專利名稱：：拋光墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可以穩(wěn)定且以高拋光效率進(jìn)行反射鏡等光學(xué)材料及硅晶片、硬盤(pán)用玻璃襯底、鋁襯底以及一般的金屬拋光加工等要求高度表面平坦性的材料的平坦化加工的拋光墊的制造方法。通過(guò)本發(fā)明的制造方法得到的拋光墊，特別適合用于對(duì)硅晶片及其上形成了氧化物層、金屬層等的器件在進(jìn)一步層壓和形成這些氧化物層和金屬層之前進(jìn)行平坦化的工序。
背景技術(shù)：
：制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，進(jìn)行在晶片表面形成導(dǎo)電膜，并通過(guò)進(jìn)行光刻、蝕刻等形成布線層的工序、在布線層上形成層間絕緣膜的工序等，通過(guò)這些工序在晶片表面產(chǎn)生由金屬等導(dǎo)電體及絕緣體構(gòu)成的凹凸。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的高密度化，正在進(jìn)行布線的微細(xì)化及多層布線化，但是，與此相伴，將晶片表面的凹凸平坦化的技術(shù)變得重要。作為將晶片表面的凹凸平坦化的方法，一般采用化學(xué)機(jī)械拋光(以下，稱為CMP)。CMP是在將晶片的被拋光面壓在拋光墊的拋光面上的狀態(tài)下，使用磨粒分散的漿料狀拋光劑(以下稱為漿料)進(jìn)行拋光的技術(shù)。CMP中一般使用的拋光裝置，例如，如圖1所示，具有用于支撐拋光墊1的拋光平臺(tái)2、用于支撐被拋光材料(半導(dǎo)體晶片)4的支撐臺(tái)(拋光頭)5和用于進(jìn)行晶片的均勻加壓的襯材、及拋光劑的供給機(jī)構(gòu)。拋光墊l，例如，通過(guò)雙面膠帶粘貼而安裝在拋光平臺(tái)2上。拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5以使其分別支撐的拋光墊1與被拋光材料4相對(duì)的方式設(shè)置，并分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、7。另外，支撐臺(tái)5—側(cè)，設(shè)置了用于使被拋光材料4壓在拋光墊1上的加壓機(jī)構(gòu)。進(jìn)行CMP時(shí)存在晶片表面的平坦度判斷的問(wèn)題。即，需要檢測(cè)達(dá)到所需的表面特性和表面狀態(tài)的時(shí)刻。以往，關(guān)于氧化膜的膜厚和拋光速度等，定期處理試驗(yàn)晶片并確認(rèn)結(jié)果后對(duì)成為產(chǎn)品的晶片進(jìn)行拋光處理。但是，該方法中，處理試驗(yàn)晶片的時(shí)間和成本是浪費(fèi)的，另外，預(yù)先完全未進(jìn)行加工的試驗(yàn)晶片和產(chǎn)品晶片，拋光效果隨CMP特有的加載效果而不同，如果產(chǎn)品晶片不嘗試實(shí)際進(jìn)行加工，則難以正確地預(yù)測(cè)加工結(jié)果。因此，最近，為了解決上述問(wèn)題，希望在CMP工藝時(shí)可以就地檢測(cè)得到希望的表面特性和厚度的時(shí)刻的方法。關(guān)于這樣的檢測(cè)，可以使用各種方法，但從測(cè)定精度及非接觸測(cè)定的空間分辨率的觀點(diǎn)考慮，光學(xué)檢測(cè)方法正在成為主流。所述光學(xué)檢測(cè)方法，具體而言，是通過(guò)窗(光透過(guò)區(qū)域)越過(guò)拋光墊向晶片照射光束，通過(guò)監(jiān)測(cè)其反射而產(chǎn)生的干涉信號(hào)來(lái)檢測(cè)拋光終點(diǎn)的方法。目前，作為光束，一般使用使用在380800nm具有波長(zhǎng)光的鹵燈的白光。這樣的方法中，監(jiān)測(cè)晶片表面層的厚度變化，由此獲知近似于表面凹凸的深度，從而確定終點(diǎn)。在這樣的厚度變化等于凹凸深度的時(shí)刻，使CMP工藝結(jié)束。另外，關(guān)于通過(guò)這樣的光學(xué)方法檢測(cè)拋光終點(diǎn)的方法及該方法中使用的拋光墊，提出了各種各樣的方法及拋光墊。例如，公開(kāi)了一種拋光墊，其至少一部分具有透過(guò)190nm3500nm的波長(zhǎng)光的固體且均質(zhì)的透明聚合物片(專利文獻(xiàn)l)。另外，公開(kāi)了一種拋光墊，其中插入了帶臺(tái)階的透明塞(專利文獻(xiàn)2)。另外，公開(kāi)了一種拋光墊，其具有與拋光面為同一面的透明塞(專利文獻(xiàn)3)。另外，公開(kāi)了一種拋光墊，其由不含芳香族多胺的聚氨酯樹(shù)脂構(gòu)成，并且具有在波長(zhǎng)400700nm的整個(gè)區(qū)域的光透過(guò)率為50%以上的光透過(guò)區(qū)域(專利文獻(xiàn)4)。另外，公開(kāi)了一種拋光墊，具有窗部件，所述窗部件在波長(zhǎng)450850nm的范圍內(nèi)的透過(guò)度為30%以上。如上所述，作為光束使用利用鹵燈的白光等，使用白光的情況下可以使各種各樣波長(zhǎng)的光照射在晶片上，具有能得到多個(gè)晶片表面的輪廓的優(yōu)點(diǎn)。使用該白光作為光束的情況下，需要在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)提高檢測(cè)精度。但是，以往的具有窗(光透過(guò)區(qū)域)的拋光墊，存在在短波長(zhǎng)側(cè)(紫外區(qū)域)的檢測(cè)精度非常差，光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)中產(chǎn)生誤操作的問(wèn)題。