專利名稱：磁控濺射熱彎鍍膜玻璃及其生產(chǎn)方法以及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控濺射熱彎鍍膜玻璃及其生產(chǎn)方法以及生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置。涉及建筑幕墻玻璃及其真空玻璃鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前，建材裝飾市場，因建筑形體向多元化、異形化發(fā)展，使用的熱彎幕墻玻璃的面積每年以17％速度增長。據(jù)《中國建材報》報導(dǎo)，現(xiàn)在使用的只有在線鍍膜熱彎玻璃，這種鍍膜熱彎玻璃是將已鍍膜的平面玻璃加高溫?zé)釓澇伤枨实腻兡げＡ?。其缺點是透光率高，能看到樓房的框架，和磁控濺射鍍膜平面玻璃一起使用會出現(xiàn)色差。
磁控濺射鍍膜玻璃，具有透光率適中，防竅視，可阻擋陽光中的紫外線等優(yōu)點，被廣泛大面積使用，占建筑幕墻玻璃使用面積70％以上。這種玻璃缺點是加高溫?zé)釓澓蟛Ａ撃ぁ?br> 專利號為94237225的實用新型專利，公開了一種雙端磁控濺射離子鍍膜機。其權(quán)利要求為“一種雙端磁控濺射離子鍍膜機，由真空室和傳輸機構(gòu)組成，本實用新型的特征是真空室包括前、后鎖室(1)、(7)、濺射區(qū)、壓差室(4)和由濺射區(qū)隔離出來的隔離區(qū)，其中在壓差室(4)和其前面隔離區(qū)和前鎖室(1)內(nèi)設(shè)有加熱裝置(11)，在濺射區(qū)內(nèi)設(shè)有濺射靶(12)和偏壓裝置(13)，在前鎖室(1)上開有入口，后鎖室(7)上開有出口，在各個真空壁(15)上設(shè)有穿越口。”專利號為97235969的實用新型專利，公開了一種真空濺射鍍膜機，其權(quán)利要求為一種真空濺射裝置，包括一個真空爐，其外聯(lián)接有擴散泵、機械泵、滑閥真空泵、羅茨真空泵與傳動減速裝置，爐體頂部設(shè)有導(dǎo)氣管，其特征是真空爐為立式，爐體底裝有弧形導(dǎo)軌，其上裝有由傳動減速裝置控制的可沿弧形導(dǎo)軌移動的靶座，真空爐的爐門為弧形。”專利號為01205975、申請日為2001年3月26日、實用新型名稱為“蒸發(fā)磁控真空鍍膜機”、專利權(quán)人為廣東真空設(shè)備廠股份有限公司的專利，其權(quán)利要求為“一種蒸發(fā)磁控真空鍍膜機，包括真空機組和真空室，其特征在于，所述的真空機組(1)與真空室(2)連接，所述的真空室(2)的左右兩側(cè)設(shè)有左大門(3)和右大門(6)，在左大門(3)和右大門(6)上均配裝有蒸發(fā)裝置(5)和磁控裝置(4)?！蹦壳?，現(xiàn)有臥式磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線只能生產(chǎn)平面磁控濺射鍍膜玻璃。其裝置中的真空室玻璃出入口尺寸高度為30mm，真空室高度為350mm，磁控濺射靶高度100mm，且磁控濺射靶材為固定高度，不能上下調(diào)節(jié)。濺射靶源周圍有固定擋板，防止濺射源濺射到玻璃的正面，擋板距玻璃只有10mm，因此現(xiàn)有磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)設(shè)備只能通過平面玻璃，而不能通過熱彎玻璃，也即只能鍍平面磁控濺射鍍膜玻璃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種磁控濺射熱彎鍍膜玻璃，也即將已熱彎后的玻璃送入真空室進行磁控濺射鍍膜，得到磁控濺射熱彎鍍膜玻璃。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種生產(chǎn)該磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種為實施該方法而改進設(shè)計的裝置。
