氣體混合物引入氣體 存儲(chǔ)系統(tǒng)。然后室的溫度降低到第一溫度，并且允許預(yù)處理的第一氣體混 合物從氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)流入室。然后通過(guò)預(yù)處理的第一氣體混合物和不希望 有物質(zhì)之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，因此形成反應(yīng)產(chǎn)物，從表面除去或清潔掉室 內(nèi)表面的至少部分不希望有物質(zhì)。在室內(nèi)不產(chǎn)生等離子體，并且不升高室
8的溫度高于第一溫度的情況下，實(shí)施了室的清潔。
本發(fā)明的其它實(shí)施方案可能包括，但不限于，如下的一個(gè)或多個(gè)特征: -第一氣體混合物包含以體積計(jì)，少于大約99%，并且更優(yōu)選地大約50%
到大約80%的氟源； -第一氣體混合物包含以體積計(jì)，少于大約99%,并且更優(yōu)選地大約20%
到大約50%的氧源；
國(guó)氟源包括三氟化氮、亞硝酰氟、硝酰氟、硝酸氟、六氟化石危、氟中的至 少一種和其混合物；
隱氧源包括一氧化氮、氧化二氮、二氧化氮、氧氣、臭氧、水、二氧化硅、
亞硝酰氟、氧化三氟化氮中的至少一種和其混合物； -第一氣體混合物的預(yù)處理包括向反應(yīng)器中引入笫一氣體混合物，第一氣
體混合物在反應(yīng)器中反應(yīng)以從氟源離解氟并且在氣體混合物中產(chǎn)生活
性氟物質(zhì)，冷卻第一氣體混合物到大約室溫，并且引入第一氣體混合物
到氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)； -反應(yīng)器與半導(dǎo)體處理室并不流體連接；
-通過(guò)加熱第一氣體混合物到大約300。C到大約1000。C之間的溫度，或 通過(guò)暴露第一氣體混合物到等離子體中，第一氣體混合物在反應(yīng)器中反
應(yīng)；
-通it^口熱第一氣體混合物到大約400。C到大約700。C之間的溫度，笫一
氣體混合物在反應(yīng)器中反應(yīng)； -第一氣體混合物基本在遠(yuǎn)離室位置處的位置預(yù)處理； -在預(yù)處理的第一氣體混合物引入室至少前一天預(yù)處理第一氣體混合物； -在引入室內(nèi)前，預(yù)處理的第一氣體混合物存儲(chǔ)在氣體存儲(chǔ)裝置至少大約
12個(gè)小時(shí)；
-預(yù)處理的第一氣體混合物以每分鐘大約1到大約10標(biāo)準(zhǔn)升的速度引入 室；
-不希望有的物質(zhì)包括SiO" SiN、 SiON、多晶硅、無(wú)定形硅、微晶硅中的至少一種和其混合物； -第一溫度為大約50°C到大約500°C，并且更優(yōu)選地為大約50°C到 300oC;
-不希望有的物質(zhì)是磷硅酸鹽玻璃(PSG)或硼磷硅酸鹽玻璃
(borophosphosilicate， BPSG) -不希望有的物質(zhì)包括Ta、 TaN、 TaO、 TaON中的至少一種和其混合物； -不希望有的物質(zhì)包括Ti、 TiN、 TiO、 TiON中的至少一種和其混合物； -不希望有的物質(zhì)包括Zr02、 ZrN、 ZrON、 ZrSiN、 ZrSiON、 ZrSiOx
中的至少一種和其混合物； -不希望有的物質(zhì)包括Hf02、 HfN、 HfON、 HfSiN、 HfSiON、 HfSiOx
中的至少一種和其混合物；并且 -不希望有的物質(zhì)至少包括W、 WOx、 WNx、 WON、 WSiO、 WSiN、
WSiOx中的一種和其混合物。 為了下面更好的理解本發(fā)明的詳細(xì)描述，上述已經(jīng)比較全面地概述了 本發(fā)明的特點(diǎn)和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。下文中將會(huì)描述形成了本發(fā)明的權(quán)利要求主題 的本發(fā)明的另外的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，此處公開(kāi)的概 念和特別的實(shí)施方案可以作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)以實(shí)施本發(fā)明相同目 的的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該意識(shí)到，這種等同的改造并不偏離附屬 權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
附圖詳述
為了進(jìn)一步理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和目的，應(yīng)該聯(lián)系相關(guān)的附圖參考下屬 的詳細(xì)描述，其中對(duì)相似的組分給出了相同或類(lèi)似的編號(hào)并且其中 -圖l說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的用于清潔半導(dǎo)體處理室的方法的一個(gè)實(shí)施方案 的原理圖。優(yōu)選實(shí)施方案的描述
