有機發(fā)光器件結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光器件結構，包括：基板，以及制備于所述基板上的陽極層、空穴傳輸層、復合發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層；其中，所述復合發(fā)光層包括摻雜發(fā)光層和非摻雜發(fā)光層，所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體。本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，通過在所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，在所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體，可以增加發(fā)光主體和摻雜客體之間形成的界面的數量，進而提高激子在界面上復合發(fā)光的幾率，改善了有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【專利說明】
有機發(fā)光器件結構
技術領域
[0001]本發(fā)明設計有機發(fā)光器件顯示領域，尤其是指一種有機發(fā)光器件結構。
【背景技術】
[0002]在平板顯示技術中，有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯示器以其輕薄、主動發(fā)光、快響應速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點而被業(yè)界公認為是繼液晶顯示器(IXD)之后的第三代顯示技術。按驅動方式，OLED分為被動式 OLED (Passive Matrix OLED，PM0LED)及主動式 OLED (Active Matrix OLED,AM0LED)，PMOLED也稱為無源矩陣0LED，AMOLED稱為有源矩陣0LED，其中PMOLED只能制作小尺寸、低分辨率的顯示面板，AMOLED因通過在每個像素中集成薄膜晶體管(TFT)和電容器并由電容器維持電壓的方法進行驅動，因而可以實現大尺寸、高分辨率面板，是當前研究的重點及未來顯示技術的發(fā)展方向。
[0003]圖1是現有的有機發(fā)光器件結構的結構示意圖，圖2是圖1中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。參見圖1與圖2所示，通常的有機發(fā)光器件結構，包括基板90，以及依次制備于基板90上的陽極層91、空穴傳輸層92、有機發(fā)光層93、電子傳輸層94以及陰極層95。其中，有機發(fā)光層93包括發(fā)光主體931和摻雜客體932。結合圖2所示，現有的有機發(fā)光器件結構，有機發(fā)光層93的摻雜客體932是按照一定比例均勻分散于發(fā)光主體931中，這樣的結構會造成器件發(fā)光效率低，壽命短的問題。
[0004]因此，有必要對現有的有機發(fā)光器件結構進行改進。

【發(fā)明內容】

[0005]有鑒于上述現有的有機發(fā)光器件結構發(fā)光效率低，壽命短的問題，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光器件結構，包括:
[0006]基板，以及制備于所述基板上的陽極層、空穴傳輸層、復合發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層；
[0007]其中，所述復合發(fā)光層包括摻雜發(fā)光層和非摻雜發(fā)光層，所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體。
[0008]本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，通過在所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，在所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體，可以增加發(fā)光主體和摻雜客體之間形成的界面的數量，進而提高激子在界面上復合發(fā)光的幾率，改善了有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0009]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和一層非摻雜發(fā)光層，所述非摻雜發(fā)光層形成于所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層的一側。
[0010]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和一層非摻雜發(fā)光層，所述非摻雜發(fā)光層形成于所述復合發(fā)光層靠近所述空穴傳輸層的一側。
[0011]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和分別形成于所述摻雜發(fā)光層相對兩側的兩層非摻雜發(fā)光層，兩層所述非摻雜發(fā)光層分別靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層。
[0012]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述非摻雜發(fā)光層的數量為三層，所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層的相對兩側分別形成有一層所述非摻雜發(fā)光層，所述復合發(fā)光層的中部形成有一層所述非摻雜發(fā)光層。
[0013]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述非摻雜發(fā)光層的數量為大于三層，所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層的相對兩側分別形成有一層所述非摻雜發(fā)光層，所述復合發(fā)光層的中部形成有多層所述非摻雜發(fā)光層。
[0014]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述發(fā)光主體與所述摻雜客體均為熒光材料。
[0015]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述摻雜發(fā)光層內的所述摻雜客體均勻分散于所述發(fā)光主體中。
