專利名稱：發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法和發(fā)光器件封裝。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是半導(dǎo)體發(fā)光器件，其將電流轉(zhuǎn)換為光。LED可以產(chǎn)生具有高亮度的光，使得已經(jīng)昂貴地將LED用作顯示器、汽車或照明器件的光源。另外，LED可以通過使用熒光物質(zhì)或組合具有各種顏色的LED來呈現(xiàn)出具有優(yōu)越的光效率的白色。為了改善LED的亮度和性能，已經(jīng)進(jìn)行各種嘗試來改善光提取結(jié)構(gòu)、有源層結(jié)構(gòu)、 電流擴(kuò)散、電極結(jié)構(gòu)、和發(fā)光二極管封裝的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了一種能夠改善可靠性的發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法。實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法，在其中，對生長襯底進(jìn)行了劃分。根據(jù)所述實(shí)施例，所述發(fā)光器件包括氮化物半導(dǎo)體層；在氮化物半導(dǎo)體層上的電極；在所述氮化物半導(dǎo)體層下面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層。所述氮化物半導(dǎo)體層具有比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的帶隙能量低的帶隙能量。根據(jù)所述實(shí)施例，所述發(fā)光器件包括氮化物半導(dǎo)體層，其包括多個(gè)孔；在所述氮化物半導(dǎo)體層上面的電流擴(kuò)散層；在所述電流擴(kuò)散層上面的電極；發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、和在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；以及，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括反射層，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層具有比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的帶隙能量低的帶隙能量°根據(jù)所述實(shí)施例，所述發(fā)光器件封裝包括主體；在所述主體上面的第一和第二引線電極；發(fā)光器件，其在所述第一和第二引線電極的至少一個(gè)上面；以及，成型構(gòu)件，其覆蓋所述發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光器件包括氮化物半導(dǎo)體層；在氮化物半導(dǎo)體層上的電極；在所述氮化物半導(dǎo)體層下面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層具有比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的帶隙能量低的帶隙能量。根據(jù)所述實(shí)施例，一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括在襯底上形成擴(kuò)散層；在所述擴(kuò)散層上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件；以及，通過向所述襯底的下部照射激光束以分解所述犧牲層來分離所述襯底。所述擴(kuò)散層的帶隙能量大于所述激光束的能量，并且所述擴(kuò)散層的導(dǎo)熱率大于所述襯底的導(dǎo)熱率。


圖1-5是示出根據(jù)第一實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的方法的視圖；圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；圖7是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)截面圖；圖8是示出包括根據(jù)所述實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖9是示出根據(jù)所述實(shí)施例的顯示器件的視圖；圖10是示出根據(jù)所述實(shí)施例的顯示裝置的另一個(gè)示例的視圖；以及圖11是示出根據(jù)所述實(shí)施例的照明器件的視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，可以理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案、或結(jié)構(gòu)被稱為在另一個(gè)襯底、另一個(gè)層(或膜)、另一個(gè)區(qū)域、另一個(gè)焊盤、或另一個(gè)圖案“上面”或“下面”時(shí)，它可以“直接地”或“間接地”在該另一個(gè)襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤、或圖案上，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。已經(jīng)參考附圖描述了這樣的層的位置。為了方便或清楚的目的，可能夸大、省略、或示意地繪制在附圖中所示的每層的厚度和大小。另外，元件的大小不完全地反映實(shí)際大小。以下，將參考附圖來描述根據(jù)實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的方法。