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休眠烙鐵支架的制作方法

文檔序號:3020758閱讀:1710來源:國知局
專利名稱:休眠烙鐵支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明主要用于烙鐵在通電閑置過程中,起到降低烙鐵的使用功率,同時保持烙鐵溫度的作用。
背景技術(shù)
通常的烙鐵支架只起到放置烙鐵的作用,卻不能在烙鐵閑置的時候降低功耗,既浪費了電能又會使烙鐵頭氧化。

發(fā)明內(nèi)容
為了使烙鐵在閑置的時候能夠降低能耗,保證溫度,同時又可以使烙鐵在使用時能夠全功率供電。
由于普通電烙鐵使用的電源為交流220V,所以利用二極管的單向?qū)ㄐ裕陔娫凑胫軙r使其對一電容充電,當電容達到一定儲能后,達到觸發(fā)二極管的觸發(fā)電壓,觸發(fā)二極管導通,使其對應(yīng)的可控硅導通,正半周電流完成回路,當副半周時,直接通過另一二極管回到電源,完成回路。
由于烙鐵本身的實質(zhì)是螺旋加熱絲,可以看作是電感線圈,所以能夠產(chǎn)生一定的感應(yīng)電動勢,當烙鐵閑置時,將烙鐵放于烙鐵架(金屬)上,在交流電正半周時,利用其自身產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢,觸發(fā)三極管,三極管處于放大狀態(tài),使之將觸發(fā)二極管的儲能電容短路,達不到觸發(fā)二極管的導通電壓,進而使可控硅不被觸發(fā)導通,電流經(jīng)電阻直接完成回路。
本發(fā)明的有益效果是,工作時全額加熱,而在烙鐵閑置時不但保持了烙鐵溫度,又防止烙鐵頭氧化,最主要的作用是降低烙鐵能耗。


下面結(jié)合附圖和實例對本發(fā)明進一步說明。圖l是本發(fā)明的電路原理圖。圖2是電源正半周時電路分解圖。圖3是電源副半周時電路分解圖。圖4是烙鐵放于烙鐵架上后電源正半周的電路原理圖。
圖中l(wèi).二極管A , 2.二極管B, 3.電阻(300K) , 4.電容(22*10A3PF), 5.觸發(fā)二極管,6.可控硅,7.三極管(NPN) , 8.電阻(3M), 9.電阻(400K), IO.烙鐵支架,ll.穩(wěn)壓二極管,12,電烙鐵。
具體實施例方式
圖l為此電路的完整電路圖,二極管A/B (1) (2)具有交流擇向功能,完成交流電正負半周的分別控制。
在圖2中,三極管(7)處于截止狀態(tài),電流經(jīng)電阻(3)給觸發(fā)二極管的儲能電容(4)充電,從而達到觸發(fā)二極管(5)的導通電壓,觸發(fā)二極管(5)導通后,進而觸發(fā)可控硅(6)導通,電流經(jīng)可控硅(6)回到電源負極。
在圖3中,電流經(jīng)二極管B (2)直接完成回路。
在圖4中,將烙鐵(12)放于烙鐵支架(10)上,利用烙鐵本身所產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢,使三極管(7)處于放大狀態(tài),三極管(7)導通,使得觸發(fā)二極管(5)的儲能電容(4)短路,達不到觸發(fā)二極管(5)的導通電壓,則可控硅(6)無法導通,根據(jù)功率計算公式P^"2/R,且普通烙鐵的內(nèi)阻一般小于1.5K,而此時所串接的電阻為3 0 0 K,遠遠大于烙鐵內(nèi)阻,其所消耗的功率為P《i'2 /(Rl+R2 ),所以整個烙鐵電路在其工作與放于烙鐵架前后所產(chǎn)生的功率比為(Rl+R2)/Rl-200,即當烙鐵放置于烙鐵架上時,其在電源正半周所產(chǎn)生的功率要小于其使用時所產(chǎn)生功率的1/200,由于普通烙鐵的使用功率一般在100W以下,因此當烙鐵放置于烙鐵架上時,整個電路在電源正半周產(chǎn)生的電能可以忽略不計,所以整個電路在閑置時所產(chǎn)生的功率是平時的1/2,起到一定的節(jié)能作用。
權(quán)利要求
1.一種烙鐵架,特征是烙鐵架不再是一個獨立的個體,而是作為整個烙鐵電路的一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的烙鐵架,其特征是二極管A負極接入可控硅陽極,觸發(fā)二極管接 入可控硅控制極,二極管A負極通過電阻(300K)連接三極管(NPN)集電極,電容(22+l(T3PF)、 觸發(fā)二極管連接三極管集電極,烙鐵架通過電阻(400K)連接三極管基極,電容的另一端、 三極管的發(fā)射極、可控硅的陰極接二極管B的正極,二極管B的正極通過電阻(3M)與三極 管基極連接,二極管B的負極與二極管A的正極、電烙鐵相連接,電烙鐵另一端與二極管B 的正極各自連接電源兩端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的烙鐵架,其特征是烙鐵架與其底座絕緣。
全文摘要
休眠烙鐵支架。一種能夠在烙鐵放置在烙鐵架上可以節(jié)省大約50%電能的烙鐵架。當烙鐵通電后放置在烙鐵架上時,通過烙鐵本身的感應(yīng)電動勢,觸發(fā)三極管導通,將觸發(fā)二極管的儲能電容短路,電流無法通過觸發(fā)二極管,因而無法觸發(fā)可控硅導通,從而達到分壓節(jié)能的目的。
文檔編號B23K3/00GK101637840SQ20081013882
公開日2010年2月3日 申請日期2008年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月29日
發(fā)明者鄧元瑞 申請人:鄧元瑞
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