[0016]本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的進一步改進在于，所述摻雜發(fā)光層內的所述摻雜客體均勻分散于所述發(fā)光主體中。
【附圖說明】
[0017]圖1是現有的有機發(fā)光器件結構的結構示意圖。
[0018]圖2是圖1中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
[0019]圖3是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第一實施例結構示意圖。
[0020]圖4是圖3中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
[0021]圖5是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第二實施例結構示意圖。
[0022]圖6是圖5中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
[0023]圖7是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第三實施例結構示意圖。
[0024]圖8是圖7中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
[0025]圖9是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第四實施例結構示意圖。
[0026]圖10是圖9中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
[0027]圖11是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第五實施例結構示意圖。
[0028]圖12是圖11中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0029]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0030]本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0031]基板，以及制備于所述基板上的陽極層、空穴傳輸層、復合發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層；
[0032]其中，所述復合發(fā)光層包括摻雜發(fā)光層和非摻雜發(fā)光層，所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體。所述摻雜發(fā)光層內的所述摻雜客體均勻分散于所述發(fā)光主體中，并且，所述發(fā)光主體與所述摻雜客體均為熒光材料。
[0033]本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，通過在所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，在所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體，可以增加發(fā)光主體和摻雜客體之間形成的界面的數量，進而提高激子在界面上復合發(fā)光的幾率，改善了有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0034]以下結合附圖以及具體實施例，對本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構進行詳細的介紹。
[0035]實施例1:
[0036]圖3是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第一實施例結構示意圖，圖4是圖3中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。配合參看圖3與圖4所示，在該實施例中，本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0037]基板10A，以及依次制備于基板1A上的陽極層20A、空穴傳輸層30A、復合發(fā)光層40A、電子傳輸層50A以及陰極層60A ；
[0038]其中，結合圖4所不，復合發(fā)光層40A包括摻雜發(fā)光層410A和非摻雜發(fā)光層420A，摻雜發(fā)光層410A內散布有發(fā)光主體401A和摻雜客體402A，非摻雜發(fā)光層420A內僅散布有發(fā)光主體401A，并且，摻雜發(fā)光層410A內的摻雜客體402A均勻分散于發(fā)光主體401A中。在該實施例中，非摻雜發(fā)光層420A的數量為一層，形成于復合發(fā)光層40A靠近電子傳輸層50A的一側。
[0039]實施例2:
[0040]圖5是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第二實施例結構示意圖，圖6是圖5中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。配合參看圖5與圖6所示，在該實施例中，本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0041]基板10B，以及依次制備于基板1B上的陽極層20B、空穴傳輸層30B、復合發(fā)光層40B、電子傳輸層50B以及陰極層60B ;
[0042]其中，結合圖6所不，復合發(fā)光層40B包括摻雜發(fā)光層410B和非摻雜發(fā)光層420B，摻雜發(fā)光層410B內散布有發(fā)光主體401B和摻雜客體402B，非摻雜發(fā)光層420B內僅散布有發(fā)光主體401B，并且，摻雜發(fā)光層410B內的摻雜客體402B均勻分散于發(fā)光主體401B中。在該實施例中，非摻雜發(fā)光層420B的數量為一層，形成于復合發(fā)光層40B靠近空穴傳輸層30B的一側。
[0043]實施例3:
[0044]圖7是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第三實施例結構示意圖，圖8是圖7中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。配合參看圖7與圖8所示，在該實施例中，本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0045]基板10C，以及依次制備于基板1C上的陽極層20C、空穴傳輸層30C、復合發(fā)光層40C、電子傳輸層50C以及陰極層60C ;
