專利名稱：等離子體處理設(shè)備及其基片載板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于等離子體處理 設(shè)備的基片載板。本發(fā)明還涉及一種包括上述基片載板的等離子體處 理設(shè)備。
技術(shù)背景等離子體處理設(shè)備是微電子技術(shù)領(lǐng)域常用的基片處理設(shè)備。工作 時(shí)，首先將待處理的基片放置于基片載板頂部的凹槽中，然后通過(guò)傳 送輥等傳送裝置將上述基片載板依次傳送至等離子體處理設(shè)備的裝載 腔室、預(yù)熱腔室、反應(yīng)腔室以及卸載腔室中(當(dāng)然，等離子體處理設(shè) 備的具體結(jié)構(gòu)形式可以有多種，不限于此)，進(jìn)而輸出上述等離子體處 理設(shè)備?？梢?jiàn)，在整個(gè)工作過(guò)程中基片都位于基片載板中，因而基片載板 的承載能力對(duì)于等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能具有重要意義。請(qǐng)參考圖1以及圖2,圖1為一種基片載板的俯視示意圖；圖2 為圖1所示基片載板的剖視示意圖。傳統(tǒng)的基片載板1的頂部具有若干基片安置槽11,基片4可以放 置于基片安置槽11中?；d板1的底部具有定位塊12,用于卡接 于傳送輥等傳送裝置的兩側(cè)，以避免基片載板1向傳送裝置的兩側(cè)滑 落。隨基片載板1進(jìn)入反應(yīng)腔室后，基片4位于反應(yīng)腔室的驅(qū)動(dòng)電極 (通常是射頻驅(qū)動(dòng)電極或者微波驅(qū)動(dòng)電極)的正下方；同時(shí)，由導(dǎo)電 石墨等材料制得的基片載板1可以通過(guò)傳送輥接地，因此基片載板1 能夠起到接地電極的作用，驅(qū)動(dòng)電極與接地電極的有效面積通常相差 不大。向反應(yīng)腔室中輸入工藝氣體，即可在基片4的上表面實(shí)現(xiàn)各種 工藝過(guò)程。但是，基片載板1的承載能力較低，這限制了等離子體處 理設(shè)備的產(chǎn)能的提高。因此，如何有效提高基片載板的承載能力進(jìn)而提高等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問(wèn)題。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種用于等離子體處理設(shè)備的基片載板，具 有較高的承載能力，進(jìn)而能夠提高等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能。本發(fā)明 的另 一 目的是提供一種包括上述基片載板的等離子體處理設(shè)備。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基片載板，用于等離子體 處理設(shè)備，其頂部具有開(kāi)口向上且用于裝載基片的第一安置槽，所述 基片載板的底部設(shè)有定位裝置以及開(kāi)口向下且用于裝載基片的第二安置槽；所述基片裝載入所述第二安置槽后，所述定位裝置將其限制于 所述第二安置槽中。進(jìn)一步，所述定位裝置為形狀與所述第二安置槽的橫截面相適應(yīng) 的擋圏，所述擋圈可拆裝地安裝于所述第二安置槽的正下方。并疊置于其頂部的上層板體；所述第一安置槽設(shè)于所述上層板體的頂 部；所述下層板體具有沿厚度方向?qū)⑵湄炌ǖ幕仓每祝摶?置孔與上層板體的底部形成所述第二安置槽；所述定位裝置為設(shè)于所 述基片安置孔內(nèi)壁底部且向內(nèi)側(cè)延伸的基片支撐部。進(jìn)一步，所述基片支撐部具體為圍繞所述基片安置孔下部開(kāi)口的 凸臺(tái)。進(jìn)一步，所述基片支撐部具體為至少兩個(gè)擋耳。進(jìn)一步，所述基片安置孔橫截面的形狀為圓形；所述擋耳的數(shù)目為三個(gè)，且所述三個(gè)擋耳在所述基片安置孔的周向上均勻分布。進(jìn)一步，所述基片安置孔橫截面的形狀為多邊形；所述擋耳的數(shù)目與所述多邊形的邊數(shù)相同，且各擋耳分別設(shè)置于所述基片安置孔各側(cè)內(nèi)壁的中部。片載板的方向上相嵌合。