今后，在半導(dǎo)體制造的高集成化和超小型化中，預(yù)計(jì)集成電路的布線寬度會(huì)越來(lái)越小，此時(shí)需要高精度的光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)，但是，以往的終點(diǎn)檢測(cè)用窗，在寬波長(zhǎng)范圍(特別是短波長(zhǎng)側(cè))內(nèi)不具有能夠充分滿足的精度。專利文獻(xiàn)l:日本特表平11-512977號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平9-7985號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平10-83977號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本專利第35982790號(hào)說(shuō)明書(shū)專利文獻(xiàn)5:日本特表2003-48151號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供在寬波長(zhǎng)范圍(特別是短波長(zhǎng)側(cè))內(nèi)光學(xué)檢測(cè)精度優(yōu)良的拋光墊。另外，本發(fā)明的目的在于提供包括使用該拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行拋光的工序的半導(dǎo)體器件制造方法。本發(fā)明人鑒于上述現(xiàn)狀進(jìn)行了廣泛深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使用下述的光透過(guò)區(qū)域作為拋光墊用的光透過(guò)區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)上述課題。艮口，本發(fā)明涉及一種拋光墊，具有包含拋光區(qū)域和光透過(guò)區(qū)域的拋光層，其特征在于，所述光透過(guò)區(qū)域由芳環(huán)濃度為2重量％以下的聚氨酯樹(shù)脂形成，并且所述光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率在波長(zhǎng)300400nm的整個(gè)范圍內(nèi)為30%以上。通過(guò)光透過(guò)區(qū)域的光的強(qiáng)度衰減越少，越可以提高拋光終點(diǎn)的檢測(cè)精度和膜厚的測(cè)定精度。因此，使用的測(cè)定光在波長(zhǎng)下的光透過(guò)率程度決定拋光終點(diǎn)的檢測(cè)精度和膜厚的測(cè)定精度，因此很重要。本發(fā)明的光透過(guò)區(qū)域，特別是在短波長(zhǎng)側(cè)的光透過(guò)率衰減少，可以在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)維持高檢測(cè)精度。上述一般可以使用的膜厚測(cè)定裝置，使用在300~800nm附近具有發(fā)光波長(zhǎng)的激光，因此特別是如果在短波長(zhǎng)側(cè)(300400nm)的光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率為30%以上則可以得到高反射光，可以顯著提高終點(diǎn)檢測(cè)精度和膜厚檢測(cè)精度。該短波長(zhǎng)側(cè)的光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率優(yōu)選為40%以上。另外，本發(fā)明中的光透過(guò)率是光透過(guò)區(qū)域的厚度為lmm時(shí)的值，或者換算為lmm厚度時(shí)的值。一般而言，光透過(guò)率根據(jù)Lambert-Beer定律隨物體的厚度而變化。厚度越大，光透過(guò)率越低，因此需要計(jì)算固定厚度時(shí)的光透過(guò)率。所述光透過(guò)區(qū)域，優(yōu)選在由下式表示的波長(zhǎng)300~400nm的光透過(guò)率的變化率為70%以下。變化率(％)={(300~400nm的最大光透過(guò)率-300400nm的最小光透過(guò)率)/(300400nm的最大光透過(guò)率)}X100光透過(guò)率的變化率超過(guò)70%時(shí)，通過(guò)最短波長(zhǎng)側(cè)的光透過(guò)區(qū)域的光強(qiáng)度衰減變大，干涉光的振幅減小，因此具有拋光終點(diǎn)的檢測(cè)精度和膜厚的測(cè)定精度下降的傾向。光透過(guò)率的變化率更優(yōu)選為40%以下。光透過(guò)區(qū)域由芳環(huán)濃度為2重量％以下的聚氨酯樹(shù)脂形成。通過(guò)使用該聚氨酯樹(shù)脂，可以將波長(zhǎng)300400nm整個(gè)范圍內(nèi)的光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率調(diào)節(jié)至30%以上。在此，芳環(huán)濃度是指聚氨酯樹(shù)脂中芳環(huán)的重量比例，優(yōu)選芳環(huán)濃度為1重量％以下。所述聚氨酯樹(shù)脂，優(yōu)選為脂肪族和/或脂環(huán)族異氰酸酯封端的預(yù)聚物與增鏈劑的反應(yīng)固化物。另外，所述聚氨酯樹(shù)脂的異氰酸酯成分，優(yōu)選為選自由1，6-亞己基二異氰酸酯、4,4，-二環(huán)己基甲垸二異氰酸酯及異佛爾酮二異氰酸酯組成的組中的至少一種。包含上述預(yù)聚物或異氰酸酯成分的聚氨酯樹(shù)脂，因?yàn)榉辑h(huán)濃度低，所以適合作為光透過(guò)區(qū)域的材料。本發(fā)明中，光透過(guò)區(qū)域的形成材料優(yōu)選為非發(fā)泡體。如果是非發(fā)泡體則可以抑制光的散射，因此可以檢測(cè)準(zhǔn)確的反射率，并且可以提高拋光的光學(xué)終點(diǎn)的檢測(cè)精度。