一種實現(xiàn)反應(yīng)氣體快速切換的等離子體反應(yīng)室及其方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種實現(xiàn)反應(yīng)氣體快速切換的等離子體反應(yīng)室及其方法，通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，使得整個工藝過程流入反應(yīng)腔的氣體總流量相同，有利于控制反應(yīng)腔的壓力穩(wěn)定，同時，兩組氣體從反應(yīng)腔的上方和下方同時注入反應(yīng)腔內(nèi)，在保證不影響基片刻蝕反應(yīng)和沉積反應(yīng)的同時，變相的減小了反應(yīng)腔的容積，更有利于氣體快速充滿反應(yīng)腔，提高了刻蝕步驟和沉積步驟的切換速率，進(jìn)而提高了基片的刻蝕速率。同時，由于反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓高于抽氣泵處的氣壓，氣體流量控制器需要面對的壓力差較小，有利于準(zhǔn)確、穩(wěn)定的控制反應(yīng)氣體流速，從而提高制程的穩(wěn)定性。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基片處理【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種在深加工等離子刻蝕技術(shù)中 快速實現(xiàn)反應(yīng)氣體切換的【技術(shù)領(lǐng)域】。 一種實現(xiàn)反應(yīng)氣體快速切換的等離子體反應(yīng)室及其方法

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】中，在 MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems，微機(jī)電 系統(tǒng))和3D封裝技術(shù)等領(lǐng)域，通常需要對硅等材料進(jìn)行深通孔刻蝕。例如，在體硅刻蝕技術(shù) 中，深娃通孔（Through-Silicon_Via，TSV)的深度達(dá)到幾百微米、其深寬比大于10,通常采 用深反應(yīng)離子刻蝕方法來刻蝕體硅形成。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，TSV的深反應(yīng)離子刻蝕通常采用美國專利US5501893提出的Bosch 工藝進(jìn)行。具體深反應(yīng)離子刻蝕方法包括以下步驟：（1)刻蝕步驟，通常用Ar、02、SF6的 混合氣體進(jìn)行等離子體刻蝕；（2)聚合物沉積步驟，通常用Ar和C4F8的混合氣體在孔洞內(nèi) 側(cè)面形成氟碳聚合物層，其厚度一般在納米級，有時也稱作該聚合物層為鈍化層，為使孔洞 底部基本不形成氟碳聚合物層，該步驟中一般采用相對較低較的RF (Radio Frequency，射 頻）頻率；（3)刻蝕步驟和聚合物沉積步驟交替進(jìn)行，直到通孔刻蝕完成，在刻蝕步驟中，由 于孔洞的內(nèi)表面、尤其是孔洞內(nèi)側(cè)面沉積聚合物，垂直等離子刻蝕時，入射的離子不會對其 內(nèi)側(cè)面聚合物造成破壞側(cè)壁得以被保護(hù)，而垂直方向入射的離子會將孔洞底部的聚合物破 壞使刻蝕反應(yīng)得以向下繼續(xù)，從而保證了整個孔洞刻蝕過程的各向異性。
[0004] 圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的等離子體反應(yīng)室和氣體供應(yīng)系統(tǒng)的示意圖。如圖1所示， 該等離子體反應(yīng)室用于圖1所示深反應(yīng)離子刻蝕。100為等離子體刻蝕室，其中形成等離子 體，目標(biāo)刻蝕的晶圓置于反應(yīng)腔100中。氣體供應(yīng)系統(tǒng)150包括至少兩個氣體流量控制器 MFC160和170,160為刻蝕氣體流量控制器，170為沉積氣體流量控制器。