圖1-5是示出根據(jù)實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件的方法的視圖。參見圖1，在襯底110上形成多個(gè)基于氮化物的半導(dǎo)體層。例如，基于氮化物的半導(dǎo)體層可以包括具有ΜχΑ ρ ^Να)彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的組成式的氮化物半導(dǎo)體材料。基于氮化物的半導(dǎo)體層包括擴(kuò)散層112、在擴(kuò)散層112上的犧牲層115、在犧牲層 115上的第一半導(dǎo)體層130、在第一半導(dǎo)體層130上的有源層140、和在有源層140上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150，但是該實(shí)施例不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)145包括第一半導(dǎo)體層130、有源層140、和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150， 以產(chǎn)生光。擴(kuò)散層112和犧牲層115的晶格常數(shù)可以具有在襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)145的晶格常數(shù)之間的中間值。犧牲層115可以具有比發(fā)光結(jié)構(gòu)145更低的晶格常數(shù)。擴(kuò)散層112和犧牲層115可以減少由在發(fā)光結(jié)構(gòu)145和襯底110之間的晶格常數(shù)差引起的缺陷和錯(cuò)位。擴(kuò)散層112和犧牲層115允許通過作為后續(xù)處理的激光剝離處理將襯底110穩(wěn)定地與發(fā)光結(jié)構(gòu)145分離。因此，擴(kuò)散層112和犧牲層115保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)145，并且使得能夠重新使用襯底110，下面將描述其細(xì)節(jié)。例如，襯底110 可以包括從由(Al2O3)、SiC、Si、GaAs, GaN、ZnO, Si、GaP、LiAl203、 hP、BN、AlN和Ge組成的組中選擇的至少一個(gè)。為了防止由于激光束導(dǎo)致的對襯底110的損害，襯底110的帶隙能量可以大于在后述的LLO處理中使用的激光束的能量。例如，襯底110的帶隙能量可以至少大約為6. 5eV(電子伏特)。優(yōu)選的是，襯底 110的帶隙能量可以大約為7eV或更大。以下，對實(shí)施例的描述將主要集中于，襯底110包括具有大約9. 5eV至大于10. 5eV的帶隙能量的藍(lán)寶石(Al2O3)，但是實(shí)施例不限于此。
同時(shí)，襯底110可以包括具有圖案的PSS (圖案化的藍(lán)寶石襯底)，或襯底110的上表面可以相對于主表面以預(yù)定角度傾斜，但是該實(shí)施例不限于此。該圖案可以具有諸如凹凸圖案的光提取結(jié)構(gòu)，并且可以具有半球形狀或多邊形。可以通過MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方案、CVD (化學(xué)氣相沉積)方案、 PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)方案、和MBE (分子束外延)方案、HVPE (氫化物氣相外延)方案，在襯底110上形成氮化物基的半導(dǎo)體層，但是該實(shí)施例不限于此。擴(kuò)散層112可以包括具有hxAlfamMO彡χ彡0. 5，0. 15彡y彡1，O彡x+y彡1) 組成式的氮化物半導(dǎo)體材料。擴(kuò)散層112可以包括具有比犧牲層115的帶隙能量大，并且比激光能量小的帶隙能量的材料。例如，擴(kuò)散層112的帶隙能量可以是至少3. 5eV0優(yōu)選的是，擴(kuò)散層112的帶隙能量可以是至少kV。如果通過MOCVD方案來形成擴(kuò)散層112，則向腔體內(nèi)注入三甲基鎵(TMGa)氣體、 三甲基銦(TMIn)氣體、三甲基鋁(TMAl)氣體、氨氣(NH3)氣體、氮?dú)?N2)氣體、和氫氣(H2) 氣體中的至少一個(gè)，但是該實(shí)施例不限于此。擴(kuò)散層112減少在襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)145之間的晶格常數(shù)失配。另外，擴(kuò)散層 112允許在后述的LLO處理中照射的激光能量擴(kuò)散到犧牲層115的整個(gè)區(qū)域，因此可以改善 LLO處理的可靠性。為此，擴(kuò)散層112的導(dǎo)熱率可以大于襯底110的導(dǎo)熱率。激光能量被轉(zhuǎn)換為擴(kuò)散層112的熱能。因?yàn)閿U(kuò)散層112具有高導(dǎo)熱率，所以熱能被有效地?cái)U(kuò)散至整個(gè)區(qū)域，以便熱能可以被傳送到犧牲層115?？梢愿鶕?jù)在擴(kuò)散層112中包含的鋁(Al)的含量來調(diào)整擴(kuò)散層112的導(dǎo)電率。例如，如果襯底Iio包括Al2O3，則襯底110的導(dǎo)熱率可以在大約0. 4ff/cm ·Κ至大約0. 5ff/cm ·Κ 的范圍中。優(yōu)選的是，擴(kuò)散層112可以包括如下的材料，所述材料具有在大約1.5W/Cm K 到大約3. 5ff/cm · K的范圍內(nèi)，并且比襯底110的導(dǎo)熱率更大的導(dǎo)熱率。因此，從激光施加的能量均勻地?cái)U(kuò)散到擴(kuò)散層112的整個(gè)區(qū)域，從而可以改善后述的LLO處理的可靠性。為了允許擴(kuò)散層112充分地執(zhí)行其固有功能。擴(kuò)散層112可以具有至少5nm的厚度。優(yōu)選的是，擴(kuò)散層112可以具有至少IOnm的厚度。更優(yōu)選的是，擴(kuò)散層112可以具有在大約20nm至大約IOOnm的范圍中的厚度。