專利名稱：一種激光焊接惰性氣體保護裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于材料加工技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種焊接施工配套工 具，特別是涉及一種激光焊接用焊縫背面惰性氣體保護裝置。
背景技術(shù)：
在鈦合金、鋁合金、鎂合金等有色金屬合金以及某些不銹鋼材料 的焊接過程中，為避免在高溫條件下氧化污染等原因， 一般需要對焊 縫高溫區(qū)進行保護。通常的方法是采用惰性氣體(氦氣或氬氣)保護措 施或?qū)⒑附釉嚇又糜谡婵帐覂?nèi)。但真空保護成本過高，工件尺寸也受 到很大限制。因此通常采用對焊縫高溫區(qū)進行惰性氣體保護，保護的 部位一般包括焊縫熔池、焊縫金屬的冷卻段、熱影響區(qū)以及焊縫背面。 大量的試驗結(jié)果表明，焊縫背面的保護對于保證焊縫質(zhì)量和成形效果 十分關(guān)鍵。近年來，隨著高能量密度焊接熱源技術(shù)的發(fā)展，有色金屬 高效的自動化單面焊雙面成型技術(shù)成為焊接界關(guān)注的熱點之一。有色 金屬合金單面焊雙面成型技術(shù)尤其要求背面焊縫的保護效果和焊縫 背面的成形效果。目前公知的激光焊接背面保護裝置，出氣孔一般位 于裝置的一端或底部。出氣孔位于端部，保護效果有一定的局限性； 出氣孔位于底部則很容易被激光損傷或被焊渣堵住，影響保護效果。

實用新型內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種激光焊接惰性氣體保 護裝置。具體方案為
一種激光焊接惰性氣體保護裝置，由對稱的兩部分組成，每部分 包括底座l、上蓋板2，所述底座l設(shè)置有凹臺，上蓋板2設(shè)置在所 述凹臺上；所述凹臺底部開有一端帶有充氣口3、另一端封閉的儲氣 槽5，儲氣槽5與上蓋板2形成封閉的儲氣倉；上蓋板2近焊縫邊設(shè) 置倒角7，倒角7面上沿全長均勻分布與儲氣倉相通的出氣孔4。
本實用新型的優(yōu)點焊接時，惰性保護氣體由裝置側(cè)面出氣孔沿
悍縫全長均勻噴出，對焊縫背面實施保護，提高了保護效果。另外，
由于出氣孔位于裝置側(cè)面，從而有效避開了激光對出氣孔的損傷，延
長了夾具使用壽命。裝置中間設(shè)有排渣槽，有利于激光焊接時背面焊 渣的排除。本裝置可用于激光以及激光復(fù)合熱源焊接時焊縫背面的惰
性氣體保護。

圖l為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實用新型軸測圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明本實用新型的裝置由對稱的兩部分組成，每部分包括底座l、上蓋板2，所述底座l設(shè)置有凹臺，上蓋板2設(shè)置在所述凹臺上；所述凹臺底部開有一端帶有充
氣口 3、另一端封閉的儲氣槽5，儲氣槽5與上蓋板2形成封閉的儲氣倉；上蓋板2近焊縫邊設(shè)置倒角7，倒角7面上沿全長均勻分布與儲氣倉相通的出氣孔4，兩部分裝置中間是排渣槽6。
實際使用時，利用配套的夾具定位好待焊工件8相對于銅質(zhì)蓋板2的位置，使出氣孔4與焊縫背面10相對應(yīng)，充氣口 3與氣瓶連接，開始焊接時，提前通惰性保護氣，待惰性氣體充滿儲氣槽5后，打開激光束ll，并使激光束11相對于工件8沿待焊焊縫9運動，在焊接動態(tài)過程中，惰性保護氣由出氣孔4均勻噴出，在焊縫背面10形成動態(tài)的保護氣層，從而在焊接過程中實現(xiàn)對平板焊縫背面10的惰性氣體保護。焊接結(jié)束時，先撤激光束11，滯后撤惰性保護氣。焊接過程中形成的渣由排渣槽6排出。
由于出氣孔4位于裝置側(cè)面，從而有效避開了激光11對出氣孔4的損傷，延長了使用壽命。
該裝置結(jié)構(gòu)簡單，使用方便。經(jīng)焊接后進行檢測，焊縫全長保護效果良好，焊縫成型好。
權(quán)利要求1.一種激光焊接惰性氣體保護裝置，其特征在于由對稱的兩部分組成，每部分包括底座、上蓋板，所述底座設(shè)置有凹臺，上蓋板設(shè)置在所述凹臺上；所述凹臺底部開有一端帶有充氣口、另一端封閉的儲氣槽，儲氣槽與上蓋板形成封閉的儲氣倉；上蓋板近焊縫邊設(shè)置倒角，倒角面上沿全長均勻分布與儲氣倉相通的出氣孔。
專利摘要本實用新型公開一種激光焊接惰性氣體保護裝置。所述裝置由對稱的兩部分組成，每部分包括底座、上蓋板，所述底座設(shè)置有凹臺，上蓋板設(shè)置在所述凹臺上；所述凹臺底部開有一端帶有充氣口、另一端封閉的儲氣槽，儲氣槽與上蓋板形成封閉的儲氣倉；上蓋板近焊縫邊設(shè)置倒角，倒角面上沿全長均勻分布與儲氣倉相通的出氣孔。本實用新型的優(yōu)點是保護氣體自裝置側(cè)面出氣孔沿焊縫全長均勻噴出，對焊縫背面實施保護，提高了保護效果；由于出氣孔位于裝置側(cè)面，從而避免激光對出氣孔的損傷；裝置中間設(shè)有排渣槽，有利于激光焊接時背面焊渣的排除。
文檔編號B23K26/14GK201432168SQ200920015400
公開日2010年3月31日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者敏 王, 甘洪巖, 谷侃鋒, 強 魏 申請人:中國科學(xué)院沈陽自動化研究所