專利名稱：可減少反應腔室沉積物的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種可減少反應腔室沉積物的方法，特別涉及一種在反應腔室內進行的刻蝕工藝，以此減少為清除沉積物所進行的定期維修保養(yǎng)作業(yè)的次數(shù)。
背景技術：
在集成電路(Integrated Circuits)的制造過程中，常常需要在硅片上做出極微細尺寸的圖案(Pattern)。而這些微細圖案最主要的形成方式，是利用刻蝕(Eating)技術，將微影(Lithography)技術所產生的光刻膠圖案，無論是線、面或孔洞，忠實無誤地轉印到光刻膠底下的材質，以形成整個集成電路所應有的復雜架構，因此，刻蝕技術與微影技術合稱為圖案轉印技術，在半導體工藝中占有極為重要的地位。
然而在刻蝕工藝中，反應腔室的內壁上總是會伴隨著一些因刻蝕工藝所產生的沉積物，反應腔室內壁上的沉積物會使刻蝕工藝的效率減低，為了使刻蝕工藝維持良好的效率，因此在刻蝕工藝結束后必須要有額外的灰化工藝，藉此清除反應腔室內壁上殘存的沉積物，來提高刻蝕工藝的效率。
但是在經過數(shù)千微米的薄膜刻蝕之后，因微粒剝落污染的問題，在此同時反應腔室內壁已累積了大量的沉積物，必須針對反應腔室的內壁及腔室內的刻蝕設備與零件，進行定期預防維護作業(yè)，消除包括反應腔室內壁上及刻蝕設備與零件上的沉積物，常見的定期預防維護方法是以手工的方式進行的，移除在反應腔室內壁上及刻蝕設備與零件上的沉積物。
然而因進行定期預防維護，是以手工方式進行設備保養(yǎng)，在保養(yǎng)的過程中可能會因為人為的疏忽而使得部分設備發(fā)生故障，人為的疏忽雖是不應該發(fā)生，但卻是在所難免的。
有鑒在此，本發(fā)明提出一種可減少反應腔室沉積物的方法，適用在反應腔室內的刻蝕設備進行的刻蝕工藝，以解決存在于通常技術中的這些缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種可減少反應腔室沉積物方法，它是因減少反應腔室內沉積物的產生，使得針對反應腔室內的設備零件及腔室內壁上的沉積物，所設計的定期維護保養(yǎng)的次數(shù)減少，并可降低定期維護保養(yǎng)的成本與人為的疏忽。
為達上述的目的，本發(fā)明可減少反應腔室沉積物的方法，適用在反應腔室內進行的刻蝕工藝，本方法是在同一反應腔室內將灰化工藝緊接在刻蝕工藝之后，灰化工藝促使反應腔室內壁上沉積物持續(xù)的減少，沉積物的減少可提升刻蝕的效率與品質，因反應腔壁上的沉積物累積速度的因灰化制成的作用而降低，相對的也使進行定期預防維護的次數(shù)減少，除可減少定期維修保養(yǎng)的費用外，還可降低人為疏忽發(fā)生的可能性，另外，本方法可使產品刻蝕時間縮短，可達到節(jié)省工時的效果。
以下結合附圖及具體實施例進一步說明本發(fā)明的目的、技術內容、特點及其有益效果。


圖1為本發(fā)明的可減少反應腔室沉積物方法的流程示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明是為了改善因定期維修保養(yǎng)作業(yè)所產生的人為疏忽，減少反應腔室內刻蝕設備與零件及腔壁定期維修保養(yǎng)的次數(shù)，提出一種可減少反應腔室沉積物的方法，本方法是在反應腔室內進行刻蝕工藝中加入灰化工藝，通過灰化工藝減少腔室內壁上沉積物的產生。
圖1為本發(fā)明的可減少反應腔室沉積物的方法的流程示意圖，首先如步驟S10所示，在反應腔室內依次進行刻蝕工藝及灰化工藝，刻蝕工藝可為干式刻蝕、濕式刻蝕或者是離子刻蝕，灰化工藝最常見的為氧離子灰化工藝(Oxide Plasma Ashing Process)，并且通入灰化工藝所需的氣體如氧氣，由灰化工藝來消除反應腔室內壁上的沉積物，由于腔壁上的沉積物會影響刻蝕工藝的效率，因為沉積物增加，刻蝕工藝的效率就越低；本方法較通常技術更為實時的消除腔壁上的沉積物，刻蝕的效率高，刻蝕的品質與完成的速度亦能夠獲得提高。
