專(zhuān)利名稱(chēng)：一種減小等離子損傷的刻蝕工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅刻蝕工藝，具體地涉及一種減小等離子損傷的刻蝕工藝。
背景技術(shù)：
多晶硅刻蝕一般在等離子工藝的反應(yīng)室里發(fā)生。在刻蝕的同時(shí)，等離子會(huì)對(duì)腔室部件造成損傷，使其使用壽命減少；同時(shí)，也會(huì)對(duì)MOS(金屬氧化半導(dǎo)體)器件造成損傷，使其性能下降。
美國(guó)專(zhuān)利US6277716公開(kāi)了一種使用可預(yù)報(bào)終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)來(lái)減少等離子損傷的多步刻蝕工藝，該工藝通過(guò)對(duì)每一步刻蝕步驟的終點(diǎn)進(jìn)行控制來(lái)減少刻蝕時(shí)間，從而減少等離子損傷。
但是，該方法需要復(fù)雜的控制和反饋算法的支持，工藝復(fù)雜，投資大，成本高。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的目的是提供一種工藝簡(jiǎn)單，成本低廉的減小等離子損傷的刻蝕工藝。
(二)技術(shù)方案本發(fā)明所述的減小等離子損傷的刻蝕工藝，包括BT步、主刻步、過(guò)刻步，它在以上步驟中的一步或幾步通入保護(hù)氣體。
其中，保護(hù)氣體選自H2、N2中的一種或幾種。
H2/N2混合氣體中H2與N2的比例沒(méi)有特殊要求。
本發(fā)明所述的減小等離子損傷的刻蝕工藝，通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為20-50W，H2流量為0-100sccm，N2流量為0-200sccm。
優(yōu)選地，通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為30-40W，H2流量為20-50sccm，N2流量為100-150sccm。
更優(yōu)選地，通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為35W，H2流量為20sccm，N2流量為130sccm。
(三)有益效果本發(fā)明所述的刻蝕工藝能有效減少等離子損傷，延長(zhǎng)腔室部件和硅片元件的使用壽命，保護(hù)MOS器件的性能。


圖1采用傳統(tǒng)刻蝕工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)受到了等離子損傷，表面有兩個(gè)打火造成的黑點(diǎn)；圖2采用本發(fā)明所述的刻蝕工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡。
具體實(shí)施例方式
以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1減小等離子損傷的刻蝕工藝與常規(guī)刻蝕工藝的不同之處在于在BT步中通入H2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為50W，H2流量為100sccm。
本工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
采用此工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡，有效減少了等離子損傷。
實(shí)施例2減小等離子損傷的刻蝕工藝與常規(guī)刻蝕工藝的不同之處在于在BT步中通入H2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為20W，H2流量為20sccm；在主刻步中通入N2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為50W，N2流量為200sccm。
本工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
采用此工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡，有效減少了等離子損傷。
實(shí)施例3減小等離子損傷的刻蝕工藝與常規(guī)刻蝕工藝的不同之處在于在BT步中通入N2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為30W，N2流量為100sccm；在主刻步中通入N2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為40W，N2流量為150sccm；在過(guò)刻步中通入H2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為35W，H2流量為50sccm；本工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
采用此工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡，有效減少了等離子損傷。
實(shí)施例4減小等離子損傷的刻蝕工藝與常規(guī)刻蝕工藝的不同之處在于在主刻步中通入N2和H2混合氣體，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為35W，N2流量為130sccm，H2流量為20sccm。
本工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
采用此工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡，有效減少了等離子損傷，如附圖2所示。
實(shí)施例5減小等離子損傷的刻蝕工藝與常規(guī)刻蝕工藝的不同之處在于在主刻步中通入H2和N2混合氣體，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為40W，H2流量為40sccm，N2流量為120sccm；在過(guò)刻步中通入H2，其工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為36W，H2流量為30sccm。
本工藝在北方微電子商業(yè)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
采用此工藝，使用3個(gè)月后的靜電卡盤(pán)表面沒(méi)有打火現(xiàn)象的痕跡，有效減少了等離子損傷。
權(quán)利要求
1.一種減小等離子損傷的刻蝕工藝，包括BT步、主刻步、過(guò)刻步，其特征在于在以上步驟中的一步或幾步通入保護(hù)氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕工藝，其特征在于保護(hù)氣體選自H2、N2中的一種或幾種。
3.如權(quán)利要求1或2所述的刻蝕工藝，其特征在于通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為20-50W，H2流量為0-100sccm，N2流量為0-200sccm。
4.如權(quán)利要求3所述的刻蝕工藝，其特征在于通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為30-40W，H2流量為20-50sccm，N2流量為100-150sccm。
5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕工藝，其特征在于通入保護(hù)氣體的刻蝕步驟的工藝參數(shù)設(shè)置為下RF功率為35W，H2流量為20sccm，N2流量為130sccm。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種減小等離子損傷的刻蝕工藝，包括BT步、主刻步、過(guò)刻步，它在以上步驟中的一步或幾步通入保護(hù)氣體，保護(hù)氣體選自H
文檔編號(hào)C23F4/00GK1848389SQ20051012645
公開(kāi)日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日
發(fā)明者武小娟 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司