本發(fā)明還提供一種等離子體處理設(shè)備，包括上述任一項(xiàng)所述的基 片載板，且其反應(yīng)腔室的頂部和底部均設(shè)有驅(qū)動(dòng)電極。本發(fā)明所提供的基片載板，其頂部具有開(kāi)口向上第一安置槽，其底部具有定位裝置以及開(kāi)口向下的第二安置槽；所述基片裝載入所述 第二安置槽后，所述定位裝置將其限制于所述第二安置槽中。因此， 可以在上述第一安置槽以及第二安置槽中各安放一個(gè)基片，所述基片 載板因此可以裝載兩層基片，且該兩層基片均具有直接暴露于反應(yīng)腔 室中的表面，故而可以同時(shí)對(duì)上述兩層基片進(jìn)行加工，等離子體處理 設(shè)備的產(chǎn)能得到顯著提高。同時(shí)，由于所述基片載板在豎直方向上不 存在通孔，因此作為接地電極時(shí)其有效面積與現(xiàn)有技術(shù)中基片載板的 有效面積相比并無(wú)明顯改變(即仍然與驅(qū)動(dòng)電極的有效面積相近)，這 樣，采用上述基片載板不會(huì)對(duì)反應(yīng)腔室中等離子體的能量產(chǎn)生影響； 本發(fā)明所提供的基片載板因此具有較高的適應(yīng)性。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明所提供的基片載板進(jìn)一步由相 互獨(dú)立的上層板體和下層板體組成，所述第一安置槽設(shè)于所述上層板 體的頂部；所述下層板體具有沿厚度方向?qū)⑵湄炌ǖ幕仓每?，?基片安置孔與上層板體的底部形成所述第二安置槽；所述定位裝置為 設(shè)于所述基片安置孔內(nèi)壁底部且向內(nèi)側(cè)延伸的基片支撐部。這樣，可 以自上層板體的頂部裝入基片，并能夠以更為簡(jiǎn)便的方式實(shí)現(xiàn)所述第 二安置槽中基片的定位；更為重要的是，裝載或者卸載基片的操作可 以在所述上層板體和下層板體中同時(shí)展開(kāi)，裝載以及卸載效率可以得 到顯著提高。


圖1為一種基片載板的俯視示意圖； 圖2為圖1所示基片載板的剖視示意圖； 圖3為另一種基片載板的俯視示意圖； 圖4為圖3所示基片載板的剖視示意圖；圖5為本發(fā)明所提供基片載板第一種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖；圖6為本發(fā)明所提供定位裝置一種具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為圖5所示基片載板工作方式示意圖；供基片載板第二種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖；圖9為本發(fā)明所提供基片載板第三種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖；圖io為本發(fā)明所提供基片栽板第四種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖；圖11為本發(fā)明所提供基片載板第五種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的核心是提供一種用于等離子體處理設(shè)備的基片載板，具 有較高的承載能力，進(jìn)而能夠提高等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能。本發(fā)明 的另一核心是提供一種包括上述基片載板的等離子體處理設(shè)備。本發(fā)明提出了 "雙層基片"的構(gòu)思，即在基片載板中安置兩層基 片，從而可以倍增基片載板的承載能力，進(jìn)而大幅提高等離子體處理 設(shè)備的產(chǎn)能。為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖 和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖3以及圖4，圖3為另一種基片載板的俯視示意圖；圖 4為圖3所示基片載板的剖視示意圖。為了提高等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能，另一種基片載板2具有基片 安置孔21,基片安置孔21沿基片載板2的厚度方向?qū)⑵湄炌ǎ一?