專利名稱：搪瓷設(shè)備中搪瓷壁的局部補(bǔ)瓷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于搪瓷產(chǎn)品的制造領(lǐng)域。特別適用于在大型搪瓷設(shè)備中，對(duì)殘損、破碎的搪瓷壁進(jìn)行局部的補(bǔ)瓷方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，在搪瓷產(chǎn)品的制造業(yè)中，普遍是采用以金屬為基材，并在其表面涂敷有無(wú)機(jī)瓷釉后，再將制品經(jīng)多次高溫?zé)Y(jié)后才可形成復(fù)合材料的搪瓷產(chǎn)品。目前大型搪瓷設(shè)備的使用，主要是在農(nóng)藥、化工、化肥、和醫(yī)藥等制造行的業(yè)中，由于在該類行業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中，所采用搪瓷材料作為設(shè)備的反應(yīng)缸或反應(yīng)釜，是要接觸到大量的強(qiáng)酸、堿等介質(zhì)，和使用在溫度、壓力經(jīng)常變化的生產(chǎn)過(guò)程里，對(duì)搪瓷壁的維護(hù)和修補(bǔ)(由于搪瓷壁的缺陷和磕碰掉瓷等)是非常重要的生產(chǎn)工序之一。在現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)搪瓷壁的修補(bǔ)方法有兩種；第一種是采用物理遮蓋法，其工藝過(guò)程是采用耐腐蝕材料(如金、鉑、鉭、四氟等)將破損部位進(jìn)行密封處理，使搪瓷壁的破損處避免與介質(zhì)接觸。該方法的缺點(diǎn)是受環(huán)境條件的限制，對(duì)有些部位的修補(bǔ)是會(huì)影響設(shè)備的密封性能。其次是采用防腐涂料進(jìn)行遮蓋的方法，但是該方法是要受使用條件中溫度、壓力和生產(chǎn)介質(zhì)的限制，因?yàn)榉栏苛鲜呛茈y承受在高溫下腐蝕介質(zhì)的沖刷而造成修補(bǔ)的失敗。再有就是將設(shè)備的搪瓷全部除掉后重新制備搪瓷，其缺點(diǎn)是重新制備設(shè)備的生產(chǎn)周期長(zhǎng)，而且資金的投入也很高。因此到目前還仍未見(jiàn)到有更好的，在搪瓷壁破損處局部的補(bǔ)瓷方法。
發(fā)明目的及解決方案本發(fā)明的目的是提出一種操作方便簡(jiǎn)單、省時(shí)經(jīng)濟(jì)、快速合理，而且使用效果好的搪瓷設(shè)備局部補(bǔ)瓷方法。
在搪瓷設(shè)備制造業(yè)中，最理想的修補(bǔ)搪瓷效果，是對(duì)新修補(bǔ)處的搪瓷壁基體不但要結(jié)合牢固，而且還要不破壞被修補(bǔ)處周圍的搪瓷壁基體瓷層。因此對(duì)局部燒補(bǔ)瓷的主要困難，是在于被燒補(bǔ)瓷處的加熱溫度與周圍搪瓷壁在較小尺寸范圍內(nèi)，溫度梯度落差要大于800℃，由于在搪瓷壁的局部(被燒補(bǔ)瓷處周圍)會(huì)產(chǎn)生很大的溫度梯度落差，和搪瓷壁內(nèi)基材與搪瓷材料溫度膨脹系數(shù)的不同，所以會(huì)造成在對(duì)燒補(bǔ)瓷時(shí)使搪瓷壁的局部產(chǎn)生很強(qiáng)的內(nèi)應(yīng)力，因此這也是造成搪瓷與基材崩落的主要內(nèi)在因素。根據(jù)上述造成局部燒補(bǔ)瓷的主要問(wèn)題和本發(fā)明所提出的目的，我們所提出的解決技術(shù)方案內(nèi)容可根據(jù)附圖進(jìn)行詳細(xì)敘述如下，一種大型搪瓷設(shè)備所用搪瓷壁破損處的局部補(bǔ)瓷方法，該方法是由清理被補(bǔ)瓷處表面、補(bǔ)瓷釉、焙燒處理、二次補(bǔ)瓷釉和焙燒處理等工序組成，其特征在于對(duì)修補(bǔ)瓷處經(jīng)補(bǔ)瓷釉后再采用梯度等溫進(jìn)行焙燒瓷釉，其工藝過(guò)程是1、清理補(bǔ)瓷表面后并于200℃進(jìn)行烘干處理；2、在補(bǔ)瓷表面處噴涂面釉；3、采用梯度等溫降溫進(jìn)行焙燒處理，a.