專利名稱：提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提高在不同基底上 沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中，完成前段的器件的制造后，需要 通過后段的金屬互連工藝將前段形成的器件連接。目前，業(yè)界已經(jīng)較為 普遍的采用銅作為后段的互連金屬，且不同的銅互連金屬層之間通過低 介電常數(shù)介質(zhì)層隔離。銅互連金屬層通過鑲嵌工藝或雙鑲嵌工藝形成。在鑲嵌工藝或雙鑲嵌工藝中，先形成低介電常數(shù)的介質(zhì)層，然后再 在所述介質(zhì)層中刻蝕出開口，將銅填充至所述的開口中，即形成銅材質(zhì) 的鑲嵌結(jié)構(gòu)或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。常用的低介電常數(shù)(Low K)的介質(zhì)層包括氟硅玻璃(FSG)、黑 鉆石(Black Diamond, BD)和CORAL等，所述的Low K的介質(zhì)層一般 通過化學(xué)氣相沉積設(shè)備執(zhí)行沉積工藝而形成。且由于批量生產(chǎn)的需要， 現(xiàn)有的沉積設(shè)備一般會具有多個沉積腔室，可同時對不同的基底執(zhí)行沉 積工藝，例如，在公開號為CN1918324A的中國專利申請文件中就公開了 一種沉積設(shè)備，在其公開的沉積設(shè)備中，包含6個沉積腔室，其具體的結(jié) 構(gòu)請參考所述的申請文件的圖1 。然而，在沉積設(shè)備中通過化學(xué)氣相沉積工藝在基底上形成低介電常 數(shù)介質(zhì)層時，沉積設(shè)備腔室的內(nèi)壁也會上同時積淀污染物。這是由于在 向基底表面形成低介電常數(shù)介質(zhì)層的工藝中，化學(xué)氣相沉積的腔室的內(nèi) 壁也暴露于沉積的氣氛中，因而也會在腔室的內(nèi)壁沉積與所述的低介電 常數(shù)介質(zhì)層相同材質(zhì)的膜層。由于附著于腔室內(nèi)壁的污染物長期積累會使腔室內(nèi)壁的污染物增 厚，并可能會剝落，且剝落的污染物可能會掉落于正在加工的基底表面， 形成缺陷，會影響在基底上形成的器件的良率。因而，化學(xué)氣相沉積設(shè) 備的腔室需要定期的清洗，以減少側(cè)壁的污染物對基底的影響。例如，在公開號為CN101063197A的中國專利申請文件中公開了 一種化學(xué)氣相 沉積設(shè)備清洗的方法，在其公開的方法中，通過含氟的氣體的等離子體對化學(xué)氣相沉積的腔室內(nèi)壁進行清洗。在現(xiàn)有技術(shù)中，常常采用NF3的等 離子體對化學(xué)氣相沉積的腔室內(nèi)壁進行清洗。并在清洗后，繼續(xù)執(zhí)行沉積工藝。然而，在對具有多個沉積腔室的沉積設(shè)備執(zhí)行清洗之后，再執(zhí)行沉 積工藝，對每一個沉積腔室設(shè)置同樣的沉積工藝參數(shù)和條件執(zhí)行沉積工 藝，在不同的腔室中形成膜層的厚度卻不一致，也就是說，執(zhí)行清洗之 后，利用沉積設(shè)備同時對不同的基底執(zhí)行沉積工藝，不同的腔室形成的 介質(zhì)層厚度各不相同，即不同的基底上的介質(zhì)層厚度(wafer to wafer thickness uniformity)不同，這使得在不同的基底上形成的器件的電學(xué)特 性會產(chǎn)生差異。在單一的沉積腔室中連續(xù)對不同的基底沉積介質(zhì)層，雖然可以提高 不同基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的一致性，但卻會使產(chǎn)率降低，無法滿 足批量生產(chǎn)的需要。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種提高不同基底上的介質(zhì)層厚度一致性的方法，以解 決現(xiàn)有的沉積設(shè)備不同腔室形成的膜層厚度各不相同的問題。本發(fā)明提供的 一種提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的 方法，應(yīng)用于具有至少兩個沉積腔室的沉積"i殳備，包括將不同的基底傳送至不同的沉積腔室，在所述不同的沉積腔室中對 其中的基底執(zhí)行沉積工藝，在所述的不同的基底上形成介質(zhì)層；其中，在向每一沉積腔室傳送基底之前，對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開 始的時間的時間差相同?？