專(zhuān)利名稱(chēng)：低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種金屬薄片的薄化方法，特別是關(guān)于一種低熔點(diǎn)合金箔片 的薄化方法。
背景技術(shù)：
隨著電子科技的進(jìn)步，信息處理芯片朝向晶體管高密度化、傳輸高速化、 整合多功能化以及體積小型化發(fā)展。上述功能的提升衍生出發(fā)熱密度愈來(lái)愈高， 其累積的熱量將使電子元件的工作溫度增加，而造成熱負(fù)荷愈來(lái)愈高。熱負(fù)荷 的增加將會(huì)嚴(yán)重的影響芯片等電子元件的使用壽命及可靠度。若電子散熱的問(wèn) 題無(wú)法適當(dāng)解決，將阻礙芯片與電子產(chǎn)品的推出及產(chǎn)業(yè)發(fā)展。因此，如何提升 高性能熱管理材料，己是電子產(chǎn)業(yè)一個(gè)刻不容緩的課題。
伴隨著芯片及電子元件的散熱需求，刺激了散熱元件、材料等電子散熱產(chǎn) 品的多樣化與技術(shù)創(chuàng)新。電子散熱產(chǎn)品主要有散熱裝置(如熱管、散熱器及
風(fēng)扇..等)與熱界面材料(Thermal Interface Materials, TIM)兩種類(lèi)別。
請(qǐng)參照?qǐng)Dl，其為公知散熱系統(tǒng)示意圖。如圖所示，此散熱系統(tǒng)10至少包 括一電子元件12及一散熱器11。其中，電子元件12設(shè)置于一電路基板13上， 散熱器11設(shè)置于電子元件12上方。熱界面材料14設(shè)置于電子元件12與散熱 器11之間。詳細(xì)地說(shuō)，熱界面材料14的兩側(cè)面分別接觸于散熱器11的下表面 以及電子元件12的上表面。
熱界面材料14是一種使用于芯片構(gòu)裝、電子元件與散熱器之間的導(dǎo)熱介 質(zhì)，其是利用自身可流動(dòng)或預(yù)熱熔融的特性填補(bǔ)前述元件間介面的微孔隙，通 過(guò)減少芯片熱量傳遞至基板或至散熱裝置的熱阻抗，以提高芯片散熱性能。
熱界面材料的性能指針主要有熱傳導(dǎo)率(Q)與熱阻抗(R)，熱傳導(dǎo)率是 指熱量在材料內(nèi)部熱傳導(dǎo)的能力，熱阻抗是指跨越不同材料介面的熱傳導(dǎo)的效益。 一般來(lái)說(shuō)，熱界面材料的熱傳導(dǎo)率(Q)愈高、界面接合厚度欲小，則熱 界面材料的熱阻抗(R)愈低。消費(fèi)性電子產(chǎn)品所使用的熱界面材料主要以散熱膏(thermal grease)和相 變化散熱貼片(phase change thermal pad)為主。但是目前上述兩種熱界面材料 的散熱效能仍為有限，熱傳導(dǎo)率(Q)最多達(dá)到7W/mk，熱阻抗(R)約為 0.25~0.4cm2K/W。另外，散熱膏等熱界面材料在熱循環(huán)(temperature cycling) 條件下，散熱效能有明顯衰退的情形。因此，在芯片效能不斷增強(qiáng)，熱負(fù)荷也 隨之增加的趨勢(shì)下，上述熱界面材料的可靠性顯然不敷未來(lái)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用。為了因應(yīng)日后更加嚴(yán)苛的熱管理需求， 一種稱(chēng)為低熔點(diǎn)合金箔片(Low melting alloy, LMA)的熱界面材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)。低熔點(diǎn)合金箔片具有低熔點(diǎn)、 高熱導(dǎo)、熱熔相變化填補(bǔ)介面微孔隙的特性，其主要是由必要的銦(In)以及 鉍(Bi)、錫(Sn)、和鋅(Zn)等元素的部份或全部組合而成，組成元素可為 Sn-In、 In-Bi-Sn或In-Bi-Sn-Zn。此外，前述主要組成合金更可包括至少一種非 毒害環(huán)境元素，例如銀、銅、鈦、鍺、鋁、鈰、鑭或硅等元素。