一種超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置及離子注入的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置及離子注入機(jī)。為了解決現(xiàn)有的超寬離子束的均勻性較差的問題，所述超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置包括離子質(zhì)量分析磁鐵、分析光欄和離子束聚焦磁鐵；所述離子質(zhì)量分析磁鐵具有斑狀離子束穿過的空間；所述分析光欄具有從所述離子質(zhì)量分析磁鐵出來的匯聚的帶狀離子束穿行的空間；所述離子束聚焦磁鐵具有從所述分析光欄出來的帶狀離子束穿行的空間；所述離子質(zhì)量分析磁鐵產(chǎn)生第一磁場，所述離子束聚焦磁鐵產(chǎn)生第二磁場，所述第二磁場與所述第一磁場方向垂直。本發(fā)明在現(xiàn)有斑狀離子源的基礎(chǔ)上產(chǎn)生超寬帶狀離子束，并且達(dá)到質(zhì)量分析的目的，并保證整個(gè)帶狀離子束寬度上不變。
【專利說明】一種超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置及離子注入機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制造領(lǐng)域，特別是涉及平板顯示器制造及其他半導(dǎo)體制造所用的離子注入機(jī)中使用的超寬帶狀離子束生成裝置，具體為一種超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置及離子注入機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]離子注入機(jī)提供工件材料改性處理所用的離子束，以得到想要的材料特性。在一種應(yīng)用中，工件是大尺寸的平面板，離子束將特定的雜質(zhì)離子摻入到該平面板中。在其他應(yīng)用中，離子束可為太陽能電池板以及聚合物基板提供精確的材料表面改性。除了大尺寸的平面板之外，工件也可包括半導(dǎo)體晶圓以及其他工件。
[0003]離子注入機(jī)一般包括用以產(chǎn)生等離子體的離子源，引出電極組件從等離子體中提取出離子束。然后離子束可被具有特定磁場的質(zhì)量分析磁鐵，使得只有具有特定荷質(zhì)比的粒子能過穿過此質(zhì)量分析器。其他束線元件(如校正磁鐵、加速透鏡與減速透鏡)可操控經(jīng)過質(zhì)量分析的離子束，使離子束前往工件的表面。通過離子束的移動(dòng)、工件的移動(dòng)或者兩者相結(jié)合，離子束可分布在工件的整個(gè)表面上。當(dāng)離子撞擊工件中的原子時(shí)，這些離子會(huì)損失能量，且在工件內(nèi)的特定深度停下來，注入的深度由離子具有的能量決定。
[0004]隨著工件尺寸的不斷增大(例如，半導(dǎo)體晶圓碟片尺寸可從直徑為300毫米增大至450毫米)，且為了能夠靈活處理不同尺寸的工件，將離子束的寬度增大為帶狀離子束是有利的。帶狀離子束是指呈帶狀的離子束，或者形狀為沿著一個(gè)方向的離子束的第一尺寸大于沿著第二方向的離子束的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向。帶狀離子束可具有大致為矩形的橫剖面形狀，其中此帶狀離子束的高度大于其寬度至少三倍。
[0005]一種離子注入機(jī)系統(tǒng)包括離子源、質(zhì)量分析器以及終端臺(tái)。離子源可用來產(chǎn)生帶狀離子束。質(zhì)量分析器具有入口與出口，且經(jīng)配置以滿足由入口來接收來自離子源的穿行帶狀離子束，并且使帶狀離子束中具有想要的荷質(zhì)比的離子沿著預(yù)定的路徑偏離，以輸出到質(zhì)量分析器的出口。此質(zhì)量分析器包括第一螺線管線圈與第二螺線管線圈，它們之間沿著帶狀離子束的穿行方向而分開制定的距離。每個(gè)螺線管線圈都界定了一個(gè)可供帶狀離子束從中穿行的空間。磁軛具有第一凹槽與第二凹槽，第一凹槽是用來收容第一螺線管線圈的第一部分，第二凹槽是用來收容第二螺線管線圈的第一部分。終端臺(tái)位于質(zhì)量分析器的下游，且經(jīng)配置以支撐工件，以滿足帶狀離子束對(duì)此工件進(jìn)行注入。