對(duì)補(bǔ)瓷表面處瓷釉在780℃-850℃進(jìn)行焙燒處理；b、對(duì)補(bǔ)瓷表面處沿外圍20cm-60cm的范圍由內(nèi)向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；c、在補(bǔ)瓷表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行780℃-400℃的溫度梯度降溫處理；d、采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以5-15℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。本發(fā)明搪瓷壁破損處局部補(bǔ)瓷方法的其他特征還有在進(jìn)行第二次補(bǔ)瓷時(shí)，應(yīng)再對(duì)在補(bǔ)瓷表面處經(jīng)二次噴涂瓷釉后再次進(jìn)行梯度等溫降溫的焙燒處理，二次梯度等溫降溫的處理制度為(1)、在補(bǔ)瓷表面處二次噴涂面釉；(2)、采用梯度等溫降溫進(jìn)行二次面釉的焙燒處理工藝是e對(duì)二次補(bǔ)瓷表面處面釉在780℃-850℃進(jìn)行焙燒處理；f對(duì)二次補(bǔ)瓷表面處沿外圍20cm-60cm的范圍由內(nèi)向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；g在二次補(bǔ)瓷表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行700℃-400℃的溫度梯度等溫降溫處理；h.采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以5-12℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。如果搪瓷壁局部破損已至基體金屬板處時(shí)，應(yīng)該在第一次補(bǔ)瓷前先進(jìn)行補(bǔ)底釉和進(jìn)行梯度等溫降溫的焙燒處理，因此本發(fā)明的另外特征還應(yīng)在清理搪瓷壁破損處表面后先噴補(bǔ)底釉再進(jìn)行底釉焙燒處理，其底釉焙燒處理工藝是(1)、在補(bǔ)瓷表面處噴涂底釉；(2)、采用梯度等溫降溫進(jìn)行底釉的焙燒處理工藝是m.對(duì)底釉焙燒處理應(yīng)在900℃-940℃進(jìn)行；n、對(duì)底釉表面處沿外圍20cm-60cm的范圍內(nèi)由里向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；p、在底釉表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行890℃-400℃的溫度梯度等溫降溫處理；q、采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以8-15℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。本發(fā)明的還有特征是在焙燒處理過(guò)程中，搪瓷壁破損處3與電加熱器5之間的加熱間距為10-30mm。
本發(fā)明搪瓷設(shè)備用搪瓷壁破損處局部補(bǔ)瓷方法的基本工作原理，是將搪瓷壁破損處3進(jìn)行清理(見(jiàn)附圖)，當(dāng)搪瓷已破損到搪瓷壁基體1的金屬板2處時(shí)，就應(yīng)該先進(jìn)行底釉的修補(bǔ)，然后再進(jìn)行噴涂瓷釉和焙燒處理，根據(jù)搪瓷設(shè)備工作條件的需要，還可以進(jìn)行二次噴涂瓷釉和焙燒的再處理。由于瓷釉類與玻璃相的制備屬性近似，隨溫度逐漸的升高，底釉和瓷釉也將會(huì)逐漸的軟化，當(dāng)電加熱器5達(dá)到設(shè)定溫度時(shí)，經(jīng)短時(shí)間的保溫后底釉和補(bǔ)瓷釉4已處于半溶化狀態(tài)，此時(shí)瓷釉4與搪瓷壁基體1的金屬板2處和搪瓷壁破損處3周邊的搪瓷具有很好的親合效果，當(dāng)瓷釉4與搪瓷壁破損處3的金屬板2和周邊的搪瓷完全溶合后，再采用控制降溫速度的方式將在補(bǔ)瓷過(guò)程中對(duì)搪瓷壁基體1內(nèi)所產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力消除。