本發(fā)明是在已有的鍍平面玻璃的臥式磁控濺射鍍膜玻璃設(shè)備的基礎(chǔ)上改進而成，通過對設(shè)備工藝尺寸參數(shù)的改變，使其既能鍍平面玻璃，也能鍍熱彎玻璃。
本發(fā)明改進的地方主要有真空室玻璃出入口尺寸高度增加到80mm～100mm，優(yōu)選90mm；真空室高度增至400mm～480mm，優(yōu)選440mm；將磁控濺射靶升高并由原固定結(jié)構(gòu)改為可調(diào)升降式結(jié)構(gòu)，磁控濺射靶距輸送輥的高度(距離)為100mm～160mm。
本發(fā)明是在已有的磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上改進而成。已有的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線采用二級磁控濺射原理，在真空狀態(tài)下將陰極材料濺射出來，在經(jīng)清洗處理的玻璃工件上沉積成膜。采用不同的陰極材料，可在玻璃表面沉積金屬或化合物薄膜，鍍制成豪華建筑幕墻玻璃，從而使建筑玻璃更具裝飾效果，并可根據(jù)需要實現(xiàn)遮光、隔熱、保溫等功能。經(jīng)過該生產(chǎn)線鍍制的鍍膜玻璃，可廣泛地使用于豪華建筑、室內(nèi)外美化裝飾、工農(nóng)業(yè)用恒溫室等場合。
生產(chǎn)線采用單端半連續(xù)鍍膜方式，臥式結(jié)構(gòu)。被加工的玻璃工件在水平的生產(chǎn)線上經(jīng)過輸入、清洗、烘干、抽氣、鍍膜、充氣、輸出。真空抽氣系統(tǒng)抽氣能力強勁，生產(chǎn)節(jié)拍快，整條生產(chǎn)線由可編程序控制器實時自動控制，操作簡便、控制可靠、膜層均勻。
工作原理為磁控濺射是在二極濺射的基礎(chǔ)上，在陰極靶中設(shè)置一永久磁鐵，從N極出來的磁力線穿過陰極的表面上空沿曲線方向再回到陰極表面，到達S極，而形成一個閉合的磁場。從陰極射出來的電子，在磁場和電場中受到洛侖茲力的作用，沿著磁場表面按擺線運動前進，這就大大增大了電子的運動軌跡，因而與Ar分子的碰撞機會大大增加，提高了Ar原子電離效率，從而使濺射速度大大提高，也就是成膜速度快，生產(chǎn)效率高。
它比蒸發(fā)鍍膜具有操作方便、性能穩(wěn)定可靠、耗電量小、濺射源使用壽命長，鍍膜厚度易于控制，膜層均勻牢固，質(zhì)量好等一系列優(yōu)點，磁控濺射鍍膜是鍍制幕墻玻璃的最佳方法。
基本結(jié)構(gòu)為生產(chǎn)線由前翻轉(zhuǎn)臺、鍍前處理室、等待室、翻轉(zhuǎn)臺、真空預(yù)抽室、真空鍍膜室、過渡室、真空抽氣系統(tǒng)、磁控濺射源、傳動系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)等組成。
1、傳動系統(tǒng)傳動系統(tǒng)是以輸送輥為主體的水平的玻璃工件輸送線。鍍膜部分的傳動系統(tǒng)通過變頻調(diào)速器驅(qū)動控制，使玻璃工件平穩(wěn)地輸入生產(chǎn)線進行抽氣、鍍膜，然后退出，其傳送速度可無級調(diào)節(jié)。
2、真空室真空室共有三個，均為臥式結(jié)構(gòu)。按照玻璃工件輸入方向排列，分別為真空預(yù)抽室、真空鍍膜室和過渡室。整套真空室有二個真空鎖(翻板閥)，一個在真空預(yù)抽室輸入端，一個在真空預(yù)抽室與真空鍍膜室之間，這樣使預(yù)抽室從大氣狀態(tài)抽至鍍膜工作壓強的過程中，鍍膜室和過渡室的工作壓強不會被破壞，保持磁控濺射靶長期處于工作狀態(tài)。