一般地，本發(fā)明的實(shí)施方案涉及用于通過(guò)向溫度等于或低于室的常規(guī) 操作溫度的處理室引入含活性氟物質(zhì)的預(yù)處理氣體混合物低溫清潔半導(dǎo) 體處理室的方法。該預(yù)處理氣體混合物在較低的溫度并且不必需產(chǎn)生室內(nèi)
等離子體的情況下從室內(nèi)表面除去或清潔至少一種不希望有的物質(zhì)。
現(xiàn)在參考

圖1,下文中描迷了根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施方案。半導(dǎo)體
處理室100包含至少一種不希望有的物質(zhì)101，其在室100的至少一個(gè)表 面。不希望有的物質(zhì)101可能是半導(dǎo)體制造步驟、例如化學(xué)蒸氣沉積 ("CVD，，)步驟、包括低壓CVD("LPCVD，，)、或原子層沉積("ALD，，)步驟和 等離子體增強(qiáng)CVD("PECVD，，)步驟的副產(chǎn)物。除了在硅基質(zhì)上沉積材料， 這些制造步驟也在暴露于室中的其他表面上沉積材料。根據(jù)在室100中實(shí) 施的特定半導(dǎo)體制造步驟，不希望有物質(zhì)101可能不同。
在有些實(shí)施方案中，不希望有物質(zhì)101可能包含珪。例如，不希望有 物質(zhì)101可能為Si02、 SiN、 SiON、多晶硅、無(wú)定形硅、微晶硅或其混合 物，其可能在半導(dǎo)體制造、例如LPCVD過(guò)程中被剩在室100內(nèi)。
在某些實(shí)施方案中，不希望有的物質(zhì)101可能為玻璃形式，例如砩硅 酸鹽玻璃("PSG")或硼磷硅酸鹽玻璃("BPSG"),其可能在半導(dǎo)體制造、例 如LPCVD的過(guò)程中被剩在室100內(nèi)。
在某些實(shí)施方案中，不希望有的物質(zhì)101可能包含金屬。例如，不希 望有物質(zhì)可能為鉭基(例如Ta、 TaN、 TaO、 TaON)、鈦基(例如Ti、 TiN、 TiO、 TiON)、鋯基(例如Zr02、 ZrN、 ZrON、 ZrSiN、 ZrSiON、 ZrSiOx)、 鉿基(例如Hf02、 HfN、 HfON、 HFSiO、 HfSiN、 HfSiON、 HfSiO,)、鎢 基(例如W、 WOx、 WNx、 WON、 WSiO、 WSiN、 WSiON)或其混合物， 其可能在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，例如ALD,被剩在室100內(nèi)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)意識(shí)到上述的公式，和特別地變量x的值，可以 根據(jù)物質(zhì)的化學(xué)計(jì)量比和元素的氧化狀態(tài)改變。本領(lǐng)域的技術(shù)人員也會(huì)意 識(shí)到根據(jù)在室100中實(shí)施的特別的半導(dǎo)體制造過(guò)程，其它不希望有的物質(zhì)
ii101是可能的，
預(yù)處理包括氟源103和氧源104的第一氣體混合物102以形成包含活 性氟物質(zhì)的預(yù)處理氣體混合物106。
在第一氣體混合物102中包含的氟源103和氧源104的相對(duì)數(shù)量可能 不同。 一般地，在第一氣體混合物102中的氟源103的數(shù)量以化學(xué)計(jì)量比 計(jì)高于或等于氧源104的數(shù)量。笫一氣體混合物102也可能包含惰性氣體 (例如氬氣、氮?dú)狻⒑?作為剩余物質(zhì)。在某些實(shí)施方案中，氟源103可 能以體積計(jì)低于大約99%,氧源104可能以體積計(jì)低于大約99%。在某些 實(shí)施方案中，第一氣體混合物102可能包括以體積計(jì)以體積計(jì)大約50%到 大約80%的氟源，和以體積計(jì)大約20%到大約50%的氧源104。在一個(gè)實(shí) 施方案中，氟源103和氧源104可能為大約相同的數(shù)量。
氟源103的組成也可能不同。在某些實(shí)施方案中，氟源103可能為三 氟化氮、亞硝酰氟、硝酰氟、硝酸氟、六氟化硫、氟中的一種或其混合物。 另外，氧源104的組成可能不同。在某些實(shí)施方案中，氧源104可能為一 氧化氮、氧化二氮、二氧化氮、氧氣、臭氧、水、二氧化硅中的一種或其 混合物，例如氧源104可能為亞硝酰氟或氧化三氟化氮。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一氣體混合物102可能為氟和亞硝酰氟的混合 物，其可以通過(guò)如下的反應(yīng)得到
F2W+NO —F2 + FNO
在這個(gè)實(shí)施方案中，氟作為氟源103，并且亞硝酰氟作為氧源104。第 一氣體混合物102可以通過(guò)傳統(tǒng)方式制備或混合，例如用氣體混合歧管混 合F2和NO。
