專(zhuān)利名稱(chēng)：氣體驅(qū)動(dòng)的行星旋轉(zhuǎn)設(shè)備及用于形成碳化硅層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于旋轉(zhuǎn)一襯底的方法和設(shè)備，更特別而言，涉及用于為襯底提供氣體驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)的這類(lèi)方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
碳化硅(SiC)日益被看作電子裝置所用的一種有效半導(dǎo)體材料。SiC擁有許多使其對(duì)于需要在高溫、高功率和/或高頻率下操作的裝置的應(yīng)用特別有吸引力的屬性。SiC具有高效的傳熱能力并且能夠經(jīng)受高電場(chǎng)。
已經(jīng)證明，熱壁化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器可提供的SiC外延層的形態(tài)學(xué)和摻雜質(zhì)都勝過(guò)冷壁系統(tǒng)。例如，請(qǐng)看授予Kordina等人的美國(guó)專(zhuān)利No.5,695,567，其公開(kāi)內(nèi)容在此引入作為參考。而且還已經(jīng)證明，向熱壁CVD系統(tǒng)中增加襯底旋轉(zhuǎn)可以既改進(jìn)系統(tǒng)的每循環(huán)容量，又改進(jìn)所獲得的外延層的均一性。授予Frijlink的美國(guó)專(zhuān)利No.4,860,687公開(kāi)了一種裝置，其包括一平行于一基準(zhǔn)面旋轉(zhuǎn)的平感受器。這種公開(kāi)于其中的裝置可用于一氣相外延系統(tǒng)中。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件、一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。這種設(shè)備適于將驅(qū)動(dòng)氣體流引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使得主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)氣體流的至少一部分被從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與附母板之間，以便使得附母板在該至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件和一具有一上表面并且位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板。至少一個(gè)基本上沿徑向延伸、大致為直形的附驅(qū)動(dòng)槽道形成于主母板的上表面中。一附母板位于主母板和該至少一個(gè)附驅(qū)動(dòng)槽道上方。這種設(shè)備適于引導(dǎo)至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流通過(guò)附驅(qū)動(dòng)槽道，以便使得附母板繞著一旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件、一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。這種設(shè)備適于使得主母板沿一第一方向相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。附母板沿一與第一方向相反的第二方向相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。主母板的旋轉(zhuǎn)和附母板的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中至少有一個(gè)由驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的方法實(shí)施例，一種用于旋轉(zhuǎn)一物品的方法包括提供一種氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件、一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。物品被安放于附母板上。一襯底被安放于附母板上。一驅(qū)動(dòng)氣體流被引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使得主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)氣體流的至少一部分被從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與附母板之間，以便使得附母板在該至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的其它方法實(shí)施例，一種用于旋轉(zhuǎn)一物品的方法包括提供一種氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件、一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。物品被安放于附母板上。主母板沿一第一方向相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。附母板沿一與第一方向相反的第二方向相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。主母板的旋轉(zhuǎn)和附母板的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中至少有一個(gè)由驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
通過(guò)閱讀附圖及以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的目的，這些描述僅用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行示例說(shuō)明。


附圖包括于本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成了說(shuō)明書(shū)的一部分，其示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與文字描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種感受器組件的部件分解透視圖；圖2為圖1的感受器組件的透視圖；
圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一熱壁CVD系統(tǒng)的示意圖，其包括圖1的感受器組件；圖4為一形成了圖1的感受器組件的一部分的基座構(gòu)件的俯視圖；圖5為圖4的基座構(gòu)件的放大、局部、頂視圖；圖6為一形成了圖1的感受器組件的一部分的主母板的俯視圖；圖7為圖6的主母板沿圖6的線(xiàn)7-7剖開(kāi)的剖面圖；圖8為圖6的主母板沿圖6的線(xiàn)8-8剖開(kāi)的剖面圖；圖9為圖6的主母板沿圖6的線(xiàn)9-9剖開(kāi)的剖面圖；圖10為一形成了圖1的感受器組件的一部分的附母板的俯視圖；圖11為圖1的感受器組件的俯視圖，其中除去了其蓋構(gòu)件和側(cè)部構(gòu)件；圖12為圖1的感受器組件沿圖11的線(xiàn)12-12剖開(kāi)的剖面圖，其中為清楚起見(jiàn)其附母板之一被省去；以及圖13為根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的一種感受器組件的俯視圖，其中除去了其蓋構(gòu)件和側(cè)部構(gòu)件。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的附圖在下文中對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更充分的描述。然而，本發(fā)明可按照許多不同形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限定于此處所述的實(shí)施例；相反，所提供的這些實(shí)施例用來(lái)使得本公開(kāi)內(nèi)容將十分完整，并且將充分地向本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。相同的數(shù)字始終指的是相同的元件。
參看圖1和圖2，其中示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種感受器組件100。感受器組件100可用于如圖3中所示的熱壁CVD系統(tǒng)10中，其中示意性地示出了感受器100。除了感受器組件100之外，熱壁CVD系統(tǒng)都可為常規(guī)型構(gòu)造和用法。系統(tǒng)10包括一限定了一貫穿通道14的石英管12。管12被一RF線(xiàn)圈16所圍繞。組件100置于管12中。先驅(qū)氣體例如硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)與一純氫氣體(H2)載體一起引入并由其運(yùn)送穿過(guò)管12。RF線(xiàn)圈16感應(yīng)加熱感受器組件100以便提供一進(jìn)行SiC沉積反應(yīng)的熱區(qū)。更特別而言，一層SiC在目標(biāo)晶片20(示意性地示于圖3中)的外露表面上生長(zhǎng)。在閱讀此處的描述時(shí)，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解系統(tǒng)10的改型及其使用方法。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可用于其它類(lèi)型的反應(yīng)器中并可與其它類(lèi)型的加熱裝置和技術(shù)一起使用。
感受器組件100適于提供若干晶片20相對(duì)于系統(tǒng)10的反應(yīng)物氣體流和受熱部分的行星旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。更特別而言，感受器組件100使若干晶片20繞著一公共旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)L-L(圖12)旋轉(zhuǎn)并且同時(shí)使每個(gè)晶片繞著相應(yīng)的各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)(例如旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)Q-Q；圖12)旋轉(zhuǎn)。這些旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)各自都由一驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
現(xiàn)在更詳細(xì)地轉(zhuǎn)向感受器組件100，并且如圖1和2中看得最清楚，組件100包括一蓋構(gòu)件110、側(cè)壁構(gòu)件120和一基座構(gòu)件150，它們形成了一在組件100的上游或入口端110A處和出口或下游端110B處開(kāi)口的盒子。構(gòu)件110、120和150由緊固件122定位。一通道102從端110A向端110B完全延伸穿過(guò)組件100。一上襯墊124和一對(duì)下襯墊126分別安裝于蓋構(gòu)件110和基座構(gòu)件150上。優(yōu)選地，襯墊124、126的安裝和構(gòu)造方式如2001年十月30日提交、標(biāo)題為“用于可控地加熱物品的感應(yīng)加熱裝置及方法”、序號(hào)為10/017,492的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中所述，其公開(kāi)內(nèi)容在此全部引入作為參考。一主母板130置于通道102中并且安裝成可繞著一銷(xiāo)或軸140旋轉(zhuǎn)。母板130優(yōu)選地為圓盤(pán)形，如圖所示。三個(gè)附母板180安裝成可在主母板130上繞著相應(yīng)的軸柱193旋轉(zhuǎn)。晶片20(圖1)安裝于附母板180上。
參看圖1、4、5和12，基座構(gòu)件150具有一上表面151A。一排出通道154在鄰近出口端110B處形成于基座構(gòu)件150中并且終止于開(kāi)口154A中?；鶚?gòu)件150還包括一形成于上表面151A中的母板安裝部分160。一供氣通道170形成于基座構(gòu)件150中并且與螺紋入口孔172和部分160中的一出口孔174保持流體連通。一連接通道176提供了部分160與通道154之間的連通，如下文中所述。
母板安裝部分160優(yōu)選地為一凹槽或凹座，如圖所示。部分160具有一比較深的圓周環(huán)形槽道164、一內(nèi)側(cè)或中心凹槽162和多個(gè)基本沿徑向延伸的直形(即直線(xiàn))主驅(qū)動(dòng)槽道168，它們共同形成了多個(gè)位于其間的平臺(tái)166。優(yōu)選地，槽道168不會(huì)從直線(xiàn)上偏離超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)、低成本制造過(guò)程允許范圍(通常每英寸槽道長(zhǎng)度大約偏離0.001英寸)。主驅(qū)動(dòng)槽道168優(yōu)選地繞著中心凹槽162等間距地對(duì)稱(chēng)定位?？梢蕴峁└嗷蚋俚闹黩?qū)動(dòng)槽道168。中心凹槽162優(yōu)選地為圓形而通道164和中心凹槽162優(yōu)選地基本上為同心，如圖所示。
