通過活性硬焊料連結(jié)陶瓷體的方法、包括至少兩個(gè)連結(jié)的陶瓷體的組件、特別是壓力測(cè)量單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種組件，該組件包括通過接合部(3-5)連接的兩個(gè)陶瓷體(1、2)，該接合部具有活性硬焊料(5)，所述活性硬焊料(5)具有結(jié)合性的核心體積，該核心提及與各陶瓷體(1、2)距離至少1μm，特別是至少2μm，接合部(3-5)具有邊界層(3、4)，邊界層鄰接陶瓷體(1、2)。包括接合部(3-5)的體積的至少50％的核心體積沒有尺寸大于6μm的結(jié)晶相，特別是沒有大于4μm的結(jié)晶相，優(yōu)選沒有大于2μm的結(jié)晶相。
【專利說明】通過活性硬焊料連結(jié)陶瓷體的方法、包括至少兩個(gè)連結(jié)的陶瓷體的組件、特別是壓力測(cè)量單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種組件，其具有至少兩個(gè)相互連結(jié)的陶瓷體，特別是壓力測(cè)量單元，以及一種通過活性硬焊料或釬料連結(jié)陶瓷體的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]由于本發(fā)明對(duì)于壓力測(cè)量單元的特殊相關(guān)性，所以基于壓力測(cè)量單元作為其應(yīng)用實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的壓力測(cè)量單元組合陶瓷測(cè)量膜和陶瓷平臺(tái)，其中測(cè)量膜與平臺(tái)沿著周邊接合部壓密連結(jié)，周邊接合部包括活性硬焊料或釬料，其中在測(cè)量膜和平臺(tái)之間形成壓力腔，其中測(cè)量膜的平衡位置由位于壓力腔內(nèi)的壓力和作用于測(cè)量膜面對(duì)的外表面的壓力之間的差而產(chǎn)生，從而其表面背向壓力腔。
[0004]特別地，氧化鋁陶瓷作為平臺(tái)和測(cè)量膜的材料，由于它們的彈性性能和耐介質(zhì)性，適合壓力測(cè)量單元的制造。特別是上述陶瓷部件采用活性硬焊料或釬料連結(jié)，優(yōu)選是包含鋯、鎳和鈦的活性硬焊料或釬料。例如，這樣一種活性硬焊料或釬料的制造在歐洲公開說明書EP0490807A2中公開。根據(jù)其所公開的方法，位于測(cè)量膜和平臺(tái)之間的活性釬料的環(huán)可被制造，使得將其相互硬焊接或釬接到一起。
[0005]例如，為了連結(jié)組件，陶瓷體與放在中間的焊劑預(yù)型在高真空中加熱到一定溫度，其熔化活性硬焊料或釬料，從而在活性硬焊料或釬料與陶瓷體之間開始反應(yīng)。通過冷卻，活性硬焊料或釬料凝固，活性硬焊料或釬料與陶瓷體之間的反應(yīng)停止。然而，在冷卻過程中，不同的相從熔化的活性硬焊料或釬料中結(jié)晶析出，其中相有不同的熱機(jī)械性能，例如，膨脹系數(shù)，從而在不同相的晶界處就產(chǎn)生相當(dāng)大的機(jī)械應(yīng)力集中。這樣一方面降低了結(jié)合力，另一方面由于結(jié)構(gòu)的塑性變形而在測(cè)量中產(chǎn)生滯后現(xiàn)象。應(yīng)該注意，考慮到活性硬焊料或釬料在焊接之前通常為足夠均勻的即無定形或細(xì)晶材料，其可免于此類問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]因此，本發(fā)明的目的是提供一種組件和一種壓力測(cè)量單元及其制造工藝，從而上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)可以得到克服。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的的目的通過獨(dú)立權(quán)利要求1所限定的組件、獨(dú)立權(quán)利要求14限定的壓力測(cè)量單元和獨(dú)立權(quán)利要求15限定的方法來實(shí)現(xiàn)。
[0008]本發(fā)明的組件包括第一陶瓷體和第二陶瓷體，其中第一陶瓷體和第二陶瓷體通過接合部連接，其中接合部包含活性硬焊料或釬料，其中活性硬焊料或釬料有連續(xù)的核心體積，在每種情況下，核心體積與第一陶瓷體和第二陶瓷體間隔開至少I ym，特別地至少2 μ m，其中接合部有第一邊界層和第二邊界層，鄰接第一陶瓷體或第二陶瓷體，其中根據(jù)本發(fā)明的核心體積包括至少50%的接合部體積并沒有尺寸大于6 μπι的結(jié)晶相，特別沒有大于4 μ m的結(jié)晶相，優(yōu)選沒有大于2 μ m的結(jié)晶相。