在本發(fā)明的方法中所采用的加熱方式如附圖1所示，在電加熱器5中是采用對(duì)搪瓷壁破損處3的補(bǔ)瓷焙燒區(qū)域部份，進(jìn)行密排發(fā)熱元件6的加熱方式，對(duì)搪瓷壁破損處3的補(bǔ)瓷部份周邊沿外圍20cm-60cm的范圍內(nèi)，是由里向外進(jìn)行逐漸降溫的遞減排列發(fā)熱元件6的加熱方式。本發(fā)明大型搪瓷設(shè)備用搪瓷壁的局部補(bǔ)瓷方法，是采用對(duì)新噴涂的瓷釉進(jìn)行局部集中輻射加熱，使瓷釉能均勻溶合在搪瓷壁破損處3，并且也能與周邊搪瓷很好的親合，因?yàn)樵谔麓杀谄茡p處3周邊的搪瓷由電加熱器5已預(yù)熱到軟化溫度，由于離搪瓷壁破損處3周邊的搪瓷距離越遠(yuǎn)，則輻射加熱的溫度越低，這樣就可以有效的防止因熱補(bǔ)瓷而使搪瓷壁產(chǎn)生較強(qiáng)的內(nèi)在應(yīng)力，并且新補(bǔ)在搪瓷壁破損處3的搪瓷結(jié)合效果與搪瓷壁上的原搪瓷相同。
采用本發(fā)明的大型搪瓷設(shè)備用搪瓷壁破損處局部的補(bǔ)瓷方法與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有操作方便簡(jiǎn)單、省時(shí)經(jīng)濟(jì)和使用效果好等特點(diǎn)，尤其是在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，能很快地解決因設(shè)備的反應(yīng)罐或反應(yīng)釜掉瓷而要停產(chǎn)修理的問(wèn)題。


附圖1、為采用本發(fā)明方法對(duì)搪瓷設(shè)備中局部搪瓷壁破損處進(jìn)行補(bǔ)瓷工作的正視剖面示意圖；附圖2、為采用本發(fā)明方法對(duì)搪瓷設(shè)備中局部搪瓷壁破損處進(jìn)行補(bǔ)瓷工作的溫度梯度等溫降溫焙燒處理程序示意圖；在附圖中1、為搪瓷壁基體；2、為金屬板；3、為搪瓷壁破損處；4、為補(bǔ)瓷釉；5、為電加熱器；6、為發(fā)熱元件。T1＝780℃-940℃；T2≥400℃；R1為搪瓷壁破損處直徑；R2為搪瓷壁破損處直徑至電加熱器外徑之間間距。
具體實(shí)施例方式采用本發(fā)明的大型搪瓷設(shè)備用搪瓷壁破損處局部的補(bǔ)瓷方法，我們一共做了兩組試驗(yàn)，為了對(duì)比方便，我們所采用的試驗(yàn)件為大型搪瓷設(shè)備用搪瓷反應(yīng)罐和搪瓷反應(yīng)釜，所使用的條件為材料相同、搪瓷壁厚不同(大型搪瓷設(shè)備用搪瓷反應(yīng)罐的搪瓷壁厚為15mm和搪瓷反應(yīng)釜的搪瓷壁厚為25mm)、試驗(yàn)為立式補(bǔ)瓷方法和臥式補(bǔ)瓷方法兩種，本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)下表，在對(duì)比表中序號(hào)1-4為本發(fā)明實(shí)施例，其中序號(hào)1、3、5為搪瓷反應(yīng)罐，序號(hào)2、4、6為搪瓷反應(yīng)釜，序號(hào)為7、8為現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)比試驗(yàn)。通過(guò)對(duì)比表可看出，采用本發(fā)明對(duì)搪瓷壁破損處局部的補(bǔ)瓷方法，要比現(xiàn)有技術(shù)具有明顯的解決生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際問(wèn)題等特點(diǎn)。表本發(fā)明實(shí)施例的補(bǔ)瓷方法與現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)比試驗(yàn)
權(quán)利要求