3、真空抽氣系統(tǒng)生產(chǎn)線真空抽氣系統(tǒng)抽氣能力強勁。共配置了H-150型滑閥泵三臺，ZJ-1200型羅茨泵一臺，ZJ-600型羅茨泵一臺，2X-15型旋片泵一臺，KT-300型油擴散泵十臺，Φ300高真空氣動閥十個及Φ200、Φ150氣動擋板閥若干個。其中預(yù)抽室配置四臺KT-300型油擴散泵作主泵，一臺ZJ-1200型羅茨泵作前極泵，兩臺H-150型滑閥泵作粗抽泵，一臺2X-15型旋片泵作維持泵；鍍膜室和過渡室配置了六臺KT-300型油擴散泵作主泵，一臺ZJ-600型羅茨泵作前極泵，一臺H-150型滑閥泵作排氣泵。所有閥門均采用電、氣動控制，操作方便。
4、磁控濺射源生產(chǎn)線磁控濺射源，采用平面磁控靶結(jié)構(gòu)，共二套，安裝于真空鍍膜室中。選擇不同的陰極材料及不同的排列方向，可鍍制出不同的膜層。磁控濺射靶工作時必須確保水冷效果良好。
5、電氣系統(tǒng)電氣系統(tǒng)包括清洗烘干系統(tǒng)、真空抽氣系統(tǒng)、傳動系統(tǒng)、磁控濺射源的電氣控制裝置及復(fù)合真空計、復(fù)合壓強控制儀等儀表；電氣控制采用先進的工業(yè)電腦(PLC)自動控制整個鍍膜過程。
6、供電電源生產(chǎn)線的工作電源為380V、50H、三相四線，總功率273KW，電壓頻率的波動應(yīng)符合國家有關(guān)規(guī)定。因為電壓波動對鍍膜質(zhì)量影響很大，在電源電壓波動大或網(wǎng)絡(luò)電壓低的地區(qū)用戶可采用相應(yīng)的措施，保證有穩(wěn)定的電壓，才能保證生產(chǎn)出高質(zhì)量的產(chǎn)品。
7、水冷系統(tǒng)生產(chǎn)線的真空系統(tǒng)、磁控濺射靶均需要進行水冷，在自來水得不到充分保證的地方或為了節(jié)約用水，用戶可配備一臺30t/h的冷卻塔以保證足夠的冷卻水和穩(wěn)定的水溫、水壓，一般水應(yīng)保證低于25℃，水壓在0.1～0.2MPa，生產(chǎn)線設(shè)置壓力控制器，當(dāng)工作過程中，斷水(或水壓不足)時，壓力控制器切斷電氣控制電源，同時發(fā)出報警信號以及引起操作者注意。磁控靶在工作過程中絕對不能斷水，否則會損壞靶源，引至重大經(jīng)濟損失。
8、氣路系統(tǒng)生產(chǎn)線需要壓縮空氣來操縱真空鎖、真空氣動閥、充氣閥等。沒有氣源的應(yīng)配備一臺0.3m3/min的空氣壓縮機，提供壓縮空氣，氣壓應(yīng)保持在0.4～0.6MPa之間，露點最大為2℃。
本發(fā)明磁控濺射熱彎鍍膜玻璃，其特征在于它是將已熱彎的玻璃送入改進的磁控濺射玻璃鍍膜裝置中鍍膜而成。
一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法，采用單端半連續(xù)鍍膜方式或者雙端全連續(xù)鍍膜方式，將已被熱彎的玻璃工件放在水平的生產(chǎn)線上經(jīng)過輸入、清洗、烘干、抽氣、鍍膜、充氣、輸出；其特征在于將真空室玻璃出入口高度、穿越口高度、磁控濺射靶高度增大，使熱彎玻璃能夠穿過；真空室工作壓強為10-2Pa；工作電流20～30A；真空鍍膜室、過渡室連續(xù)抽氣；冷卻水源水壓0.1～0.2MPa，水溫≤25℃；壓縮空氣氣壓0.4～0.6MPa；根據(jù)上述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法，其特征在于將所述的已被熱彎的玻璃放在平面玻璃板或平面不銹鋼板上，熱彎玻璃的凹面兩側(cè)與平面玻璃板或平面不銹鋼板之間墊有尼龍墊塊，平面玻璃板或平面不銹鋼板放在輸送輥上，送入真空室。