[0009]另一方面，本發(fā)明的組件包括第一陶瓷體和第二陶瓷體，其中第一陶瓷體和第二陶瓷體通過一個(gè)接合部連接，接合部包含活性硬焊料或釬料，其中活性硬焊料或釬料平均分配在整個(gè)連續(xù)的核心體積，在每種情況下，核心體積與第一陶瓷體和第二陶瓷體間隔開至少Ium，特別地至少2 μπι。活性硬焊料或釬料具有液相線溫度ST1(Ck)的平均成分(average composit1n) CK，其中 CK:= (cK1，...，cKN)，其中 |CK| = 1，其中，CKi是核心體積中活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N，其中接合部有第一邊界層和第二邊界層，其鄰接第一陶瓷體或第二陶瓷體。根據(jù)本發(fā)明，至少一個(gè)位于核心體積之外的邊界層有液相線溫度ST1(Ce)的平均成分Ce，液相線溫度T1 (Ce)在核心體積平均成分Ck的液相線溫度T ! (Ck)以下，不小于20K，優(yōu)選地是不小于40K，特別優(yōu)選地是不小于80K，其中Ce:= (cei，…，ceN)，其中|Ce| = I，其中，(^是邊界層中活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N。
[0010]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，至少一個(gè)邊界層的厚度不大于3 μπι，特別地不大于
2μ m，優(yōu)選地不大于I μ m。
[0011 ] 在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，接合部是環(huán)形，其中核心體積由旋轉(zhuǎn)體限定，旋轉(zhuǎn)體由凸多邊形，特別是矩形，繞環(huán)形的旋轉(zhuǎn)主軸的旋轉(zhuǎn)而形成。
[0012]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，隨著成分從Ce到Ck的變化液相線溫度從T I (Cg)單調(diào)上升至T1 (Ck) ο
[0013]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，成分Ce有液相線溫度T ! (Cg)，所述液相線溫度T1 (Cg)位于成分空間中具有成分C6的共晶點(diǎn)或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)的液相線溫度T!(Ce)之上，不大于300K，特別地不大于150K，優(yōu)選地不大于50K，其中Ce:= (cel，…，ceN)，其中Ce=1，其中，(^是在共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i =I，.…，N0
[0014]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，接合部的合金在成分空間中的共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處具有成分(；，其中，Ce:= (cel，...，cj，其中，Ce =1，其中，Cei是在共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N，其中，成分(；和成分Ce之間的差利用歸一化向量差D &表示，其中:Ce= Ce+a&*De(；，Dec = 1，其中，所述成分Ck和成分C e之間的差利用歸一化向量差D Ke表示，其中:C K= C G+aKG*DKG, | Dkg | =1，其中，aeG和a Ke是正標(biāo)量，其中，對(duì)內(nèi)積S eK= D eG.DKG:S eK< 0，特別S eK< _0.5，優(yōu)選S eK< -0.8。
[0015]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，核心體積的成分Ck包含邊界層的成分C e也包含的金屬。
[0016]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，第一陶瓷體和/或第二陶瓷體包含三氧化二鋁。
[0017]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，活性硬焊料或釬料包含鋯、鎳和鈦。
[0018]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，成分Ck主要包含鋯和鎳，例如，特別地化學(xué)計(jì)量配比值是3: 1，鋯份額例如占比76at% (原子百分比)，鎳份額例如占比24at%。