[0046]其中，結合圖8所不，復合發(fā)光層40C包括摻雜發(fā)光層410C和非摻雜發(fā)光層420C，摻雜發(fā)光層410C內散布有發(fā)光主體401C和摻雜客體402C，非摻雜發(fā)光層420C內僅散布有發(fā)光主體401C，并且，摻雜發(fā)光層410C內的摻雜客體402C均勻分散于發(fā)光主體401C中。在該實施例中，非摻雜發(fā)光層420C的數量為兩層，分別形成于復合發(fā)光層40C靠近電子傳輸層50C和空穴傳輸層30C的相對兩側。
[0047]實施例4:
[0048]圖9是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第四實施例結構示意圖，圖10是圖9中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。配合參看圖9與圖10所示，在該實施例中，本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0049]基板10D，以及依次制備于基板1D上的陽極層20D、空穴傳輸層30D、復合發(fā)光層40D、電子傳輸層50D以及陰極層60D ;
[0050]其中，結合圖10所示，復合發(fā)光層40D包括摻雜發(fā)光層410D和非摻雜發(fā)光層420D，摻雜發(fā)光層410D內散布有發(fā)光主體401D和摻雜客體402D，非摻雜發(fā)光層420D內僅散布有發(fā)光主體401D，并且，摻雜發(fā)光層410D內的摻雜客體402D均勻分散于發(fā)光主體40ID中。在該實施例中，非摻雜發(fā)光層420D的數量為三層，復合發(fā)光層40D靠近電子傳輸層50D和空穴傳輸層30D的相對兩側分別形成有一層非摻雜發(fā)光層420D，復合發(fā)光層40D的中部形成有一層非摻雜發(fā)光層420D。
[0051]實施例5:
[0052]圖11是本發(fā)明有機發(fā)光器件結構的第五實施例結構示意圖，圖12是圖10中的有機發(fā)光器件結構的復合發(fā)光層的結構示意圖。配合參看圖11與圖12所示，在該實施例中，本發(fā)明的有機發(fā)光器件結構，包括:
[0053]基板10E，以及依次制備于基板1E上的陽極層20E、空穴傳輸層30E、復合發(fā)光層40E、電子傳輸層50E以及陰極層60E ;
[0054]其中，結合圖12所示，復合發(fā)光層40E包括摻雜發(fā)光層410E和非摻雜發(fā)光層420E，摻雜發(fā)光層410E內散布有發(fā)光主體401E和摻雜客體402E，非摻雜發(fā)光層420E內僅散布有發(fā)光主體401E，并且，摻雜發(fā)光層410E內的摻雜客體402E均勻分散于發(fā)光主體401E中。在該實施例中，非摻雜發(fā)光層420E的數量為大于三層，復合發(fā)光層40E靠近電子傳輸層50E和空穴傳輸層30E的相對兩側分別形成有一層非摻雜發(fā)光層420E，復合發(fā)光層40E的中部形成有多層非摻雜發(fā)光層420E。
[0055]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明做任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案的范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
【主權項】
1.一種有機發(fā)光器件結構，包括基板，以及制備于所述基板上的陽極層、空穴傳輸層、復合發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層，其特征在于，所述復合發(fā)光層包括摻雜發(fā)光層和非摻雜發(fā)光層，所述摻雜發(fā)光層內散布有發(fā)光主體和摻雜客體，所述非摻雜發(fā)光層內僅散布有發(fā)光主體。2.如權利要求1所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和一層非摻雜發(fā)光層，所述非摻雜發(fā)光層形成于所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層的一側。3.如權利要求1所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和一層非摻雜發(fā)光層，所述非摻雜發(fā)光層形成于所述復合發(fā)光層靠近所述空穴傳輸層的一側。4.如權利要求1所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述復合發(fā)光層包括一層摻雜發(fā)光層和分別形成于所述摻雜發(fā)光層相對兩側的兩層非摻雜發(fā)光層，兩層所述非摻雜發(fā)光層分別靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層。5.如權利要求1所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述非摻雜發(fā)光層的數量為三層，所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層的相對兩側分別形成有一層所述非摻雜發(fā)光層，所述復合發(fā)光層的中部形成有一層所述非摻雜發(fā)光層。6.如權利要求1所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述非摻雜發(fā)光層的數量為大于三層，所述復合發(fā)光層靠近所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層的相對兩側分別形成有一層所述非摻雜發(fā)光層，所述復合發(fā)光層的中部形成有多層所述非摻雜發(fā)光層。7.如權利要求1至6中任一項所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述發(fā)光主體與所述摻雜客體均為熒光材料。8.如權利要求1至6中任一項所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述摻雜發(fā)光層內的所述摻雜客體均勻分散于所述發(fā)光主體中。9.如權利要求7所述的有機發(fā)光器件結構，其特征在于，所述摻雜發(fā)光層內的所述摻雜客體均勻分散于所述發(fā)光主體中。
【文檔編號】H01L51/50GK105845830SQ201510012815
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月12日
【發(fā)明人】張斌, 鄒忠哲, 李艷虎
【申請人】上海和輝光電有限公司