一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，包括真空室和磁控濺射靶，真空室共有三個，均為臥室結(jié)構(gòu)，按照玻璃工件輸入方向排列，分別為真空預(yù)抽室、真空鈹膜室和過渡室；磁控濺射靶安裝在真空鍍膜室上蓋下面，磁控濺射靶包括冷卻水管，冷卻水管分冷卻水入水管和冷卻水出水管，兩個冷卻水管管體分別與磁控濺射靶靶體的兩端相通并焊接連接，靶體內(nèi)裝有極靴及磁鐵，靶體下面固定安裝有平面條形靶材，其特征在于所述真空室玻璃出入口高度為80mm～100mm，真空室高度400mm～480mm；所述磁控濺射靶距輸送輥的高度為100mm～160mm。
根據(jù)上述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的真空室玻璃出入口高度為90mm，真空室高度440mm。
根據(jù)前述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的磁控濺射靶為可調(diào)升降式結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的生產(chǎn)磁控濺射靶的兩個冷卻水管管體分別與靶體兩端相通并焊接連接，冷卻水管管體外壁有外螺紋，管體外旋有升降螺母，升降螺母上設(shè)計有電極安裝孔，升降螺母的下面裝有密封墊，密封墊下面為真空鍍膜室上蓋，真空鍍膜室上蓋下面裝有密封墊，密封墊為整體式結(jié)構(gòu)或者由多個單體墊疊加而成；冷卻水管與靶體相通，靶體下面固定安裝有平面條形靶材，靶體兩側(cè)分別裝有內(nèi)擋板，內(nèi)擋板外側(cè)各裝有外擋板，外擋板固定安裝在真空鍍膜室上蓋下；在真空鍍膜室上蓋上安裝有兩個氬氣管咀，兩個氬氣管分別安裝在兩個外擋板上，氬氣管管壁上設(shè)計有多個出氣孔。
本發(fā)明是在原有鍍平面磁控濺射鍍膜玻璃設(shè)備的基礎(chǔ)上，對主要部分裝置結(jié)構(gòu)尺寸、工藝進行改進而成，和已有的技術(shù)相比具有如下優(yōu)點本發(fā)明既可生產(chǎn)平面磁控濺射鍍膜玻璃，也可生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃。平面磁控濺射鍍膜玻璃和磁控濺射熱彎鍍膜玻璃在同一建筑中使用、采用同一種技術(shù)生產(chǎn)的鍍膜玻璃沒有色差。


圖1為磁控濺射熱彎鍍膜玻璃生產(chǎn)設(shè)備中真空室及其真空抽氣系統(tǒng)的平面布置圖。
圖2為真空室中的真空預(yù)抽室組件結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為圖2的左視圖。
圖4為圖2的俯視圖。
圖5為磁控濺射靶安裝在真空鍍膜室上蓋上的主視圖。
圖6為圖5的右視圖。
圖7為圖6的A-A剖視圖。
圖8為磁控濺射靶組件的主視圖。
圖9為圖8的B-B剖視圖。
為了方便說明，附圖中的附圖標(biāo)記如下1、真空預(yù)抽室；2、真空鍍膜室；3、過渡室；4、玻璃出入口；5、精抽真空泵連接口；6、粗抽真空泵連接口；7、支腳；8、真空鍍膜室上蓋；9、氬氣管咀；10、冷卻水管管口；11、冷卻水管；12、電極安裝孔；13、升降螺母；14、密封墊；15、密封墊；16、內(nèi)擋板；17、氬氣管；18、外擋板；19、靶體；20、靶材；21、密封墊卡槽；22、吊裝孔；23、極靶；24、磁鐵。
具體實施例方式
已有的磁控濺射平面玻璃鍍膜生產(chǎn)線，主要由前翻轉(zhuǎn)臺、鍍前處理室、等待室、翻轉(zhuǎn)臺、真空預(yù)抽室、真空鍍膜室、過渡室、真空抽氣系統(tǒng)、磁控濺射靶、傳動系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)等組成。