[0019]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，邊界層具有成分Ce，例如，其包括42_52at %的鋯、23-28at %的鎳和24-30at %的鈦，特別地，47at %的鋯、26at %的鎳和27at %的鈦，在給定的情況下，鋁擴(kuò)散進(jìn)去，其中在一些鋁存在的情形中，特別地鈦份額從上述的規(guī)格降低。
[0020]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，接合部的兩個(gè)邊界層具有成分Ce。
[0021]本發(fā)明的壓力測(cè)量單元包括本發(fā)明的組件，其中第一陶瓷體是壓力測(cè)量單元測(cè)量膜的膜主體，第二陶瓷體是壓力測(cè)量單元的平臺(tái)，平臺(tái)和測(cè)量膜通過環(huán)形接合部壓密地相互連結(jié)在一起。
[0022]用于制造本發(fā)明的特殊組件的本發(fā)明的方法，其中組件包括第一陶瓷體和第二陶瓷體，其中第一陶瓷體和第二陶瓷體通過利用活性硬焊或釬料的方法連結(jié)，該方法包括以下步驟:
[0023]在所述陶瓷體之間提供所述活性硬焊料或釬料，其中，所述活性硬焊料或釬料平均分配在連續(xù)核心體積上，平均成分Ckci具有液相線溫度1\ (Ckci),其中Ckc1:= (cKCI1，...，c_)，其中IC1J = 1，并且其中cKi是所述核心體積中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N，其中，所述活性硬焊料或釬料在其朝向所述陶瓷體的至少一個(gè)表面具有邊界層，該邊界層具有平均成分C?，其中，所述成分Cetl具有液相線溫度T1 (Cgo)，所述液相線溫度T1 (Cgo)位于主要體積的平均成分Ckci液相線溫度T ! (Cko)以下，不小于20K，優(yōu)選地不小于40K，并且特別優(yōu)選地不小于80K，其中，CGQ: = (c GQ1，...，cG0N)，其中IQj = 1，并且其中，0^是所述邊界層中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N ;以及
[0024]用真空硬焊接、釬接工藝加熱陶瓷體和活性硬焊料或釬料，直到熔化成分Cetl,邊界層熔化，向核心體積轉(zhuǎn)移，使與核心體積的材料混合，因此邊界層的液相線溫度增高，使得邊界層至少部分地等溫凝固或變得更有黏性。
[0025]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，提供的活性硬焊料或釬料包括:利用具有成分CtJ勺邊界層，具有成分Ckci的焊劑預(yù)型通過氣相沉淀一一例如通過濺射一一涂覆在至少一個(gè)表面上，優(yōu)選地在兩個(gè)相對(duì)的表面上。
[0026]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，提供活性硬焊料或釬料包括陶瓷體的至少一個(gè)表面部分，特別地兩個(gè)陶瓷體的相對(duì)的兩個(gè)面，涂覆有具有成分為Cetl的邊界層，例如通過氣相沉淀，特別通過濺射進(jìn)行涂覆。在本方法進(jìn)一步改進(jìn)的實(shí)施例中，在設(shè)有邊界層的陶瓷體之間布置一個(gè)焊劑預(yù)型，其包括成分為Ckci的核心體積，在給定情況下，焊劑預(yù)型涂有成分為
Ce(!的邊界層。
[0027]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，成分Ckci包括化學(xué)計(jì)量比為3比I的鋯和鎳，例如，20at% _30&丨％的鎳和其余的鋯，特別例如22at% _26at%的鎳，優(yōu)選24at%的鎳。
[0028]在本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn)中，成分Cetl包括，例如，42_52at %的鋯，23_28at %比例的鎳和24-30at%的鈦，例如，45-49at%的鋯，24.5_27at%比例的鎳和26-29.5at%的鈦，優(yōu)選地是47at %的鋯，26at %的鎳和27at %的鈦。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]現(xiàn)在將根據(jù)附圖中示出的實(shí)施例的示例進(jìn)行說明，其中:
[0030]圖1 鎮(zhèn)-欽-錯(cuò)三元組簡(jiǎn)化圖(見 Gupta，K.P.:The N1-T1-Zr system (nickel-titanium-zirconium).Journal of Phase Equilibria，20(4):441-448, Aug 1999)；
[0031]圖2本發(fā)明壓力測(cè)量單元的縱截面；

【具體實(shí)施方式】
[0032]圖1中所示的镲-鈦-錯(cuò)三元組簡(jiǎn)化圖基于Gupta的數(shù)據(jù)(Journal of PhaseEquilibria，20 (4)，P441-448，1999，8)。該圖示出了共晶點(diǎn)E的位置和不同的共晶谷。共晶谷中的箭頭指向較低的液相線溫度。
[0033]基于這些數(shù)據(jù)，根據(jù)本發(fā)明，提供活性硬焊料或釬料的核心體積，這決定了以之形成的接合部的機(jī)械性能，核心體積具有成分CK(I，例如作為焊劑預(yù)型，其中核心體積的表面被涂覆有成分為Cetl的邊界層，其中后者的成分較之核心體積的成分具有顯著低的熔點(diǎn)。
[0034]特別是邊界層的成分Cetl可被選擇位于或靠近共晶點(diǎn)，如圖1中所示。適當(dāng)?shù)某煞諧etl包含如47at%的鋯、26at%的鎳和27at%的鈦。相關(guān)聯(lián)的液相線溫度例如可達(dá)770°C。
[0035]與此不同，具有76at%的鋯和24at %的鎳的核心體積成分的液相線溫度例如是960。。。
[0036]相應(yīng)地，以800°C至850°C的焊接溫度，邊界層能夠容易地熔化，而不熔化活性硬焊料或釬料的核心體積。
[0037]因此，在焊接時(shí)，核心體積的細(xì)晶或非晶結(jié)構(gòu)能夠被保持。在給定情況下，僅僅在邊界層和核心體積之間的界面，在核心體積和邊界層之間發(fā)生材料互換，使得邊界層的局部經(jīng)歷液相線溫度上升，這取決于選擇的焊接溫度，實(shí)現(xiàn)邊界層的一些區(qū)域變?yōu)榈葴啬袒蝠せ?。然而，在任何情況下，核心體積的結(jié)構(gòu)幾乎不變化。
[0038]作為這個(gè)過程應(yīng)用的實(shí)例，壓力測(cè)量單元的各部件被連結(jié)。圖2顯示連結(jié)前的布置。壓力測(cè)量單元包括陶瓷平臺(tái)I和測(cè)量膜2。它們每個(gè)由氧化鋁組成。測(cè)量膜2和平臺(tái)將通過活性硬焊料或釬料接合，其中活性硬焊料或釬料以環(huán)形焊劑預(yù)型3提供，例如具有20 μπι的厚度，其中邊界層4、5通過濺射沉積在焊料環(huán)的兩個(gè)端面，厚度為I ym至2 μπι。
[0039]焊劑預(yù)型具有上面描述的成分為Ckci的核心體積，鋯和鎳的化學(xué)計(jì)量比值例如
3: I。與此不同，邊界層具有成分Cetl,其靠近或位于共晶點(diǎn)E處。
[0040]通過在高真空中焊接，例如，850°C，邊界層3、4與平臺(tái)I和測(cè)量膜2反應(yīng)，使得形成接合部，其中活性硬焊料或釬料的核心體積沒有熔化，并且基本保持其非晶結(jié)構(gòu)。測(cè)量膜和平臺(tái)各承載電容換能器的電極7、6，其中例如通過沉積鎳來制備電極。
【權(quán)利要求】
1.一種組件，包括: 第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)，其中，所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)利用接合部連接，其中，所述接合部包含活性硬焊料或釬料(5)， 其中，所述活性硬焊料或釬料具有連續(xù)的核心體積，在每種情況下，所述核心體積與所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)間隔開至少I μm，特別是至少2 μm， 所述接合部具有第一邊界層和第二邊界層，所述第一邊界層和第二邊界層鄰接所述第一陶瓷體或所述第二陶瓷體， 其特征在于，所述核心體積包括所述接合部的體積的至少50%并且沒有尺寸大于6 μπι的結(jié)晶相，特別是沒有大于4 μπι的結(jié)晶相，優(yōu)選沒有大于2 μπι的結(jié)晶相。