[0006]這種帶狀離子束用的質(zhì)量分析器要求離子源產(chǎn)生帶狀離子束從而對(duì)其進(jìn)行質(zhì)量分析，隨平板顯示制造領(lǐng)域的興起，所需要進(jìn)行離子注入的工件尺寸急劇增加(例如730毫米X 920毫米)，然而如此寬度(例如730毫米)的離子源制作非常困難，成本很高，而且產(chǎn)生的離子束的均勻性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了克服現(xiàn)有的超寬離子束的均勻性較差的不足，本發(fā)明旨在提供一種超寬帶狀離子束產(chǎn)生裝置及離子注入機(jī)，該產(chǎn)生裝置在現(xiàn)有斑狀離子源的基礎(chǔ)上產(chǎn)生超寬帶狀離子束，并且達(dá)到質(zhì)量分析的目的。本領(lǐng)域中還具有一種能夠提供一定方向上均勻的磁場的磁鐵架構(gòu)，它能提供的磁場在整個(gè)帶狀離子束寬度上保持不變。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種超寬帶狀離子束生成裝置，在沿帶狀離子束的任意位置處界定了正交(χ，y，ζ)笛卡爾坐標(biāo)系，其中所述坐標(biāo)系的Z軸在所述帶狀離子束的中心線處沿所述束方向延伸，Y軸沿所述帶狀離子束的所述細(xì)長剖面的較長方向延伸，而X軸沿所述細(xì)長剖面的較短方向延伸；其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，該超寬帶狀離子束生成裝置包括離子質(zhì)量分析磁鐵、位于離子質(zhì)量分析磁鐵下游的分析光欄、設(shè)置在分析光欄下游的離子束聚焦磁鐵；所述離子質(zhì)量分析磁鐵具有斑狀離子束穿過的空間，該離子質(zhì)量分析磁鐵將斑狀離子束匯聚成匯聚的帶狀離子束；所述分析光欄具有從所述離子質(zhì)量分析磁鐵出來的匯聚的帶狀離子束穿行的空間，該分析光欄將所述匯聚的帶狀離子束生成為在X方向匯聚，在Y方向發(fā)散的發(fā)散帶狀離子束；所述離子束聚焦磁鐵具有從所述分析光欄出來的帶狀離子束穿行的空間，該離子束聚焦磁鐵將從分析光欄出來的發(fā)散帶狀離子束生成為平行帶狀離子束；所述離子質(zhì)量分析磁鐵配置成兩塊磁極相反的磁鐵以產(chǎn)生沿所述Y方向的第一磁場，所述離子束聚焦磁鐵配置成兩塊磁極相反的磁鐵以產(chǎn)生沿所述X方向的第二磁場，所述第二磁場與所述第一磁場方向垂直。[0009]以下為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案:
所述離子質(zhì)量分析磁鐵的出口端與分析光欄的進(jìn)口端之間的距離dl為100mnT200mm ；所述分析光欄的出口端與所述離子束聚焦磁鐵的進(jìn)口端之間的距離d2為300mnT500mm。
[0010]所述離子質(zhì)量分析磁鐵的兩塊磁鐵之間界定了一個(gè)中性平面。
[0011]所述分析光欄包括兩塊由石墨或金屬制成的板，兩塊板之間的距離為5mm-10mm，在兩塊板之間界定了一個(gè)中性平面，所述匯聚的帶狀離子束與該中性平面重合。
[0012]上述超寬帶狀離子束沿所述Y方向的寬度至少為300_。
[0013]進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了一種離子注入機(jī)，該離子注入機(jī)包括用于產(chǎn)生斑狀離子束的離子源，終端臺(tái)以及設(shè)置在離子源與終端臺(tái)之間的離子束生成裝置；所述離子束生成裝置為如上所述的超寬帶狀離子束生成裝置。
