技術(shù)編號：7050493
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制造，特別是涉及一種溝槽型功率MOS晶體管的制造方法。本發(fā)明是在器件的U形凹槽內(nèi)形成場氧化層后，采用光刻膠作為犧牲介質(zhì)層，采用等離子體刻蝕方法，使得刻蝕后的光刻膠僅保留在U形凹槽內(nèi)，之后刻蝕掉外露的場氧化層，然后剝除光刻膠，再進(jìn)行柵氧化層的氧化和多晶硅柵極的淀積，最后形成與源區(qū)和溝道摻雜區(qū)接觸的源極金屬。本發(fā)明具有工藝過程簡單可靠、易于控制等優(yōu)點，可降低溝槽型功率MOS晶體管器件的生產(chǎn)成本和提高其成品率。專利說明—種溝槽型功率MOS晶體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。