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一種輻射探測(cè)器電離室的制作方法

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一種輻射探測(cè)器電離室的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種輻射探測(cè)器電離室,包括上層基片、中層基片、下層基片和絕緣環(huán);上層基片和中層基片之間設(shè)置有絕緣環(huán),下層基片和中層基片之間設(shè)有絕緣環(huán);上層基片的上表面設(shè)有集電極,下表面為金屬化涂層;中層基片的上表面為屏蔽極,下表面為集電極;下層基片的上表面為集電極,下表面為屏蔽極;下層基片上設(shè)有金屬化的引線孔和用于檢測(cè)氣密性的檢查孔。本實(shí)用新型的電離室,可以在電壓的作用下電離生產(chǎn)電子束,可以具備初步調(diào)節(jié)均整過(guò)濾器的作用,便于安裝,密封性良好。
【專利說(shuō)明】一種輻射探測(cè)器電離室

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及醫(yī)用直線加速器的配件,具體涉及到一種輻射探測(cè)器電離室。

【背景技術(shù)】
[0002]醫(yī)用電子直線加速器X射線探測(cè)器,其原理是通過(guò)X射線轟擊,內(nèi)部陶瓷密封層附著的特殊材料在室壁和電極上產(chǎn)生次級(jí)電子,次級(jí)電子使電極間的空氣產(chǎn)生電離,生成正負(fù)離子對(duì),在電場(chǎng)的作用下正負(fù)離子對(duì)定向移動(dòng)產(chǎn)生感應(yīng)電流,通過(guò)采樣檢測(cè)獲得的感應(yīng)電流電壓,判斷照射的劑量。通過(guò)特定的換算公式,得到射線的照射實(shí)際劑量,目前測(cè)量醫(yī)用電子直線加速器劑量的探測(cè)器,種類繁多,但用于加速器內(nèi)部劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)所用探測(cè)器都是采用圓形電離室,該電離室弧形面較多,輻射探測(cè)面利用率低,工藝復(fù)雜,成本較高。
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足,本實(shí)用新型提出了一種新的解決方案。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種輻射探測(cè)器電離室。
[0005]為達(dá)上述目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:提供一種輻射探測(cè)器電離室,包括上層基片、中層基片、下層基片和絕緣環(huán);上層基片和中層基片之間設(shè)置有絕緣環(huán),下層基片和中層基片之間設(shè)有絕緣環(huán);
[0006]上層基片的上表面設(shè)有集電極,下表面為金屬化涂層;中層基片的上表面為屏蔽極,下表面為集電極;下層基片的上表面為集電極,下表面為屏蔽極;下層基片上設(shè)有金屬化的弓I線孔和用于檢測(cè)氣密性的檢查孔。
[0007]本實(shí)用新型的電離室,可以在電壓的作用下電離生產(chǎn)電子束,可以具備初步調(diào)節(jié)均整過(guò)濾器的作用,便于安裝,密封性良好。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的示意圖;
[0009]圖2為上層基片上表面集電極的圖;
[0010]圖3為中層基片下表面集電極的圖;
[0011]圖4為下層基片的上表面集電極圖;
[0012]圖5為本實(shí)用新型的立體示意圖。
[0013]其中,1、上層基片;2、中層基片;3、下層基片;4、絕緣環(huán);5、引線孔;6、檢查孔;7、中心區(qū);8、第一區(qū);9、第二區(qū);10、第三區(qū);11、第四區(qū)。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0015]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,如圖1所示,提供了一種輻射探測(cè)器電離室,包括上層基片1、中層基片2、下層基片3和絕緣環(huán)4 ;上層基片I和中層基片2之間設(shè)置有絕緣環(huán)4,下層基片3和中層基片2之間設(shè)有絕緣環(huán)4。
[0016]上層基片I的上表面設(shè)有集電極,下表面為金屬化涂層。中層基片2的上表面為屏蔽極,下表面為集電極;下層基片3的上表面為集電極,下表面為屏蔽極;下層基片3上設(shè)有金屬化的引線孔5和用于檢測(cè)氣密性的檢查孔6,引線孔5用于引線通過(guò)。
[0017]本實(shí)用新型的工作原理:
[0018]輻射探測(cè)器包括充有空氣的主電離室和次級(jí)電離室,主電離室由上層基片1、絕緣環(huán)4和中層基片2組成;次級(jí)電離室由中層基片2、絕緣環(huán)4和下層基片3構(gòu)成。主電離室和次級(jí)電離室均具有兩個(gè)基本電極,一個(gè)是陽(yáng)極,另一個(gè)是集電極,陽(yáng)極設(shè)置在中層基片2上。主電離室的集電極用于一道劑量檢測(cè);次級(jí)電離室包括陽(yáng)極、集電極和分段集電極,次級(jí)電離室的集電極用于二道劑量檢測(cè),分段集電極用于劑量分布檢測(cè)。
[0019]如圖2所示,為上層基片I的集電極圖,集電極通過(guò)上層基片I上金屬化的引線孔4與上層基片I的金屬化涂層連通。上層基片I上的集電極上設(shè)有若干的引線孔4,集電極的分布形狀可以視為將上層基片I分成了五個(gè)區(qū)域,五個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)可以保持一致,其中處于中央的區(qū)域可以為電路增益參考區(qū),是為后續(xù)電路處理提供一個(gè)放大倍數(shù)的調(diào)節(jié)參考值。