同時(shí)，擴(kuò)散層112可以包括多個(gè)層，或可以不包括多個(gè)層。例如，擴(kuò)散層112包含包括AIN的第一層、包括AlGaN的第二層、和包括hGaN的第三層，但是該實(shí)施例不限于此。如果擴(kuò)散層112包括多個(gè)層，則隨著該層遠(yuǎn)離襯底110，該層的帶隙能量可以逐漸地增加或減少，但是可以按照根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件的設(shè)計(jì)來對其進(jìn)行變化。可以在擴(kuò)散層112上形成犧牲層115。犧牲層115可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0. 15≤χ≤1，O≤y≤0. 15，O≤x+y≤1)組成式的氮化物半導(dǎo)體材料。犧牲層115可以包括氮化物半導(dǎo)體層，并且具有比諸如GaN基的半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)145的帶隙能量低的帶隙能量。犧牲層115可以包括具有比擴(kuò)散層112的帶隙能量和激光能量低的帶隙能量的材料。例如，犧牲層115的帶隙能量可以在大約IeV至大約^V的范圍中。優(yōu)選的是，犧牲層115的帶隙能量可以在大約IeV至大約!BeV的范圍內(nèi)。如果通過MOCVD方案形成犧牲層115，則可以在腔體內(nèi)注入TMfei氣體、TMh氣體、 TMAl氣體、NH3氣體、隊(duì)氣體、和H2氣體中的至少一個(gè)，但是該實(shí)施例不限于此。
犧牲層115吸收由在后述的LLO處理中照射的激光束的能量所形成的熱能，并且被該熱能分解，使得襯底110與發(fā)光結(jié)構(gòu)145分離。因此，優(yōu)選的是，犧牲層115包括具有高熱吸收系數(shù)的材料，并且犧牲層115的厚度可以是至少50nm，優(yōu)選地是IOOnm或更多。同時(shí)，犧牲層115可以包括多個(gè)層。所述層包含包括hN的第一層和包括InGaN 的第二層，但是該實(shí)施例不限于此。可以在犧牲層115上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)145。發(fā)光結(jié)構(gòu)145包括第一半導(dǎo)體層130、在第一半導(dǎo)體層130上的有源層140、和在有源層140上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150。第一半導(dǎo)體層130可以僅包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，或可以進(jìn)一步包括在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下面的非導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，但是該實(shí)施例不限于此。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以包括至少一個(gè)N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以包括具有h/lyGiinNa)彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)組成式的半導(dǎo)體材料。例如，該 N型半導(dǎo)體層可以選自由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AUnN構(gòu)成的組，并且可以被摻雜N型摻雜劑，諸如Si、Ge和Sn。如果形成MOCVD方案，則可以通過在腔體內(nèi)注入TMGa氣體、TiOn氣體、TMAl氣體、 NH3氣體、N2氣體、和吐氣體中的至少一個(gè)來形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，但是該實(shí)施例不限于此。例如，非導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可以包括具有h/ipanNO)彡χ彡1，0彡y彡1， O ^ x+y ^ 1)組成式的半導(dǎo)體材料，并且未摻雜N型摻雜劑。該非導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有比第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層低得多的導(dǎo)電率?？梢栽诘谝话雽?dǎo)體層130上形成有源層140。有源層140可以包括具有 InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。有源層140可以包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、或量子線結(jié)構(gòu)。例如，如果使用MOCVD方案，則有源層140可以包括MQW結(jié)構(gòu)，該MQW結(jié)構(gòu)具有通過向腔體內(nèi)注入TMGa氣體、TiOn氣體、NH3氣體、和N2氣體中的至少一個(gè)而形成的hGaN/ GaN結(jié)構(gòu)。有源層140可以通過使用III至V族元素的化合物半導(dǎo)體材料而具有阱層/勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。阱層可以包括具有Ιη/ ρ ^Ν (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體層，并且勢壘層可以包括具有hxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 的組成式的半導(dǎo)體層。例如，有源層140可以具有InGaN阱/GaN勢壘層、InGaN阱/AlGaN 勢壘層、或hGaN阱/InGaN勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。