一軸凹槽163形成于中心凹槽162的中心。開(kāi)口174形成于中心凹槽162中從中心凹槽162的中心偏移開(kāi)的位置處。
槽道164的外側(cè)垂直壁164B向著上表面151A的周?chē)糠窒蛏涎由?。槽?64的內(nèi)側(cè)垂直壁164A向著平臺(tái)166向上延伸。連接通道176具有一位于槽道164的下壁中的上開(kāi)口和一位于通道154處的下開(kāi)口。
驅(qū)動(dòng)槽道168各自從一入口端168A向一出口端168B延伸。入口端168A各自與中心凹槽162相交而出口端168B各自與槽道164相交。驅(qū)動(dòng)槽道168相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心軸線(xiàn)L-L(參看圖12)成一定角度延伸。更特別而言，并且參看圖5，每個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道168限定了一延伸穿過(guò)槽道168的中心的中心槽道軸線(xiàn)N-N。軸線(xiàn)N-N從旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)L-L(其在圖5中穿過(guò)軸凹槽163的中心沿離開(kāi)紙面的方向延伸)偏移開(kāi)(即不與其相交)。一直基準(zhǔn)線(xiàn)M-M在驅(qū)動(dòng)槽道168的出口端處與槽道軸線(xiàn)N-N相交并且與一由槽道164的內(nèi)側(cè)垂直壁164A限定的基準(zhǔn)圓相切。槽道軸線(xiàn)N-N和基準(zhǔn)線(xiàn)M-M限定了一位于其間的夾角P。角度P小于90度。更優(yōu)選地，角度P介于大約35與75度之間。最優(yōu)選地，角度P介于大約45與65度之間。
優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)槽道168的寬度介于大約0.5與0.1英寸之間。優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)槽道168的深度介于大約0.002與0.020英寸之間。
優(yōu)選地，槽道164的外側(cè)垂直壁164B和母板130的外周邊緣134限定了一位于其間的間隙，間隙的寬度介于大約0.100與0.010英寸之間。優(yōu)選地，槽道164的寬度介于大約0.250與0.050英寸之間，而位于平臺(tái)166之下的深度介于大約0.100與0.020英寸之間。驅(qū)動(dòng)槽道168的長(zhǎng)度J和內(nèi)側(cè)垂直壁164A的直徑K(圖4)將取決于主母板130的尺寸。
優(yōu)選地，平臺(tái)166在上表面151A下方垂直凹下的距離大約與母板130的厚度相同。優(yōu)選地，中心凹槽162從平臺(tái)166垂直凹下一介于大約0.100與0.010英寸之間的距離。優(yōu)選地，中心凹槽162的直徑I(圖4)介于大約1.00英寸與主母板直徑的50％之間。
一驅(qū)動(dòng)氣體供應(yīng)裝置171連接于螺紋入口孔172上以便與通道170形成流體連通。供氣裝置171可以操作以便將加壓驅(qū)動(dòng)氣體流推入供氣通道170中。驅(qū)動(dòng)氣體供應(yīng)裝置171替代地或者另外還連接于驅(qū)動(dòng)氣體排出通道154上，以便從基座構(gòu)件150抽吸驅(qū)動(dòng)氣體。適用的供氣裝置包括可從Barnant Co.of Barrington，Illinois公司買(mǎi)到的Gilmont Instruments質(zhì)量流控制器。優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)氣體為非反應(yīng)性。更優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)氣體為惰性氣體，特別是氬或氦。最優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)氣體為氬。其它適用的驅(qū)動(dòng)氣體包括H2。
在圖11和12中看得最清楚，主母板130放在基座構(gòu)件150的母板安裝部分160(圖4)上方。參看圖1，6-9和12，主母板130基本上為圓形并且具有一上表面131A、一相對(duì)的下表面131B和一外周邊緣134。一軸凹槽133形成于下表面131B中。下表面131B優(yōu)選地基本平滑，除了軸凹槽133之外不帶任何槽或凸臺(tái)。
在圖6-9中看得最清楚，三個(gè)附凹穴190形成于主母板130的上表面131A中。一軸柱193從每個(gè)凹穴190向上延伸。優(yōu)選地，每個(gè)凹穴190的深度A(圖7)介于大約0.1與0.3英寸之間。優(yōu)選地，每個(gè)凹穴190的直徑B(圖7)介于大約0.005與0.2英寸之間，大于預(yù)定晶片的直徑。凹穴190優(yōu)選地繞著主母板130的中心(即軸線(xiàn)L-L)基本上等間距地定位。
三個(gè)通道和槽道陣列191分別位于每個(gè)凹穴190中。陣列191優(yōu)選地基本上相同，并且繞著母板130的中心對(duì)稱(chēng)地排列和定向。因此，在下文中將只對(duì)陣列之一進(jìn)行詳細(xì)描述，應(yīng)當(dāng)理解這種描述同樣適用于其它兩個(gè)陣列191。
陣列191包括三個(gè)形成于凹槽190內(nèi)主母板131的上表面131A中的附驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C。一進(jìn)給通道194A從下表面131B向上表面131A完全貫穿母板130延伸，并且與驅(qū)動(dòng)槽道192A形成流體交叉。一第二進(jìn)給通道194B從下表面131B向上表面131A完全貫穿母板130延伸，并且與驅(qū)動(dòng)槽道192B形成流體交叉。一形成于上表面131A中的進(jìn)給槽道196在每個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道192B和驅(qū)動(dòng)槽道192C之間延伸并且與其形成流體交叉，以便使得進(jìn)給通道194B通過(guò)進(jìn)給槽道196與驅(qū)動(dòng)槽道192C形成流體連接。
優(yōu)選地，每個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的深度C(圖7)介于大約0.002與0.020英寸之間，長(zhǎng)度D(圖6)介于大約晶片直徑的百分之20到80之間，而寬度E(圖6)介于大約0.1與0.5英寸之間。優(yōu)選地，每個(gè)進(jìn)給槽道196的深度F(圖9)介于大約0.006與0.080英寸之間，長(zhǎng)度G(圖6)介于大約晶片直徑的百分之25到100之間，而寬度H(圖6)介于大約0.02與0.3英寸之間。