低熔點(diǎn)合金箔 片24可依上述組成元素的不同而有55'C至85'C不等的熔點(diǎn)變化。在現(xiàn)階段的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中，低熔點(diǎn)合金箔片的變態(tài)溫度約為60'C，熱傳導(dǎo)率 (Q)可達(dá)可達(dá)20W/mk以上，熱阻抗(R)小于0.1cm2K/W。因此，低熔點(diǎn)合 金箔片具有極高的散熱效能。承上所述，散熱系統(tǒng)中熱阻抗(R)愈低時(shí)，散熱效果愈好，所以低熔點(diǎn) 合金箔片厚度愈小時(shí)，則可具有更佳的散熱效果。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為公知低熔 點(diǎn)合金箔片的薄化制作方法。如圖所示，薄化方式是通過(guò)一輥壓裝置22在特定 條件下對(duì)低熔點(diǎn)合金箔片24進(jìn)行反復(fù)地輥輪軋延(Rolling)動(dòng)作。傳統(tǒng)的輥輪軋延制程主要是用來(lái)將銅(Cu)、鋁(A1)、金(Cii)等具有極 佳延展性及材料強(qiáng)度的金屬板片，進(jìn)行薄化的方式。輥輪軋延的過(guò)程中，所使 用的初始材料必須是厚度均勻的金屬板片，且厚度約為l~2mm。一般來(lái)說(shuō)，厚度2mm的金屬板片，在輥輪壓下率20%的狀況下，必須要經(jīng)過(guò)13道軋延作業(yè)，方能薄化至0.1mm的薄箔片。然而，在同樣的環(huán)境條件 下，厚度2mm的金屬板片欲薄化至0.04mm的薄箔片，則需要高達(dá)17道的軋 延作業(yè)。因此，利用輥輪軋延制程來(lái)薄化金屬板片，可以說(shuō)是相當(dāng)耗時(shí)費(fèi)工。而且， 輥壓裝置也必須非常的精密，否則即使金屬材料的延展性與材料強(qiáng)度俱佳，也 相當(dāng)容易產(chǎn)生軋延過(guò)程中破損失敗的情形。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，若利用輥輪軋延制程來(lái)薄化低熔點(diǎn)合金箔片(Low melting alloy， LMA)，會(huì)有下列的問(wèn)題產(chǎn)生。一、 低熔點(diǎn)合金箔片的材料強(qiáng)度并不佳，而輥輪軋延制程必須經(jīng)過(guò)反復(fù)地 激烈加工，這將使合金箔片的材料結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變化，而導(dǎo)致加工硬化，使后續(xù)軋 延作業(yè)益形困難。二、 利用輥輪軋延制程所薄化而得的低熔點(diǎn)合金箔片，在室溫下若經(jīng)過(guò)2 3 個(gè)月的存放后，會(huì)發(fā)生脆化的現(xiàn)象，亦即所謂的「時(shí)效脆化」。如圖3A所示，經(jīng)過(guò)反復(fù)地激烈加工的低熔點(diǎn)合金箔片其材料微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生 變化，而含有大量的大角度(或銳角)的金屬相。因此，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，在 加工殘留應(yīng)力的作用下，低熔點(diǎn)合金箔片的龜裂就會(huì)由這些尖銳角處產(chǎn)生，而 造成脆化及破裂，如圖3B所示。因此，公知輥輪軋延制程最多僅能將低熔點(diǎn)合金箔片24的厚度薄化至 0.05mm，且很容易出現(xiàn)合金箔片24結(jié)構(gòu)脆化，甚至破裂的失效情形。另外，除了輥輪軋延制程之外，亦有一個(gè)快速凝固制造工藝(Rapid Solidification Process ， RSP)可用來(lái)制作合金箔片。