另外，優(yōu)選在光透過(guò)區(qū)域的拋光側(cè)表面不具有用于保持和更新拋光液的凹凸結(jié)構(gòu)。光透過(guò)區(qū)域的拋光側(cè)表面具有大的表面凹凸時(shí)，凹部留存含有磨粒等添加劑的漿料，引起光的散射和吸收，具有影響檢測(cè)精度的傾向。另外，優(yōu)選光透過(guò)區(qū)域的其它面?zhèn)缺砻嬉膊痪哂写蟮谋砻姘纪?。因?yàn)槿绻谴蟮谋砻姘纪梗瑒t容易引起光的散射，并且有可能影響檢測(cè)精度。本發(fā)明中，優(yōu)選拋光區(qū)域的形成材料為微小發(fā)泡體。另外，所述微小發(fā)泡體的平均氣泡直徑優(yōu)選為70pm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為50|im以下。平均氣泡直徑如果為70|am以下，則平坦性良好。另外，所述微小發(fā)泡體的比重優(yōu)選為0.5~1，更優(yōu)選為0.7~0.9。比重小于0.5時(shí)，拋光區(qū)域表面的強(qiáng)度下降，被拋光材料的平面性下降，當(dāng)大于1時(shí)，拋光區(qū)域表面的微小氣泡數(shù)減少，平面性良好，但是具有拋光速度減小的傾向。另外，所述微小發(fā)泡體的ASKERD硬度優(yōu)選為40-70度，更優(yōu)選為4560度。ASKERD硬度小于40度時(shí)，被拋光材料的平面性下降，當(dāng)大于70度時(shí)，平面性良好，但是具有被拋光材料的均勻性下降的傾向。另外，本發(fā)明涉及包括使用該拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行拋光的工序的半導(dǎo)體器件制造方法。圖1是表示CMP拋光中使用的現(xiàn)有拋光裝置一例的簡(jiǎn)略構(gòu)成圖。圖2是表示本發(fā)明的拋光墊的一例的簡(jiǎn)略截面圖。圖3是表示本發(fā)明的拋光墊的另一例的簡(jiǎn)略截面圖。圖4是表示本發(fā)明的拋光墊的另一例的簡(jiǎn)略截面圖。圖5是表示本發(fā)明的拋光墊的另一例的簡(jiǎn)略截面圖。圖6是表示具有本發(fā)明的終點(diǎn)檢測(cè)裝置的CMP拋光裝置的一例的簡(jiǎn)略構(gòu)成圖。符號(hào)說(shuō)明1:拋光墊2:平臺(tái)3:拋光劑(漿料)4:被拋光對(duì)象物(晶片)5:被拋光對(duì)象物(晶片)支撐臺(tái)(拋光頭)6、7:旋轉(zhuǎn)軸8:光透過(guò)區(qū)域9:拋光區(qū)域10、12:雙面膠帶11:緩沖層13:脫模紙(膜)14:填塞開(kāi)口部的部件15:激光干涉計(jì)16:激光束具體實(shí)施例方式本發(fā)明的光透過(guò)區(qū)域，由芳環(huán)濃度為2重量％以下的聚氨酯樹(shù)脂形成，并且其光透過(guò)率在波長(zhǎng)300~400nm的整個(gè)范圍內(nèi)為30%以上。聚氨酯樹(shù)脂耐磨損性高，可以抑制由拋光中的修整痕跡導(dǎo)致的光透過(guò)區(qū)域的光散射，因此是優(yōu)選的材料。所述聚氨酯樹(shù)脂，由異氰酸酯成分、多元醇成分(高分子量多元醇、低分子量多元醇等)及增鏈劑形成。作為異氰酸酯成分可以列舉2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,2'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2，4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲垸二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、對(duì)苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對(duì)亞二甲苯基二異氰酸酯、間亞二甲苯基二異氰酸酯等芳族二異氰酸酯；亞乙基二異氰酸酯、2,2，4-三甲基亞己基二異氰酸酯、1,6-亞己基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯；1,4-環(huán)己烷二異氰酸酯、4,4'-二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯等脂環(huán)式二異氰酸酯。這些物質(zhì)可以使用一種也可以兩種以上混合使用。為了使芳環(huán)濃度為2重量％以下，優(yōu)選使用脂肪族二異氰酸酯和/或脂環(huán)式二異氰酸酯，特別優(yōu)選使用選自由1,6-亞己基二異氰酸酯、4，4'-二環(huán)己基甲垸二異氰酸酯和異佛爾酮二異氰酸酯組成的組中的至少一種二異氰酸酯。作為高分子量多元醇，可以列舉以聚四亞甲基醚二醇為代表的聚醚多元醇、以聚己二酸亞丁酯為代表的聚酯多元醇、聚己內(nèi)酯多元醇、聚己內(nèi)酯等聚酯二醇與碳酸亞垸基酯的反應(yīng)物等聚酯聚碳酸酯多元醇、使碳酸亞乙酯與多元醇反應(yīng)然后使得到的反應(yīng)混合物與有機(jī)二元羧酸反應(yīng)而得到的聚酯聚碳酸酯多元醇、以及通過(guò)多羥基化合物與碳酸芳酯的酯交換反應(yīng)得到的聚碳酸酯多元醇等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用也可以兩種以上組合使用。其中，為了使芳環(huán)濃度為2重量％以下，優(yōu)選使用不具有芳環(huán)的高分子量多元醇。另外，為了提高光透過(guò)率，優(yōu)選使用不具有長(zhǎng)共振結(jié)構(gòu)的高分子量多元醇以及不太具有吸電子性和供電子性高的骨架結(jié)構(gòu)的高分子量多元醇。