優(yōu)選地，如所示，每個(gè)附驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C基本上為直形(即直線(xiàn))。然而，槽道192A、192B、192C也可為其它形狀(例如，曲線(xiàn)形或弓形)。
在圖12中看得最清楚，主母板130安裝于安裝部分160上方并且部分位于其內(nèi)。在圖12中，所示的主母板130處于浮動(dòng)或浮起位置上，如下所述。軸140的下端置于凹槽163中而軸140的上端置于凹槽133中。軸140的中心軸線(xiàn)限定了旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)L-L，其與主母板130的上表面131A正交。凹槽133的尺寸使得主母板130可沿軸140上下垂直地自由滑動(dòng)并且使得主母板130可繞著環(huán)繞著軸線(xiàn)L-L的軸140自由旋轉(zhuǎn)。
參看圖1、10和12，附母板180各包括一向上開(kāi)口的晶片凹穴182和一周?chē)?84。每個(gè)凹穴182適于保持著晶片20中的一個(gè)。附母板180的外徑T優(yōu)選地介于大約0.005與0.2英寸之間，小于凹穴190的直徑。一軸凹槽186形成于每個(gè)附母板180的下表面中，用于容放軸柱193中的相應(yīng)之一，以便使得母板180可沿著柱193上下自由滑動(dòng)。
構(gòu)件110、120、150、主母板130以及軸140優(yōu)選地由帶有完全包圍著的致密SiC涂層(即密封并且孔隙率為0％)的高純度石墨形成。替代地，主母板130可由固態(tài)SiC或固態(tài)SiC合金形成。替代地，主母板130可由涂有TaC的石墨形成。襯墊126優(yōu)選地由涂有SiC或難熔金屬碳化物如TaC的石墨形成。
附母板180可由滲碳石墨形成。替代地，母板180可由涂有SiC或TaC的滲碳石墨或涂有SiC或TaC的未浸滲石墨形成。替代地，母板180可由固態(tài)、不帶涂層的SiC或涂有TaC的SiC形成。
感受器組件100可按照以下方式使用。首先，將母板130置于母板安裝部分160中以便將母板130安放于平臺(tái)166上。將附母板置于凹穴190中。將晶片20置于附母板180的凹穴182中。圖11和12示出了使用中的組件100，但是為清楚起見(jiàn)晶片20被省去。在圖12中，為清楚起見(jiàn)還將左側(cè)附母板180省去。
然后啟動(dòng)供氣裝置171。供氣裝置171推動(dòng)氣體通過(guò)入口孔172、通道180和出口孔174，如圖12中的箭頭所示。驅(qū)動(dòng)氣體從出口孔174進(jìn)入由中心凹槽162和位于上方的母板130所形成的氣室。氣室中的驅(qū)動(dòng)氣體受到加壓，一直到驅(qū)動(dòng)氣體壓力與環(huán)境壓力(即作用于母板130的上表面131A上的壓力)之間的壓差超過(guò)作用于母板上的重力為止。按照這種方式，加壓驅(qū)動(dòng)氣體就向上推動(dòng)母板130(即，沿方向U；圖12)。
一旦母板130浮起，驅(qū)動(dòng)氣體的第一部分就在母板130與基座構(gòu)件150的部分160之間從中心凹槽162向外流出，并流入槽道164中，如圖4中的箭頭所示。該第一部分驅(qū)動(dòng)氣體中至少某些通過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道168從中心凹槽162流向槽道164，如圖4中的箭頭所示。某些驅(qū)動(dòng)氣體通過(guò)連接通道176流出槽道164并且通過(guò)通道154從基座構(gòu)件150排出。某些驅(qū)動(dòng)氣體可通過(guò)位于外周邊緣134與槽道164的外側(cè)垂直壁之間的間隙流出槽道164。
通過(guò)中心凹槽162提供的某些驅(qū)動(dòng)氣體從中心凹槽162流向位于基座構(gòu)件150與主母板130的下表面131B之間的間隙。這些驅(qū)動(dòng)氣體中某些流入槽道164并通過(guò)通道154排出或者繞著主母板的外周邊緣134排出。
為了使附母板180浮起并旋轉(zhuǎn)，通過(guò)中心凹槽162提供的第二部分驅(qū)動(dòng)氣體在基座構(gòu)件150與主母板130的下表面131B之間，從中心凹槽162向上通過(guò)每個(gè)進(jìn)給通道194A、194B流入凹穴190。來(lái)自每個(gè)進(jìn)給通道194A的驅(qū)動(dòng)氣體通過(guò)鄰近驅(qū)動(dòng)槽道192A在驅(qū)動(dòng)槽道192A與上方的附母板180的下表面之間沿徑向向外(相對(duì)于相應(yīng)軸柱193的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn))流動(dòng)，并且繞著母板180的周邊從凹穴190流出。
來(lái)自每個(gè)進(jìn)給通道194B的驅(qū)動(dòng)氣體的一部分沿著鄰近驅(qū)動(dòng)槽道192B在驅(qū)動(dòng)槽道192B與母板180之間沿徑向向外流動(dòng)。來(lái)自進(jìn)給通道194B的驅(qū)動(dòng)氣體的另一部分通過(guò)進(jìn)給槽道196流向相關(guān)的驅(qū)動(dòng)槽道192C，并流過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道192C。
來(lái)自進(jìn)給通道104A、104B的驅(qū)動(dòng)氣體的其它部分可在凹穴180與附母板180之間沿徑向向外流動(dòng)，并繞著附母板180的周邊排出，而不流過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C或者進(jìn)給槽道196。
通過(guò)進(jìn)給通道194A、194B供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)氣體的部分向上(即沿方向U)推動(dòng)附母板180并且將母板180浮于主母板130上方。
驅(qū)動(dòng)氣體按照足以將主母板130保持于位于平臺(tái)166上方的浮起位置上并將附母板180保持于位于主母板130上方的浮起位置上的速率和壓力被持續(xù)地推動(dòng)通過(guò)組件100，如圖12中所示。主母板130的浮起高度可以通過(guò)選擇驅(qū)動(dòng)槽道168的寬度和深度、中心凹槽162的直徑、位于母板130與部分160之間的驅(qū)動(dòng)氣體的壓力、以及驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率來(lái)控制。附母板180的浮起高度可以通過(guò)選擇驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的寬度和深度、凹穴190和附母板180的直徑、以及驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率來(lái)控制。