在一個(gè)實(shí)施方案中，第一氣體混合物102在反應(yīng)器105中預(yù)處理，其 可以為傳統(tǒng)類(lèi)型的反應(yīng)器，例如壓力容器或密閉容器。第一氣體混合物102 引入容器105，在此其反應(yīng)以從氟源103離解氟，因此在第一氣體混合物 102中產(chǎn)生活性氟物質(zhì)。在某些實(shí)施方案中，反應(yīng)可能為熱分解類(lèi)型反應(yīng)， 其中加熱反應(yīng)器到大約300。C到大約1000。C的溫度，優(yōu)選地加熱到大約500。C。在某些實(shí)施方案中，為了離解氟可以通過(guò)暴露第一氣體混合物102 于等離子體中引發(fā)反應(yīng)。
在某些實(shí)施方案中，因?yàn)樵诜磻?yīng)器105和處理室IOO之間的連續(xù)流體 流動(dòng)路徑，例如通過(guò)管道或管產(chǎn)生的流動(dòng)路徑，并不存在，反應(yīng)器105與 半導(dǎo)體處理室100并不流體連接。這可能由于第一氣體混合物102的預(yù)處 理在基本遠(yuǎn)離室100的109位置的108位置發(fā)生的事實(shí)。例如，室100可 能位于半導(dǎo)體制造位置，而預(yù)處理可能在這個(gè)位置之外、在并不位于制造 位置上或內(nèi)的氣體產(chǎn)生、存儲(chǔ)、或互充(transfill)中心。在某些實(shí)施方案中， 位置108和位置109可能大約10英里的距離，優(yōu)選地大約5英里的距離或 更優(yōu)選地大約1英里的距離。
離解型反應(yīng)后，預(yù)處理的第一氣體混合物106可能通過(guò)冷卻器112(其 可能為傳統(tǒng)型的冷卻器，例如熱交換器)冷卻到大約室溫。然后預(yù)處理的第 一氣體混合物106引入氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)107用于存儲(chǔ)。在某些實(shí)施方案中， 氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)107為傳統(tǒng)的氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)，例如，適宜于存儲(chǔ)含氟壓縮氣 體的氟的氣瓶。在引入預(yù)處理的第一氣體混合物106前，可能先鈍化氣體 存儲(chǔ)系統(tǒng)107。通過(guò)在氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)107中存儲(chǔ)預(yù)處理氣體混合物106，預(yù) 處理和使用預(yù)處理氣體混合物106之間的時(shí)間可能增加。例如，在預(yù)處理 和使用預(yù)處理的第一氣體混合物106之間的時(shí)間可以是幾天。 一般地，在 預(yù)處理的第一氣體混合物106存儲(chǔ)在氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)107中后，氣體存儲(chǔ)系 統(tǒng)從位置108移出，其中預(yù)處理發(fā)生在預(yù)處理氣體混合物106將會(huì)引入半 導(dǎo)體處理室100的位置109。 一旦氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)107傳送到位置109，氣體 存儲(chǔ)系統(tǒng)107以傳統(tǒng)方式與室100流體連接在一起，因此包含在氣體存儲(chǔ) 系統(tǒng)107中的預(yù)處理氣體混合物106可被引入室100。
不論在室100中實(shí)施特別的半導(dǎo)體處理步驟(例如CVD、 ALD等)，室 100的標(biāo)準(zhǔn)操作溫度一般地很高，例如，室100可能在超過(guò)1000°C的溫度 下操作。在某些實(shí)施方案中，室100的溫度低于預(yù)處理氣體混合物106引 入到室100之前的第一溫度。在某些實(shí)施方案中，第一溫度為大約50°C到大約500°C,并且優(yōu)選為大約50°C到大約300°C。
在室100中的溫度低于大約第一溫度后，預(yù)處理的第一氣體混合物106 從氣體存儲(chǔ)裝置107引入到室100中。預(yù)處理的第一氣體混合物102的流 速可能為每分鐘大約1到10標(biāo)準(zhǔn)升(slpm)。
在某些實(shí)施方案中，在預(yù)處理的第一氣體混合物106引入室100之前 第一氣體混合物102預(yù)處理大約一天。在某些實(shí)施方案中，在預(yù)處理的第 一氣體混合物106引入室100之前預(yù)處理的第一氣體混合物106在氣體存 儲(chǔ)裝置107中存儲(chǔ)至少大約12小時(shí)。
一旦預(yù)處理的第一氣體混合物106出現(xiàn)在室100中，第一氣體混合物 102中的氟物質(zhì)與不希望的物質(zhì)反應(yīng)并且形成反應(yīng)產(chǎn)物，其可以通過(guò)通風(fēng) 和排氣線110從室100中除去。室100通過(guò)惰性氣體lll(例如氮?dú)?、氬氣?氦氣等)吹掃，為了通過(guò)排氣線110除去，其與室100流體連接。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識(shí)到，特定反應(yīng)和生成的特定反應(yīng)產(chǎn)物根據(jù)幾 個(gè)因素可能會(huì)有不同，其包括在室中存在的不希望有的物質(zhì)和預(yù)處理氣體 混合物102的特定成分。在保持室IOO的溫度低于特定的笫一溫度，并且 在室100中不產(chǎn)生等離子體的同時(shí)，通過(guò)這種方式，不希望有的物質(zhì)101 可以從室100的表面除去。