此制造工藝是將高溫熔解 的合金溶液設(shè)置于一具有細(xì)縫的溶液槽中。通過(guò)加壓裝置將熔融合金溶液由細(xì) 縫擠出，而形成一 「水瀑」，接著急速冷卻且貼附在一高速旋轉(zhuǎn)且具冷卻裝置的 銅輪上，進(jìn)而形成一連續(xù)的合金箔片。但是，低熔點(diǎn)合金箔片(Low melting alloy, LMA)的材料熔點(diǎn)較一般合 金材料低許多，使得在制作過(guò)程中無(wú)法具有足夠的溫差，亦即冷卻速率。因此，使用此快速成型制程所制作出來(lái)的低熔點(diǎn)合金箔片會(huì)有不連續(xù)、易脆、具孔洞 及厚度不均等問(wèn)題發(fā)生。因此，如何有效薄化低熔點(diǎn)合金箔片的厚度，且保有其應(yīng)有的材料結(jié)構(gòu)及 特性，為當(dāng)前技術(shù)所必需。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，能使制 造出來(lái)的低熔點(diǎn)合金箔片，可達(dá)到極薄的厚度，且不會(huì)發(fā)生結(jié)構(gòu)脆化或破裂的 問(wèn)題。本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，應(yīng) 用本發(fā)明所制造出來(lái)的極薄低熔點(diǎn)合金箔片，可以有效降低散熱系統(tǒng)中熱阻抗(R)，并提升散熱系統(tǒng)的散熱效果。本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，應(yīng) 用本發(fā)明所制造出來(lái)的極薄低熔點(diǎn)合金箔片，可以有效避免低熔點(diǎn)合金箔片受 熱熔融時(shí)，泄漏至散熱系統(tǒng)外的情形。本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，制造過(guò)程是通過(guò)一模具組來(lái) 執(zhí)行。此模具組具有一上模仁與一下模仁，上模仁具有一平坦的下表面，下模仁具有一平坦的上表面且面向上模仁的下表面，此制造方法包括下列步驟放置一低熔點(diǎn)合金材料于下模仁的上表面上方；加熱模具組，使低熔點(diǎn)合金材料 熔融；通過(guò)上模仁或下模仁的移動(dòng)，縮減上模仁的下表面與下模仁的上表面的 間距，使低熔點(diǎn)合金材料被壓合于上模仁與下模仁之間；最后，冷卻模具組， 使熔融的低熔點(diǎn)合金材料形成低熔點(diǎn)合金箔片。本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，其通過(guò)具有一上模仁與一下 模仁的一模具組來(lái)執(zhí)行。上模仁具有一平坦的下表面，下模仁具有一平坦的上 表面且面向上模仁的下表面，此制造方法包括下列步驟設(shè)置一熔融的低熔點(diǎn) 合金材料于下模仁的上表面上；縮減上模仁的下表面與下模仁的上表面的間距，使低熔點(diǎn)合金材料被壓合于上模仁與下模仁之間。最后，冷卻模具組，使熔融 的低熔點(diǎn)合金材料形成低熔點(diǎn)合金箔片。本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，其通過(guò)具有一上模仁與一下 模仁的一模具組來(lái)執(zhí)行。上模仁具有一平坦的下表面，下模仁具有一平坦的上 表面且面向上模仁的下表面，此制造方法包括下列步驟將模具組置放于一具 有熔融的低熔點(diǎn)合金材料的槽內(nèi)，以使上模仁與下模仁之間充滿低熔點(diǎn)合金材 料；縮減上模仁的下表面與下模仁的上表面的間距，使低熔點(diǎn)合金材料被壓合 于上模仁與下模仁之間；將模具組移至槽外，并冷卻模具組，使熔融的低熔點(diǎn)合金材料形成低熔點(diǎn)合金箔片。


