專利名稱：SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織的制備方法，特別是用于 SiCp/AZ61鎂基復合材料半固態(tài)觸變成形的重熔組織的制備方法。
技術(shù)背景SiC顆粒增強鎂基復合材料具有重量輕，比強度、比剛度高、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的耐磨性和抗疲勞性以及成本低等優(yōu)異的綜合性能，被普遍認為是一種較理想的結(jié)構(gòu)材料。但是SiC顆粒引入，使得鎂基復合材料在提高強度、硬度、彈性模量的同時，卻大大地降低了其塑性，不利于對其二次塑性加工。然而隨著半固態(tài)觸變成形技術(shù)和 理論不斷成熟與發(fā)展，為鎂基復合材料的半固態(tài)觸變成形開拓了新的發(fā)展方向。半固態(tài)觸變成形工藝中有如下三個關(guān)鍵工序(1)非枝晶坯料的制備；(2)坯料 的重熔；(3)觸變成形。其中坯料的重熔工藝是整個觸變成形的關(guān)鍵，而重熔組織的 好壞對其觸變成形有重要的影響。中國專利申請200710068156.3中公開了一種用半固態(tài)的方法制備SiCp/AZ61鎂基 復合材料，該復合材料微觀結(jié)構(gòu)好，不但氣孔較少，而且SiC顆粒分布非常均勻。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種中國專利申請200710068156.3中所述的SiCp/AZ61鎂基 復合材料重熔組織的制備方法。本發(fā)明所述的SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織的制備，是以該SiCp/AZ61鎂基 復合材料作為制備材料，釆用半固態(tài)等溫熱處理法進行重熔組織的制備，其重熔加熱 溫度取595。C 600。C、保溫時間取30 rain 60min。本發(fā)明所述的重熔加熱，是在電阻爐中進行的。由于鎂合金在高溫時易燃燒，本發(fā)明所述的制備方法的加熱過程，是在石墨覆蓋 的條件下進行的，也可以在氣體(氬氣)保護下進行。本發(fā)明在中國專利申請200710068156. 3中公開的SiCp/AZ61鎂基復合材料的基礎(chǔ) 上，采用半固態(tài)等溫熱處理法，工藝簡單，操作方便，使傳統(tǒng)觸變成形的三步驟變?yōu)?二步驟(坯料的重熔、觸變成形)。該制備方法所得到的SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織，其球狀晶粒組織比較好， 能獲得了細小而均勻的半固態(tài)球狀重熔組織，完全滿足其觸變成形的要求，而且工藝
簡單、安全可靠，無三廢污染。


圖1為重熔溫度595°C，保溫時間30min條件下的重熔組織結(jié)構(gòu)圖。 圖2為重熔溫度595°C，保溫時間60min條件下的重熔組織結(jié)構(gòu)圖。 圖3為重熔溫度600°C，保溫時間30min條件下的重熔組織結(jié)構(gòu)圖。 圖4為重熔溫度600°C，保溫時間60min條件下的重熔組織結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
本發(fā)明將通過以下實施例作進一步的說明。 實施例1。取重熔溫度為595°C，保溫時間為30min，重熔是在井式電阻爐中，在石墨覆蓋的 條件下進行的，其得到的重熔組織結(jié)構(gòu)如圖l所示。 實施例2。取重熔溫度為595°C，保溫時間為60min，重熔是在箱式電阻爐中，在石墨覆蓋的 條件下進行的，其得到的重熔組織結(jié)構(gòu)如圖2所示。 實施例3。取重熔溫度為60(TC，保溫時間為30min，重熔是在箱式電阻爐中，在石墨覆蓋的 條件下進行的，其得到的重熔組織結(jié)構(gòu)如圖3所示。 實施例4。取重熔溫度為600°C 保溫時間為60min，重熔是在井式電阻爐中，在石墨覆蓋的 條件下進行的，其得到的重熔組織結(jié)構(gòu)如圖4所示。
權(quán)利要求
1、一種SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織的制備方法，在電阻爐中、用石墨覆蓋SiCp/AZ61鎂基復合材料的條件下進行重熔，其特征是重熔加熱溫度為595℃～600℃、保溫時間為30min～60min。
全文摘要
一種SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織的制備方法，在電阻爐中、用石墨覆蓋SiCp/AZ61鎂基復合材料的條件下進行重熔，其特征是重熔加熱溫度為595℃～600℃、保溫時間為30min～60min，本發(fā)明所述的制備方法得到的SiCp/AZ61鎂基復合材料重熔組織，球狀晶粒組織比較好，能獲得了細小而均勻的半固態(tài)球狀重熔組織，完全滿足其觸變成形的要求，而且工藝簡單、安全可靠，操作方便，使傳統(tǒng)觸變成形的三步驟變?yōu)槎襟E(坯料的重熔、觸變成形)，且無三廢污染。
文檔編號C22C23/00GK101130836SQ200710071589
公開日2008年2月27日 申請日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者張發(fā)云, 洪 閆 申請人:南昌大學