另外，通過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道168的驅(qū)動(dòng)氣體流粘性地聯(lián)接于母板130的下表面131B上。由于驅(qū)動(dòng)槽道168的斜角定向，因此母板130就在流動(dòng)的氣體作用下沿順時(shí)針?lè)较騌(圖11)繞著軸線(xiàn)L-L旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)的速率可以通過(guò)選擇由驅(qū)動(dòng)槽道168所限定的角度P(圖12)以及驅(qū)動(dòng)槽道168的深度、寬度和長(zhǎng)度來(lái)控制。優(yōu)選地，母板130的旋轉(zhuǎn)速率介于大約每分鐘3至60轉(zhuǎn)(rpm)之間。
而且，通過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的驅(qū)動(dòng)氣體流粘性地聯(lián)接于附母板180的下表面181上。由于驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的斜角定向，因此附母板180就在流動(dòng)的氣體作用下沿逆時(shí)針?lè)较騍(圖11)繞著由軸柱193所限定的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)(例如如圖12中所示的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)Q-Q)旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)的速率可以通過(guò)選擇驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的角度和/或形狀以及驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C的深度、寬度和長(zhǎng)度來(lái)控制。而且，附母板180的旋轉(zhuǎn)速率可以通過(guò)選擇驅(qū)動(dòng)氣體的流動(dòng)速率來(lái)控制。優(yōu)選地，附母板180的旋轉(zhuǎn)速率介于大約每分鐘5至60轉(zhuǎn)(rpm)之間。
組件100提供了許多優(yōu)點(diǎn)。行星旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)可以在各個(gè)晶片20之間以及在每個(gè)晶片20上提供一種更加均一的溫度環(huán)境。行星旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)還可以使晶片更加均一地暴露于處理氣體流中。
使用共同的所供驅(qū)動(dòng)氣體流來(lái)將主母板130和附母板180浮起并驅(qū)動(dòng)其旋轉(zhuǎn)，就可以提供一種復(fù)雜性更小的構(gòu)造。這種構(gòu)造上的簡(jiǎn)單性可保證更加一致和可控的操作。通過(guò)使用單個(gè)氣體流，可以降低或者消除另加的氣體流控制裝置、閥等等的成本和復(fù)雜性。組件100可設(shè)計(jì)成使得與簡(jiǎn)單旋轉(zhuǎn)裝置(即其中只有主母板旋轉(zhuǎn))相比，只需要增加供應(yīng)很少的驅(qū)動(dòng)氣體或者不需要增加供應(yīng)驅(qū)動(dòng)氣體。
提供的直形驅(qū)動(dòng)槽道168可提供某些優(yōu)點(diǎn)。在相當(dāng)大的驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率范圍中，母板130的旋轉(zhuǎn)速度可以保持于一給定速率而基本上與驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率無(wú)關(guān)。這就容許處理過(guò)程中有更大的一致性(即可重復(fù)性)。另外，這種行為容許通過(guò)改變驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率來(lái)調(diào)節(jié)母板浮起高度H(圖12)。
而且，提供的直形驅(qū)動(dòng)槽道168可容許改進(jìn)對(duì)附母板180的浮起高度和旋轉(zhuǎn)速率的控制。由于主母板130的旋轉(zhuǎn)速度(在適當(dāng)范圍內(nèi))與驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率無(wú)關(guān)，因此驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率可以增大和減小以便又增大和減小附母板180的旋轉(zhuǎn)速度和/或浮起高度，而不會(huì)顯著改變主母板130的旋轉(zhuǎn)速度。由于在正常使用過(guò)程中發(fā)生損耗或沉積，因此可以增加驅(qū)動(dòng)氣體流以便將主母板130和/或附母板180浮起于更高高度，而不必顯著改變其旋轉(zhuǎn)速度。
提供的直形附驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C也可容許改進(jìn)對(duì)附母板180的控制。驅(qū)動(dòng)槽道192A、192B、192C可以構(gòu)置成使得在驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率的所需范圍中，可以保持附母板180的旋轉(zhuǎn)速度基本上與驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率無(wú)關(guān)。這就容許更大的一致性并且/或者容許通過(guò)改變驅(qū)動(dòng)氣體流動(dòng)速率來(lái)調(diào)節(jié)浮起高度X(圖12)。
在主母板130與附母板180之間提供反向旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)同樣可提供某些優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)反向旋轉(zhuǎn)，晶片上的不同位置相對(duì)于感受器組件100的剩余部分與相對(duì)于處理氣體流的行進(jìn)速率之間的差異就得以減小。而且，反向旋轉(zhuǎn)可提供角動(dòng)量守恒，其趨向于使得附母板180持續(xù)旋轉(zhuǎn)。這種效應(yīng)可引起附母板180旋轉(zhuǎn)以助于在主母板130停止或減慢的情況下重新啟動(dòng)或加速主母板130的旋轉(zhuǎn)，反之亦然。另外，一旦附母板180被浮起，則單獨(dú)作用于附母板180上的感應(yīng)角動(dòng)量就可足以引起附母板180與主母板130反向旋轉(zhuǎn)，因此，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，附驅(qū)動(dòng)槽道可以省去。
