專利名稱：雙面拋光機的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及雙面拋光機，尤其涉及一種帶有活動齒圈的雙面拋光機。
背景技術：
通常，在進行半導體晶片加工的過程中，根據不同的需要，分別使用雙面拋光機和單面拋光機進行雙面拋光和單面拋光。一般來說，雙面拋光機加工出的晶片的平整度比單面拋光的要好。
如圖1和2所示為傳統的雙面拋光機，其中圖1為其使用狀態(tài)的俯視圖，圖2為側剖視圖。根據附圖，傳統拋光機包括內齒圈4和外齒圈5，內齒圈4設置在外齒圈5內的中心位置處；上拋光盤3和下拋光盤3’，所述上拋光盤3和下拋光盤3’呈圓環(huán)形，環(huán)繞內齒圈4而設置在內齒圈4和外齒圈5之間；以及用于承載加工件2(即晶片)的加工件承載件1，所述加工件承載件1設置在內齒圈4和外齒圈5之間。所述加工件承載件1具有與雙面拋光機的內齒圈4和外齒圈5相匹配的齒輪模數、齒數和直徑，以與內齒圈4和外齒圈5嚙合。加工件承載件1位于上拋光盤3和下拋光盤3’之間，拋光時，上拋光盤3和下拋光盤3’對加工件承載件1所承載的晶片2進行雙面拋光。
在進行雙面拋光時，在內齒圈4和外齒圈5的帶動下，加工件承載件1直接約束和帶動晶片2按一定軌跡運動，同時由上拋光盤3和下拋光盤3’進行拋光，實現雙面拋光。通常所采用的加工件承載件1很薄，一般在600微米左右。
然而，這樣的雙面拋光機存在有一定不足。由于進行雙面拋光，所以拋光的危險性也較大，對拋光晶片的厚度有要求，一般不能低于300微米。因此，在實踐中，對于很薄的晶片只能選擇單面拋光。這樣一來，由于單面拋光機所加工的晶片平整度劣于雙面拋光機所加工的平整度，因此，對于薄/超薄晶片就不能夠獲得較高的平整度。

發(fā)明內容
考慮到以上問題，提出了本發(fā)明，以便至少部分地解決上述問題。
本發(fā)明的目的是提供一種雙面拋光機，該雙面拋光機能夠實現單面拋光加工，從而能夠發(fā)揮雙面拋光機加工得到的晶片平整度好的優(yōu)點，獲得單面高平整度薄/超薄晶片。
本發(fā)明一種雙面拋光機，包括內齒圈和外齒圈，所述內齒圈設置于外齒圈內中心位置處；上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤呈圓環(huán)形，環(huán)繞內齒圈而設置在內齒圈和外齒圈之間；以及至少一個單面拋光用晶片固定盤，貼附多個被加工的晶片；其特征在于，所述雙面拋光機還包括至少一個活動齒圈，所述至少一個活動齒圈設置在內齒圈與外齒圈之間并且在上拋光盤與下拋光盤之間，所述至少一個活動齒圈與內齒圈、外齒圈嚙合；所述至少一個活動齒圈上設有貫通孔，晶片固定盤設置在所述貫通孔中。
其中所述活動齒圈比所述晶片固定盤薄。
其中所述活動齒圈比所述晶片固定盤薄0.3毫米以上。
通過實際應用，這種能夠實現單面拋光的雙面拋光機具有生產實用性，拋光后的晶片單片平整度以及多片平整度一致性得到提升，充分發(fā)揮了雙面拋光機的性能優(yōu)點進行單面晶片拋光，突破了單面高平整度超薄晶片的加工難點。


為進一步說明本發(fā)明的具體技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中圖1為傳統雙面拋光機的使用狀態(tài)的俯視圖；圖2為傳統雙面拋光機的使用狀態(tài)的側剖視圖；圖3為根據本發(fā)明的實施例所述的雙面拋光機的使用狀態(tài)的俯視圖；以及圖4為根據本發(fā)明的實施例所述的雙面拋光機的使用狀態(tài)的側剖視圖。
具體實施例方式
以下參考附圖3和4詳細描述根據本發(fā)明的實施例所述的雙面拋光機，其中圖3為其使用狀態(tài)的俯視圖，圖4為側剖視圖。
