專利名稱：預(yù)清室的微粒防止方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種預(yù)清室的微粒防止方法，特別是涉及一種針對(duì)物理氣相沉積(PVD)裝置的預(yù)清室(pre-clean chamber)的微粒(particle)防止方法。
于半導(dǎo)體制造過程中，物理氣相沉積(以下簡(jiǎn)稱PVD)裝置是大多被用來進(jìn)行金屬鍍膜工藝?，F(xiàn)有的一種PVD裝置是如

圖1所示，其主要是由一緩沖室(buffer chamber)1、一預(yù)清室2、一搬遷室(transfer chamber)3、一工藝室(process chamber)4、及一機(jī)械手臂5等構(gòu)成。
其中，該預(yù)清室2是用以進(jìn)行一晶片的預(yù)清步驟，如圖2所示，該預(yù)清室2是主要由一無線電波頻率產(chǎn)生器(RF generator)21、一鐘型缸(belljar)22、一防護(hù)體(shield)23、及一預(yù)清室本體24所構(gòu)成。當(dāng)欲進(jìn)行晶片6預(yù)清時(shí)，晶片6是會(huì)由該機(jī)械手臂5而被搬送到該預(yù)清室2中，然后，再將如氬氣的氣體導(dǎo)入于上述預(yù)清室2中，同時(shí)藉由該預(yù)清室2的無線電波頻率產(chǎn)生器21將氬氣解離成等離子，進(jìn)而利用等離子濺射(sputtering)晶片6方式將附著于該晶片6上的微粒清除。
如上所述，由于晶片6的預(yù)清是以等離子濺射(sputtering)晶片方式來實(shí)現(xiàn)的，因此，在濺射的過程中，除會(huì)將晶片6上的微粒清除外，也會(huì)同時(shí)將該晶片6的表面成分擊出，進(jìn)而使其表面成分附著于上述預(yù)清室2的鐘型缸22及防護(hù)體23上。此時(shí)，若PVD裝置所進(jìn)行的金屬沉積工藝為中間金屬沉積工藝時(shí)，則通常于該預(yù)清室2進(jìn)行預(yù)清的晶片6的表面成分是主要為硅，換言之，在進(jìn)行多次預(yù)清步驟后，該鐘型缸22及防護(hù)體23上將會(huì)附著大量的硅化物。
由于該鐘缸型22通常是由石英所形成，而石英與硅化物之間的附著效果并不佳，因此，當(dāng)該鐘型缸22上累積一定厚度的硅化物時(shí)，則其將會(huì)產(chǎn)生剝離現(xiàn)象，進(jìn)而對(duì)該預(yù)清室2中的晶片6產(chǎn)生微粒污染，如此，將會(huì)對(duì)后續(xù)的金屬薄膜工藝產(chǎn)生不良影響。為解決此一問題，普通技術(shù)人員會(huì)在一定使用時(shí)間后，將鐘型缸22加以清洗，以避免鐘型缸22上的硅化物剝離所造成的微粒問題。
然而，由于每次清洗時(shí)必須暫停生產(chǎn)，如此將會(huì)影響產(chǎn)能，如何有效延長(zhǎng)預(yù)清室2的鐘型缸22的使用時(shí)間，以降低保養(yǎng)次數(shù)，進(jìn)而提高產(chǎn)能實(shí)為一重要課題。
有鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸的使用時(shí)間、降低其保養(yǎng)次數(shù)，進(jìn)而可提高產(chǎn)能的預(yù)清室的微粒防止方法。
本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的特征是藉由濺射一二氧化硅材來產(chǎn)生二氧化硅，并使二氧化硅涂布于一已形成于鐘型缸上的硅化物層之上，以避免其硅化物快速剝離，據(jù)以達(dá)到延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸使用時(shí)間的目的。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法包括以下步驟提供一二氧化硅材于該預(yù)清室中；于該預(yù)清室中產(chǎn)生等離子并濺射該二氧化硅材，而將該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸上。
由于二氧化硅與鐘型缸間的附著較佳，因此，當(dāng)該預(yù)清室的的鐘型缸上形成有一硅化物層時(shí)，藉由二氧化硅的濺射，則可將二氧化硅涂布于鐘型缸上的硅化物層上，如此，即可避免硅化物快速剝離，進(jìn)而延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間。
以下結(jié)合附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。附圖中圖1是現(xiàn)有物理氣相沉積裝置的主要部分的示意圖；圖2是現(xiàn)有物理氣相沉積裝置的預(yù)清室的部分分解圖；以及圖3是利用本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的一實(shí)施例的示意圖，圖中所示為一PVD裝置的主要部分的示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明如下1緩沖室 2預(yù)清室21無線電波頻率產(chǎn)生器 22鐘型缸23防護(hù)體 24預(yù)清室本體241預(yù)置室 3搬遷室4工藝室 5機(jī)械手臂6晶片 7二氧化硅材8傳動(dòng)機(jī)構(gòu) 81動(dòng)力部82承載部 9升降機(jī)構(gòu)91升降架在具體說明之前，欲事先說明的是，為說明上的便利，以及避免說明上的冗述，于本實(shí)施例中，有關(guān)PVD裝置的預(yù)清室等相關(guān)構(gòu)造說明沿用上述的圖號(hào)。