另外，作為多元醇成分，除了上述高分子量多元醇以外，也可以并用乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1,4-丁二醇、1，6-己二醇、新戊二醇、1,4-環(huán)己烷二甲醇、3-甲基-l，5-戊二醇、二乙二醇及三乙二醇等低分子量多元醇。另外，也可以使用乙二胺及二乙撐三胺等低分子量多胺。為了使芳環(huán)濃度為2重量％以下，優(yōu)選使用不具有芳環(huán)的高分子量多元醇或低分子量多胺。作為增鏈劑，可以列舉上述低分子量多元醇、上述低分子量多胺、或者4，4，-亞甲基雙(鄰氯苯胺)(MOCA)、2,6-二氯對(duì)苯二胺、4，4'-亞甲基雙(2，3-二氯苯胺)、3,5-雙(甲硫基)-2，4-甲苯二胺、3，5-雙(甲硫基)-2，6-甲苯二胺、3，5-二乙基甲苯-2，4-二胺、3,5-二乙基甲苯-2，6-二胺、三乙二醇二對(duì)氨基苯甲酸酯、1，2-雙(2-氨基苯基硫基)乙垸、4，4，-二氨基-3，3，-二乙基-5，5，-二甲基二苯基甲垸、N，N，-二仲丁基-4,4，-二氨基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4，4，-二氨基二苯基甲垸、間亞二甲苯基二胺、N,N，-二仲丁基對(duì)苯二胺、間苯二胺及對(duì)亞二甲苯基二胺等例示的芳香族多胺。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用一種也可以兩種以上混合使用。但是，為了使芳環(huán)濃度為2重量％以下，優(yōu)選不使用所述芳香族多胺，但是也可以在上述芳環(huán)濃度范圍內(nèi)混合。所述聚氨酯樹(shù)脂中的異氰酸酯成分、多元醇成分和增鏈劑的比，可以根據(jù)各自的分子量及由它們制造的光透過(guò)區(qū)域的所需物性等進(jìn)行適當(dāng)改變。所述聚氨酯樹(shù)脂可以應(yīng)用熔融法、溶液法等公知的氨基甲酸酯化技術(shù)制造，考慮成本、作業(yè)環(huán)境等的情況下，優(yōu)選通過(guò)熔融法制造。所述聚氨酯樹(shù)脂的聚合順序，可以是預(yù)聚物法、一步法等的任意一種，優(yōu)選事先由異氰酸酯成分和多元醇成分合成異氰酸酯封端的預(yù)聚物，并使增鏈劑與其反應(yīng)的預(yù)聚物法。光透過(guò)區(qū)域的制作方法沒(méi)有特別限制，可以通過(guò)公知的方法制作。例如，可以列舉將通過(guò)前述方法制造的聚氨酯樹(shù)脂塊用帶鋸方式或刨機(jī)方式的切片機(jī)切割為規(guī)定厚度的方法、將樹(shù)脂注入具有規(guī)定厚度腔室的模具中并使其固化的方法、使用涂布技術(shù)或片材成形技術(shù)的方法等。另外，光透過(guò)區(qū)域中有氣泡的情況下，由于光的散射而使反射光的衰減增大，具有拋光終點(diǎn)檢測(cè)精度和膜厚測(cè)定精度下降的傾向。因此，為了除去這樣的氣泡，在混合所述材料之前，優(yōu)選通過(guò)減壓至10托(TonO以下而充分除去材料中所含的氣體。另外，為了在混合后的攪拌工序中不混入氣泡，在通常使用的攪拌葉片式混合機(jī)的情況下，優(yōu)選以轉(zhuǎn)速100rpm以下進(jìn)行攪拌。另外，攪拌工序優(yōu)選在減壓下進(jìn)行。另外，自轉(zhuǎn)公轉(zhuǎn)式混合機(jī)，由于即使高速旋轉(zhuǎn)也難以混入氣泡，因此使用該混合機(jī)進(jìn)行攪拌、脫泡也是優(yōu)選的方法。光透過(guò)區(qū)域的形狀、大小沒(méi)有特別限制，優(yōu)選與拋光區(qū)域的開(kāi)口部同樣的形狀和大小。光透過(guò)區(qū)域優(yōu)選具有與拋光區(qū)域的厚度相同的厚度或其以下的厚度。光透過(guò)區(qū)域比拋光區(qū)域厚時(shí)，在拋光中有可能由突出的部分劃傷晶片。另一方面，過(guò)薄的情況下，耐久性不充分。另外，光透過(guò)區(qū)域優(yōu)選具有與拋光區(qū)域同等的磨削性或其以下的磨削性。光透過(guò)區(qū)域比拋光區(qū)域難以磨削時(shí)，在拋光中有可能由突出的部分劃傷晶片。拋光區(qū)域的形成材料可以列舉例如聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、鹵素類(lèi)樹(shù)脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴類(lèi)樹(shù)脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環(huán)氧樹(shù)脂及感光樹(shù)脂等。這些材料可以單獨(dú)使用也可以兩種以上組合使用。聚氨酯樹(shù)脂耐磨損性優(yōu)良，通過(guò)對(duì)原料組成進(jìn)行各種變化，可以容易地得到具有所需物性的聚合物，因此，是作為拋光區(qū)域形成材料特別優(yōu)選的材料。聚氨酯樹(shù)脂的原料與前述相同。高分子量多元醇的數(shù)均分子量，從得到的聚氨酯樹(shù)脂的彈性特性等觀點(diǎn)考慮優(yōu)選為5002000，更優(yōu)選500~1000。數(shù)均分子量如果小于500，則使用該多元醇的聚氨酯不具有充分的彈性特性，成為脆的聚合物。因此，由該聚氨酯制造的拋光墊變得過(guò)硬，成為被拋光對(duì)象物的拋光面劃痕的原因。另外，容易磨損，因此從墊的壽命的觀點(diǎn)考慮也不優(yōu)選。另一方面，數(shù)均分子量如果超過(guò)2000，則使用該多元醇的聚氨酯變軟，因此由該聚氨酯制造的拋光墊具有平坦化特性變差的傾向。前述聚氨酯樹(shù)脂可以通過(guò)與前述方法同樣的方法制造。使前述聚氨酯樹(shù)脂微小發(fā)泡的方法沒(méi)有特別限制，可以列舉例如通過(guò)添加中空微球的方法、機(jī)械發(fā)泡法以及化學(xué)發(fā)泡法等使其發(fā)泡的方法等。