蛇x的，所述的對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí) 行沉積工藝開始的時間的時間差相同通過如下步驟實現(xiàn)在向第一個傳送基底的沉積腔室之后的每一沉積腔室執(zhí)行清洗工 藝開始的時間依次延遲，且每一沉積腔室延遲的時間為向前一沉積腔室 傳送基底的時間。間、將該基底傳送至腔室的時間以及傳送基底后由該腔室復(fù)位的時間之 和?？蛇x的，所述的對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間的時間差相同通過如下步驟實現(xiàn)同時開始對所有的沉積腔室執(zhí)行相同的清洗工藝；執(zhí)行清洗工藝后，在向所有的沉積腔室傳送基底之后，同時開始執(zhí) 4亍沉積工藝。可選的，所述清洗工藝為等離子體清洗?？蛇x的，所述等離子體清洗中產(chǎn)生等離子體的氣體為含氟的氣體?？蛇x的，所述含氟的氣體包括SiF4、 NF3、 C2F6或F2?？蛇x的，所述沉積工藝包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積或高密度等 離子體化學(xué)氣相沉積?？蛇x的，所述介質(zhì)層為氟硅玻璃、黑鉆石或CORAL。本發(fā)明還提供一種調(diào)整基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的方法，包括對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；將基底傳送至經(jīng)過清洗的沉積腔室中，在所述沉積腔室中執(zhí)行沉積 工藝，在所述基底上形成介質(zhì)層；其中，根據(jù)執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間 差與該腔室沉積的介質(zhì)層的厚度的關(guān)系，選擇清洗工藝結(jié)束的時間至執(zhí) 行沉積工藝開始的時間延遲，開始執(zhí)行沉積工藝，以形成厚度滿足要求 的介質(zhì)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案的其中 一個具有以下優(yōu)點 通過設(shè)置沉積設(shè)備中不同的沉積腔室的清洗工藝時間具有一定的延遲，使得不同沉積腔室中清洗完成時間至沉積工藝開始的時間差相 同，可減小或避免由于所述的時間差引起的基底上沉積的介質(zhì)層的厚度 的差異，提高不同基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的 一致性。


圖1為具有6個沉積腔室的沉積設(shè)備的示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是 本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公 開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時， 為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且 所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實 際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中，常常需要在基底或半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積介質(zhì)層，例如沉積后^a的金屬間介質(zhì)層。常用的沉積方法為化學(xué)氣 相沉積，例如等離子體輔助化學(xué)氣相沉積、高密封等離子體化學(xué)氣相沉 積等。然而，在利用所述的方法沉積介質(zhì)層時，也會在沉積設(shè)備的沉積腔室的內(nèi)壁同時沉積上介質(zhì)層材料，形成污染物；而且隨著沉積腔室的使用，沉積腔室內(nèi)壁上沉積的介質(zhì)層厚度越來越大，附著于內(nèi)壁上的介質(zhì)層會脫落在基底表面，形成缺陷；另一方面，隨著沉積腔室內(nèi)壁的介 質(zhì)層厚度越來越厚，導(dǎo)致沉積腔室的內(nèi)部容積發(fā)生變化，使得在沉積腔 室中執(zhí)行沉積工藝的參數(shù)難以控制，例如，對腔室中的壓力控制，從而 會造成形成的介質(zhì)層的膜層特性發(fā)生變化，會影響形成的器件的性能。