本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法包括一二氧化硅材提供步驟、及一二氧化硅濺射步驟。本發(fā)明的預(yù)清室的微粒防止方法的利用時(shí)機(jī)在于一PVD裝置的預(yù)清室的鐘型缸上形成有一一定厚度硅化物層時(shí)使用。
有關(guān)二氧化硅材的提供方式，可藉由圖3所示的PVD裝置來實(shí)現(xiàn)。如圖3所示，該種PVD裝置的預(yù)清室本體24側(cè)壁上裝配有一可預(yù)置二氧化硅材7的預(yù)置室241。于本實(shí)施例中，該二氧化硅材7呈板狀，其可藉由一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)8而將其放置于一升降機(jī)構(gòu)9的升降架91上。
更詳而言之，該傳動(dòng)機(jī)構(gòu)8由一動(dòng)力部81、及承載部82所構(gòu)成，當(dāng)動(dòng)力部81啟動(dòng)時(shí)，則會(huì)使該承載部82轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而將置放于承載部82上的二氧化硅材7移位至該升降機(jī)構(gòu)9的升降架91上。
之后，再進(jìn)行二氧化硅濺射步驟，于此一步驟中，將氬氣導(dǎo)入預(yù)清室2中，并藉由該預(yù)清室2的無線電波頻率產(chǎn)生器21(請(qǐng)參照?qǐng)D2)將氬氣解離成等離子，而使等離子濺射該二氧化硅材7，進(jìn)而使該二氧化硅材7的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸內(nèi)。
在此值得一提的是，二氧化硅材的提供方式除可以圖3所示的方式外，尚可將二氧化硅材與晶片6混置于晶舟中，再藉由上述機(jī)械手臂5搬送到該預(yù)清室2中(未示于圖)。
綜上所述，由于二氧化硅與鐘型缸間的附著較佳，因此，當(dāng)該預(yù)清室的鐘型缸上形成有一硅化物層時(shí)，則可藉由二氧化硅的濺射，將二氧化硅涂布于鐘型缸上的硅化物層上。如此，即可避免硅化物快速剝離，進(jìn)而延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間。由于可延長(zhǎng)鐘型缸的使用時(shí)間，因此可以減少保養(yǎng)次數(shù)，進(jìn)而達(dá)到提高產(chǎn)能的功效。
于本實(shí)施例的詳細(xì)說明中所提出的具體的實(shí)施例僅為了易于說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的精神及以下權(quán)利要求的情況，可作種種變化實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種預(yù)清室的微粒防止方法，包括一二氧化硅材提供步驟，提供一二氧化硅材于該預(yù)清室中；及一二氧化硅濺射步驟，于該預(yù)清室中產(chǎn)生等離子并濺射該二氧化硅材，而使該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法，其中該預(yù)清室包括物理氣相沉積裝置的預(yù)清室。
3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法，其中該二氧化硅材預(yù)置于預(yù)清室中。
4.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法，其中該等離子藉由將氬氣通入該預(yù)清室中，并在無線電波頻率作用下產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清室的微粒防止方法，其中該預(yù)清室包括一鐘型缸，而該二氧化硅材的二氧化硅濺射于該預(yù)清室的鐘型缸上。
全文摘要
一種預(yù)清室的微粒防止方法,包括一二氧化硅材提供步驟、及一二氧化硅濺射步驟,其是藉由濺射二氧化硅材方式來產(chǎn)生二氧化硅,并使二氧化硅涂布于一已形成于預(yù)清室的鐘型缸上的硅化物層上,以避免其硅化物快速剝離,據(jù)以達(dá)到延長(zhǎng)預(yù)清室的鐘型缸使用時(shí)間的目的。
文檔編號(hào)C23C14/10GK1374684SQ0111099
公開日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2001年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月9日
發(fā)明者郭家銘, 黃昭元 申請(qǐng)人:矽統(tǒng)科技股份有限公司