另外，各方法可以組合使用，但特別優(yōu)選使用作為聚垸基硅氧烷與聚醚共聚物的硅氧垸類(lèi)表面活性劑的機(jī)械發(fā)泡法。作為該硅氧垸類(lèi)表面活性劑，可以例示SH-192、L-5340(東k夕、、夕〕一二乂夕、'、>U〕一乂制造)等作為優(yōu)選化合物。以下對(duì)拋光區(qū)域使用的獨(dú)立氣泡型聚氨酯發(fā)泡體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。所述聚氨酯發(fā)泡體的制造方法包括以下工序。1)制作異氰酸酯封端的預(yù)聚物的氣泡分散液的發(fā)泡工序在異氰酸酯封端的預(yù)聚物中添加硅氧烷類(lèi)表面活性劑，在非反應(yīng)性氣體存在下進(jìn)行攪拌，使非反應(yīng)性氣體作為微小氣泡分散而得到氣泡分散液。所述預(yù)聚物在常溫下為固體的情況下預(yù)熱至適當(dāng)?shù)臏囟热廴诤笫褂谩?)固化劑(增鏈劑)混合工序在上述的氣泡分散液中添加、混合增鏈劑，進(jìn)行攪拌，得到氣泡反應(yīng)液。3)注模工序?qū)⑸鲜鰵馀莘磻?yīng)液注入模具中。4)固化工序?qū)⒆⑷肽＞咧械臍馀莘磻?yīng)液加熱，使之反應(yīng)固化。作為用于形成微小氣泡的非反應(yīng)性氣體，優(yōu)選非可燃性氣體，具體可以例示氮?dú)狻⒀鯕?、二氧化碳、氦氣和氬氣等惰性氣體、以及它們的混合氣體，使用干燥除去水分的空氣在成本方面最優(yōu)選。作為使非反應(yīng)性氣體形成微小氣泡狀并分散到包含硅氧烷類(lèi)表面活性劑的異氰酸酯封端的預(yù)聚物中的攪拌裝置，可以不受限制地使用公知的攪拌裝置，具體地可以例示均質(zhì)器(homogenizes)、溶解器(dissolver)、雙螺桿行星式混合器(planetarymixer)等。攪拌裝置的攪拌葉片的形狀沒(méi)有特別限制，但使用漏斗型攪拌葉片時(shí)可以得到微小氣泡，因此優(yōu)選。另外，在攪拌工序中制備氣泡分散液的攪拌和在混合工序中添加混合增鏈劑的攪拌，優(yōu)選的方式是使用不同的攪拌裝置。特別是混合工序中的攪拌可以不是形成氣泡的攪拌，優(yōu)選使用不巻入大氣泡的攪拌裝置。作為這樣的攪拌裝置，行星式混合器是優(yōu)選的。攪拌工序和混合工序的攪拌裝置也可以使用相同的攪拌裝置，根據(jù)需要，進(jìn)行攪拌葉片的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)等攪拌條件的調(diào)節(jié)后使用也是優(yōu)選的。在所述聚氨酯發(fā)泡體的制造方法中，將通過(guò)發(fā)泡反應(yīng)液注入模具中并反應(yīng)至不流動(dòng)的發(fā)泡體加熱和后固化，具有使發(fā)泡體的物理特性提高的效果，因此非常優(yōu)選。也可以作為將發(fā)泡反應(yīng)液注入模具后立即放入加熱烘箱中進(jìn)行后固化的條件，在這樣的條件下熱不會(huì)立即傳導(dǎo)至反應(yīng)成分中，因此氣泡直徑不會(huì)變大。固化反應(yīng)在常壓下進(jìn)行時(shí)氣泡形狀穩(wěn)定，因此優(yōu)選。在所述聚氨酯樹(shù)脂的制造中，可以使用叔胺類(lèi)、有機(jī)錫類(lèi)等公知的促進(jìn)聚氨酯反應(yīng)的催化劑。催化劑的種類(lèi)、添加量考慮混合工序后注入規(guī)定形狀的模具的流動(dòng)時(shí)間進(jìn)行選擇。所述聚氨酯發(fā)泡體的制造，既可以是在容器中計(jì)量投入并攪拌各成分的間歇方式，也可以是將各成分和非反應(yīng)性氣體連續(xù)地供給攪拌裝置并攪拌，送出氣泡分散液而制造成形品的連續(xù)生產(chǎn)方式。拋光區(qū)域通過(guò)將以上制造的聚氨酯發(fā)泡體切割為規(guī)定尺寸來(lái)制造。由微小發(fā)泡體構(gòu)成的拋光區(qū)域，優(yōu)選在與被拋光材料接觸的拋光側(cè)表面上設(shè)置用于保持和更新漿料的溝。該拋光區(qū)域由微小發(fā)泡體形成，所以在拋光表面具有許多開(kāi)口，具有保持漿料的作用，但為了更有效地進(jìn)行漿料的保持和漿料的更新，而且也為了防止由于與被拋光材料的吸附導(dǎo)致的被拋光材料的破壞，優(yōu)選在拋光側(cè)表面具有溝。溝只要是保持和更新漿料的表面形狀即可，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如XY格子溝、同心圓形溝、貫通孔、非貫通孔、多角棱柱、圓柱、螺旋形溝、偏心圓形溝、放射狀溝、以及這些溝組合成的形狀等。另外，溝間距、溝寬度、溝深等也沒(méi)有特別限制，可以適當(dāng)選擇形成。另外，這些溝一般具有規(guī)則性，但為了得到所需的漿料保持更新性，也可以使溝間距、溝寬度、溝深等在某個(gè)范圍內(nèi)進(jìn)行變化。所述溝的形成方法沒(méi)有特別限制，例如，可以列舉使用規(guī)定尺寸的車(chē)刀等夾具進(jìn)行機(jī)械切削的方法、將樹(shù)脂注入具有規(guī)定表面形狀的模具并使其固化的方法、使用具有規(guī)定表面形狀的壓板按壓樹(shù)脂而形成的方法、使用光刻法形成的方法、使用印刷法形成的方法、以及通過(guò)使用二氧化碳激光等激光形成的方法等。拋光區(qū)域的厚度沒(méi)有特別限制，通常為約0.8mm約4mm，優(yōu)選12mm。作為所述厚度的拋光區(qū)域的制作方法，可以列舉將聚氨酯樹(shù)脂塊用帶鋸方式或刨機(jī)方式的切片機(jī)切割為規(guī)定厚度的方法、將樹(shù)脂注入具有規(guī)定厚度腔室的模具中并使其固化的方法、及使用涂布技術(shù)或片材成形技術(shù)的方法等。具有包含拋光區(qū)域和光透過(guò)區(qū)域的拋光層的拋光墊的制造方法沒(méi)有特別限制，有各種方法，以下說(shuō)明具體例子。