基于此，沉積設(shè)備的沉積腔室需要周期性的進行清洗，以去除附著 在沉積腔室內(nèi)壁的介質(zhì)材料。此外，當(dāng)沉積設(shè)備周期性維護或由于意外停止以后，在啟動后執(zhí)行沉積工藝之前也需要進行清洗。然而，本發(fā)明的申請人發(fā)現(xiàn)，沉積設(shè)備的沉積腔室在清洗完成后至 沉積工藝開始之間的時間延遲(或時間差)會影響沉積的膜層的厚度， 不同的時間延遲會導(dǎo)致沉積的厚度不同。具體的，在采用同樣的沉積工 藝參數(shù)的條件下，延遲時間與沉積的介質(zhì)層的厚度之間具有線性關(guān)系， 延遲時間越長，形成的厚度越薄。基于此，本發(fā)明提出一種提高在不同 基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法，該方法可應(yīng)用于具有至少兩個 沉積腔室的沉積設(shè)備。本發(fā)明的提高在不同基底上沉積介質(zhì)層厚度一致性的方法包括依 次將不同的基底傳送至不同的沉積腔室，在不同的沉積腔室中對不同的 基底執(zhí)行沉積工藝，以在不同的基底上形成介質(zhì)層。其中，在向每一沉 積腔室傳送基底之前，對各個沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；且每一沉積腔室 執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間至該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間差與其它 腔室的相應(yīng)的時間差相同。需要說明的是，在基底上沉積的介質(zhì)層的厚度是指該基底上的介質(zhì) 層的厚度的平均值(Mean Value),其可以通過抽樣選取基底上不同位 置進行厚度測量并將測量獲得的測量值取平均值獲得，這里不再詳細描 述。其次，上述的在向每一沉積腔室傳送基底之前，對沉積腔室執(zhí)行清 洗工藝的步驟包括對沉積腔室的周期性清洗，也包括對沉積設(shè)備周期性 維護后的清洗，還包括沉積設(shè)備由于意外停機而啟動后的清洗；此外， 該清洗工藝還可以在對于每一基底沉積完介質(zhì)層后執(zhí)行。也就是說，該 清洗工藝包括在任何條件下對沉積設(shè)備的沉積腔室執(zhí)行的清洗。根據(jù)本發(fā)明的其中一個方面，所述的每一沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié) 束的時間與該腔室抽^亍沉積工藝開始的時間差與其它腔室的相應(yīng)的時 間差相同通過如下步驟實現(xiàn)在向第一個傳送基底的沉積腔室之后的每一沉積腔室執(zhí)行清洗工 藝開始的時間依次延遲，且每一沉積腔室延遲的時間為向前一沉積腔室 傳送基底的時間。也就是說，對于具有多個沉積腔室的沉積設(shè)備，在執(zhí)行沉積工藝之前，根據(jù)向沉積腔室傳送基底的順序，依次執(zhí)行清洗工藝， 后傳送基底的沉積腔室較之前傳送基底的腔室執(zhí)行清洗工藝開始的時 間具有時間延遲，以使所有的沉積腔室執(zhí)行清洗工藝完成后至沉積工藝 開始的時間差相同，從而使得在不同沉積腔室中沉積的介質(zhì)層具有相同 或基本相同的厚度。其中，對于除第一個傳送基底的腔室之外的每一腔室，延遲的時間 為向前一沉積腔室傳送基底的時間，所述的傳送基底的時間包括沉積設(shè) 備的機械臂抽取基底的時間、將該基底傳送至腔室的時間以及傳送基底 后由該腔室^^由回的時間之和。具體的，例如，對于第二個傳送基底的腔室，其執(zhí)行清洗工藝的時 間較對第 一個傳送基底的腔室具有一 時間延遲，且該時間延遲為沉積腔 室的機械臂向第一個傳送基底的腔室傳送基底的時間，包括機械臂由沉 積設(shè)備的緩沖室抽取基底的時間、將抽取的基底傳送至所述的第一個傳 送基底的腔室的時間和機械臂傳送基底后由所述的第 一個傳送基底的 腔室復(fù)位的時間之和。此外，根據(jù)本發(fā)明的另外一個方面，所述的每一沉積腔室執(zhí)行清洗 工藝結(jié)束的時間與該腔室4丸行沉積工藝開始的時間差與其它腔室的相 應(yīng)的時間差相同通過如下步驟實現(xiàn)同時開始對所有的沉積腔室執(zhí)行相同的清洗工藝；執(zhí)行清洗工藝后，在向所有的沉積腔室傳送基底之后， 同時開始執(zhí)行沉積工藝。