每個氣體流量控 制器分別連接至少兩個控制閥門，在刻蝕步驟中，控制閥門161打開，控制閥門162閉合，刻 蝕氣體通過進(jìn)氣管道120進(jìn)入反應(yīng)腔100內(nèi)；此時，控制閥門171閉合，控制閥門172打開， 沉積氣體通過排氣管道122被抽氣泵140排出；在沉積步驟中，控制閥門161閉合，控制閥 門162打開，刻蝕氣體通過排氣管道122被抽氣泵140排出，此時，控制閥門171打開，控制 閥門172閉合，沉積氣體通過進(jìn)氣管道120進(jìn)入反應(yīng)腔100。為了維持氣體供應(yīng)系統(tǒng)的流量 穩(wěn)定，刻蝕氣體流量控制器160和沉積氣體流量控制器170處于常開狀態(tài)，通過控制其連接 的控制閥門交替開關(guān)閉合，實現(xiàn)刻蝕步驟和沉積步驟的交替變化。
[0005] 在進(jìn)行刻蝕步驟和沉積步驟切換時，要將反應(yīng)腔100內(nèi)的氣體排出，同時注入另 一步驟所需的反應(yīng)氣體，由于反應(yīng)腔1〇〇的容積較大，導(dǎo)致這一切換所需時間較長，降低了 深反應(yīng)刻蝕速率，同時，由于刻蝕氣體流量控制器160和沉積氣體流量控制器170處于常開 狀態(tài)，在某一步驟進(jìn)行時，另一步驟所需氣體被排出，造成反應(yīng)氣體的浪費。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種實現(xiàn)反應(yīng)氣體快速切換的等離子體反應(yīng) 室，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置一限制環(huán)，所述限制環(huán)將所述反應(yīng)腔間隔為反應(yīng)腔上 方空間和反應(yīng)腔下方空間，所述反應(yīng)腔上方空間設(shè)置開口連接氣體供應(yīng)系統(tǒng)，所述氣體供 應(yīng)系統(tǒng)包括至少兩個流量控制器，用于分別控制第一氣體和第二氣體交替進(jìn)入所述反應(yīng)腔 上方空間內(nèi)，所述反應(yīng)腔下方空間設(shè)置一開口，連接所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)，所述流量控制器分 別控制所述第一氣體和第二氣體交替進(jìn)入所述反應(yīng)腔內(nèi)。
[0007] 優(yōu)選的，所述第一氣體為刻蝕氣體，所述第二氣體為沉積氣體，或者所述第一氣體 為沉積氣體，所述第二氣體為刻蝕氣體。
[0008] 進(jìn)一步的，所述刻蝕氣體包括Ar、02、SF6 ;所述沉積氣體包括Ar和C4F8。
[0009] 優(yōu)選的，所述限制環(huán)包括若干個槽狀通道，所述槽狀通道的大小被設(shè)置成當(dāng)所述 帶電粒子通過所述通道時可以使帶電粒子被中和，以限制等離子體的通過。
[0010] 優(yōu)選的，所述限制環(huán)包括若干個大致為圓孔狀的氣體通道，所述氣體通道的內(nèi)徑 小于等于l〇mm。 toon] 進(jìn)一步的，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括刻蝕氣體流量控制器和沉積氣體流量控制器， 所述刻蝕氣體流量控制器和沉積氣體流量控制器前端分別連接刻蝕氣體源和沉積氣體源， 后端分別連接兩個控制閥門。
[0012] 進(jìn)一步的，所述反應(yīng)腔包括一大致呈圓筒狀的側(cè)壁和位于側(cè)壁上方的頂板，所述 頂板下方設(shè)置一氣體噴淋頭，用以將通過所述反應(yīng)腔上方開口處注入的反應(yīng)氣體均勻分散 到反應(yīng)腔內(nèi)。
[0013] 進(jìn)一步的，所述反應(yīng)腔包括一大致呈圓筒狀的側(cè)壁和位于側(cè)壁上方的頂板，所述 側(cè)壁靠近頂板的一端均勻設(shè)置若干個氣體注入口，用于將氣體供應(yīng)系統(tǒng)中的反應(yīng)氣體均勻 注入所述反應(yīng)腔內(nèi)。
[0014] 進(jìn)一步的，本發(fā)明還公開了一種快速切換反應(yīng)氣體的方法，包括下列步驟：
[0015] 刻蝕步驟，控制刻蝕氣體流量控制器后端的控制閥門，提供刻蝕氣體到反應(yīng)腔上 方空間，同時控制沉積氣體流量控制器后端的控制閥門，提供沉積氣體到反應(yīng)腔下方空 間；