另外，以下具體例中對(duì)設(shè)置有緩沖層的拋光墊進(jìn)行說(shuō)明，但是也可以是不設(shè)置緩沖層的拋光墊。首先，第一例如圖2所示，將以規(guī)定大小開(kāi)口的拋光區(qū)域9與雙面膠帶10貼合，并在其下貼合以規(guī)定大小開(kāi)口的緩沖層11使得與拋光區(qū)域9的開(kāi)口部吻合。然后，將脫模紙13帶有的雙面膠帶12與緩沖層11貼合，把光透過(guò)區(qū)域8嵌入拋光區(qū)域9的開(kāi)口部并貼合的方法。作為第二具體例，如圖3所示，將以規(guī)定大小開(kāi)口的拋光區(qū)域9與雙面膠帶IO貼合，并在其下貼合緩沖層11。之后，在雙面膠帶10和緩沖層11上設(shè)置規(guī)定大小的開(kāi)口使得與拋光區(qū)域9的開(kāi)口部吻合。然后，將脫模紙13帶有的雙面膠帶12與緩沖層11貼合，把光透過(guò)區(qū)域8嵌入拋光區(qū)域9的開(kāi)口部并貼合的方法。作為第三具體例，如圖4所示，將以規(guī)定大小開(kāi)口的拋光區(qū)域9與雙面膠帶10貼合，并在其下貼合緩沖層11。然后，將脫模紙13帶有的雙面膠帶12與緩沖層11的相反面貼合，之后，從雙面膠帶10到脫模紙13設(shè)置規(guī)定大小的開(kāi)口使得與拋光區(qū)域9的開(kāi)口部吻合。將光透過(guò)區(qū)域8嵌入拋光區(qū)域9的開(kāi)口部并粘合的方法。另外，在此情況下，光透過(guò)區(qū)域8的相反側(cè)呈開(kāi)放狀態(tài)，存在積塵的可能性，因此優(yōu)選設(shè)置將其堵塞的部件14。作為第四具體例，如圖5所示，在與脫模紙13帶有的雙面膠帶12貼合的緩沖層ll上設(shè)置規(guī)定大小的開(kāi)口。然后，將以規(guī)定大小開(kāi)口的拋光區(qū)域9與雙面膠帶IO貼合，并將它們貼合以使開(kāi)口部吻合。然后，將光透過(guò)區(qū)域8嵌入拋光區(qū)域9的開(kāi)口部并貼合的方法。另外，在此情況下，存在積塵的可能性，因此優(yōu)選設(shè)置將其堵塞的部件14。所述拋光墊的制作方法中，在拋光區(qū)域和緩沖層等開(kāi)口的方法沒(méi)有特別限制，例如，可以列舉按壓具有切削能力的夾具而開(kāi)口的方法、利用碳酸激光等激光的方法、以及利用車(chē)刀等夾具磨削的方法等。另外，拋光區(qū)域的開(kāi)口部大小沒(méi)有特別限制。另外，拋光區(qū)域的開(kāi)口部形狀也沒(méi)有特別限制。所述緩沖層補(bǔ)充拋光區(qū)域(拋光層)的特性。緩沖層在CMP中必須同時(shí)滿足處于權(quán)衡關(guān)系的平面性和均勻性二者。所謂平面性，是指對(duì)具有形成圖案時(shí)產(chǎn)生的微小凹凸的被拋光對(duì)象物進(jìn)行拋光時(shí)圖案部的平坦性，所謂均勻性，是指被拋光對(duì)象物整體的均勻性。通過(guò)拋光層的特性，進(jìn)行平面性改善，通過(guò)緩沖層的特性，進(jìn)行均勻性改善。本發(fā)明的拋光墊中，優(yōu)選使用比拋光層柔軟的緩沖層。所述緩沖層的形成材料沒(méi)有特別限制，可以列舉例如聚酯無(wú)紡布、尼龍無(wú)紡布、丙烯酸無(wú)紡布等纖維無(wú)紡布，浸滲聚氨酯的聚酯無(wú)紡布等樹(shù)脂浸滲的無(wú)紡布，聚氨酯泡沫、聚乙烯泡沫等高分子樹(shù)脂發(fā)泡體，丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等橡膠性樹(shù)脂，以及感光樹(shù)脂等。作為將拋光區(qū)域9中使用的拋光層和緩沖層11貼合的方法，可以列舉例如隔著雙面膠帶將拋光區(qū)域和緩沖層層壓并進(jìn)行壓制的方法。雙面膠帶一般具有在無(wú)紡布或膜等基材的雙面設(shè)置有粘合層的結(jié)構(gòu)?？紤]到防止?jié){料向緩沖層的滲入等，優(yōu)選使用膜作為基材。另外，作為粘合劑的組成，可以列舉例如橡膠類(lèi)粘合劑和丙烯酸類(lèi)粘合劑等。如果考慮金屬離子的含量，則丙烯酸類(lèi)粘合劑因金屬離子含量少而優(yōu)選。另外，有時(shí)拋光區(qū)域與緩沖層組成不同，因此也可以使雙面膠帶的各粘合層的組成不同，優(yōu)化各層的粘合力。作為將緩沖層11與雙面膠帶12貼合的方法，可以列舉將雙面膠帶壓在緩沖層上使其粘合的方法。該雙面膠帶，與上述同樣，一般具有在無(wú)紡布或膜等基材的兩面設(shè)置有粘合層的結(jié)構(gòu)。拋光墊使用后，如果考慮到從臺(tái)板上剝離，在使用膜作為基材時(shí)可以消除膠帶殘留物，因此優(yōu)選。另外，粘合層的組成與上述相同。前述部件14，只要是堵塞開(kāi)口部的部件則沒(méi)有特別限制，但是，必須是進(jìn)行拋光時(shí)可以剝離的部件。半導(dǎo)體器件，經(jīng)使用所述拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行拋光的工序進(jìn)行制造。半導(dǎo)體晶片，一般是指在硅晶片上層壓布線金屬及氧化膜而形成的材料。半導(dǎo)體晶片的拋光方法、拋光裝置沒(méi)有特別限制，例如，可以使用如圖1所示具有支撐拋光墊1的拋光平臺(tái)2、支撐半導(dǎo)體晶片4的支撐臺(tái)(拋光頭)5和用于對(duì)晶片進(jìn)行均勻加壓的背襯材料、和拋光劑3的供給機(jī)構(gòu)的拋光裝置等進(jìn)行。拋光墊1例如通過(guò)用雙面膠帶粘貼而安裝在拋光平臺(tái)2上。拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5，以使各自支撐的拋光墊1和半導(dǎo)體晶片4相對(duì)的方式設(shè)置，分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、7。