根據(jù)本發(fā)明，感受器組件100可以按照各種不同的方式進(jìn)行改動(dòng)。例如，組件100可適于使得主母板130和附母板180沿同一方向旋轉(zhuǎn)?？梢蕴峁┎煌瑪?shù)量或構(gòu)型的附母板180。中心凹槽162和/或凹穴190可以省去，在這種情況下，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)氣體進(jìn)給通道174、194A、194B優(yōu)選地利用一個(gè)或更多相對(duì)于主母板或附母板的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)對(duì)稱(chēng)定位的進(jìn)給通道來(lái)代替。附母板180可適于各自保持多于一個(gè)晶片。如上文所指出，附驅(qū)動(dòng)槽道(例如槽道192A、192B、192C)可以具有不同的形狀(例如非直形)?？梢允褂枚鄠€(gè)氣體流以便利用分離的(即互不相交的)氣體流來(lái)驅(qū)動(dòng)主母板和附母板。
理想的是使用氬(Ar)或類(lèi)似氣體(例如其它惰性氣體)作為驅(qū)動(dòng)氣體，因?yàn)檫@類(lèi)氣體比H2更不可能從石墨中吸收雜質(zhì)如硼(B)、鋁(A1)、鈦(Ti)、鉻(Cr)和釩(V)，并且例如將這些雜質(zhì)重新沉積于晶片表面上。然而，Ar氣體的導(dǎo)熱性遠(yuǎn)小于H2氣體。因此，存在于通過(guò)管12(圖3)的反應(yīng)物氣體流中的Ar氣體可能會(huì)減慢向反應(yīng)物的熱傳遞，因此在反應(yīng)物氣體流的溫度分布圖中產(chǎn)生不規(guī)則情況。組件100可保證驅(qū)動(dòng)氣體充分排出而只有最少量的驅(qū)動(dòng)氣體被引入反應(yīng)物流中，因此Ar氣體可用作驅(qū)動(dòng)氣體而不會(huì)危害反應(yīng)物流溫度分布圖。
如上所述，驅(qū)動(dòng)氣體優(yōu)選地從內(nèi)側(cè)凹槽(例如內(nèi)側(cè)凹槽1 62)流向外側(cè)槽道(例如外側(cè)槽道164)。然而，流的方向也可以反過(guò)來(lái)(即，驅(qū)動(dòng)氣體通過(guò)通道154供應(yīng)而通過(guò)通道170排出)。
根據(jù)本發(fā)明的感受器組件可包括如2001年一月8日提交、標(biāo)題為“氣體驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)設(shè)備及用于形成碳化硅層的方法”、序號(hào)為09/756,548的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中所述的任意特征和方面，其公開(kāi)內(nèi)容在此全部引入作為參考。
參看圖13，其中示出了根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的一種感受器組件200。組件200不同于組件100之處僅在于其每個(gè)附母板280包括多個(gè)形成于其中的晶片凹穴282。相應(yīng)地，多個(gè)晶片20可同時(shí)繞著主母板230的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)和相應(yīng)附母板280的旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)在一共用附母板280上旋轉(zhuǎn)。
以上對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋為對(duì)其進(jìn)行限制。盡管描述了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例，但是本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)很容易理解，在不從本質(zhì)上背離本發(fā)明的新思想和優(yōu)點(diǎn)的情況下，可以在示例性實(shí)施例中進(jìn)行許多改動(dòng)。相應(yīng)地，所有這些改動(dòng)都意欲包括于如權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的范圍之內(nèi)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，以上為對(duì)本發(fā)明的示例說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋為將其限定于所公開(kāi)的特定實(shí)施例，并且對(duì)所公開(kāi)實(shí)施例的改動(dòng)以及其它實(shí)施例都意欲包括于所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。本發(fā)明由以下權(quán)利要求及包括于其中的權(quán)利要求的等價(jià)物限定。
權(quán)利要求
1.一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括a)一具有一上表面的基座構(gòu)件；b)一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板；以及c)位于主母板上方的附母板；d)其中這種設(shè)備適于將驅(qū)動(dòng)氣體流引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使得主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；以及將驅(qū)動(dòng)氣體流的至少一部分從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與附母板之間，以便使得附母板在該至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括一形成于基座構(gòu)件的上表面中的安裝部分，安裝部分包括至少一個(gè)基本上沿徑向延伸的驅(qū)動(dòng)槽道，其中該至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道大致為直形；以及這種設(shè