圖1為公知散熱系統(tǒng)的示意圖；圖2為公知低熔點(diǎn)合金箔片的薄化方法示意圖；圖3A及圖3B為通過(guò)傳統(tǒng)的輥輪軋延制程所制成的低熔點(diǎn)合金箔片的材料 分析圖；圖4A為本發(fā)明低熔點(diǎn)合金箔片的薄化方法示意圖；以及 圖4B為本發(fā)明低熔點(diǎn)合金箔片的薄化方法示意圖。 附圖標(biāo)記說(shuō)明10:散熱系統(tǒng)11:散熱器12:電子元件13:電路基板14:熱界面材料24、 34:低熔點(diǎn)合金箔片(材料)22:輥壓裝置30:模具組31:上模仁31a:下表面32:下模仁32a:上表面33:平板結(jié)構(gòu)35:墊片具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，其為本發(fā)明低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法示意圖。 如圖4A所示，低熔點(diǎn)合金箔片34的制造過(guò)程是通過(guò)一模具組30來(lái)執(zhí)行。 此模具組30至少具有一上模仁31與一下模仁32，上模仁31具有一平坦的下 表面31a，下模仁32具有一平坦的上表面32a，且其面向上模仁31的下表面 31a。制造方法至少包括下列步驟放置低熔點(diǎn)合金材料34于下模仁32的上表面32a上方，此步驟中的低熔 點(diǎn)合金材料34為一起始材料，可以是固態(tài)或液態(tài)，而形狀可以是塊狀、板片狀、 粒狀、球狀或滴狀。接著，加熱模具組30，使低熔點(diǎn)合金材料34熔融。其中，在較佳實(shí)施例 中，加熱的溫度范圍約介于低熔點(diǎn)合金材料34的熔點(diǎn)與上述熔點(diǎn)再加10~20'C 之間。低熔點(diǎn)合金材料34受熱熔融后，通過(guò)上模仁31下移或下模仁32上移的動(dòng) 作，來(lái)縮減上模仁31的下表面31a與下模仁32的上表面32a的間距。因此， 低熔點(diǎn)合金材料34被壓合于上模仁31與下模仁32間的間隙，如圖4B所示。 由于低熔點(diǎn)合金材料34的上下空間被擠壓而縮減，故低熔點(diǎn)合金材料34遂向 四周擴(kuò)散，有部分甚至流出間隙外。上述縮減上模仁31的下表面與下模仁32的上表面的間距的步驟為所謂的 合模過(guò)程，此過(guò)程的合模靜持壓力約為2-10kg/cm2，合模速度為5-20cm/min。經(jīng)過(guò)合模過(guò)程后，冷卻模具組30與低熔點(diǎn)合金材料34，使低熔點(diǎn)合金材 料34固化成所需的低熔點(diǎn)合金箔片34。其中，由于上述低熔點(diǎn)合金材料34的 上下空間被壓擠而縮減，所以固化后的低熔點(diǎn)合金箔片34便具有更薄的厚度。 最后，移開(kāi)上模仁31與下模仁32，以取出所需的低熔點(diǎn)合金箔片34。上述的低熔點(diǎn)合金箔片34具有低熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)、熱熔相變化填補(bǔ)介面微孔 隙的特性，其主要是由必要的銦(In)以及鉍(Bi)、錫(Sn)、和鋅(Zn)等 元素的部份或全部組合而成，組成元素可為Sn-In、 In-Bi-Sn或In-Bi-Sn-Zn。此外，前述主要組成合金更可包括至少一種非毒害環(huán)境元素，例如銀、銅、鈦、鍺、鋁、鈰、鑭或硅等元素。低熔點(diǎn)合金箔片34可依上述組成元素的不同而有 55'C至85t:不等的熔點(diǎn)變化。另外，值得注意的是，可通過(guò)上模仁31的下表面31a與下模仁32的上表 面32a的間距的大小來(lái)調(diào)整所需的低熔點(diǎn)合金箔片34的厚度。在較佳實(shí)施例中， 上述間距可縮減至0.04mm以下，使低熔點(diǎn)合金箔片34的厚度可薄至0.04mm 以下，且低熔點(diǎn)合金箔片34仍保有良好的結(jié)構(gòu)特性，也沒(méi)有產(chǎn)生破裂的情形。