片安置孔21的底部具有若干掛鉤22?？梢詫⒒?放置于基片安置孔21中，基片4可以由掛鉤22托 起。此時(shí)，基片4的上下表面均暴露在反應(yīng)腔室中?？梢栽诨d板 2的正下方進(jìn)一步設(shè)置另一驅(qū)動(dòng)電極，這樣就可以同時(shí)在基片4的上 下表面同時(shí)實(shí)現(xiàn)需要的工藝過(guò)程。也可以在基片安置孔21中疊置兩層 基片4，這樣，即可以在位于上層的基片4的上表面由于基片安置孔21的存在，基片載板2具有鏤空結(jié)構(gòu)；作接地 電極使用時(shí)基片載板2的有效面積(即其橫截面積)與圖l所示基片 載板1的有效面積相差較大，這使得采用基片載板2時(shí)接地電極與驅(qū) 動(dòng)電極的有效面積之比將產(chǎn)生較大的變化，上述有效面積之比的變化 將引起反應(yīng)腔室中等離子體的能量發(fā)生較大變化，進(jìn)而將改變?cè)械?工藝條件；為了保持原有工藝條件，需要相應(yīng)地對(duì)整個(gè)系統(tǒng)做出調(diào)整， 既不經(jīng)濟(jì)又不方便，不利于現(xiàn)有設(shè)備的改造，因此基片載板2的適應(yīng) 性較差。同時(shí)，由于接地電極與驅(qū)動(dòng)電極的有效面積相差較大，整個(gè) 系統(tǒng)的匹配過(guò)程也較為困難，因此基片的加工質(zhì)量難以保證。此外， 裝載基片4時(shí)，需要首先放置下層的基片4,然后再放置上層的基片4， 卸載基片4時(shí)則相反；這種裝卸方式的效率較低，限制了等離子體處 理設(shè)備產(chǎn)能的提高。請(qǐng)參考圖5,圖5為本發(fā)明所提供基片載板第一種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖。在第一種具體實(shí)施方式
中，本發(fā)明所提供的基片載板3由導(dǎo)體材 料(比如導(dǎo)體石墨)制得，其頂部具有用于裝載基片4的第一安置槽 311;第一安置槽311的開(kāi)口垂直于基片載板3向上，可以根據(jù)實(shí)際情 況設(shè)定其數(shù)目以及橫截面的形狀?；d板3的底部進(jìn)一步設(shè)有同樣用于裝載基片4的第二安置槽 321;與上述第一安置槽311的開(kāi)口朝向相反，第二安置槽321的開(kāi)口 垂直于基片載板3向下；第二安置槽321的數(shù)目以及橫截面形狀同樣 可以根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定。為了將基片4保持在第二安置槽321中，基片載板3的底部還設(shè) 有定位裝置；基片4裝載入第二安置槽后321后，所述定位裝置可以 將該基片4限制于所述第二安置槽321中。請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明所提供定位裝置一種具體實(shí)施方式
的 結(jié)構(gòu)示意圖。在一種具體實(shí)施方式
中，本發(fā)明所提供的定位裝置包括擋圏33, 擋圈33的形狀與第二安置槽321橫截面的形狀相適應(yīng)；即當(dāng)?shù)诙仓貌?21橫截面的形狀為圓形時(shí)，擋圈33的形狀可以為如圖6所示的圓 環(huán)形，當(dāng)?shù)诙仓貌?21橫截面的形狀為方形時(shí)，擋圏33的形狀為方 形。無(wú)論具體形狀如何，擋圈33的內(nèi)側(cè)尺寸略小于第二安置槽321 的尺寸，擋圈33的外側(cè)尺寸略大于第二安置槽321的尺寸。以圓環(huán)形 的擋圏33以及具有圓形橫截面的第二安置槽321為例，擋圈33的內(nèi) 徑r可以略小于第二安置槽321的內(nèi)徑，擋圈33的外徑R可以略大于 第二安置槽321的內(nèi)徑。擋圏33可拆卸地安裝于基片載板3的底部，安裝后擋圈33與第 二安置槽321大體同軸。需要裝載基片4時(shí)，將擋圈33自第二安置槽321的底部拆下； 基片4安放完成后，將擋圈33安裝于第二安置槽321的底部；由此即 可保持基片4的位置?？梢酝ㄟ^(guò)卡接的方式實(shí)現(xiàn)擋圈33的可拆卸安裝。