另外，支撐臺(tái)5側(cè)設(shè)置用于將半導(dǎo)體晶片4壓在拋光墊1上的加壓機(jī)構(gòu)。拋光時(shí)，使拋光平臺(tái)2和支撐臺(tái)5旋轉(zhuǎn)的同時(shí)將半導(dǎo)體晶片4壓在拋光墊1上，一邊供給漿料一邊進(jìn)行拋光。漿料的流量、拋光負(fù)荷、拋光平臺(tái)轉(zhuǎn)速、以及晶片轉(zhuǎn)速?zèng)]有特別限制，可以適當(dāng)進(jìn)行調(diào)節(jié)。由此，將半導(dǎo)體晶片4的表面的突出部分除去而拋光為平坦?fàn)睢Ｖ?，通過(guò)切片、焊接、包裝等制作半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件用于運(yùn)算處理裝置及存儲(chǔ)器等。實(shí)施例以下，對(duì)具體顯示本發(fā)明的構(gòu)成和效果的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例等中的評(píng)價(jià)項(xiàng)目如下所述進(jìn)行測(cè)定。(光透過(guò)率測(cè)定)將制作的光透過(guò)區(qū)域切成10mmX50mm(厚度1.25mm)的大小，制成光透過(guò)率測(cè)定用試樣。將該試樣放入填充了超純水的玻璃比色池(光程長(zhǎng)10mmX光程寬10mmX高45mm，相互理化學(xué)硝子制作所制造)中，使用分光光度計(jì)(島津制作所制造，UV-1600PC)在測(cè)定波長(zhǎng)范圍300400nm下進(jìn)行測(cè)定。得到的光透過(guò)率的測(cè)定結(jié)果使用Lambert-Beer定律，換算為厚度lmm的光透過(guò)率。300nm及400nm的光透過(guò)率、測(cè)定波長(zhǎng)范圍300400nm的最大光透過(guò)率及最小光透過(guò)率如表3所示。(平均氣泡直徑測(cè)定)將用切片機(jī)盡可能薄地平行切割為厚度約lmm的拋光區(qū)域作為平均氣泡直徑測(cè)定用試樣。將試樣固定在載玻片上，使用圖像處理裝置(東洋紡公司制造，ImageAnalyzerVI0)，測(cè)定任意0.2mmX0.2mm范圍的總氣泡直徑，并計(jì)算平均氣泡直徑。(比重測(cè)定)根據(jù)JISZ8807-1976進(jìn)行。將切割為4cmX8.5cm的短條帶狀(厚度任意)的拋光區(qū)域作為比重測(cè)定用試樣，在溫度23°C±2°C、濕度50%±5%的環(huán)境中靜置16小時(shí)。使用比重計(jì)(女少卜y々只公司制造)，測(cè)定比重。(ASKERD硬度測(cè)定)根據(jù)JISK6253-1997進(jìn)行。將切割為2cmX2cm(厚度:任意)大小的拋光區(qū)域作為硬度測(cè)定用試樣，在溫度23。C土2"C、濕度50%±5%的環(huán)境中靜置16小時(shí)。測(cè)定時(shí)將試樣重疊，厚度達(dá)到6mm以上。使用硬度計(jì)(高分子計(jì)器公司制造，ASKERD型硬度計(jì))測(cè)定硬度。(膜厚檢測(cè)評(píng)價(jià))晶片膜厚的光學(xué)檢測(cè)評(píng)價(jià)通過(guò)以下方法進(jìn)行。使用在8英寸硅晶圓上形成lpm的熱氧化膜的晶片，在其上設(shè)置厚度1.27mm的光透過(guò)區(qū)域部件。使用干涉式膜厚測(cè)定裝置(大塚電子公司制造)在波長(zhǎng)范圍300400nm進(jìn)行數(shù)次膜厚測(cè)定。對(duì)計(jì)算出的膜厚結(jié)果、以及各波長(zhǎng)下干涉光的峰部和谷部的狀況進(jìn)行確認(rèn)，通過(guò)以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)評(píng)價(jià)。測(cè)定結(jié)果如表3所示。重現(xiàn)性極好地測(cè)定膜厚〇重現(xiàn)性好地測(cè)定膜厚X:重現(xiàn)性差，檢測(cè)精度不充分。實(shí)施例1在容器中放入625重量份1,6-亞己基二異氰酸酯、242重量份數(shù)均分子量650的聚四亞甲基醚二醇和134重量份1,3-丁二醇，在8(TC加熱攪拌2小時(shí)，得到異氰酸酯封端的預(yù)聚物A。然后，將6重量份1，3-丁二醇、IO重量份三羥甲基丙垸和0.35重量份胺催化劑(花王制，KaoNo.25)混合制備混合液，在該混合液中加入IOO重量份異氰酸酯封端的預(yù)聚物A，用八,匕'U，K3年廿一(年一工V只制造)充分?jǐn)嚢瑁⒚撆?，得到光透過(guò)區(qū)域形成組合物。之后，將光透過(guò)區(qū)域形成組合物滴加到脫模處理后的模具上，在其上面被覆脫模處理后的PET膜，通過(guò)夾輥將厚度調(diào)節(jié)為1.25mm。之后，將該模具放入烘箱內(nèi)，在100C進(jìn)行16小時(shí)固化，得到聚氨酯樹(shù)脂片。該聚氨酯樹(shù)脂片用Thomson刀沖裁，制備光透過(guò)區(qū)域(57mmX19mm，厚度1.25mm)。在反應(yīng)容器內(nèi)將100重量份聚醚類(lèi)預(yù)聚物(二二口^亇》公司制造，了^:7。^:/L一325，NCO濃度2.22meq/g)禾n3重量份硅氧烷類(lèi)表面活性劑(東^夕》〕一二yOy〕一:/制造、SH192)混合，并調(diào)節(jié)溫度至8(TC。使用攪拌葉片，以轉(zhuǎn)速900rpm劇烈攪拌約4分鐘以在反應(yīng)體系內(nèi)混入氣泡。向其中添加預(yù)先在12(TC下熔融的4,4'-亞甲基雙(鄰氯苯胺)0八，亇3力少公司制造，^八，年二了^yMT)26重量份。之后，繼續(xù)攪拌約1分鐘，然后將反應(yīng)溶液注入盤(pán)型敞口模具中。在該反應(yīng)溶液的流動(dòng)性消失的時(shí)刻放入烘箱內(nèi)，在11(TC進(jìn)行6小時(shí)后固化，得到聚氨酯發(fā)泡體塊。