本實(shí)施例中，在放置低熔點(diǎn)合金材料34于下模仁32的上表面32a的步驟 前，若低熔點(diǎn)合金材料34為一低熔點(diǎn)合金板片時(shí)，可先行利用公知技術(shù)的輥壓 裝置22對(duì)低熔點(diǎn)合金板片進(jìn)行軋延動(dòng)作，以初步降低低熔點(diǎn)合金板片的厚度。 在一實(shí)施例中，以不破壞到合金箔片結(jié)構(gòu)為前提，可初步將低熔點(diǎn)合金板片的 厚度輥壓至O.lmm。上述的初步輥壓薄化動(dòng)作，可加速后續(xù)的加熱融化低熔點(diǎn) 合金板片的時(shí)間。另外，由于熔融的低熔點(diǎn)合金材料34可能具有沾黏性，所以模具組30的 上模仁31與下模仁32可為抗合金箔片熱熔沾黏的材質(zhì)所制成，以防止低熔點(diǎn) 合金材料34沾黏至上、下模仁31、 32的表面。或者，亦可選擇性地先于上模 仁31的下表面31a與下模仁32的上表面32a各設(shè)置一抗合金箔片熱熔沾黏的 平板結(jié)構(gòu)33后，再進(jìn)行后續(xù)制造工藝。在另一實(shí)施例中，為了有效地固定合金箔片34成形厚度以及保持厚度的均 勻性，在縮減上模仁31的下表面31a與下模仁32的上表面32a的間距的步驟 前，可設(shè)置至少一墊片35于下模仁32的上表面32a上，以限制上述間距。也 就是說(shuō)，墊片35的設(shè)置可防止上述間距過(guò)度的縮減，而將間距的大小控制為墊 片35的厚度。當(dāng)然，墊片35設(shè)置于上模仁31的下表面31a上亦可得到相同的 功效。在上述實(shí)施例中，先放置低熔點(diǎn)合金材料34于下模仁32的上表面32a， 并加熱模具組30，使低熔點(diǎn)合金材料34熔融后，再進(jìn)行后續(xù)的制造步驟。然而，在另一實(shí)施例中，可先行將低熔點(diǎn)合金材料34融化，然后直接設(shè)置 到下模仁32的上表面32a，或者上模仁31的下表面31a與下模仁32的上表面 32a之間。同時(shí)模具組30持續(xù)被加熱，且模具組30的溫度超過(guò)低熔點(diǎn)合金材 料34的熔點(diǎn)，使低熔點(diǎn)合金材料34保持液態(tài)。接著，與上述步驟相似，通過(guò)上模仁31或下模仁32的移動(dòng)，縮減上模仁 31的下表面31a與下模仁32的上表面32a的間距，使低熔點(diǎn)合金材料34被壓 合于上模仁31與下模仁32之間。最后，冷卻模具組30與低熔點(diǎn)合金材料34 后，使低熔點(diǎn)合金材料34固化成所需的低熔點(diǎn)合金箔片34。上述實(shí)施例皆為將低熔點(diǎn)合金材料先置放于上模仁與下模仁之間，再進(jìn)行 合模壓合等程序。在另一實(shí)施例中，亦可直接將模具組置放于一具有熔融的低 熔點(diǎn)合金材料的槽內(nèi)，使上模仁與下模仁之間充滿低熔點(diǎn)合金材料。接著，縮 減上模仁的下表面與下模仁的上表面的間距，使低熔點(diǎn)合金材料被壓合于上模 仁與下模仁之間。最后，將模具組移至槽外，并冷卻模具組，使上模仁與下模仁之間的熔融 的低熔點(diǎn)合金材料形成低熔點(diǎn)合金箔片。綜上所述，本發(fā)明的低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法具有下列優(yōu)點(diǎn)一、 本發(fā)明的低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法可謂一種「液態(tài)壓模薄化制程 (Liquid Die-pressing)」，為直接由液態(tài)的低熔點(diǎn)合金材料作一次性的薄化加工，即可制造出超薄的低熔點(diǎn)合金箔片，而不須經(jīng)過(guò)多次的制造作業(yè)。