即可以在第二 安置槽321的底端設(shè)置能夠容納擋圈33且環(huán)繞第二安置槽321的擋圏 安置槽，并在該擋圈安置槽的側(cè)壁設(shè)置環(huán)形卡槽，所述環(huán)形卡槽的開(kāi) 口朝向水平方向；同時(shí)在擋圈33的主體部331的外側(cè)設(shè)置若干凸耳 332,凸耳332的最大外徑略大于所述擋圈安置槽的內(nèi)徑。將擋圏33 安置于所述擋圈安置槽后旋轉(zhuǎn)適當(dāng)?shù)慕嵌龋苟?32即可以卡入所述 環(huán)形卡槽中，擋圈33因此可以安裝于基片載板3的底部；反向旋轉(zhuǎn)擋 圏33即可以使凸耳332脫離所述環(huán)形卡槽，從而將擋圈33自基片載 板3的底部拆下。需要指出的是，擋圈33僅為所述定位裝置的一種具體的結(jié)構(gòu)， 通過(guò)凸耳332以及所述環(huán)形卡槽的卡接也僅為擋圈33的一種具體的安 裝方式；所述定位裝置當(dāng)然還可以具有其他的結(jié)構(gòu)，并通過(guò)其他的方 式安裝。本文不再對(duì)所述定位裝置的結(jié)構(gòu)以及安裝方式進(jìn)一步舉例。請(qǐng)參考圖7，圖7為圖5所示基片載板工作方式示意圖?？梢栽诘入x子體處理設(shè)備的頂部和底部均分別設(shè)置第一驅(qū)動(dòng)電 極51以及第二驅(qū)動(dòng)電極52,基片載板3放置于接地的傳送輥上，因此可以作為接地電才及。由于本發(fā)明所提供的基片載板3在其頂部和底部分別設(shè)有開(kāi)口向 上第一安置槽311以及開(kāi)口向下的第二安置槽321,且基片載板3的 底部設(shè)有定位裝置，因此，可以在第一安置槽311以及第二安置槽321 中各安放一個(gè)基片4，基片載板3因此可以裝載兩層上述基片4,且該 兩層基片4均具有直接暴露于反應(yīng)腔室中的表面，故而可以同時(shí)對(duì)上 述兩層基片4進(jìn)行加工，等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能得到顯著提高。同時(shí)，由于基片載板3在豎直方向上不存在通孔，因此作為接地 電極時(shí)其有效面積與圖2所示基片載板1的有效面積相比并無(wú)明顯改 變(即仍然與驅(qū)動(dòng)電極的有效面積相近)，這樣，采用本發(fā)明所提供的 基片載板3不會(huì)對(duì)反應(yīng)腔室中等離子體的能量產(chǎn)生影響；本發(fā)明所提 供的基片載板3因此具有較高的適應(yīng)性。請(qǐng)參考圖8，圖8為本發(fā)明所提供基片載板第二種具體實(shí)施方式
的剖視示意圖。本發(fā)明所提供基片載板的第二種具體實(shí)施方式
是在上述第一種具體實(shí)施方式
的基礎(chǔ)上所作的改進(jìn)。在第二種具體實(shí)施方式
中，本發(fā)明所提供的基片載板3具有雙層 結(jié)構(gòu)，即下層板體32和疊放于下層板體32頂部的上層板體31。上層 板體31和下層板體32的面積大體相等，且兩者均可以由導(dǎo)體材料制^曰付。上層板體31的頂部具有若干第一安置槽311，第一安置槽311的 橫截面積同所裝載基片的橫截面積相適應(yīng)，可以是圓形、多邊形等； 第一安置槽311還具有適宜的深度。下層板體32具有若干基片安置孔，所述基片安置孔沿下層板體 32的厚度方向延伸，并將其貫通；因此下層板體32具有鏤空的結(jié)構(gòu)。 上層板體31與下層板體32疊置時(shí)，所述基片安置孔與上層板體31 的底面形成所述第二安置槽321。所述基片安置孔內(nèi)壁的下部設(shè)有基片支撐部323，基片支撐部323 自第二安置槽321的內(nèi)壁橫向凸出；在圖8所示實(shí)施方式中基片支撐部323具體為擋耳?？梢愿鶕?jù)所述基片安置孔橫截面的形狀設(shè)置不同數(shù)目的所述擋 耳。當(dāng)所述基片安置孔橫截面形狀為圓形時(shí)，可以設(shè)置三個(gè)所述擋耳， 且各擋耳可以在周向上均勻分布于所述基片安置孔的內(nèi)壁；此時(shí)基片 4可以得到較為可靠的支撐。當(dāng)所述基片安置孔橫截面形狀為多邊形 (例如正方形)時(shí)，所述擋耳的數(shù)目可以與所述多邊形的邊數(shù)相同， 且各擋耳可以分別設(shè)置于所述基片安置孔各內(nèi)壁的中部。