在圖中，所述雙面拋光機包括內齒圈24和外齒圈25，所述內齒圈24設置于外齒圈25內中心位置處；上拋光盤23和下拋光盤23’，所述上拋光盤23和下拋光盤23’呈圓環(huán)形，環(huán)繞內齒圈24而設置在內齒圈24和外齒圈25之間。在所述雙面拋光機中，代替?zhèn)鹘y的加工件承載件，采用了根據雙面拋光機的內外齒圈模數、齒數和直徑設計的有一定厚度的活動齒圈21。所述活動齒圈21由高強度塑料制成?；顒育X圈21設置在內齒圈24與外齒圈25之間且與內齒圈24、外齒圈25嚙合，并且位于上拋光盤與下拋光盤23’之間?；顒育X圈21上設有貫通孔(圖中未示)，在進行拋光時，單面拋光通用的粘貼晶片的晶片固定盤26容納在所述活動齒圈21上的貫通孔中。通?；顒育X圈21的厚度小于晶片固定盤26的厚度，優(yōu)選活動齒圈21的厚度比晶片固定盤26的厚度薄0.3毫米以上。
使用時，將多個晶片22貼在晶片固定盤26上之后，將整個晶片固定盤26放置于活動齒圈21的貫通孔(圖中未示)中且在雙面拋光機的下拋光盤23’上，由活動齒圈21帶動晶片固定盤26運動，利用上拋光盤23進行晶片22正面的拋光，從而實現雙面拋光機的單面拋光。
然而，可以理解，本發(fā)明并不局限于以上內容。例如，本發(fā)明所述的雙面拋光機可以同時使用多個活動齒圈21，并且在對應多個活動齒圈21而設的多個晶片固定盤26上可以同時粘貼若干晶片22，以提高加工效率。
由此，本發(fā)明提供一種雙面拋光機，其中用設有貫通孔的活動齒圈代替?zhèn)鹘y雙面拋光機中的加工件承載件，實現了雙面拋光機的單面拋光加工，同時發(fā)揮了雙面拋光機加工得到的晶片平整度高的性能優(yōu)點，突破了單面高平整度超薄晶片的加工難點。
盡管在此示出和描述了本發(fā)明的實施例，但本領域的技術人員將會理解，在不偏離本發(fā)明的原理和實質的情況下可以對這些實施例進行變化，其中本發(fā)明的范圍限定在權利要求及其等同物的范圍內。
權利要求
1.一種雙面拋光機，包括內齒圈和外齒圈，所述內齒圈設置于外齒圈內中心位置處；上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤呈圓環(huán)形，環(huán)繞內齒圈而設置在內齒圈和外齒圈之間；以及至少一個單面拋光用晶片固定盤，貼附多個被加工的晶片；其特征在于，所述雙面拋光機還包括至少一個活動齒圈，所述至少一個活動齒圈設置在內齒圈與外齒圈之間并且在上拋光盤與下拋光盤之間，所述至少一個活動齒圈與內齒圈、外齒圈嚙合；所述至少一個活動齒圈上設有貫通孔，晶片固定盤設置在所述貫通孔中。
2.如權利要求1所述的雙面拋光機，其特征在于，其中所述活動齒圈比所述晶片固定盤薄。
3.如權利要求2所述的雙面拋光機，其特征在于，其中所述活動齒圈比所述晶片固定盤薄0.3毫米以上。
全文摘要
一種雙面拋光機，包括內齒圈和外齒圈，所述內齒圈設置于外齒圈內中心位置處；上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤呈圓環(huán)形，環(huán)繞內齒圈而設置在內齒圈和外齒圈之間；以及至少一個單面拋光用晶片固定盤，貼附多個被加工的晶片；其特征在于，所述雙面拋光機還包括至少一個活動齒圈，所述至少一個活動齒圈設置在內齒圈與外齒圈之間并且在上拋光盤與下拋光盤之間，所述至少一個活動齒圈與內齒圈、外齒圈嚙合；所述至少一個活動齒圈上設有貫通孔，晶片固定盤設置在所述貫通孔中。
文檔編號B24B29/00GK101036976SQ20061005741
公開日2007年9月19日 申請日期2006年3月13日 優(yōu)先權日2006年3月13日
發(fā)明者朱蓉輝, 趙冀, 惠峰, 卜俊鵬, 鄭紅軍 申請人:中國科學院半導體研究所