[0016] 沉積步驟：控制沉積氣體流量控制器后端的控制閥門，提供沉積氣體到反應(yīng)腔上 方空間；同時控制刻蝕氣體流量控制器后端的控制閥門，提供刻蝕氣體到反應(yīng)腔下方空 間；
[0017] 上述刻蝕步驟和沉積步驟交替進(jìn)行。
[0018] 進(jìn)一步的，在刻蝕步驟和沉積步驟中，所述刻蝕氣體流量控制器和所述沉積氣體 流量控制器處于常開狀態(tài)。
[0019] 本發(fā)明的優(yōu)點在于：通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，使得整個工藝過程流入反應(yīng)腔 的氣體總流量相同，有利于控制反應(yīng)腔的壓力穩(wěn)定，同時，兩組氣體從反應(yīng)腔的上方和下方 同時注入反應(yīng)腔內(nèi)，在保證不影響基片刻蝕反應(yīng)和沉積反應(yīng)的同時，變相的減小了反應(yīng)腔 的容積，更有利于氣體快速充滿反應(yīng)腔，提高了刻蝕步驟和沉積步驟的切換速率，進(jìn)而提高 了基片的刻蝕速率。同時，由于反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓高于抽氣泵處的氣壓，氣體流量控制器需要 面對的壓力差較小，有利于準(zhǔn)確、穩(wěn)定的控制反應(yīng)氣體流速。從而提高制程的穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1示出現(xiàn)有技術(shù)所述等離子體反應(yīng)室與氣體供應(yīng)系統(tǒng)間連接的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖2示出本發(fā)明所述等離子體反應(yīng)室與氣體供應(yīng)系統(tǒng)間連接的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖3示出本發(fā)明另一實施例所述等離子體反應(yīng)室與氣體供應(yīng)系統(tǒng)間連接的結(jié)構(gòu) 示意圖。

【具體實施方式】
[0023] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步 的詳細(xì)描述。
[0024] 圖2示出本發(fā)明所述等離子體反應(yīng)室與氣體供應(yīng)系統(tǒng)間連接的結(jié)構(gòu)示意圖，等離 子體反應(yīng)室包括一反應(yīng)腔200,反應(yīng)腔200包括大致呈圓筒狀的側(cè)壁212、位于側(cè)壁212上 方的頂板210和位于側(cè)壁212下方的底板213。反應(yīng)腔內(nèi)還包括基座235用于支撐基片236， 在基片236的下方環(huán)繞設(shè)置一約束環(huán)230,將反應(yīng)腔200間隔為反應(yīng)腔上方空間201和反應(yīng) 腔下方空間202。頂板210上設(shè)置一進(jìn)氣口 221，一進(jìn)氣管道220連接氣體供應(yīng)系統(tǒng)250將 反應(yīng)步驟所需反應(yīng)氣體注入反應(yīng)腔上方空間201內(nèi)。側(cè)壁212下方或底板213上設(shè)置一排 氣口 223, 一排氣管道222連接氣體供應(yīng)系統(tǒng)250,用以將反應(yīng)步驟中不需要的氣體注入反 應(yīng)腔下方空間202內(nèi)，底板213與抽氣泵240相連，用以排出反應(yīng)腔內(nèi)的氣體。本實施例中 限制環(huán)230包括若干個大致為圓孔狀的氣體通道，所述氣體通道的內(nèi)徑小于等于10_，用 以限制反應(yīng)腔上方空間201內(nèi)的等離子體進(jìn)入反應(yīng)腔下方空間202。