1.一種大型搪瓷設(shè)備用搪瓷壁破損處局部的補(bǔ)瓷方法，該方法是由清理被補(bǔ)瓷處表面、補(bǔ)底釉和瓷釉、焙燒處理、二次補(bǔ)瓷釉和焙燒處理等工序組成，其特征在于對(duì)搪瓷壁破損處經(jīng)補(bǔ)瓷釉后再采用梯度等溫降溫進(jìn)行焙燒處理，其工藝過(guò)程是(1)、清理補(bǔ)瓷表面后并于200℃進(jìn)行烘干處理；(2)、在補(bǔ)瓷表面處噴涂面釉；(3)、采用梯度等溫進(jìn)行焙燒處理工藝是a.對(duì)補(bǔ)瓷表面處面釉在780℃-850℃進(jìn)行焙燒處理；b.對(duì)補(bǔ)瓷表面處沿外圍20cm-60cm的范圍由內(nèi)向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；c.在補(bǔ)瓷表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行780℃-400℃的溫度梯度等溫處理；d.采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以5-15℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述補(bǔ)瓷方法，其特征是在補(bǔ)瓷表面處二次噴涂瓷釉后再次進(jìn)行梯度等溫降溫的焙燒處理，二次梯度等溫降溫的處理制度為(1)、在補(bǔ)瓷表面處二次噴涂面釉；(2)、采用梯度等溫降溫進(jìn)行二次面釉的焙燒處理工藝是e.對(duì)二次補(bǔ)瓷表面處面釉在780℃-850℃進(jìn)行焙燒處理；f.對(duì)二次補(bǔ)瓷表面處沿外圍20cm-60cm的范圍由內(nèi)向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；g.在二次補(bǔ)瓷表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行700℃-400℃的溫度梯度等溫降溫處理；h.采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以5-12℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述補(bǔ)瓷方法，其特征是當(dāng)搪瓷壁局部破損已至基體金屬板處時(shí)，在第一次補(bǔ)瓷前先進(jìn)行補(bǔ)底釉和進(jìn)行梯度等溫降溫的焙燒處理，其工藝是在清理搪瓷壁破損處表面后先噴補(bǔ)底釉再進(jìn)行底釉的梯度等溫降溫焙燒處理，其處理工藝是(1)、在補(bǔ)瓷表面處噴涂底釉；(2)、采用梯度等溫降溫進(jìn)行底釉的焙燒處理工藝是m.對(duì)底釉焙燒處理應(yīng)在900℃-940℃進(jìn)行；n、對(duì)底釉表面處沿外圍20cm-60cm的范圍內(nèi)由里向外進(jìn)行梯度等溫降溫處理；p、在底釉表面處沿外圍的范圍內(nèi)由內(nèi)向外進(jìn)行890℃-400℃的溫度梯度等溫降溫處理；q、采用梯度等溫降溫處理的工藝，是當(dāng)加熱溫度達(dá)到設(shè)定溫度后應(yīng)以8-15℃/分鐘控制冷卻至400℃以下再空冷至室溫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述補(bǔ)瓷方法，其特征是在焙燒處理過(guò)程中，搪瓷壁破損處與電加熱器之間的加熱間距為10mm-30mm。
全文摘要
本發(fā)明屬于搪瓷產(chǎn)品的制造領(lǐng)域。特別適用于在大型搪瓷設(shè)備中,對(duì)殘損、破碎的搪瓷壁進(jìn)行局部的補(bǔ)瓷方法。該方法是由清理被補(bǔ)瓷處表面、補(bǔ)瓷釉、焙燒處理、二次補(bǔ)瓷釉和焙燒處理等工序組成,其特征在于對(duì)搪瓷壁修補(bǔ)瓷處經(jīng)補(bǔ)瓷釉后再采用梯度等溫降溫進(jìn)行焙燒瓷釉,其工藝可以是修補(bǔ)底釉、面釉和二次補(bǔ)瓷釉等程序。采用本發(fā)明的梯度等溫降溫方式焙燒修補(bǔ)搪瓷壁與現(xiàn)有技術(shù)相比較,具有很好的修補(bǔ)效果,而且還有操做方便、可靠和經(jīng)濟(jì)等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23D13/00GK1381610SQ0211711
公開(kāi)日2002年11月27日 申請(qǐng)日期2002年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月19日
發(fā)明者閻正楷 申請(qǐng)人:閻正楷