也就是說，對于具有多個沉積腔室的沉積設(shè)備， 可以設(shè)置不同的沉積腔室同時開始執(zhí)行相同的清洗工藝，完成清洗工藝 之后，依次向所述的不同的沉積腔室中傳送不同的基底，待所有的沉積 腔室都傳送由基底之后，同時開始執(zhí)行沉積工藝。也即先被傳送基底的 沉積腔室需要等待后續(xù)的未傳送基底的腔室傳送完基底之后，再開始執(zhí) 行沉積工藝，以使得不同沉積腔室的清洗后至開始沉積的時間延遲相 同，從而保證在不同的沉積腔室的基底上形成的介質(zhì)層的厚度相同或基 本相同。其中，上述的描述中的清洗工藝可以為等離子體清洗，即通過將清 洗用的氣體通入沉積腔室中，然后通過激勵源激勵所述的氣體，將所述氣體電離，形成等離子，該等離子體對沉積腔室內(nèi)壁附著的污染物進行 刻蝕，刻蝕后的副產(chǎn)物通過排氣裝置抽出所述沉積腔室之外，從而實現(xiàn) 對沉積腔室內(nèi)壁的清洗。其中，對于含有硅的污染物，例如氧化硅、氮 化硅、氟硅玻璃、黑鉆石等介質(zhì)層沉積時在沉積腔室內(nèi)壁的附著物，可 以通過含氟的氣體作為刻蝕氣體，具體的，所述含氟的氣體可以是所述含氟的氣體包括SiF4、 NF3、 C2F6或F2。清洗時的其他工藝條件例如腔 室壓力、溫度以及氣體流量根據(jù)沉積腔室內(nèi)壁附著物種類、厚度等決定， 這里不再贅述。下面以在基底上沉積金屬間介質(zhì)層的工藝作為實施例對本發(fā)明的 提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法進行詳細描述。需要范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離權(quán)利要求的范圍的條件下，將認識到許 多其它的變形、替代或^f'爹改。請參看圖1所示，沉積設(shè)備10包括傳送室12，在所述傳送室12 中具有四個機械臂的傳送裝置14;在所述傳送室12的其中一個側(cè)壁外 具有緩沖室11，用于接受待加工的基底，或?qū)⑼瓿杉庸さ幕子纱艘瞥?該沉積設(shè)備；在所述傳送室12的其它三個側(cè)壁外側(cè)各具有一對沉積腔 室，分別為16a和16b、 18a和18b以及20a和20b。其中，待加工基底 通過所述的傳送裝置12由緩沖室傳送至不同的沉積工藝腔室，由沉積 工藝腔室執(zhí)行沉積工藝，在基底上沉積金屬間介質(zhì)層，本實施例中可以 為黑鉆石。需要說明的是，圖l僅僅是為說明本發(fā)明的方法引入的，其 中的各個部件還可以有其它的變形，其還可以包含其它的部件，這里不 再進4于詳細描述。對于圖l所述的沉積設(shè)備，可設(shè)置向不同沉積腔室傳送順序為，先 向沉積腔室16a和16b傳送基底，再向沉積腔室18a和18b傳送基底， 接著向沉積腔室20a和20b傳送基底。利用圖1所述的沉積設(shè)備10工作時，首先，待加工的基底首先被 傳送至所述的緩沖室11中，其中該基底上已經(jīng)完成了前段半導(dǎo)體器件 的制造，需要沉積后段的金屬間介質(zhì)層，具體的，本發(fā)明中金屬間介質(zhì)層為黑鉆石。接著，對所述沉積腔室16a和16b執(zhí)行清洗工藝，清洗所述沉積腔 室16a和16b的內(nèi)壁，其中，本步驟中可以采用NF3的等離子體進行清 洗，這里不再詳細描述。然后，由所述的傳送裝置14的四個機械臂中的其中兩個在緩沖室 中抽取兩個待沉積介質(zhì)層的基底，然后旋轉(zhuǎn)所述的傳送裝置14，使攜帶 有基底的兩個機械臂對準所述沉積腔室16a和16b，所述機械臂將攜帶 的基底傳送至沉積腔室16a和16b后，由所述的沉積腔室16a和16b復(fù) 位所述機械臂至傳送室12。在沉積腔室16a和16b接收基底后，即開始 執(zhí)行沉積工藝。在沉積腔室16a和16b開始執(zhí)行清洗工藝后延遲時間Tl,所述沉 積腔室18a和18b開始執(zhí)行與沉積腔室16a和16b同樣的清洗工藝，其 中所述延遲的時間Tl包括機械臂由所述的緩沖室11抽取基底的時間， 所述機械臂將攜帶的基底傳送至沉積腔室16a和16b的時間，和所述機 械臂由所述的沉積腔室16a和16b復(fù)位至傳送室12的時間之和。此外， 本步驟中的清洗工藝也可以和沉積腔室16a和16b的清洗工藝不同。然后，由所述的機械臂向所述沉積腔室18a和18b傳送基底，并執(zhí) 行沉積工藝，這里不再詳述。在一個具體的工藝中，所述延遲時間Tl為75s。