[0025] 圖2所示的等離子體刻蝕室適用于深反應(yīng)等離子體刻蝕技術(shù)，根據(jù)圖1所示，該技 術(shù)通過刻蝕步驟和沉積步驟的交替進(jìn)行來完成，（1)刻蝕步驟，通常用Ar、02、SF6的混合氣 體(本發(fā)明簡稱刻蝕氣體)進(jìn)行等離子體刻蝕；（2)沉積步驟，通常用Ar和C4F8的混合氣體 (本發(fā)明簡稱沉積氣體）在孔洞內(nèi)側(cè)面形成氟碳聚合物層，其厚度一般在納米級，有時也稱 作該聚合物層為鈍化層，為使孔洞底部基本不形成氟碳聚合物層，該步驟中一般采用相對 較低較的RF (Radio Frequency,射頻）頻率；（3)刻蝕步驟和沉積步驟交替進(jìn)行，刻蝕步驟 結(jié)束時需要將刻蝕氣體排出反應(yīng)腔內(nèi)同時注入沉積氣體，開始沉積步驟；沉積步驟結(jié)束時 需要將沉積氣體排出反應(yīng)腔同時注入刻蝕氣體，依次循環(huán)，直到通孔刻蝕完成。
[0026] 氣體供應(yīng)系統(tǒng)250包括刻蝕氣體流量控制器260和沉積氣體流量控制器270,刻 蝕氣體流量控制器260和沉積氣體流量控制器270前端分別連接刻蝕氣體源和沉積氣體 源（圖中未示出），由于MFC的切換速率較慢，不能實現(xiàn)刻蝕步驟和沉積步驟的快速交替，同 時為了保證反應(yīng)氣體的流速穩(wěn)定，通常將刻蝕氣體流量控制器260和沉積氣體流量控制器 270設(shè)置為常開狀態(tài)?？涛g氣體流量控制器260后端連接控制閥門261和262,控制閥門261 和262交替打開和閉合，控制刻蝕氣體在刻蝕步驟中注入反應(yīng)腔上方空間201，在沉積步驟 中注入反應(yīng)腔下方空間202 ;沉積氣體流量控制器270后端連接控制閥門271和272,控制 閥門271和272交替打開和閉合，控制沉積氣體在沉積步驟中注入反應(yīng)腔上方空間201，在 刻蝕步驟中注入反應(yīng)腔下方空間202。
[0027] 在刻蝕步驟開始時，控制閥門261和控制閥門272處于打開狀態(tài)，控制閥門262 和控制閥門271處于閉合狀態(tài)，此時，刻蝕氣體通過進(jìn)氣管道220進(jìn)入反應(yīng)腔上方空間201 內(nèi)，在反應(yīng)腔內(nèi)電磁場的作用下解離為等離子體或中性自由基等離子，對基片進(jìn)行刻蝕，同 時，沉積氣體通過排氣管道222進(jìn)入反應(yīng)腔下方空間202,使得刻蝕氣體無需填充滿整個反 應(yīng)腔即能達(dá)到刻蝕步驟所需要的壓力狀態(tài)，相當(dāng)于變相的減小了反應(yīng)腔的容積，節(jié)省了刻 蝕氣體。由于反應(yīng)腔下方空間202位于基片236的下方，其空間內(nèi)的沉積氣體不會對刻蝕 反應(yīng)造成影響。
[0028] 在沉積步驟開始時，控制閥門262和控制閥門271處于打開狀態(tài)，控制閥門261 和控制閥門272處于閉合狀態(tài)，此時，沉積氣體通過進(jìn)氣管道220進(jìn)入反應(yīng)腔上方空間201 內(nèi)，在刻蝕出的孔洞內(nèi)側(cè)面和底部形成氟碳聚合物層，同時，刻蝕氣體通過排氣管道222進(jìn) 入反應(yīng)腔下方空間202,使得沉積氣體無需填充滿整個反應(yīng)腔即能達(dá)到沉積步驟所需要的 壓力狀態(tài)，相當(dāng)于變相的減小了反應(yīng)腔的容積，節(jié)省了沉積氣體。由于反應(yīng)腔下方空間202 位于基片236的下方，其空間內(nèi)的刻蝕氣體不會對沉積反應(yīng)造成影響。
[0029] 當(dāng)刻蝕氣體或者沉積氣體注入反應(yīng)腔下方空間202時，由于反應(yīng)腔底板213連接 抽氣泵240,抽氣泵240持續(xù)不斷的工作使得反應(yīng)腔下方空間202內(nèi)的壓力小于反應(yīng)腔上方 空間201的壓力，從而維持反應(yīng)腔內(nèi)的氣體不斷的向下方流動，避免了反應(yīng)腔下方空間202 內(nèi)的氣體通過約束環(huán)230對基片的處理工藝造成影響。
[0030] 通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，使得整個工藝過程流入反應(yīng)腔200的氣體總流量相 同，有利于控制反應(yīng)腔200的壓力穩(wěn)定，同時，兩組氣體從反應(yīng)腔的上方和下方同時注入反 應(yīng)腔內(nèi)，在保證不影響基片刻蝕反應(yīng)和沉積反應(yīng)的同時，變相的減小了反應(yīng)腔的容積，更有 利于氣體快速充滿反應(yīng)腔，提高了刻蝕步驟和沉積步驟的切換速率，進(jìn)而提高了基片的刻 蝕速率。