2.—種組件，特別是如權(quán)利要求1所述的組件，包括: 第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)，其中，所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)利用接合部連接，其中，所述接合部包含活性硬焊料或釬料(5)， 其中，所述活性硬焊料或釬料平均分配在連續(xù)的核心體積上，在每種情況下，所述核心體積與所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)間隔開至少Iu m，特別是至少2 μ m，所述活性硬焊料或釬料具有平均成分CK，該平均成分(^具有液相線溫度T ! (Ck)， 其中，cK:= (cK1，...，cKN)，其中，|cK| = 1，并且其中，cKi是所述核心體積中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N， 其中，所述接合部具有第一邊界層和第二邊界層，所述第一邊界層和第二邊界層鄰接所述第一陶瓷體或所述第二陶瓷體， 其特征在于，位于所述核心體積之外的至少一個(gè)邊界層具有平均成分Ce，該平均成分Ce具有液相線溫度T ! (Cg)，所述液相線溫度T1 (Cg)在所述核心體積的平均成分(^的液相線溫度T1(Ck)之下，不小于20K，優(yōu)選不小于40K，并且特別優(yōu)選不小于80K， 其中，Ce:= (Cei，...，C(；N)，其中，|Ce| = 1，并且其中，Cei是所述邊界層中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N。
3.如權(quán)利要求1或2所述的組件，其中，所述邊界層的至少一個(gè)的厚度不大于3μπι，特別地不大于2 μ m，并且優(yōu)選地不大于I μ m。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的組件，所述接合部是環(huán)形的，其中，所述核心體積由旋轉(zhuǎn)體限定，所述旋轉(zhuǎn)體由凸多邊形一一特別是矩形一一繞所述環(huán)形的旋轉(zhuǎn)主軸的旋轉(zhuǎn)形成。
5.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，隨著成分從Ce變化到Ck所述液相線溫度從T1 (Cg)單調(diào)上升至所述液相線溫度T1 (Ck)。
6.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述成分C^具有液相線溫度T ! (Cg)，所述液相線溫度T1 (Cg)位于具有成分空間中的成分(；的共晶點(diǎn)或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)的液相線溫度T1 (Ce)之上，不大于300K，特別不大于150K，并且優(yōu)選不大于50K， 其中(；:= (cel，...，cj，其中，|Ce| = 1，并且其中，Cei是在共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N。
7.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述接合部的合金在成分空間中的共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處具有成分C；， 其中，Ce:= (cel，...，O，其中，Ce = 1，其中，Cei是在共晶點(diǎn)處或與共晶谷最近的交叉點(diǎn)處的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N， 其中，成分C6和成分C e之間的差利用歸一化向量差D &表不， 其中:Ce=CG+aeG*DeG，IDecI = 1， 其中，成分Ck和成分C e之間的差利用歸一化向量差DKe表不，
其中:Ck — C c+aKG*DKG，I Dkg I — I， 其中，aee和a Ke是正標(biāo)量， 其中，對(duì)內(nèi)積seK: = D &.Dkg: SeK< O，特別地 S eK< -0.5，優(yōu)選地 S eK< -0.80
8.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述核心體積的成分Ck包含所述邊界層的成分Ce也包含的金屬。
9.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述第一陶瓷體(I)和/或第二陶瓷體(2)包括三氧化二鋁。
10.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述活性硬焊料或釬料包括鋯、鎳和鈦。
11.如前一權(quán)利要求所述的組件，其中，所述成分Ck主要包含鋯和鎳，例如，例如是3比I的化學(xué)計(jì)量比，其中例如鋯份額占比76at%，例如鎳份額占比24at%。