接著，在沉積腔室18a和18b開始執(zhí)行清洗工藝后延遲時間T2, 開始對沉積腔室20a和20b執(zhí)行清洗工藝，也就是說，在沉積腔室16a和 16b開始執(zhí)行清洗工藝后的Tl力p T2的時間后，沉積腔室20a和20b開 始執(zhí)行清洗工藝，執(zhí)行完清洗工藝后，由所述的機械臂傳送基底至所述 沉積腔室20a和20b，對基底執(zhí)行沉積工藝，其中所述的Tl和T2相同。 在一個具體的工藝中，所述延遲時間T2為75s。此外，在所述的不同的沉積腔室中執(zhí)行的清洗工藝相同(其中，這 里的相同僅僅是設(shè)置沉積腔室中的清洗工藝參數(shù)相同，絲毫不代表沉積 腔室中實際執(zhí)行的清洗工藝的參數(shù)相同)，也可以不同；在不同的沉積腔室中執(zhí)行的沉積工藝的工藝參數(shù)相同。完成沉積工藝后，依據(jù)傳送基 底的順序，所述的機械臂再依次將沉積介質(zhì)層的基底取出，并由所述的 緩沖室11傳出該沉積設(shè)備。才艮據(jù)傳送基底的順序，通過設(shè)置沉積設(shè)備中不同的沉積腔室的清洗 工藝時間具有一定的延遲，使得不同沉積腔室中清洗完成時間至沉積工 藝開始的時間差相同，可減小或避免由于所述的時間差引起的基底上沉 積的介質(zhì)層的厚度的差異，提高不同基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的 一致 性。上述實施例中，通過實施例對本發(fā)明的提高基底上沉積的介質(zhì)層的 厚度的一致性進行了詳細的描述，需要說明的是，上述的步驟的描述不 應(yīng)該作為對本發(fā)明的權(quán)利要求保護范圍的限制，在不背離權(quán)利要求的保 護范圍的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的實施例的教導(dǎo)可以對上 述的實施例的步驟的添加、去除、等同替換或者順序的改變，只要是在 具有至少兩個沉積腔室的沉積工藝中通過改變、調(diào)整沉積腔室的清洗工 藝完成時至沉積工藝開始時的時間差，使不同沉積腔室的所述的時間差 相同的方法來提高不同基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的 一致性的工藝均 應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明還提供一種調(diào)整基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的方法，包括對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；將基底傳送至經(jīng)過清洗的沉積腔室中， 在所述沉積腔室中執(zhí)行沉積工藝，在所述基底上形成介質(zhì)層；其中，根 據(jù)執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間差與該 腔室沉積的介質(zhì)層的厚度的關(guān)系，選擇清洗工藝結(jié)束的時間至執(zhí)行沉積 工藝開始的時間延遲，開始執(zhí)行沉積工藝，以形成厚度滿足要求的介質(zhì) 層。這里不再詳細描述。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準。
權(quán)利要求
1、一種提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法，應(yīng)用于具有至少兩個沉積腔室的沉積設(shè)備，其特征在于包括將不同的基底傳送至不同的沉積腔室，在所述不同的沉積腔室中對其中的基底執(zhí)行沉積工藝，在所述的不同的基底上形成介質(zhì)層；其中，在向每一沉積腔室傳送基底之前，對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間的時間差相同。
2、 如權(quán)利要求1所述的提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致 性的方法，其特征在于，所述的對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間 與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間的時間差相同通過如下步驟實現(xiàn)在向第一個傳送基底的沉積腔室之后的每一沉積腔室執(zhí)行清洗工 藝開始的時間依次延遲，且每一沉積腔室延遲的時間為向前一沉積腔室 傳送基底的時間。