[0014]藉由上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的超寬帶狀離子束生成裝置是在離子注入機(jī)中用來使得從離子源產(chǎn)生的斑狀離子束變成超寬帶狀離子束。在一實(shí)施例中，一種超寬帶狀離子束生成裝置包括離子質(zhì)量分析磁鐵，其界定了入口空間和出口空間，入口空間用來接收從離子源產(chǎn)生的斑狀離子束，而出口空間用來輸出聚焦的帶狀離子束。離子質(zhì)量分析磁鐵配置成兩塊平行但磁極相反的磁鐵以產(chǎn)生第一磁場，從而根據(jù)穿越離子質(zhì)量分析器的離子束中每種離子的不同質(zhì)量來改變離子的軌跡。此超寬帶狀離子束生成裝置包括分析光欄，它沿著離子束的穿行路徑與離子質(zhì)量分析磁鐵之間間隔一段距離“dl”，距離“dl”由所需要的離子聚焦的位置決定。分析光欄配置成兩塊具有很小間隙的兩塊平行金屬板，使得所需要的荷質(zhì)比的粒子通過，而阻攔其他荷質(zhì)比的離子，從而達(dá)到分析的目的。此超寬帶狀離子束生成裝置包括離子束聚焦磁鐵，它沿著發(fā)散的帶狀離子束的穿行路徑與分析光欄間隔一段距離“d2”。離子束聚焦磁鐵界定了入口空間，用來接收來自分析光欄的發(fā)散的帶狀離子束。離子束聚焦磁鐵配置成兩塊平行但磁極相反的磁鐵以產(chǎn)生第二磁場，使得所說第二磁場與所述第一磁場方向垂直。離子束聚焦磁鐵根據(jù)發(fā)散的帶狀離子束中的每個(gè)位置離子的不同張角來使得離子軌跡完全，使得發(fā)散的帶狀離子束變成平行的帶狀離子束。離子束聚焦磁鐵與分析光欄之間的距離“d2”由所需要的帶狀離子束的寬度決定。
[0015]在另一實(shí)施例中，一個(gè)離子注入系統(tǒng)包括離子源、超寬帶狀離子束生成裝置以及終端臺(tái)。離子源可用來產(chǎn)生斑狀離子束。超寬帶狀離子束生成裝置具有入口與出口，且經(jīng)配置后由入口來接收來自離子源的穿行斑狀離子束，使離子束中具有需要的荷質(zhì)比的離子在X方向沿著預(yù)定的路徑聚焦到預(yù)定的位置，并且使得離子束在Y方向擴(kuò)散為超寬帶狀離子束，以輸出到超寬帶狀離子束生成裝置的出口。此超寬帶狀離子束生成裝置包括離子質(zhì)量分析磁鐵、分析光欄和離子束聚焦磁鐵，它們之間沿著離子束的穿行方向而分開特定的距離。每組磁鐵都界定了一個(gè)可控離子束從中穿行的空間。終端臺(tái)位于超寬帶狀離子束生成裝置的下游，且經(jīng)配置以支撐超大工件，以后由此超寬帶狀離子束對(duì)此工件進(jìn)行離子注入。
[0016]所述離子質(zhì)量分析磁鐵從而根據(jù)穿越所述離子質(zhì)量分析磁鐵的所述空間的所述斑狀離子束中的每種離子的不同質(zhì)量來改變與所述離子有關(guān)的軌跡，所述分析磁鐵對(duì)所述斑狀離子束在X方向聚焦、Y方向發(fā)散，所述斑狀離子束在通過所述離子質(zhì)量分析器之后變成匯聚的帶狀離子束；分析光欄，在所述離子質(zhì)量分析磁鐵沿著所述穿行斑狀離子束的方向下游，且與所述離子質(zhì)量分析磁鐵相隔一段距離“dl”，所述匯聚的帶狀離子束在此位置的X方向聚焦，所述分析光欄界定一個(gè)可供從所述離子質(zhì)量分析磁鐵過來的所述匯聚的帶狀離子束從中穿行的空間。不同質(zhì)量的離子聚焦的距離“dl”不同，在需要的位置放置分析光欄可以選擇所述的需要的離子束，所述匯聚的帶狀離子束在通過所述分析光欄之后變成發(fā)散的帶狀離子束；離子束聚焦磁鐵，在所述分析光欄沿著所述穿行的發(fā)散帶狀離子束的方向下游，且與所述分析光欄相隔一段距離“d2”，所述離子束聚焦磁鐵界定一個(gè)可供從所述分析光欄接收的所述發(fā)散帶狀離子束從中穿行的空間，所述離子束聚焦磁鐵經(jīng)配置以根據(jù)來自所述分析光欄的所述發(fā)散帶狀離子束內(nèi)的每個(gè)被接受的離子的個(gè)別發(fā)散程度來使得所述離子的軌跡有一定的偏轉(zhuǎn)，使得所述的發(fā)散帶狀離子束變成平行帶狀離子束離子束。