然后如步驟S20所示，在刻蝕工藝結束后，對反應腔室內的設備與零件及腔壁進行例行性定期預防保養(yǎng)作業(yè)，這種例行性定期預防保養(yǎng)，是因長期進行刻蝕所產生的微粒剝落污染將影響刻蝕精確，從而衍生出的必要作業(yè)程序。定期維修保養(yǎng)對在刻蝕工藝來說是很重要的。因灰化工藝并不能完全消除腔壁上的沉積物，僅能使腔壁上沉積物累積的速度減低，要完全的清除沉積物只有做定期維修保養(yǎng)一途，因此，為了維持刻蝕的品質與效率，進行例行性的定期維護保養(yǎng)作業(yè)就顯的格外的重要。
然而此種例行性定期預防保養(yǎng)是以手工方式進行，對設備的零件、反應腔室內以及腔室壁上的沉積物加以移除，工作人員需穿著遮蔽護套(liner)來清理沉積物，再者，手工的方式容易發(fā)生人為的疏忽，而使得設備的零件如電極的故障，無論是更換遮蔽護套，或者是人為的故障，皆會使恢復刻蝕作業(yè)所需的時間拉長，不符合經濟的效益。
本發(fā)明的方法在同一反應腔室內依次進行刻蝕工藝及灰化過程，與通常技術相比，反應腔室內的沉積物因灰化工藝的實時作用減少，刻蝕效率與品質因為腔壁上沉積物的減少而增加，更使得腔壁及設備與零件做定期維修保養(yǎng)的次數(shù)，因沉積物累積的速度較慢而少于通常技術，更何況比通常技術拉長了二次清洗平均間隔時間(MTBC)，本方法能達到減少定期維修保養(yǎng)次數(shù)的效果，可節(jié)省定期維修保養(yǎng)人力的費用及耗材的損失，達到降低人為疏忽的可能性。
以上所述的實施例僅為了說明本發(fā)明的技術思想及特點，其目的在使本領域的普通技術人員能夠了解本發(fā)明的內容并據(jù)以實施，本專利的范圍并不僅局限于上述具體實施例，即凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
1.一種可減少反應腔室沉積物的方法，適用于位于一反應腔室內的一刻蝕設備，所進行的一刻蝕工藝，包括下列步驟在該反應腔室內依次進行該刻蝕工藝及一灰化工藝，并通入該灰化工藝所需的一氣體，以此縮短使該灰化工藝消除該反應腔室內沉積物的時間；以及在刻蝕工藝結束后，對該反應腔室及該刻蝕設備進行一定期預防保養(yǎng)作業(yè)。
2.根據(jù)權利要求1所述的可減少沉積物的方法，其特征在于所述刻蝕工藝選自干式刻蝕、濕式刻蝕或離子刻蝕。
3.根據(jù)權利要求1所述的可減少沉積物的方法，其特征在于所述氣體為氧氣。
4.根據(jù)權利要求1所述的可減少沉積物的方法，其特征在于所述氣體形態(tài)為離子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可減少反應腔室沉積物的方法，適用在反應腔室內進行的刻蝕工藝，其包括以下步驟，首先，在反應腔室內依次進行刻蝕工藝及灰化工藝，并通入灰化工藝所需的氣體，以此縮短灰化工藝消除反應腔室內沉積物的時間；接著，在刻蝕工藝結束后，對反應腔室進行定期預防保養(yǎng)作業(yè)。本發(fā)明可減少反應腔室的沉積物與縮短產品的制造時間，減少了定期維修保養(yǎng)的次數(shù)，節(jié)省定期維修保養(yǎng)所需的人力和物力，并降低人為疏忽發(fā)生的可能性。
文檔編號C23F1/00GK1787182SQ200410089398
公開日2006年6月14日 申請日期2004年12月10日 優(yōu)先權日2004年12月10日
發(fā)明者卓震宇, 孫炳云, 呂明政 申請人:上海宏力半導體制造有限公司