3、 如權(quán)利要求2所述的提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致 性的方法，其特征在于所述傳送基底的時間包括沉積設(shè)備的機械臂抽 取基底的時間、將該基底傳送至腔室的時間以及傳送基底后由該腔室復(fù) ^i的時間之和。
4、 如權(quán)利要求1所述的提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致 性的方法，其特征在于，所述的對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間 與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間的時間差相同通過如下步驟實現(xiàn)同時開始對所有的沉積腔室執(zhí)行相同的清洗工藝；執(zhí)行清洗工藝后，在向所有的沉積腔室傳送基底之后，同時開始執(zhí) 行沉積工藝。
5、 如權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的提高在不同基底上沉積 的介質(zhì)層厚度一致性的方法，其特征在于所述清洗工藝為等離子體清洗。
6、 如權(quán)利要求5所述的提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法，其特征在于所述等離子體清洗中產(chǎn)生等離子體的氣體為含氟的氣體。
7、 如權(quán)利要求6所述的提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致 性的方法，其特征在于所述含氟的氣體包括SiF4、 NF3、 QF6或F2。
8、 如權(quán)利要求l或2或3或4或6所述的提高在不同基底上沉積 的介質(zhì)層厚度一致性的方法，其特征在于所述沉積工藝包括等離子體 增強化學(xué)氣相沉積或高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。
9、 如權(quán)利要求l或2或3或4或6所述的提高在不同基底上沉積 的介質(zhì)層厚度一致性的方法，其特征在于所述介質(zhì)層為氟硅玻璃、黑 鉆石或CORAL。
10、 一種調(diào)整基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的方法，其特征在于，包括對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；將基底傳送至經(jīng)過清洗的沉積腔室中，在所述沉積腔室中執(zhí)行沉積 工藝，在所述基底上形成介質(zhì)層；其中，根據(jù)執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間 差與該腔室沉積的介質(zhì)層的厚度的關(guān)系，選擇清洗工藝結(jié)束的時間至執(zhí) 行沉積工藝開始的時間延遲，開始執(zhí)行沉積工藝，以形成厚度滿足要求 的介質(zhì)層。
全文摘要
一種提高在不同基底上沉積的介質(zhì)層厚度一致性的方法，應(yīng)用于具有至少兩個沉積腔室的沉積設(shè)備，包括將不同的基底傳送至不同的沉積腔室，在所述不同的沉積腔室中對其中的基底執(zhí)行沉積工藝，在所述的不同的基底上形成介質(zhì)層；其中，在向每一沉積腔室傳送基底之前，對沉積腔室執(zhí)行清洗工藝；對各沉積腔室執(zhí)行清洗工藝結(jié)束的時間與該腔室執(zhí)行沉積工藝開始的時間的時間差相同。本發(fā)明還提供一種調(diào)整基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的方法。本發(fā)明可減小或避免由于所述的時間差引起的基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的差異，提高不同基底上沉積的介質(zhì)層的厚度的一致性。
文檔編號C23C16/44GK101593667SQ20081011277
公開日2009年12月2日 申請日期2008年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日
發(fā)明者劉建強, 蓓 王, 鶯 高 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司