[0017]所述離子質(zhì)量分析磁鐵在所述空間內(nèi)界定了一個(gè)中性平面，所述離子質(zhì)量分析磁鐵的所述空間內(nèi)所接收的所述從離子源產(chǎn)生的斑狀離子束位于離所述中性平面具有一定距離之處。所述分析光欄在所述空間內(nèi)界定了中性平面，所述分析光欄從所述離子質(zhì)量分析磁鐵接收的所述匯聚的帶狀離子束位于所述中性平面。所述離子束聚焦磁鐵在所述空間內(nèi)界定了一個(gè)中性平面，所述離子束聚焦磁鐵的所述空間內(nèi)所接收的所述從分析光欄接收的所述發(fā)散的帶狀離子束位于與所述中性平面垂直的平面。
[0018]所述離子質(zhì)量分析磁鐵與所述離子束聚焦磁鐵的每個(gè)磁鐵具有各自的上端部分和下端部分。
[0019]離子質(zhì)量分析磁鐵配置成兩塊平行的磁鐵，所述兩塊平行磁鐵相隔一段距離“d3”，所述兩塊平行磁鐵的磁極方向相反。分析光欄配置成兩塊平行金屬板，所述兩塊平行金屬板相隔一段距離，形成一條分析逢，所述距離可根據(jù)離子束聚焦的厚度進(jìn)行調(diào)整。離子束聚焦磁鐵磁鐵配置成兩塊平行的磁鐵，所述兩塊平行磁鐵相隔一段距離“d4”，所述兩塊平行磁鐵的磁極方向相反。
[0020]離子質(zhì)量分析磁鐵的兩塊平行的磁鐵產(chǎn)生X方向的第一磁場，對(duì)每種離子的不同荷質(zhì)比產(chǎn)生不同的偏轉(zhuǎn)軌跡，從而聚焦在不同的位置，達(dá)到分析的目標(biāo)。離子束聚焦磁鐵的兩塊平行的磁鐵產(chǎn)生Y方向的第二磁場，所述的第二磁場對(duì)發(fā)散狀離子束中的不同發(fā)散角的離子產(chǎn)生不同的力，從而使得發(fā)散狀的帶狀離子束匯聚成平行的超寬帶狀離子束。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的離子質(zhì)量分析磁鐵由兩塊磁極相反的磁鐵組成，從離子源出來的離子束在兩塊磁鐵之間沿Z方向通過，不同質(zhì)量的離子束在X方向的不同位置聚焦，因此利用分析光欄對(duì)離子束中的不同質(zhì)量離子進(jìn)行選擇，離子束中只有符合質(zhì)量要求的離子能夠通過狹縫，其余質(zhì)量的離子被分析光欄阻擋，達(dá)到質(zhì)量分析的目的。與此同時(shí)，離子束在Y方向發(fā)散，利用兩塊磁極相反的磁鐵組成的聚焦磁鐵對(duì)離子束在Y方向進(jìn)行會(huì)聚，使其變?yōu)槠叫惺诓煌恢檬褂秒x子束聚焦磁鐵可以產(chǎn)生一定覽度的尚子束。
[0022]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是具有超寬帶狀離子束生成裝置的離子注入機(jī)系統(tǒng)的平面圖；
圖2是超寬帶狀離子束生成裝置的平面透視圖；
圖3是超寬帶狀離子束生成裝置的立體圖；
圖4是離子質(zhì)量分析磁鐵的立體圖；
圖5是的離子束聚焦磁鐵的立體圖；
圖6是圖1的A-A剖面圖；
圖7是圖1的B-B剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明，本發(fā)明的較佳實(shí)施例圖示在這些附圖中。然而，本發(fā)明可體現(xiàn)為不同的形態(tài)，而不應(yīng)理解為局限于本說明書所列舉的實(shí)施例。
[0025]圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有超寬帶狀離子束生成裝置104的離子注入機(jī)平面圖。此離子注入機(jī)包括離子源102，此離子源102產(chǎn)生需要種類的離子。引出組件(未示出)引出特定的斑狀離子束103。斑狀離子束103進(jìn)入超寬帶狀離子束生成裝置104，生成特定寬度W和特定厚度H的超寬帶狀離子束205，進(jìn)入終端臺(tái)106，終端臺(tái)106有卡盤及工件，配置在終端臺(tái)106中的掃描系統(tǒng)可沿著垂直于帶狀離子束105的寬度W方向驅(qū)動(dòng)工件，達(dá)到整個(gè)工件注入的目的。