實(shí)施例
下述的非限定的實(shí)施例用于進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案。然而，實(shí) 施例并不意于將所有包含在內(nèi)并且并不意于限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1:
在從室表面除去TiN殘余物的熱清潔處理中，10%的NO加入到稀釋 在N2中的NF3中。在200。C，混合物的清潔速度為852埃/分(A/分)。當(dāng)室 溫增加到大約400。C，清潔速度增加到4000 A/分。實(shí)施例2:
在除去Si3N4的熱清潔處理中，用N2稀釋的唯一的NF3即使在大約
500。C的溫度下也不會(huì)清潔。然而，10。/。NO加入到稀釋在N2中的NF3中 的混合物在同樣的500。C的室溫度下產(chǎn)生高于1000 A/分的清潔速度。在 300。C下，可以觀察到大約388A/分的清潔速度。
實(shí)施例3:
在除去SiN的熱清潔處理中，10%的F2和2%的NO的混合物，用 N2稀釋?zhuān)?00。C以50torr引入到室內(nèi)。在這種條件下可以觀察到大約 1500A/分的清潔速度。
盡管本發(fā)明已經(jīng)給出并且描述了實(shí)施方案，本領(lǐng)域技術(shù)員可以在不背 離本發(fā)明的精神或教導(dǎo)的^5出上作出其修正。本文描述的實(shí)施方案僅僅是 示例性的但并不局限于此。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，組成和方法的許多改變和 修正是可能的。因此保護(hù)的范圍并不限于本文所描述的實(shí)施方案，而僅僅 由權(quán)利要求限定，其范圍應(yīng)當(dāng)包括權(quán)利要求的所有等同主題內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.用于半導(dǎo)體處理室的低溫清潔的方法，其包括a)提供半導(dǎo)體處理室，其中室在室內(nèi)的至少一個(gè)表面包含至少一種不希望有的物質(zhì)；b)對(duì)包括氟源和氧源的第一氣體混合物進(jìn)行預(yù)處理以形成預(yù)處理的第一氣體混合物，其中預(yù)處理的第一氣體混合物包括活性氟物質(zhì)；c)將預(yù)處理的第一氣體混合物引入氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)；d)降低室的溫度至第一溫度；e)從氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)向半導(dǎo)體處理室中引入預(yù)處理的第一氣體混合物；和f)通過(guò)預(yù)處理的第一氣體混合物和不希望有物質(zhì)之間形成反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)反應(yīng)，從室的表面除去至少一種不希望有的物質(zhì)，而不在室內(nèi)產(chǎn)生等離子體或增加室的溫度至高于第一溫度。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的第一氣體混合物包括a) 以體積計(jì)低于大約99%的氟源；b) 以體積計(jì)〗氐于大約99%的氧源；和c) 剩余的惰性氣體。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述的第一氣體混合物包括a) 以體積計(jì)大約50%到大約80%的氟源；和b) 以體積計(jì)大約20%到大約50%的氧源。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的氟源包括選自以下物質(zhì)組 成的組中的至少一者a) 三氟化氮；b) 亞硝酰氟；c) 硝酰氟；d) 硝酸氟；e) 六氟化硫；f) 氟；和。g) 其混合物。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的氧源包括選自以下物質(zhì)組 成的組中的至少一者a) —氧化氮；b) 氧化二氮；c) 二氧化氮；d) 氧氣；e) 臭氧；f) 水；g) 亞硝酰氟；h) 氧化三氟化氮；i) 二氧化珪；和 j)其混合物。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對(duì)第一氣體混合物進(jìn)行預(yù)處 理包括a) 向反應(yīng)器中引入第一氣體混合物；b) 在反應(yīng)器中使第 一 氣體混合物反應(yīng)以從氟源離解氟并且在氣體混合物 中產(chǎn)生活性氟物質(zhì)；c) 冷卻第一氣體混合物到大約室溫；和d) 向氣體存儲(chǔ)系統(tǒng)中引入第一氣體混合物用于存儲(chǔ)。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的反應(yīng)器不與半導(dǎo)體處理室 流體連接。