[0031] 現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行刻蝕步驟或沉積步驟時，需要的反應(yīng)氣體被注入反應(yīng)腔內(nèi)，不 需要的氣體則通過排氣管道直接被抽氣泵240排走，這不僅造成反應(yīng)氣體的浪費，同時，由 于抽氣泵處的氣壓較低，MFC需要面對較大的壓力變化，容易造成氣體流速的不穩(wěn)定，對反 應(yīng)制程造成影響。通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案，由于反應(yīng)腔202內(nèi)的氣壓高于抽氣泵處的 氣壓，MFC需要面對的壓力差較小，有利于準(zhǔn)確、穩(wěn)定的控制反應(yīng)氣體流速。從而提高制程 的穩(wěn)定性。
[0032] 圖3示出本發(fā)明另一實施例所述等離子體反應(yīng)室與氣體供應(yīng)系統(tǒng)間連接的結(jié)構(gòu) 示意圖，本實施例的基本原理和連接關(guān)系同上述實施例相同，不同點在于，本實施例適用 于電感耦合等離子體反應(yīng)室（ICP)，由于ICP的側(cè)壁312上方設(shè)置線圈（未示出）和絕緣頂 板310,無法安裝氣體噴淋頭，故在側(cè)壁312上靠近頂板的一端均勻設(shè)置若干個氣體注入口 321，氣體注入口 321位于基片336的上方，其與進(jìn)氣管道320相連。在刻蝕步驟開始時，控 制閥門361和控制閥門372處于打開狀態(tài)，控制閥門362和控制閥門371處于閉合狀態(tài)，此 時，刻蝕氣體通過進(jìn)氣管道320進(jìn)入反應(yīng)腔上方空間301內(nèi)，在反應(yīng)腔內(nèi)電磁場的作用下解 離為等離子體或中性自由基等離子，對基片進(jìn)行刻蝕，同時，沉積氣體通過排氣管道322進(jìn) 入反應(yīng)腔下方空間302,使得刻蝕氣體無需填充滿整個反應(yīng)腔即能達(dá)到刻蝕步驟所需要的 壓力狀態(tài)，相當(dāng)于變相的減小了反應(yīng)腔的容積，節(jié)省了刻蝕氣體。由于反應(yīng)腔下方空間302 位于基片336的下方，其空間內(nèi)的沉積氣體不會對刻蝕反應(yīng)造成影響。
[0033] 在沉積步驟開始時，控制閥門362和控制閥門371處于打開狀態(tài)，控制閥門361 和控制閥門372處于閉合狀態(tài)，此時，沉積氣體通過進(jìn)氣管道320進(jìn)入反應(yīng)腔上方空間301 內(nèi)，在刻蝕出的孔洞內(nèi)側(cè)面和底部形成氟碳聚合物層，同時，刻蝕氣體通過排氣管道322進(jìn) 入反應(yīng)腔下方空間302,使得沉積氣體無需填充滿整個反應(yīng)腔即能達(dá)到沉積步驟所需要的 壓力狀態(tài)，相當(dāng)于變相的減小了反應(yīng)腔的容積，節(jié)省了沉積氣體。由于反應(yīng)腔下方空間302 位于基片336的下方，其空間內(nèi)的刻蝕氣體不會對沉積反應(yīng)造成影響。
[0034] 在本實施例中，限制環(huán)330包括若干個槽狀通道，所述槽狀通道的大小被設(shè)置成 當(dāng)所述帶電粒子通過所述通道時可以使帶電粒子被中和，以限制等離子體的通過。本實施 例的其他技術(shù)特征和上述實施例相同，此處不再一一贅述。
[0035] 本發(fā)明的技術(shù)方案不受等離子體反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)和產(chǎn)生等離子體的技術(shù)影響，在需 要對基片進(jìn)行刻蝕步驟和沉積步驟交替進(jìn)行刻蝕的技術(shù)中，都可以采用本發(fā)明所述的技術(shù) 方案，盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描 述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多 種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種實現(xiàn)反應(yīng)氣體快速切換的等離子體反應(yīng)室，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置 