)備適于引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)氣體流通過(guò)驅(qū)動(dòng)槽道，以便使得主母板繞著一旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中該至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道包括多個(gè)形成于安裝部分中的基本上沿徑向延伸的驅(qū)動(dòng)槽道，并且每個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道大致為直形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中每個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道限定了一從旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)偏移開(kāi)的驅(qū)動(dòng)槽道軸線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中安裝部分包括第一和第二相隔開(kāi)的凹槽，并且該至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)槽道從第一凹槽向第二凹槽延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，包括一延伸穿過(guò)基座構(gòu)件并且具有一位于第一凹槽中的入口孔的驅(qū)動(dòng)氣體入口通道；以及一延伸穿過(guò)基座構(gòu)件并且具有一位于第二凹槽中的排出孔的驅(qū)動(dòng)氣體排出通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括一可操作用于提供驅(qū)動(dòng)氣體流的驅(qū)動(dòng)氣體供應(yīng)裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括一位于主母板、附母板和基座構(gòu)件上方的蓋部分和一對(duì)在主母板和附母板的相對(duì)兩側(cè)在蓋部分與基座構(gòu)件之間延伸的側(cè)面部分，其中蓋部分、基座構(gòu)件和側(cè)面部分限定了一貫穿通道和相對(duì)的端部開(kāi)口，主母板和附母板置于該貫穿通道中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)位于垂直方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該設(shè)備可操作用于使主母板和附母板沿相反旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括一進(jìn)給通道，其延伸通過(guò)主母板并且提供了驅(qū)動(dòng)氣體流從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間流向主母板與附母板之間的通路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，包括至少一個(gè)形成于主母板的上表面中并位于附母板下方的附驅(qū)動(dòng)槽道，其中這種設(shè)備適于引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)氣體流通過(guò)進(jìn)給通道和附驅(qū)動(dòng)槽道，以便使附母板相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，包括一位于基座構(gòu)件的上表面中并且位于進(jìn)給通道下方的進(jìn)給凹槽，其中這種設(shè)備適于引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)氣體流進(jìn)入進(jìn)給凹槽，通過(guò)進(jìn)給通道并通過(guò)附驅(qū)動(dòng)槽道。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中附驅(qū)動(dòng)槽道并不位于進(jìn)給凹槽上方；以及這種設(shè)備包括一形成于主母板的上表面中并且使進(jìn)給通道與附驅(qū)動(dòng)槽道形成流體連接的進(jìn)給槽道。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，包括一與進(jìn)給槽道保持流體連接的第二附驅(qū)動(dòng)槽道。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中該至少一個(gè)附驅(qū)動(dòng)槽道包括多個(gè)形成于主母板的上表面中的附驅(qū)動(dòng)槽道。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中附驅(qū)動(dòng)槽道基本上沿徑向延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中附驅(qū)動(dòng)槽道大致為直形。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括位于主母板上方的第二附母板，其中這種設(shè)備適于將驅(qū)動(dòng)氣體流的另一部分從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與第二附母板之間，以便使得第二附母板在該另一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中附母板包括多個(gè)形成于其中的晶片凹穴。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中附母板由滲碳石墨形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中附母板由涂有SiC或TaC的石墨形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中附母板由SiC形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其中附母板涂有TaC。