[0026]圖6是進(jìn)一步參照所定義的坐標(biāo)系，沿著圖1的A-A線而取得的斑狀離子束103的剖面圖。在此例中，斑狀離子束103具有大致為圓斑的剖面形狀。斑狀離子束103的中心定義為Z軸，且此離子束沿著Z軸正方向從離子源102穿行至終端臺(tái)106.圖7是進(jìn)一步參照所定義的坐標(biāo)系，沿著圖1的B-B線而取得的帶狀離子束105的剖面圖。在此例中，帶狀離子束105具有大致為矩形的剖面形狀。帶狀離子束105在X方向具有一厚度(H)，且在Y方向具有一定寬度(W)。
[0027]超寬帶狀離子束生成裝置104對(duì)斑狀離子束103進(jìn)行質(zhì)量分析和Y方向拉伸與X方向壓縮，以形成超寬帶狀離子束，然后帶狀離子束105可前往終端臺(tái)106。
[0028]圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的圖1的超寬帶狀離子束生成裝置104的平面透視圖，此超寬帶狀離子束生成裝置104通常具有入口端220與出口端229。此超寬帶狀離子束生成裝置104包括離子質(zhì)量分析磁鐵222、分析光欄224與離子束聚焦磁鐵226，離子質(zhì)量分析磁鐵與分析光欄之間分開一段距離“dl”，分析光欄與離子束聚焦磁鐵之間分開一段距離“d2”。圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的圖2的超寬帶狀離子束生成裝置的立體圖。
[0029]磁鐵222與226的大致形狀可相同也可不同，這取決于為了選取具有特定荷質(zhì)比的尚子而需要的磁場?？瞻郀钌凶邮?03進(jìn)入的入口開口 220可由尚子質(zhì)量分析磁鐵222的形狀來界定，出口開口 229可由離子束聚焦磁鐵226的形狀來界定。磁鐵222與磁鐵226各自磁極所在的直線剛好垂直，由離子質(zhì)量分析磁鐵222產(chǎn)生的第一磁場沿Y方向，由離子束聚焦磁鐵226產(chǎn)生的第二磁場主要在X方向，第一磁場與第二磁場相互垂直。
[0030]圖4所不為尚子質(zhì)量分析磁鐵222的立體圖。此尚子質(zhì)量分析磁鐵222配置成左磁鐵440與右磁鐵442，左磁鐵440與右磁鐵442相隔一段距離“d3”，它們的空間中界定了一個(gè)中性平面441，斑狀離子束在所述中性平面旁邊進(jìn)入所述空間。左磁鐵440的上端為S極、下端為N極，右端磁鐵442的上端為N極、下端為S極。在所述空間中形成沿Y方向的第一磁場，此磁場方向與中性平面441平行，該磁場具有隨到中性平面距離增大而磁場強(qiáng)度增大的特點(diǎn)，從而使得不同質(zhì)量的離子偏轉(zhuǎn)軌跡不同，最終聚焦在不同的位置，利用分析光欄達(dá)到選擇不同質(zhì)量離子的目的。
[0031]圖5所示為離子束聚焦磁鐵226的立體圖。此離子束聚焦磁鐵226配置成上磁鐵550與下磁鐵552,上磁鐵550與下磁鐵相隔一段距離“d4”。上磁鐵550的前端為N極、后端為S極，下磁鐵552的前端為S極、后端為N極。在此離子束聚焦磁鐵226界定的空間中形成主要為X方向的第二磁場，此磁場方向垂直于中性平面551。
[0032]圖2中離子質(zhì)量分析磁鐵222與分析光欄224之間的距離“dl”由所要的每種離子的不同荷質(zhì)比界定，分析光欄224與離子束焦距磁鐵226之間的距離“d2”由所需要的帶狀離子束的寬度W界定。離子質(zhì)量分析磁鐵222的左磁鐵440與右磁鐵442之間的距離“d3”由從離子源產(chǎn)生的斑狀離子束103的大小界定，離子束聚焦磁鐵226的上磁鐵與下磁鐵之間的距離“d4”由超寬帶狀離子束的寬度W界定。
[0033]本說明書所述的特定實(shí)施例不會(huì)在范圍上限制本發(fā)明。實(shí)際上，根據(jù)以上的描述以及附圖，除了本說明書所述的實(shí)施例之外，本發(fā)明的其他各種實(shí)施例以及本發(fā)明的改良形式對(duì)于本領(lǐng)域中技術(shù)人員而言都將是明顯易懂的。因此，這些實(shí)施例及改良形式應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的范圍。另外，雖然本說明書中是為了特定的用途在特定的場合下以特定的實(shí)施方法來描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域中技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到的是，其有用性并不局限于這些，本發(fā)明可為了多種用途在多種場合下以有益的方式來實(shí)施。