[0020]如圖3所示,為中層基片2的集電極,中層基片2可以為陽(yáng)極,其集電極包括分段集電極,分段集電極的分區(qū)與上層基片I的分區(qū)相對(duì)應(yīng)。
[0021]如圖4所示,為下層基片3上表面的集電極圖,該集電極可以與上層基片I的集電極相同,下層基片3下表面為屏蔽極。
[0022]當(dāng)入射的X射線穿過(guò)主電離室或者次級(jí)電離室時(shí),在集電極和電離室的室壁上激發(fā)出次級(jí)電子,次級(jí)電子使電極間的空氣產(chǎn)生電離,生成正負(fù)離子對(duì)。當(dāng)在陽(yáng)極和集電極之間加上一定大小的電壓時(shí),在電場(chǎng)的作用下正負(fù)離子分別向收集極和陽(yáng)極方向漂移構(gòu)成電流,集電極上設(shè)有引線孔4,可以將集電極和中層基片2陽(yáng)極上的電信號(hào)與配套的檢測(cè)設(shè)備連接。由于主電離室和次級(jí)電離室的密封性良好,電離室內(nèi)一定體積的氣體受恒定強(qiáng)度的X射線照射時(shí),離子對(duì)的生成率是恒定的,檢測(cè)到的電信號(hào)也是恒定可以測(cè)量的。
[0023]本實(shí)用新型中,基片上的集電極或者分段集電極分布和形狀對(duì)應(yīng),可以將基片分為五個(gè)區(qū)域,分別為第一區(qū)8、第二區(qū)9、第三區(qū)10、第四區(qū)11和中心區(qū)7。一般地,在使用醫(yī)用直線加速器時(shí),需要在架設(shè)水箱之前完成對(duì)均整過(guò)濾器的初步調(diào)節(jié),一般采用機(jī)械限位的方式來(lái)安裝電離室。電離室的第一區(qū)8和第三區(qū)10可以分別對(duì)應(yīng)直線加速器坐標(biāo)系的T相和G相,第二區(qū)9和第四區(qū)11對(duì)應(yīng)A相和B相。
[0024]當(dāng)使用射線照射后,直線加速器射出射線,次電子電力空氣產(chǎn)生的電子在電場(chǎng)作用下發(fā)生移動(dòng)產(chǎn)生電流,一般的,加壓的電場(chǎng)電壓保持一致,使得每個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)力相當(dāng)。通過(guò)檢測(cè)與不同區(qū)域集電極的引線孔4的電信號(hào)強(qiáng)度,如果某個(gè)區(qū)域照射的射線強(qiáng)度高,產(chǎn)生的電流信號(hào)大,則可以通過(guò)檢測(cè)設(shè)備觀察到該區(qū)域的檢測(cè)信號(hào)值較大。五個(gè)區(qū)域可以在主控制臺(tái)上反饋檢測(cè)的電壓或者電流值,工作員通過(guò)電壓值大小的比較可以判定相應(yīng)區(qū)域坐標(biāo)系所在的區(qū)域射線照射量的大小,進(jìn)而可以達(dá)到一個(gè)初步調(diào)節(jié)的目的,而現(xiàn)有的電離室不具備初步調(diào)節(jié)功能。
[0025]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上層基片1、中層基片2、下層基片3和絕緣環(huán)4為陶瓷材料制成。
[0026]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上層基片1、中層基片2、下層基片3呈矩形體,四個(gè)頂角處設(shè)有倒角。長(zhǎng)方體形狀的基片相對(duì)于圓柱體狀的基片,在安裝時(shí)更易把握方向,可以精確的讓坐標(biāo)系方向?qū)?yīng),使電離室具備粗略調(diào)整均整過(guò)濾器的作用。
[0027]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,還包括固定框,固定框套合在上層基片1、中層基片2和下層基片3的外周,固定框可以將電離室的四周緊密的框合在一起,便于安裝,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
[0028]雖然結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)地描述,但不應(yīng)理解為對(duì)本專利的保護(hù)范圍的限定。在權(quán)利要求書所描述的范圍內(nèi),本領(lǐng)域技術(shù)人員不經(jīng)創(chuàng)造性勞動(dòng)即可作出的各種修改和變形仍屬本專利的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種輻射探測(cè)器電離室,其特征在于:包括上層基片、中層基片、下層基片和絕緣環(huán);上層基片和中層基片之間設(shè)置有絕緣環(huán),下層基片和中層基片之間設(shè)有絕緣環(huán); 所述上層基片的上表面設(shè)有集電極,下表面為金屬化涂層;所述中層基片的上表面為屏蔽極,下表面為集電極;所述下層基片的上表面為集電極,下表面為屏蔽極;所述下層基片上設(shè)有金屬化的引線孔和用于檢測(cè)氣密性的檢查孔。
2.如權(quán)利要求1所述的輻射探測(cè)器電離室,其特征在于:所述上層基片、中層基片、下層基片和絕緣環(huán)為陶瓷材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的輻射探測(cè)器電離室,其特征在于:所述上層基片、中層基片、下層基片呈矩形體,四個(gè)頂角處設(shè)有倒角。
4.如權(quán)利要求1所述的輻射探測(cè)器電離室,其特征在于:還包括固定框,固定框套合在上層基片、中層基片和下層基片的外周。
【文檔編號(hào)】H01J47/02GK204067298SQ201420367861
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】黃長(zhǎng)敏 申請(qǐng)人:成都利尼科醫(yī)學(xué)技術(shù)發(fā)展有限公司
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