本發(fā)明是原生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，主要對真空預(yù)抽室、真空鍍膜室、過渡室的玻璃出入口尺寸高度、穿越口高度以及真空室高度進行了加大，使其能夠通過熱彎玻璃，并且將原固定高度的磁控濺射靶增高，并且改為可調(diào)升降式磁控濺射靶，并對部分工藝參數(shù)進行了調(diào)整。使本發(fā)明既能鍍熱彎玻璃又能鍍平面玻璃。
本發(fā)明磁控濺射熱彎鍍膜玻璃，其特征在于它是將已熱彎的玻璃送入磁控濺射鍍膜裝置中鍍膜而成。
一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法，采用單端半連續(xù)鍍膜方式或者雙端全連續(xù)鍍膜方式，將已被熱彎的玻璃工件放在水平的生產(chǎn)線上經(jīng)過輸入、清洗、烘干、抽氣、鍍膜、充氣、輸出等步驟，其特征在于將真空室玻璃出入口高度、穿越口高度、磁控濺射靶高度增大，使熱彎玻璃能夠穿過；真空室工作壓強10-2Pa，工作電流20～30A，真空鍍膜室、過渡室連續(xù)抽氣；冷卻水源水壓0.1～0.2MPa，水溫≤25℃，耗量30t/h，可用冷卻塔循環(huán)水；壓縮空氣氣壓0.4～06MPa，耗量0.3m3/min。磁場強度不低于250高斯。
熱彎的玻璃放在平面玻璃板或平面不銹鋼板上，熱彎玻璃的凹面兩側(cè)與平面玻璃板之間墊有多塊尼龍墊塊，尼龍墊塊可以做出楔形或內(nèi)側(cè)為弧形的其它形狀。平面玻璃板或平面不銹鋼板放在輸送輥上，送入真空室進行鍍膜。本發(fā)明已熱彎的玻璃也可放在其他材料的平面板、曲面板或其他裝置上送入真空室，或者直接送入真空室。
一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，包括真空室和磁控濺射靶，真空室如圖1所示，共有三個，均為臥式結(jié)構(gòu)，采用單端半連續(xù)鍍膜方式。按照玻璃工件輸入方向排列，分別為真空預(yù)抽室1(另見圖2、圖3、圖4)、真空鍍膜室2和過渡室3。真空室玻璃出入口高度90mm，真空室高度440mm。本發(fā)明也可采用雙端全連續(xù)鍍膜結(jié)構(gòu)。
磁控濺射靶如圖5、圖6、圖7所示，磁控濺射靶為二套，安裝在真空鍍膜室上蓋8下面，為可調(diào)升降式結(jié)構(gòu)，距輸送輥的高度為100～160mm。
磁控濺射靶包括，冷卻水管11，冷卻水管分冷卻水入水管和冷卻水出水管，兩個管體分別與磁控濺射靶體19的兩端相通并焊接連接(另見圖6、圖7)，靶體19內(nèi)裝有極靶23及磁鐵24。靶體下面固定安裝有平面條形靶材20。冷卻水管11管體外壁有外螺紋，管體外旋有升降螺母13，升降螺母上設(shè)計有電極安裝孔(另見圖5)。升降螺母的下面裝有密封墊14，密封墊14可采用尼龍材料或工程塑料。密封墊下面為真空鍍膜室上蓋8，上蓋8下面裝有密封墊15。密封墊15可采用整體式或分體式，可通過增加密封墊14、15的厚度通過升降螺母來調(diào)節(jié)磁控濺射靶的高度。靶體兩側(cè)分別安裝有內(nèi)擋板16，內(nèi)擋板16的兩端卡在密封墊卡槽21上，其他部體固定在靶體上，內(nèi)擋板外側(cè)各裝有一個外擋板18，外擋板固定安裝在真空鍍膜室上蓋下。在真空鍍膜室上蓋上安裝有兩個氬氣管咀9(見圖5)，兩個氬氣管17分別安裝在兩個外擋板上，氬氣管管壁上設(shè)計有多個出氣孔。
本發(fā)明可以鍍彎度半徑2m～10m以上的熱彎玻璃，每片熱彎玻璃的彎度為5mm～70mm。
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射熱彎鍍膜玻璃，其特征在于它是將已熱彎的玻璃送入改進的磁控濺射玻璃鍍膜裝置中鍍膜而成。