8. 如權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括通過(guò)加熱第一氣體混合 物到大約300。C到大約1000。C的溫度或通過(guò)使第一氣體混合物暴露于等 離子體使第 一氣體混合物反應(yīng)。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其進(jìn)一步包括加熱笫一氣體混合物到大約400°C到大約700°C的溫度。
10. 如權(quán)利要求l所述的方法，其進(jìn)一步包括第一氣體混合物在基本 不在室內(nèi)位置的位置預(yù)處理。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在預(yù)處理的第一氣體混 合物流動(dòng)通過(guò)室之前對(duì)第一氣體混合物進(jìn)行預(yù)處理至少大約一天。
12. 如權(quán)利要求l所述的方法，其進(jìn)一步包括在預(yù)處理的第一氣體混 合物流動(dòng)通過(guò)室前在氣體存儲(chǔ)裝置中存儲(chǔ)預(yù)處理的第 一 氣體混合物至少 大約12小時(shí)。
13. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述預(yù)處理的第一氣體混合物的 流動(dòng)包括在每分鐘大約1到大約IO標(biāo)準(zhǔn)升的流速下使預(yù)處理的第一氣體混 合物流動(dòng)。
14. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自 以下物質(zhì)組成的組中的至少一者a) Si02;b) SiN;c) S畫(huà)；d) 多晶娃；e) 無(wú)定形硅；f) 孩t晶硅；和g) 其混合物。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的第一溫度為50°C到 500oC.
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述的第 一溫度為50°C到30。C.
17. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的第一溫度為50°C到500。C。
18. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)為磷硅酸 鹽玻璃(PSG)或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)。
19. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自以下物質(zhì)組成的組中的至少一者a) Ta;b) TaN;c) TaO;d) TaON;和e) 其混合物。
20. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自 以下物質(zhì)組成的組中的至少一者a) Ti;b) TiN;c) TiO;d) T薩；和e) 其混合物。
21. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自 以下物質(zhì)組成的組中的至少一者a) Hf02;b) HfN;c) HfON;d) HfSiOx;e) HfSiN;f) HfSiON;和g) 其混合物。
22. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自 以下物質(zhì)組成的組中的至少 一者a) W;b) WOx;c) WNx;d) WON;e) WSiO;f) WSiN;g) WSiON;和h) 其混合物。 AA
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的不希望有的物質(zhì)包括選自以下物質(zhì)組成的組中的至少一者a) Zr02;b) ZrN;c) ZrON;d) ZrS謹(jǐn)；e) ZrSiN;f) ZrSiON;和g) 其混合物。
全文摘要
用于從半導(dǎo)體處理室表面清潔不希望有物質(zhì)的方法和裝置。預(yù)處理含有氟源和氧源的氣體混合物以使其包括活性的氟物質(zhì)。該預(yù)處理的混合物在氣體存儲(chǔ)裝置中貯存一段時(shí)間，然后引入半導(dǎo)體處理室。引入預(yù)處理氣體前，室中的溫度降低到等于或低于標(biāo)準(zhǔn)操作溫度的溫度。通過(guò)與預(yù)處理氣體混合物的化學(xué)反應(yīng)可以除去或清潔不希望有的物質(zhì)，而不產(chǎn)生等離子體或在室中的高溫度條件。
文檔編號(hào)C23C16/44GK101646801SQ200880009915
公開(kāi)日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2008年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月27日
發(fā)明者J-M·吉拉爾, 但木雄大, 園部淳, 重本隆充 申請(qǐng)人:喬治洛德方法研究和開(kāi)發(fā)液化空氣有限公司