勢壘層的帶隙能量可以大于阱層的帶隙能量?？梢栽谟性磳?40上面和/或下面形成導(dǎo)電包覆層，并且該導(dǎo)電包覆層可以包括氮化物基的半導(dǎo)體。導(dǎo)電包覆層的帶隙可以比勢壘層的帶隙高。有源層140可以由于在從第一和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130和150提供的電子和空穴的重新組合中出現(xiàn)的能量而產(chǎn)生光?？梢栽谟性磳?40上形成第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以包括至少一個(gè)P型半導(dǎo)體層。該？型半導(dǎo)體層可以包括具有化/1#%_!￡_#(0<1<1， O彡y彡1，O彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體層。例如，該P(yáng)型半導(dǎo)體層可以選自由InMGaN、GaN, AlGaN, InGaN, A1N、InN和AlInN構(gòu)成的組，并且可以利用諸如Mg、Zn、Ca、Sr,和Ba的 P型摻雜劑來進(jìn)行摻雜。例如，如果使用MOCVD方案，則可以通過注入TMGa、TMIn, TMA1, NH3> N2, H2和包括諸如Mg的P型摻雜劑的^tCp2Mg) (Mg(C2H5C5H4)J的至少一個(gè)來形成第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 150，但是該實(shí)施例不限于此。參見圖2，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)145的上表面的外圍部分處形成保護(hù)構(gòu)件155，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)145和保護(hù)構(gòu)件155上形成反射層158，并且，可以在反射層158上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件160。保護(hù)構(gòu)件155可以防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)145和導(dǎo)電支撐構(gòu)件160之間出現(xiàn)電短路。從發(fā)光結(jié)構(gòu)145的側(cè)表面向內(nèi)設(shè)置保護(hù)構(gòu)件155的內(nèi)側(cè)部分，并且從發(fā)光結(jié)構(gòu)145的側(cè)表面向外設(shè)置保護(hù)構(gòu)件155的外側(cè)部分。保護(hù)構(gòu)件155可以包括透射材料或透明材料，并且可以作為在溝道區(qū)域中的保護(hù)構(gòu)件。為此，保護(hù)構(gòu)件155可以包括具有導(dǎo)電性的材料。例如，保護(hù)構(gòu)件155可以選自由 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy、A1203、TiO2, ITO、AZO 和 SiO 構(gòu)成的組。另外，保護(hù)構(gòu)件 155 的厚度在大約0. 5 μ m到大約100 μ m的范圍內(nèi)?？梢酝ㄟ^沉積方案或光刻方案來形成保護(hù)構(gòu)件155，但是該實(shí)施例不限于此?？梢栽诒Ｗo(hù)構(gòu)件155和發(fā)光結(jié)構(gòu)145上形成反射層158。反射層158反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)145發(fā)射的光，使得可以改善根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件的光提取效率。反射層158可以包括具有高反射率的材料。例如，反射層158可以包括包含Ag、 Al、Pt、Pd和Cu中的至少一個(gè)的金屬及其合金。同時(shí)，如果反射層158不與發(fā)光結(jié)構(gòu)145進(jìn)行歐姆接觸，則可以在反射層158和發(fā)光結(jié)構(gòu)145之間另外形成歐姆接觸層(未示出)，但是該實(shí)施例不限于此?？梢栽诜瓷鋵?58上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件160。導(dǎo)電支撐構(gòu)件160可以支撐根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件，并且供應(yīng)電力。導(dǎo)電支撐構(gòu)件160可以包括選自由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、 Au、W、Cu、Mo構(gòu)成的組的至少一個(gè)，和諸如Si、Ge、GaAs、aiO、SiC、SiGe或GaN的載體晶圓?？梢酝ㄟ^沉積方案、鍍方案、和光刻方案來形成反射層158和導(dǎo)電支撐構(gòu)件160。參見圖3和4，執(zhí)行LLO處理，從而通過向圖2的發(fā)光器件的下表面，即，襯底110 的下表面內(nèi)照射激光束來將襯底110與發(fā)光結(jié)構(gòu)145分離。激光束的能量可以小于擴(kuò)散層112的帶隙能量，并且大于犧牲層115的帶隙能量。 在該情況下，激光的能量根據(jù)如表1中所示的波長而發(fā)生改變，并且可以根據(jù)構(gòu)成擴(kuò)散層 112和犧牲層115的材料來選擇適當(dāng)?shù)募す馐！幢?>