12.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述邊界層具有成分CG,例如所述成分Ce包括42至52at %的鋯、23至28at %的鎳和24至30at %的鈦，其中在給定情況下，鋁擴(kuò)散進(jìn)入，其中在存在鋁的情形中，特別地，所述鈦份額被降低。
13.如前述權(quán)利要求之一所述的組件，其中，所述接合部的兩個(gè)邊界層具有成分CGo
14.一種壓力測(cè)量單元，包括如前述權(quán)利要求之一所述的組件， 其中，所述第一陶瓷體是所述壓力測(cè)量單元的測(cè)量膜的膜主體， 其中，所述第二陶瓷體是所述壓力測(cè)量單元的平臺(tái)， 其中，所述平臺(tái)和測(cè)量膜通過環(huán)形的所述接合部壓密地相互接合。
15.一種制造組件的方法，特別地制造如前述權(quán)利要求之一所述的組件，所述組件包括第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)，其中，所述第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)利用活性硬焊料或釬料(5)連接， 其中，所述方法包括以下步驟: 在所述陶瓷體之間提供所述活性硬焊料或釬料， 其中，所述活性硬焊料或釬料平均分配在連續(xù)的核心體積上，平均成分Ckci具有液相線溫度T1(Ckq),其中Ckq:= (cKQ1，...，cKQN)，其中|CKQ| = 1，并且其中CKi是所述核心體積中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N， 其中，所述活性硬焊料或釬料在其朝向所述陶瓷體的至少一個(gè)表面具有邊界層，該邊界層具有平均成分Cetl,其中，所述成分Cetl具有液相線溫度T i (Cgo)，所述液相線溫度T1 (Cgo)位于所述主要體積的平均成分Ckci液相線溫度T ! (Cho)以下，不小于20K，優(yōu)選不小于40K，并且特別優(yōu)選不小于80K，其中，Cetl:= (CeQ1，...，CeQN)，其中IcaJ = I，并且其中，Cetli是所述邊界層中的活性硬焊料或釬料的平均成分的各成分Ki的化學(xué)計(jì)量份額，i = 1，...，N，以及 用真空硬焊接、釬接工藝加熱所述陶瓷體和所述活性硬焊料或釬料，直到熔化所述成分Cetl，其中，所述邊界層熔化，向所述核心體積轉(zhuǎn)移，使得與所述核心體積的材料混合，因此所述邊界層的液相線溫度增高，從而所述邊界層至少部分地等溫凝固或變得更有黏性。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，提供所述活性硬焊料或釬料包括:利用具有成分Cetl的邊界層，具有成分C K(l的焊劑預(yù)型通過氣相沉淀一一例如通過濺射一一涂覆在至少一個(gè)表面上，優(yōu)選地在兩個(gè)相對(duì)的表面上。
17.如權(quán)利要求15或16所述的方法，其中，提供所述活性硬焊料或釬料包括:陶瓷體的至少一個(gè)表面部分，特別是所述兩個(gè)陶瓷體相對(duì)的兩個(gè)表面部分，被涂覆具有成分CtJ勺邊界層，其中例如通過氣相沉淀一一特別地通過濺射一一發(fā)生所述涂覆。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，在設(shè)有所述邊界層的所述陶瓷體之間布置焊劑預(yù)型，所述焊劑預(yù)型具有包括成分Ckci的核心體積，并且在給定情況下，所述焊劑預(yù)型被覆蓋有成分為Cetl的邊界層。
19.如權(quán)利要求15至18之一所述的方法，其中，所述成分Ckci包括化學(xué)計(jì)量比為3比I的鋯和鎳，例如，20at %至30at%的鎳和其余的鋯，特別地，例如，22&丨％至26at %的鎳，優(yōu)選地24at%的镲。
20.如權(quán)利要求15至19之一所述的方法，其中，所述成分Cetl包括，例如，42至52at%的鋯，23至28at%的鎳和24至30at%的鈦，例如，45至49at%的鋯，24.5至27at%的鎳和26至29.5at%的鈦，以及優(yōu)選47at%的鋯，26at%的鎳和27at%的鈦。
【文檔編號(hào)】B23K1/19GK104520044SQ201380036987
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月11日
【發(fā)明者】尼爾斯·波納特, 安德烈亞斯·羅斯貝格, 埃爾克·施密特 申請(qǐng)人:恩德萊斯和豪瑟爾兩合公司