二、 與輥輪軋延制造工藝相比較，本發(fā)明的低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法可 大幅縮短作業(yè)時(shí)間、可達(dá)到更薄的厚度(小于0.04mm)、不易破裂及不會(huì)有時(shí) 效脆化的問(wèn)題。三、 與快速凝固制造工藝(Rapid Solidification Process ， RSP)相比較， 本發(fā)明的制造方法操作更為簡(jiǎn)單，且可克服低熔點(diǎn)合金箔片不連續(xù)、厚度不均 勻、易脆化、具孔洞等缺點(diǎn)。四、 本發(fā)明的制造方法簡(jiǎn)單有效，只要精確地控制合模靜持壓力、合模速度、模仁間距及冷卻溫度梯度等，即可快速地生產(chǎn)出厚度不大于0.04mm，且厚 度均勻而完整的低熔點(diǎn)合金箔片。五、 本發(fā)明的制造方法可有效制造出極薄的低熔點(diǎn)合金箔片，以有效降低 散熱系統(tǒng)中熱阻抗(R)，并提升散熱系統(tǒng)的散熱效果。六、 在散熱系統(tǒng)中，當(dāng)電子元件在作用而發(fā)熱時(shí)，若低熔點(diǎn)合金箔片愈薄， 則箔片受熱熔融的熔液愈不易過(guò)度流動(dòng)。因此，通過(guò)本發(fā)明的制造方法，可有 效薄化低熔點(diǎn)合金箔片的厚度，以避免低熔點(diǎn)合金箔片受熱熔融時(shí)，泄漏至散 熱系統(tǒng)外的情形。本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明精神與發(fā)明實(shí)體 僅止于上述實(shí)施例爾。對(duì)熟悉此項(xiàng)技術(shù)者，當(dāng)可輕易了解并利用其它元件或方 式來(lái)產(chǎn)生相同的功效。因此，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均 應(yīng)包含在權(quán)利要求書(shū)內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，該制造方法是通過(guò)具有一上模仁與一下模仁的一模具組來(lái)執(zhí)行，該上模仁具有一平坦的下表面，該下模仁具有一平坦的上表面且面向該上模仁的下表面，該制造方法包括下列步驟放置一低熔點(diǎn)合金材料于該下模仁的上表面上；加熱該模具組，使該低熔點(diǎn)合金材料熔融；縮減該上模仁的下表面與該下模仁的上表面的間距，使該低熔點(diǎn)合金材料被壓合于該上模仁與該下模仁之間；以及冷卻該模具組，使熔融的該低熔點(diǎn)合金材料形成該低熔點(diǎn)合金箔片。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與該 下模仁的上表面的間距的步驟中，該間距可縮減至0.04mm以下，使該低熔點(diǎn) 合金箔片的厚度可薄至0，04mm以下。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，.放置該低熔點(diǎn)合金材料于該 下模仁上表面的步驟前，當(dāng)該低熔點(diǎn)合金材料為一低熔點(diǎn)合金板片時(shí)，該制造 方法更包含先軋延該低熔點(diǎn)合金板片，以初步降低該低熔點(diǎn)合金板片的厚度的 步驟。
4. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與該 下模仁的上表面的間距的步驟前，該制造方法更包括設(shè)置至少一墊片于該下模 仁的上表面的步驟，以限制上述的間距。
5. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，該低熔點(diǎn)合金箔片的組成由 必要的銦以及鉍、錫、和鋅元素的部份或全部組合而成。