此外，下層板體32可以放置于等離子體處理設(shè)備的載板傳送裝 置上，所述載板傳送裝置通常是傳送輥組；下層板體32底面的左右兩 側(cè)(以載板傳送方向?yàn)榍昂?可以分別設(shè)置載板定位塊324, /人而避 免下層載板32向所述載板傳送裝置的兩側(cè)移動(dòng)。如前所述，上層板體31安放于下層板體32的頂部并隨之在所述 載板傳送裝置上運(yùn)動(dòng)；為了杜絕上層板體31相對(duì)于下層板體32產(chǎn)生 運(yùn)動(dòng)的可能，可以在上層板體31的底面設(shè)置凸起部312，同時(shí)在下層 板體32的頂面i殳置凹陷部322;凸起部312與凹陷部322的形狀相適 應(yīng)。上層板體31準(zhǔn)確安放于下層板體3之上時(shí)，上述凸起部312恰好 陷入上述凹陷部322之中，即上層板體31與下層板體32在垂直于基 片載寺反3的方向上相嵌合；由此可以在水平方向上將兩者的相對(duì)位置 固定。凸起部312和凹陷部322的設(shè)置位置可以對(duì)調(diào)，即可以將凸起部 312設(shè)于下層板體32的頂部，而將凹陷部322設(shè)置于上層板體31的 底部。在第二種具體實(shí)施方式
中，本發(fā)明所提供的基片載板3進(jìn)一步具 有分體式結(jié)構(gòu)，即基片載板3由相互獨(dú)立的上層板體31和下層板體 32組成，所述第一安置槽311設(shè)于所述上層板體31的頂部；所述下 層板體32具有沿厚度方向?qū)⑵湄炌ǖ幕仓每祝摶仓每着c上 層板體31的底部形成所述第二安置槽321;所述定位裝置為設(shè)于所述 基片安置孔內(nèi)壁底部且向內(nèi)側(cè)延伸的基片支撐部323。這樣可以自下 層板體32的頂部向第二安置槽321中裝載基片4,并能夠以更為簡(jiǎn)便的方式將所述第二安置槽321中的基片4定位；更為重要的是，裝載 或者卸載基片的操作可以在所述上層板體31和下層板體32中同時(shí)展 開(kāi)，裝載以及卸載效率可以得到顯著提高，等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能 將進(jìn)一步提高。請(qǐng)參考圖9至圖11,圖9至圖11分別為本發(fā)明所提供基片載板 第三至第五種具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明所提供基片載板的第三至第五種具體實(shí)施方式
是在上述 第二種具體實(shí)施方式
的基礎(chǔ)上所作的改進(jìn)，所做改進(jìn)主要涉及上層板體31與下層板體32的定位方式。圖9所示的第三種具體實(shí)施方式
改變了凸起部312的形狀，改進(jìn) 后凸起部312大體呈向末端漸縮的圓臺(tái)狀；同時(shí)相應(yīng)地改進(jìn)了凹陷部 322的結(jié)構(gòu)，使其呈開(kāi)口漸擴(kuò)的圓臺(tái)狀，以便與凸起部312相配合。 這樣上層板體31可以更為方便地疊置于下層板體32之上。在圖10所示的第四種具體實(shí)施方式
中，下層板體32頂面的面積 略大于上層板體31底面的面積，且下層板體32的頂部具有下凹槽 325，下凹槽325的形狀與上層板體31底部的形狀相適應(yīng)，上層纟反體 31因此可以安置于下凹槽325中，從而實(shí)現(xiàn)上層板體31與下層板體 32的定位。在圖11所示的第五種具體實(shí)施方式
中，上層板體31底面的面積 略大于下層板體32頂面的面積，且上層板體32的頂部具有上凹槽 313,上凹槽313的形狀與下層4反體32頂部的形狀相適應(yīng)，/人而可以 使上層板體31套裝于下層板體32的頂部，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)上層板體31與下 層板體32的定位。此外，圖11所示具體實(shí)施方式
