專利名稱：一種刷拋光大盤用的刷子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于刷硅片拋光大盤的刷子。
背景技術(shù)：
在CMP技術(shù)快速發(fā)展的今天，對直接與產(chǎn)品接觸的拋光布的要求越 來越高，拋光布在與產(chǎn)品如(硅片)接觸過程中，拋光布表面的質(zhì)量嚴(yán)重 影響到產(chǎn)品的拋光質(zhì)量。所以很多使用拋光布的商家都不惜成本使用高檔 較為昂貴的拋光布來提高自己產(chǎn)品拋光質(zhì)量。在CMP過程中，拋光布絨 毛層攜帶的漿料與硅片反應(yīng)，生成復(fù)雜的硅的氧化物殘留在絨毛層內(nèi)，長 時間不刷盤就會使得拋光布絨毛層攜帶漿料能力下降，并在表面產(chǎn)生硬 結(jié)，降低硅片表面的去除速率，俗稱釉化現(xiàn)象。釉化現(xiàn)象的產(chǎn)生會縮短拋 光布使用壽命，而拋光布壽命的長短嚴(yán)重影響了拋光成本的高低。所以， 延長拋光布使用壽命，成為降低生產(chǎn)成本重要的途徑。在拋光布使用一段 時間后，使用盤刷刷洗拋光布，以保持拋光布絨毛層的清潔程度，成為延 長拋光布使用壽命和提高產(chǎn)品質(zhì)量的主要方法。目前，刷盤的主要方法是 使用圓形刷子在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下對大盤進(jìn)行刷洗。此方法能消除拋光 過程帶來的釉化現(xiàn)象，但是不能很好的去除拋光布絨毛層內(nèi)的雜質(zhì)，如果 加長刷時間，會對拋光布的表層有一定的磨損。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種刷拋光大盤用的刷子，該刷子結(jié)構(gòu)簡單 實用，克服了現(xiàn)有的盤刷對拋光布絨毛層雜質(zhì)清除效果弱的缺點，從而提高清洗效率，提高硅片的制備性能與成品率。
為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案 這種刷拋光大盤用的刷子，它包括刷體、刷體的上部為機(jī)械手部分，
刷體下部為一盤，盤的端面上置有刷毛，盤的周邊設(shè)有高壓噴嘴，刷體內(nèi)
有一供進(jìn)高壓水的水管,高壓噴嘴與水管連通。 所述刷體下部盤的橫斷面為圓形。 盤周邊的高壓噴嘴數(shù)量為一個或二個。
本實用新型的優(yōu)點是該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，操作簡便，可由機(jī)器程序自動 控制高壓水沖洗時間和時機(jī)。既可以消除拋光后大盤的釉化現(xiàn)象，又可以 有效地去除拋光布表面絨毛層內(nèi)的雜質(zhì)，從而提高加工后的產(chǎn)品的表面質(zhì) 量，提高硅片的制備性能與成品率。

圖l:用普通刷刷拋光大盤的狀態(tài)示意圖 圖2:本實用新型提供的刷大盤刷子示意圖 圖3:本實用新型使用狀態(tài)示意圖具體實施方式
圖l、圖2、圖3中，6為向拋硅片大盤表面添加的拋光液或純凈水， 7為拋硅片大盤，已有的普通刷包括刷體上部的機(jī)械手部分l，刷體下
面的盤2，刷毛3， 4為高壓去離子水噴嘴、8為外置高壓水泵、'以及5 為供進(jìn)高壓去離子水的水管5，噴嘴4與水管5連通。
所述的高壓噴嘴安裝在盤的周邊，高壓去離子水由外置高壓水泵提 供，可在刷盤時或刷盤后用高壓水沖洗拋光布。也可由機(jī)器程序自動控制高壓水沖洗時間和時機(jī)。所述的高壓噴嘴在刷盤時水壓是O.l-lOMPa。
權(quán)利要求1、一種刷拋光大盤用的刷子，它包括刷體、刷體的上部為機(jī)械手部分，刷體下部為一盤，盤的端面上置有刷毛，其特征在于盤的周邊設(shè)有高壓噴嘴，刷體內(nèi)有一供進(jìn)高壓純凈水的水管，高壓噴嘴與水管連通。
2、 按照權(quán)利要求l所述的刷拋光大盤用的刷子，其特征在于所述 刷體下部盤的橫斷面為圓形。
3、按照權(quán)利要求1或2所述的刷拋光大盤用的刷子，其特征在于盤周邊的高壓噴嘴數(shù)量為一個或二個。
專利摘要一種刷拋光大盤用的刷子，它包括刷體、刷體的上部為機(jī)械手部分，刷體下部為一盤，盤的端面上置有刷毛，盤的周邊設(shè)有高壓噴嘴，刷體內(nèi)有一供進(jìn)高壓純凈水的水管，高壓噴嘴與水管連通。本實用新型的優(yōu)點是該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，操作簡便，可由機(jī)器程序自動控制高壓水沖洗時間和時機(jī)。既可以消除拋光后大盤的釉化現(xiàn)象，又可以有效地去除拋光布表面絨毛層內(nèi)的雜質(zhì)，從而提高加工后的產(chǎn)品的表面質(zhì)量，提高硅片的制備性能與成品率。
文檔編號B24B41/00GK201287294SQ20082012354
公開日2009年8月12日 申請日期2008年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月4日
發(fā)明者庫黎明, 張國棟, 盛方毓, 索思卓, 鐘 葛, 閆志瑞, 陳海濱, 黃軍輝 申請人:北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司