專利名稱：偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，特別涉及到一種用以屏蔽位于陰極射線管頸部的偏轉(zhuǎn)線圈泄漏出的電磁波的電磁波屏蔽裝置。
偏轉(zhuǎn)線圈包括一對(duì)漏斗形隔板。固定在隔板內(nèi)壁上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、和纏繞在鐵氧體磁心上并固定在隔板外邊的垂直偏轉(zhuǎn)線圈。此偏轉(zhuǎn)線圈設(shè)置在陰極射線管頸部。當(dāng)電壓加到偏轉(zhuǎn)線圈上時(shí)就產(chǎn)生電磁場(chǎng)。此電磁場(chǎng)使電子槍發(fā)射的電子束偏轉(zhuǎn)，從而確定在屏上的掃描位置。
然而在上述這樣的偏轉(zhuǎn)線圈中，從偏轉(zhuǎn)線圈向外泄漏電磁波。這些漏泄的電磁波對(duì)正常的電子束偏轉(zhuǎn)是無用的，而且對(duì)人體有害。因此，為使所制造的供陰極射線管用的產(chǎn)品的漏泄保持低水平，就要限定漏泄的電磁波不超過一預(yù)定的電平。例如MPR2類型的CRT在0.5m距離處其ELMF的額定值必須小于240nT。


圖1是常規(guī)偏轉(zhuǎn)線圈的示意性側(cè)視圖。圖2是圖1的偏轉(zhuǎn)線圈沿A—A線的剖視圖。
偏轉(zhuǎn)線圈2包括具有凸緣20的漏斗形隔板10、裝在隔板10的內(nèi)圓周表面上的水平偏轉(zhuǎn)線圈40、和纏繞在鐵氧體磁心30上并裝到隔板10的外圓周表面上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈50。此外，用以屏蔽水平偏轉(zhuǎn)線圈40所產(chǎn)生的輻射電磁波的漏磁波抵消線圈60和60a裝在凸緣20上。漏磁波抵消線圈60和60a與垂直偏轉(zhuǎn)線圈50電連接。
在這樣的常規(guī)電磁波屏蔽裝置的工作中，當(dāng)陰極射線管工作從而將電源施加到水平和垂直偏轉(zhuǎn)線圈上時(shí)，從位于管頸內(nèi)的電子槍發(fā)射電子束。所發(fā)射的電子束被線圈所產(chǎn)生的電磁偏轉(zhuǎn)力偏轉(zhuǎn)預(yù)定的角度，以使其射到熒位屏的特定點(diǎn)上。
如圖3所示，電磁場(chǎng)41從水平偏轉(zhuǎn)線圈40泄漏出來。同時(shí)，裝在偏轉(zhuǎn)線圈凸緣20上的漏磁波抵消線圈60和60a產(chǎn)生反向電磁場(chǎng)61。因此，漏泄的電磁場(chǎng)41被反向電磁場(chǎng)61抵消。
但是此常規(guī)的電磁屏蔽裝置有一定的缺點(diǎn)。首先，要將漏磁波抵消線圈60和60a焊接到隔板上，因而使組裝工藝復(fù)雜。其次，反向電磁場(chǎng)的精確的路徑的變化取決于所裝的線圈60和60a的安裝角度，這就使所制造的每個(gè)陰極射線管各自對(duì)輻射的電磁波的衰減(抵消)度不同，因而降低了產(chǎn)品的可靠性。
所以，本發(fā)明的目的是提供一種能屏蔽陰極射線管偏轉(zhuǎn)線圈泄漏出來的電磁波并與于安裝的屏蔽裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種能高度有效地衰減“漏泄”的電磁波的電磁波屏蔽裝置。
為了達(dá)到上述目的，提供了一種能阻斷位于陰極射線管頸部的偏轉(zhuǎn)線圈所泄漏的電磁波的偏轉(zhuǎn)線圈電磁波屏蔽裝置，此屏蔽裝置包括有預(yù)定導(dǎo)磁率的屏蔽板，它與偏轉(zhuǎn)線圈同軸安裝。
本發(fā)明的上述目的和其它優(yōu)點(diǎn)通過參照附圖更詳細(xì)地說明實(shí)施例將變得更加明顯。
圖1是裝有常規(guī)電磁屏蔽裝置的偏轉(zhuǎn)線圈的側(cè)視圖；圖2是圖1所示的偏轉(zhuǎn)線圈沿A—A線的剖視圖；圖3是常規(guī)陰極射線管的示意圖；圖4是一般陰極射線管的示意性側(cè)視圖；圖5是其偏轉(zhuǎn)線圈上裝有本發(fā)明的電磁波屏蔽裝置的陰極射線管的側(cè)視圖；圖6是圖5所示的陰極射線管的側(cè)視圖；圖7是表示在圖5中所示的陰極射線管采用的屏蔽板的剖視圖；圖8是圖7所示的屏蔽板的正視圖。
本發(fā)明的屏蔽裝置有與常規(guī)偏轉(zhuǎn)線圈相同的結(jié)構(gòu)。因此不再對(duì)其詳細(xì)說明。
參看圖5和圖6，用以偏轉(zhuǎn)電子槍所發(fā)射的電子束的偏轉(zhuǎn)線圈2裝在陰極射線管1的頸部。用以屏蔽偏轉(zhuǎn)線圈2所產(chǎn)生的電磁波的屏蔽板3與陰極射線管的X軸同軸地裝到偏轉(zhuǎn)線圈2上。屏蔽板3也可以直接裝到陰極射線管1的頸部并呈環(huán)形。也就是說，如圖7和圖8所示，通孔3a形成在屏蔽板3的中央用來將其裝到偏轉(zhuǎn)線圈2上或陰極射線管1的頸部。如圖5所示，能在偏轉(zhuǎn)線圈2中或在陰極射線管的頸部上以預(yù)定的間隔安裝多個(gè)屏蔽板3。