6. —種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，該制造方法是通過(guò)具有一上模仁與一 下模仁的一模具組來(lái)執(zhí)行，該上模仁具有一平坦的下表面，該下模仁具有一平 坦的上表面且面向該上模仁的下表面，該制造方法包括下列步驟-設(shè)置一熔融的低熔點(diǎn)合金材料于該下模仁的上表面上； 縮減該上模仁的下表面與該下模仁的上表面的間距，使該低熔點(diǎn)合金材料被壓合于該上模仁與該下模仁之間；以及冷卻該模具組，使熔融的該低熔點(diǎn)合金材料形成該低熔點(diǎn)合金箔片。
7. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與該 下模仁的上表面的間距的步驟中，該間距可縮減至0.04mm以下，使該低熔點(diǎn) 合金箔片的厚度可薄至0.04mm以下。
8. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與該 下模仁的上表面的間距的步驟前，該制造方法更包括加熱該模具組，使該模具 組的溫度超過(guò)該低熔點(diǎn)合金材料的熔點(diǎn)的步驟。
9. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與該 下模仁的上表面的間距的步驟前，該制造方法更包括設(shè)置至少一墊片于該下模 仁的上表面的步驟，以限制上述的間距。
10. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征是，該低熔點(diǎn)合金箔片的組成 由必要的銦以及鉍、錫、和鋅元素的部份或全部組合而成。
11. 一種低熔點(diǎn)合金箔片的制造方法，該制造方法是通過(guò)具有一上模仁與一 下模仁的一模具組來(lái)執(zhí)行，該上模仁具有一平坦的下表面，該下模仁具有一平 坦的上表面且面向該上模仁的下表面，該制造方法包括下列步驟將該模具組置放于一具有熔融的低熔點(diǎn)合金材料的槽內(nèi)，使該上模仁與該 下模仁之間充滿該低熔點(diǎn)合金材料；縮減該上模仁的下表面與該下模仁的上表面的間距，使該低熔點(diǎn)合金材料 被壓合于該上模仁與該下模仁之間；以及冷卻該模具組，使熔融的該低熔點(diǎn)合金材料形成該低熔點(diǎn)合金箔片。
12. 如權(quán)利要求ll所述的制造方法，其特征是，冷卻該模具組的步驟前， 該制造方法更包括將該模具組移出具有熔融的該低熔點(diǎn)合金材料的槽內(nèi)的步 驟。
13. 如權(quán)利要求ll所述的制造方法，其特征是，縮減該上模仁的下表面與 該下模仁的上表面的間距的步驟中，該間距可縮減至0.04mm以下，使該低熔 點(diǎn)合金箔片的厚度可薄至0.04mm以下。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種低熔點(diǎn)合金超薄箔片的制造方法，制造過(guò)程是通過(guò)一模具組來(lái)執(zhí)行。此模具組具有一上模仁與一下模仁，上模仁具有一平坦的下表面，下模仁具有一平坦的上表面且面向上模仁的下表面，此制造方法包括下列步驟放置一低熔點(diǎn)合金材料于下模仁的上表面上方；加熱模具組，使低熔點(diǎn)合金材料熔融；通過(guò)上模仁或下模仁的移動(dòng)，縮減上模仁的下表面與下模仁的上表面的間距，使低熔點(diǎn)合金材料被壓合于上模仁與下模仁之間；最后，冷卻模具組，使熔融的低熔點(diǎn)合金材料形成低熔點(diǎn)合金箔片。
文檔編號(hào)B22D23/06GK101406951SQ20071016274
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月8日
發(fā)明者林成全, 蕭復(fù)元 申請(qǐng)人:元瑞科技股份有限公司;蕭復(fù)元