使用帶鋸型切片機(jī)(7工、乂亇y公司制造)切割該聚氨酯發(fā)泡體塊，得到聚氨酯發(fā)泡體片。然后，將該片使用磨光機(jī)(7S亍:y夕公司制造)進(jìn)行表面磨光至規(guī)定厚度，得到厚度精度調(diào)節(jié)后的片材(片厚度1.27mm)。將該磨光處理后的片材以直徑61cm尺寸進(jìn)行沖裁，并使用溝加工機(jī)(東邦鋼機(jī)公司制造)在表面上進(jìn)行溝寬0.25mm、溝間距1.50mm、溝深0.40mm的同心圓狀的溝加工。在該片材的溝加工面的相反面上使用層壓機(jī)粘貼雙面膠帶(積水化學(xué)工業(yè)公司制造，夕"7"》夕、;/夕亍一7。)，之后，在該進(jìn)行了溝加工的片材的規(guī)定位置沖裁出用于嵌入光透過(guò)區(qū)域的孔(57.5mmX19.5mm)，制成帶有雙面膠帶的拋光區(qū)域。制作的拋光區(qū)域的各物性是平均氣泡直徑48jim、比重0.86、ASKERD硬度53度。將由進(jìn)行了表面磨光、并進(jìn)行了電暈處理的聚乙烯泡沫(東l/公司制造，卜一k^7，厚度0.8mm)形成的緩沖層使用層壓機(jī)貼合在制作的帶有雙面膠帶的拋光區(qū)域的粘合面上。另外，在緩沖層表面粘貼雙面膠帶。之后，在拋光區(qū)域的為了嵌入光透過(guò)區(qū)域而沖裁的孔部分中以51mmX13mm的尺寸在緩沖層上打孔，使孔貫通。之后，將制作的光透過(guò)區(qū)域嵌入，制成拋光墊。實(shí)施例27及比較例1以表1和2的混合比例通過(guò)與實(shí)施例1同樣的方法制作光透過(guò)區(qū)域。使用該光透過(guò)區(qū)域通過(guò)與實(shí)施例1同樣的方法制作拋光墊。另外，表1是光透過(guò)區(qū)域原料異氰酸酯封端的預(yù)聚物的配比，表2是光透過(guò)區(qū)域形成組合物的配比。表1和表2中所述的化合物如下所述。PTMG-650:數(shù)均分子量650的聚四亞甲基醚二醇PTMG-1000:數(shù)均分子量1000的聚四亞甲基醚二醇1.3-BG:1,3-丁二醇1.4-BG:1，4-丁二醇DEG:二乙二醇TMP:三羥甲基丙垸HDI:1,6-亞己基二異氰酸酯HMDI:4,4'-二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯IPDI:異佛爾酮二異氰酸酯TDI:甲苯二異氰酸酯工夕年二了100(7/P《7—/k公司制造)3，5-二乙基-2，4-甲苯二胺與3,5-二乙基-2,6-甲苯二胺的混合物MOCA:4，4，-亞甲基雙(鄰氯苯胺)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>從表3明顯可以看出，通過(guò)使用波長(zhǎng)300400nm下的光透過(guò)率為30%以上的光透過(guò)區(qū)域，可以重現(xiàn)性好地進(jìn)行晶片的終點(diǎn)檢測(cè)。權(quán)利要求1.一種拋光墊，具有包含拋光區(qū)域和光透過(guò)區(qū)域的拋光層，其特征在于，所述光透過(guò)區(qū)域由芳環(huán)濃度為2重量％以下的聚氨酯樹(shù)脂形成，并且所述光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率在波長(zhǎng)300～400nm的整個(gè)范圍內(nèi)為30％以上。2.如權(quán)利要求l所述的拋光墊，其特征在于，下式表示的光透過(guò)區(qū)域在波長(zhǎng)300~400nm的光透過(guò)率的變化率為70%以下，變化率(％)={(300~400nm的最大光透過(guò)率-300400nm的最小光透過(guò)率)/(300~400nm的最大光透過(guò)率)}X100。3.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中，所述聚氨酯樹(shù)脂是脂肪族和/或脂環(huán)族異氰酸酯封端的預(yù)聚物與增鏈劑的反應(yīng)固化物。4.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中，所述聚氨酯樹(shù)脂的異氰酸酯成分為選自由1,6-亞己基二異氰酸酯、4，4'-二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯及異佛爾酮二異氰酸酯組成的組中的至少一種。5.—種半導(dǎo)體器件制造方法，包括使用權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行拋光的工序。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供在寬波長(zhǎng)范圍(特別是短波長(zhǎng)側(cè))內(nèi)光學(xué)檢測(cè)精度優(yōu)良的拋光墊。另外，本發(fā)明的目的在于提供包括使用該拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行拋光的工序的半導(dǎo)體器件制造方法。一種拋光墊，具有包含拋光區(qū)域和光透過(guò)區(qū)域的拋光層，其特征在于，所述光透過(guò)區(qū)域由芳環(huán)濃度為2重量％以下的聚氨酯樹(shù)脂形成，并且所述光透過(guò)區(qū)域的光透過(guò)率在波長(zhǎng)300～400nm的整個(gè)范圍內(nèi)為30％以上。文檔編號(hào)B24B37/20GK101448607SQ20078001799公開(kāi)日2009年6月3日申請(qǐng)日期2007年5月15日優(yōu)先權(quán)日2006年5月17日發(fā)明者中井良之,廣瀨純司,木村毅,福田武司申請(qǐng)人:東洋橡膠工業(yè)株式會(huì)社