參看圖5，當(dāng)裝上屏蔽的板3時(shí)，距偏轉(zhuǎn)線圈2的凸緣20到屏蔽3的距離4和相鄰屏蔽板3之間的間隔5都小于15cm。
參看圖5和圖7，屏蔽板3的邊緣相對(duì)于偏轉(zhuǎn)線圈2的軸彎曲。彎曲角(θ)小于80度。而且，彎曲方向與發(fā)射的電子束的行進(jìn)方向相反。
參看圖7和圖8，屏蔽板3的通孔3a的半徑7大于2cm，屏蔽板3的外徑8小于20cm。而且屏蔽板3的厚度6小于2cm。
這時(shí)，構(gòu)成屏蔽板3的材料的原有的直流導(dǎo)磁率大于100。鐵類氧化物(例如FeO、Fe2O3或Fe3O4)、含0.01—10％的硅成分的鐵合金、含0.01—20％鋁成分的鐵合金、有20％鎳成分的合金、或者鐵氧體或鎳的不規(guī)則金屬槽板能被用作屏蔽板3的材料。
按照本發(fā)明實(shí)施例的電磁波屏蔽裝置的工作如下所述。
當(dāng)電壓加到陰極射線管1的偏轉(zhuǎn)線圈2上時(shí)，偏轉(zhuǎn)線圈2的垂直和水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生電磁波。在此屏蔽3阻斷輻射電磁波的漏泄。
為實(shí)現(xiàn)這樣的工作，要求屏蔽板3的導(dǎo)磁率超過預(yù)定值。導(dǎo)磁率(μIDC)可用下式表示μIDC＝1/μ0Limn-0(B/H)這里，μIDc是起始的DC導(dǎo)磁率，μ0是在真空(4π×10-7)中的導(dǎo)磁率，B是DC磁通密度，H是DC磁場(chǎng)強(qiáng)度。
在上列公式中，屏蔽電磁波所用材料的導(dǎo)磁率是材料磁通密度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之比，并由充滿磁場(chǎng)所在空間的介質(zhì)(空氣)未決定。換言之，導(dǎo)磁率是每單位磁場(chǎng)能被特定材料吸收的磁通密度量。因此屏蔽板3的優(yōu)點(diǎn)是它有大的導(dǎo)磁率。
電磁屏蔽效果的變化取決于從偏轉(zhuǎn)線圈2的凸緣未端到屏蔽板3的距離4的相鄰屏蔽板3之間的間隔5。
由上述可知，由于屏蔽板3用以阻斷工作區(qū)周圍的電磁波，所以當(dāng)距離4和間隔5更短時(shí)屏蔽偏轉(zhuǎn)線圈2所漏泄的電磁波的作用變得更強(qiáng)。
但是，當(dāng)屏蔽板3太靠近偏轉(zhuǎn)線圈2的末端20時(shí)，陰極射線管的屏特性會(huì)改變。所以，從偏轉(zhuǎn)線圈2的末端到屏蔽板3的距離4應(yīng)適當(dāng)?shù)乜刂啤?br> 參看圖7和圖8，當(dāng)屏蔽板3越厚，通孔3a的半徑7越小、外徑8越大，則屏蔽作用越強(qiáng)。但當(dāng)屏蔽板3太厚時(shí)，陰極射線管的屏特性也會(huì)改變。所以屏蔽板3的厚度也要適當(dāng)?shù)乜刂啤?br> 此外，屏蔽板3的彎曲角(θ)應(yīng)按陰極射線管的內(nèi)外結(jié)構(gòu)和偏轉(zhuǎn)線圈的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)乜刂啤?br> 當(dāng)裝二個(gè)或更多個(gè)屏蔽板3時(shí)，其屏蔽作用比只裝一個(gè)屏蔽板3增加。
一種導(dǎo)磁率為3200的鐵氧體用作屏蔽板3的材料以改變屏蔽作用。當(dāng)具有單個(gè)屏蔽板3的偏轉(zhuǎn)線圈裝到14英寸工業(yè)用的陰極射線管上，而且所說的單個(gè)屏蔽板3其彎曲角(θ)為0度，厚度6是5mm、外徑8是8.75cm、貫通孔3a的半徑7是7.5cm、從偏轉(zhuǎn)線圈末端到屏蔽板3的距離是5cm時(shí)，漏泄的電磁波中50％以上的ELMF被阻斷。當(dāng)使從偏轉(zhuǎn)線圈末端到屏蔽板3的距離4是0cm并保持其它條件不變時(shí)，能扼制掉80％的泄漏的電磁波。
本發(fā)明的屏蔽裝置有下述明顯的優(yōu)點(diǎn)。
首先，與需要纏繞圈的工序以構(gòu)成漏磁波抵消線圈的傳統(tǒng)屏蔽裝置不同，本發(fā)明的屏蔽裝置中是應(yīng)用有預(yù)定導(dǎo)磁率的屏蔽板。所以本發(fā)明的裝置不需要繞制線圈的工序，從而簡(jiǎn)化了制造工藝。此外，與要用焊接方法安裝的漏磁波抵消線圈不同，屏蔽板是通過使組裝工藝簡(jiǎn)化的機(jī)械裝配來安裝。
第二，是傳統(tǒng)屏蔽裝置所用的漏磁波抵消線圈裝在偏轉(zhuǎn)線圈的末端，因此對(duì)屏特性有有害作用。與此相反，本發(fā)明所用的屏蔽板安裝在偏轉(zhuǎn)線圈的中間部分，從而減少了對(duì)屏特性的有害作用。
第三是本發(fā)明所用的屏蔽裝置能高效地消除電磁波。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，用以阻斷從設(shè)置在陰極射線管頸部的偏轉(zhuǎn)線圈漏泄出的電磁波，其特征在于所說的屏蔽裝置包括一具有預(yù)定導(dǎo)磁率的屏蔽板，并與所說的偏轉(zhuǎn)線圈同軸安裝。