將基片支撐部323的具體形狀由擋 耳更改為圍繞第二安置槽321下部開(kāi)口的凸臺(tái)。本發(fā)明所提供的等離子體處理設(shè)備，包括上述任一種具體實(shí)施方 式所述的基片載板3，同時(shí)，其反應(yīng)腔室的頂部和底部均設(shè)有驅(qū)動(dòng)電 極。上述等離子體處理設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱現(xiàn)有技術(shù)，本文不再贅 述。以上對(duì)本發(fā)明所提供的等離子體處理設(shè)備及其基片載板進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思 想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā) 明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和 修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種基片載板，用于等離子體處理設(shè)備，其頂部具有開(kāi)口向上且用于裝載基片的第一安置槽，其特征在于，所述基片載板的底部設(shè)有定位裝置以及開(kāi)口向下且用于裝載基片的第二安置槽；所述基片裝載入所述第二安置槽后，所述定位裝置將其限制于所述第二安置槽中。
2、 如權(quán)利要求1所述的基片載板，其特征在于，所述定位裝置 為形狀與所述第二安置槽的橫截面相適應(yīng)的擋圈，所述擋圏可拆裝地 安裝于所述第二安置槽的正下方。
3、 如權(quán)利要求1所述的基片載板，其特征在于，進(jìn)一步包括下 層板體以及獨(dú)立于所述下層板體并疊置于其頂部的上層板體；所述第 一安置槽設(shè)于所述上層板體的頂部；所述下層板體具有沿厚度方向?qū)?其貫通的基片安置孔，該基片安置孔與上層板體的底部形成所述第二 安置槽；所述定位裝置為設(shè)于所述基片安置孔內(nèi)壁底部且向內(nèi)側(cè)延伸 的基片支撐部。
4、 如權(quán)利要求3所述的基片載板，其特征在于，所述基片支撐 部具體為圍繞所述基片安置孔下部開(kāi)口的凸臺(tái)。
5、 如權(quán)利要求3所述的基片載板，其特征在于，所述基片支撐 部具體為至少兩個(gè)擋耳。
6、 如權(quán)利要求5所述的基片載板，其特征在于，所述基片安置 孔橫截面的形狀為圓形；所述擋耳的數(shù)目為三個(gè)，且所述三個(gè)擋耳在 所述基片安置孔的周向上均勻分布。
7、 如權(quán)利要求5所述的基片載板，其特征在于，所述基片安置 孔橫截面的形狀為多邊形；所述擋耳的數(shù)目與所述多邊形的邊數(shù)相同， 且各擋耳分別設(shè)置于所述基片安置孔各側(cè)內(nèi)壁的中部。
8、 如權(quán)利要求3所述的基片載板，其特征在于，所述上層板體 的底部與所述下層板體的頂部在垂直于基片載板的方向上相嵌合。
9、 一種等離子體處理設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8 任一項(xiàng)所述的基片載板，且其反應(yīng)腔室的頂部和底部均設(shè)有驅(qū)動(dòng)電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種基片載板，其頂部具有開(kāi)口向上的第一安置槽，其底部設(shè)有開(kāi)口向下的第二安置槽以及定位裝置；基片裝載入所述第二安置槽后，所述定位裝置將其限制于所述第二安置槽中。所述基片載板可以由相互獨(dú)立的上層板體和下層板體組成。本發(fā)明還提供一種包括上述基片載板的等離子體處理設(shè)備。可以在上述第一安置槽以及第二安置槽中各安放一個(gè)基片同時(shí)加工，等離子體處理設(shè)備的產(chǎn)能因此得到顯著提高。由于用作接地電極時(shí)基片載板的有效面積與并無(wú)明顯改變，反應(yīng)腔室中等離子體的能量不受影響，基片加工質(zhì)量較高。分體式的基片載板可以在上層板體和下層板體中同時(shí)裝片或者卸片，基片的裝卸載效率可以得到顯著提高。
文檔編號(hào)C23C16/458GK101328581SQ200810117010
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月22日
發(fā)明者于大洋, 林挺昌 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司