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括氮化物半導(dǎo)體層；在所述氮化物半導(dǎo)體層上的電極；在所述氮化物半導(dǎo)體層下面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；以及，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層具有比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的帶隙能量低的帶隙能量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括具有 InxAlyGa1^yN(0. 15彡χ彡1，0彡y彡0. 15，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層的帶隙能量在大約IeV 至大約:3eV的范圍中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層具有在范圍大約Inm至大約99nm的范圍內(nèi)的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括在所述氮化物半導(dǎo)體層下面的第一半導(dǎo)體層；和在所述第一半導(dǎo)體層下面的第二半導(dǎo)體層，以及其中，所述第一半導(dǎo)體層具有比所述氮化物半導(dǎo)體層的帶隙能量高的帶隙能量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括電極，所述電極被布置在所述氮化物半導(dǎo)體層上，并且與所述氮化物半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述氮化物半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個(gè)上的光提取結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括多個(gè)孔，并且通過所述孔來暴露比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的頂表面低的階梯表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述氮化物半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的電流擴(kuò)散層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述導(dǎo)電層下面的支撐構(gòu)件；保護(hù)層，所述保護(hù)層在所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的外周部分處；以及電流阻擋層，所述電流阻擋層被布置在所述導(dǎo)電層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間，并且對應(yīng)于相對于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的厚度方向的電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述導(dǎo)電層包括在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下面的歐姆接觸層；在所述歐姆接觸層下面的反射層；和在所述反射層下面的結(jié)合層。
12.一種發(fā)光器件封裝，包括主體；在所述主體上面的第一引線電極和第二引線電極；發(fā)光器件，所述發(fā)光器件在所述第一引線電極和第二引線電極的至少一個(gè)上；以及成型構(gòu)件，所述成型構(gòu)件覆蓋所述發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光器件是權(quán)利要求1至11之一的發(fā)光器件。
13.一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括在襯底上形成擴(kuò)散層； 在所述擴(kuò)散層上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)； 在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件；以及通過向所述襯底的下部照射激光束以分解所述犧牲層來分離所述襯底， 其中，所述擴(kuò)散層的帶隙能量大于所述激光束的能量，并且所述擴(kuò)散層的導(dǎo)熱率大于所述襯底的導(dǎo)熱率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述擴(kuò)散層包括InxAly(iai-x-yN(0≤χ≤0.5， 0. 15 ≤y ≤1，0 ≤x+y ≤1)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述擴(kuò)散層具有比所述犧牲層的帶隙能量大的帶隙能量，以及其中，所述擴(kuò)散層的所述帶隙能量是至少3. 5eV。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝。所述發(fā)光器件包括氮化物半導(dǎo)體層；在氮化物半導(dǎo)體層上的電極；在氮化物半導(dǎo)體層下面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及，在發(fā)光結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)電層。氮化物半導(dǎo)體層具有比第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的帶隙能量低的帶隙能量。
文檔編號B23K26/40GK102194937SQ201110041638
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月5日
發(fā)明者丁煥熙, 姜大成, 宋俊午, 崔光基, 文智炯, 李尚烈 申請人:Lg伊諾特有限公司