2.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板安裝在所說的偏轉(zhuǎn)線圈外圓周面上。
3.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板安裝在陰極射線管頸部上。
4.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由鐵氧化物的不規(guī)則金屬槽板制成。
5.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由含硅成分的鐵合金制成。
6.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由含鋁組分的鐵合金制成。
7.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由含有鎳成分的合金制成。
8.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板的周邊相對(duì)于所說的偏轉(zhuǎn)線圈的軸彎成預(yù)定角度。
9.按照權(quán)利要求8所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板的周邊向與電子束行進(jìn)方向相反的方向彎曲。
10.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形，在其中央有一通孔。
11.按照權(quán)利要求2所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
12.按照權(quán)利要求3所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
13.按照權(quán)利要求4所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，其中央有一通孔。
14.按照權(quán)利要求5所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
15.按照權(quán)利要求6所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
16.按照權(quán)利要求7所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
17.按照權(quán)利要求8所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板是環(huán)形的，在其中央有一通孔。
18.按照權(quán)利要求1所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
19.按照權(quán)利要求2所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
20.按照權(quán)利要求3所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
21.按照權(quán)利要求4所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
22.按照權(quán)利要求5所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
23.按照權(quán)利要求6所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
24.按照權(quán)利要求7所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
25.按照權(quán)利要求8所說的偏轉(zhuǎn)線圈的電磁波屏蔽裝置，其特征在于所說的屏蔽板由以預(yù)定間隔安裝的多個(gè)屏蔽板構(gòu)成。
全文摘要
一種用以阻斷從偏轉(zhuǎn)線圈發(fā)射的電磁波的屏蔽裝置，它有預(yù)定的導(dǎo)磁率，并至少包括一個(gè)與偏轉(zhuǎn)線圈同軸地安裝在頸部的屏蔽板，從而能簡(jiǎn)化組裝工藝，提高生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)H01J29/76GK1116801SQ95106308
公開日1996年2月14日 申請(qǐng)日期1995年5月17日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月30日
發(fā)明者洪成杓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社