2.一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法，采用單端半連續(xù)鍍膜方式或者雙端全連續(xù)鍍膜方式，將已被熱彎的玻璃工件放在水平的生產(chǎn)線上經(jīng)過輸入、清洗、烘干、抽氣、鍍膜、充氣、輸出；其特征在于將真空室玻璃出入口高度、穿越口高度、磁控濺射靶高度增大，真空室工作壓強為10-2Pa，工作電流20～30A；真空鍍膜室、過渡室連續(xù)抽氣；冷卻水源水壓0.1～0.2MPa，水溫≤25℃；壓縮空氣氣壓0.4～0.6MPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的方法，其特征在于將所述的已被熱彎的玻璃放在平面玻璃板或者平面不銹鋼板上，熱彎玻璃的凹面兩側(cè)與平面玻璃板之間墊有尼龍墊塊，平面玻璃板或者平面不銹鋼板放在輸送輥上，送入真空室。
4.一種生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，包括真空室和磁控濺射靶，真空室共有三個，均為臥式結(jié)構(gòu)，按照玻璃輸入方向排列分別為真空預(yù)抽室(1)、真空鍍膜室(2)和過渡室(3)，磁控濺射靶安裝在真空鍍膜室上蓋(8)下面，磁控濺射靶包括冷卻水管(1)，冷卻水管分冷卻水入水管和冷卻水出水管，兩個冷卻水管管體分別與磁控濺射靶靶體的兩端相通并焊接連接，靶體(19)內(nèi)裝有極靴(23)及磁鐵(24)，靶體下面固定安裝有平面條形靶材(20)，其特征在于所述真空室玻璃出入口(4)高度為80mm～100mm，真空室高度400mm～480mm；所述磁控濺射靶距輸送輥的高度為100mm～160mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的真空室玻璃出入口(4)高度為90mm，真空室高度440mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的磁控濺射靶為可調(diào)升降式結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，其特征在于所述的磁控濺射靶的兩個冷卻水管(11)管體分別與靶體(19)兩端相通并焊接連接；冷卻水管管體外壁有外螺紋，管體外旋有升降螺母(13)，升降螺母上設(shè)計有電極安裝孔(12)，升降螺母(13)的下面裝有密封墊(14)，密封墊下面為真空鍍膜室上蓋(8)，真空鍍膜室上蓋下面裝有密封墊(15)，密封墊為整體式結(jié)構(gòu)或者由多個單體墊疊加而成；冷卻水管(11)與靶體(19)相通，靶體(19)下面固定安裝有平面條形靶材(20)，靶體(19)兩側(cè)分別裝有內(nèi)擋板(16)，內(nèi)擋板(16)外側(cè)各裝有外擋板(18)，外擋板(18)固定安裝在真空鍍膜室上蓋下；在真空鍍膜室上蓋上安裝有兩個氬氣管咀(9)，兩個氬氣管(17)分別安裝在兩個外擋板上(18)，氬氣管管壁上設(shè)計有多個出氣孔。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁控濺射熱彎鍍膜玻璃及其生產(chǎn)方法以及生產(chǎn)磁控濺射熱彎鍍膜玻璃的裝置，是在原有臥式的鍍平面玻璃的磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上改進而成。采用單端半連續(xù)或雙端全連續(xù)鍍膜方式將已被熱彎的玻璃工件經(jīng)過輸入、清洗、烘干、抽氣、鍍膜、充氣、輸出等步驟，其特征是將真空室玻璃出入口高度增加到90mm，真空室高度增加到440mm，磁控濺射靶改為可調(diào)升降式結(jié)構(gòu)，距輸送輥高度為100～160mm；真空室工作壓強10
文檔編號C23C14/35GK1413933SQ0213547
公開日2003年4月30日 申請日期2002年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月6日
發(fā)明者鮑冠中 申請人:鮑冠中