【權(quán)利要求】
1.一種超寬帶狀離子束生成裝置，在沿帶狀離子束的任意位置處界定了正交（X，Y，Z) 笛卡爾坐標(biāo)系，其中所述坐標(biāo)系的Z軸在所述帶狀離子束的中心線處沿所述束方向延伸， Y軸沿所述帶狀離子束的所述細(xì)長剖面的較長方向延伸，而X軸沿所述細(xì)長剖面的較短方 向延伸；其特征是，該超寬帶狀離子束生成裝置包括離子質(zhì)量分析磁鐵（222)、位于離子質(zhì) 量分析磁鐵（222)下游的分析光欄（224)、設(shè)置在分析光欄（224)下游的離子束聚焦磁鐵 (226);所述尚子質(zhì)量分析磁鐵（222)具有斑狀尚子束（103)穿過的空間，該尚子質(zhì)量分析 磁鐵（222)將斑狀離子束（103)匯聚成匯聚的帶狀離子束（105);所述分析光欄（224)具有 從所述離子質(zhì)量分析磁鐵（222)出來的匯聚的帶狀離子束（105)穿行的空間，該分析光欄 (224)將所述匯聚的帶狀離子束（105)生成為在X方向匯聚，在Y方向發(fā)散的發(fā)散帶狀離子 束（105);所述離子束聚焦磁鐵（226)具有從所述分析光欄（224)出來的帶狀離子束（105) 穿行的空間，該尚子束聚焦磁鐵（226)將從分析光欄（224)出來的發(fā)散帶狀尚子束（105) 生成為平行帶狀離子束（105);所述離子質(zhì)量分析磁鐵（222)配置成兩塊磁極相反的磁鐵 (440，442 )以產(chǎn)生沿所述Y方向的第一磁場，所述離子束聚焦磁鐵（226 )配置成兩塊磁極相 反的磁鐵（550，552)以產(chǎn)生沿所述X方向的第二磁場,所述第二磁場與所述第一磁場方向 垂直。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶狀離子束生成裝置，其特征在于，所述離子質(zhì)量分 析磁鐵（222)的出口端與分析光欄（224)的進(jìn)口端之間的距離d 1為100mnT200mm ;所 述分析光欄（224)的出口端與所述離子束聚焦磁鐵（226)的進(jìn)口端之間的距離d 2為 300mm?500mmo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶狀離子束生成裝置，其特征在于，所述離子質(zhì)量分析 磁鐵（222)的兩塊磁鐵之間界定了一個(gè)中性平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶狀離子束生成裝置，其特征在于，所述分析光欄 (224)包括兩塊由石墨或金屬制成的板，兩塊板之間的距離為5mm-10mm，在兩塊板之間界定 了一個(gè)中性平面，所述匯聚的帶狀離子束與該中性平面重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求f4之一所述的超寬帶狀離子束生成裝置，其特征在于，所述超寬帶 狀離子束沿所述Y方向的寬度至少為300mm。
6.一種離子注入機(jī)，包括用于產(chǎn)生斑狀離子束（103)的離子源（102)，終端臺(tái)（105)以 及設(shè)置在離子源（102)與終端臺(tái)（105)之間的離子束生成裝置（104);其特征是，所述離子 束生成裝置（104)為如權(quán)利要求1-5之一的超寬帶狀離子束生成裝置。
【文檔編號(hào)】H01J37/05GK103489742SQ201310398888
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】張賽, 孫雪平, 易文杰 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所