一限制環(huán)，所述限制環(huán)將所述反應(yīng)腔間隔為反應(yīng)腔上方空間和反應(yīng)腔下方空間，其特征在 于：所述反應(yīng)腔上方空間設(shè)置開口連接氣體供應(yīng)系統(tǒng)，所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括至少兩個流 量控制器，用于分別控制第一氣體和第二氣體交替進(jìn)入所述反應(yīng)腔上方空間內(nèi)，所述反應(yīng) 腔下方空間設(shè)置一開口，連接所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)，所述流量控制器分別控制所述第一氣體 和第二氣體交替進(jìn)入所述反應(yīng)腔下方空間內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述第一氣體為刻蝕氣體，所 述第二氣體為沉積氣體，或者所述第一氣體為沉積氣體，所述第二氣體為刻蝕氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述刻蝕氣體包括Ar、02、 SF6 ;所述沉積氣體包括Ar和C4F8。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述限制環(huán)包括若干個槽狀 通道，所述槽狀通道的大小被設(shè)置成當(dāng)所述帶電粒子通過所述通道時可以使帶電粒子被中 和，以限制等離子體的通過。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述限制環(huán)包括若干個大致 為圓孔狀的氣體通道，所述氣體通道的內(nèi)徑小于等于1〇_。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括刻蝕 氣體流量控制器和沉積氣體流量控制器，所述刻蝕氣體流量控制器和沉積氣體流量控制器 前端分別連接刻蝕氣體源和沉積氣體源，后端分別連接兩個控制閥門。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述反應(yīng)腔包括一大致呈圓 筒狀的側(cè)壁和位于側(cè)壁上方的頂板，所述頂板下方設(shè)置一氣體噴淋頭，用以將通過所述反 應(yīng)腔上方開口處注入的反應(yīng)氣體均勻分散到反應(yīng)腔內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，其特征在于：所述反應(yīng)腔包括一大致呈圓 筒狀的側(cè)壁和位于側(cè)壁上方的頂板，所述側(cè)壁靠近頂板的一端均勻設(shè)置若干個氣體注入 口，用于將氣體供應(yīng)系統(tǒng)中的反應(yīng)氣體均勻注入所述反應(yīng)腔內(nèi)。
9. 一種快速切換反應(yīng)氣體的方法，其特征在于：包括下列步驟： 刻蝕步驟，控制刻蝕氣體流量控制器后端的控制閥門，提供刻蝕氣體到反應(yīng)腔上方空 間，同時控制沉積氣體流量控制器后端的控制閥門，提供沉積氣體到反應(yīng)腔下方空間； 沉積步驟：控制沉積氣體流量控制器后端的控制閥門，提供沉積氣體到反應(yīng)腔上方空 間；同時控制刻蝕氣體流量控制器后端的控制閥門，提供刻蝕氣體到反應(yīng)腔下方空間； 上述刻蝕步驟和沉積步驟交替進(jìn)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速切換反應(yīng)氣體的方法，其特征在于：在刻蝕步驟和沉積 步驟中，所述刻蝕氣體流量控制器和所述沉積氣體流量控制器處于常開狀態(tài)。
【文檔編號】H01J37/32GK104112639SQ201310140971
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月22日
【發(fā)明者】左濤濤, 倪圖強(qiáng), 周旭升 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司