25.一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括a)一具有一上表面的基座構(gòu)件；b)一具有一上表面并且位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板；c)形成于主母板的上表面中的至少一個(gè)基本上沿徑向延伸、大致為直形的附驅(qū)動(dòng)槽道；以及d)位于主母板和該至少一個(gè)附驅(qū)動(dòng)槽道上方的附母板；e)其中，這種設(shè)備適于引導(dǎo)至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流通過(guò)附驅(qū)動(dòng)槽道，以便使得附母板繞著一旋轉(zhuǎn)軸線(xiàn)相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中這種設(shè)備可操作用于使主母板相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中這種設(shè)備適于將驅(qū)動(dòng)氣體流引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。
28.一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括a)一具有一上表面的基座構(gòu)件；b)一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板；以及c)位于主母板上方的附母板；d)其中這種設(shè)備適于使得主母板沿第一旋轉(zhuǎn)方向相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；以及使得附母板沿與第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)；以及e)主母板的旋轉(zhuǎn)和附母板的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中至少有一個(gè)由驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其中附母板的旋轉(zhuǎn)由至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其中主母板的旋轉(zhuǎn)由驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其中主母板的旋轉(zhuǎn)和附母板的旋轉(zhuǎn)都由至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
32.一種用于旋轉(zhuǎn)一物品的方法，這種方法包括a)提供一氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括1)一具有一上表面的基座構(gòu)件；2)一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板；以及3)位于主母板上方的附母板；b)將物品安放于附母板上；c)將一驅(qū)動(dòng)氣體流引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使得主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；以及d)將驅(qū)動(dòng)氣體流的至少一部分從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與附母板之間，以便使得附母板在該至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，包括將一反應(yīng)物氣體流引導(dǎo)流過(guò)位于附母板上的襯底。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，包括利用驅(qū)動(dòng)氣體流將附母板浮起于主母板上方。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，包括將驅(qū)動(dòng)氣體流的另一部分從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與一第二附母板之間，以便使得第二附母板在該另一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中第一和第二附母板同時(shí)旋轉(zhuǎn)。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中主母板和附母板沿相反的旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。
38.一種用于旋轉(zhuǎn)一物品的方法，這種方法包括a)提供一氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備，這種設(shè)備包括1)一具有一上表面的基座構(gòu)件；2)一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板；以及3)位于主母板上方的附母板；b)將物品安放于附母板上；c)使主母板沿第一旋轉(zhuǎn)方向相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；以及d)使附母板沿與第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)；e)其中，主母板的旋轉(zhuǎn)和附母板的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中至少有一個(gè)由驅(qū)動(dòng)氣體流驅(qū)動(dòng)。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中將物品安放于附母板上的步驟包括將多個(gè)物品安放于附母板上。
全文摘要
一種與一驅(qū)動(dòng)氣體流一起使用的氣體驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)設(shè)備包括一具有一上表面的基座構(gòu)件、一位于基座構(gòu)件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。這種設(shè)備適于將驅(qū)動(dòng)氣體流引導(dǎo)于基座構(gòu)件的上表面與主母板之間，以便使得主母板在驅(qū)動(dòng)氣體流作用下相對(duì)于基座構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)氣體流的至少一部分被從基座構(gòu)件的上表面與主母板之間引向主母板與附母板之間，以便使得附母板在該至少一部分驅(qū)動(dòng)氣體流的作用下相對(duì)于主母板旋轉(zhuǎn)。
文檔編號(hào)C23C16/458GK1647244SQ03807849
公開(kāi)日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月8日
發(fā)明者M·J·派斯利, J·J·蘇馬克里斯 申請(qǐng)人:克里公司