專利名稱：一種行波管陰極加鉬套結構及制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微波電真空器件行波管，具體地講是一種行波管陰極加鑰套結構及制作方法。
背景技術：
行波管具有頻帶寬、增益高、動態(tài)范圍大和噪聲低的特點，已成為雷達、電子對抗、中繼通信、衛(wèi)星通信、電視直播衛(wèi)星、導航、遙感、遙控、遙測等電子設備的重要微波電子器件?，F代行波管通常都采用皮爾斯電子槍，用來使來自陰極的電子成形為適于與微波電路產生互作用的電子注。陰極發(fā)射面在實際加工過程中邊緣與理論模型有差異，不是理想狀態(tài)，存在邊緣發(fā)射問題，在常用波段中，陰極邊緣發(fā)射的影響不明顯。隨著行波管工作頻率的提高，由于微波器件尺寸與工作波長的“共度性”，慢波電路的尺寸會越來越小，電子通道也越來越小。當工作頻率到了太赫茲時，陰極邊緣發(fā)射帶來的影響就不能忽視了，消除或抑制陰極邊緣發(fā)射對發(fā)展太赫茲行波管有重要意義。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是，針對原有的陰極結構，對其陰極發(fā)射面邊緣進行處理，提供一種陰極加鑰套結構及制作方法，以達到消除或抑制陰極邊緣發(fā)射的目的，提高太赫茲行波管的流通率。實現本發(fā)明的技術方案是:一種行波管陰極加鑰套結構，其特征是:它包括陰極和鑰套，所述鑰套包裹在陰極發(fā)射面的邊緣，所述鑰套端面與陰極發(fā)射面處于同一平面，所述陰極發(fā)射面與鑰套外圓柱面相垂直。所述陰極外圓與鑰套內、外圓同軸。所述陰極的外圓公差帶為O +0.005mm,所述鑰套的內、外圓公差帶為O +0.005mm。所述陰極發(fā)射面與鑰套外圓柱面的垂直度公差O 0.005_。所述陰極通過釬焊焊接與鑰套固定在一起。上述的陰極加鑰套結構的制作方法，該方法包括如下步驟:
(1)將陰極頭去銅處理后放入鑰套內；
(2)將陰極頭和鑰套進行焊接固定在一起；
(3)將焊接后的陰極頭和鑰套進行浸鹽；
(4)對浸鹽后的陰極頭和鑰套的二次加工位置進行加工，加工出陰極發(fā)射面，二次加工后的陰極發(fā)射面與鑰套端面處于同一平面，與鑰套外圓柱面相垂直。上述步驟(4)中二次加工后的陰極外圓與鑰套內圓、外圓同軸。上述步驟(2)中在陰極頭和鑰套的相連接下緣位置放置鑰釕焊料進行釬焊焊接。本發(fā)明的有益效果是:所述陰極結構可消除由于裝配等原因對陰極發(fā)射面與鑰套外圓柱面的垂直度的影響， 保證后期電子光學系統(tǒng)的裝配中陰極發(fā)射面與電子通道同心；陰極發(fā)射面不會產生小倒角、小缺口等瑕疵，也不會因為后期的零、部件裝配對陰極發(fā)射面產生不良影響，保證了裝配過程中陰極與電子通道同心，并能夠消除或抑制陰極邊緣發(fā)射，提高陰極質量。經過測試，流通率>80%。其測試數據如下表:
權利要求
1.一種行波管陰極加鑰套結構，其特征是:它包括陰極和鑰套，所述鑰套包裹在陰極發(fā)射面的邊緣，所述鑰套端面與陰極發(fā)射面處于同一平面，所述陰極發(fā)射面與鑰套外圓柱面相垂直。
2.如權利要求1所述的陰極加鑰套結構，其特征是:所述陰極外圓與鑰套內、外圓同軸。
3.如權利要求1所述的陰極加鑰套結構，其特征是:所述陰極的外圓公差帶為O +0.005mm,所述鑰套的內、夕卜圓公差帶為O +0.005mm。
4.如權利要求1所述的陰極加鑰套結構，其特征是:所述陰極發(fā)射面與鑰套外圓柱面的垂直度公差O 0.005mm。
5.如權利要求1 4任一權利要求所述的陰極加鑰套結構，其特征是:所述陰極通過釬焊焊接與鑰套固定在一起。
6.一種權利要求1所述的陰極加鑰套結構的制作方法，其特征是:該方法包括如下步驟: (1)將陰極頭去銅處理后放入鑰套內； (2)將陰極頭和鑰套進行焊接固定在一起； (3)將焊接后的陰極頭和鑰套進行浸鹽； (4)對浸鹽后的陰極頭和鑰套的二次加工位置進行加工，加工出陰極發(fā)射面，二次加工后的陰極發(fā)射面與鑰套端面處于同一平面，與鑰套外圓柱面相垂直。
7.如權利要求6所述的陰極結構的制作方法，其特征是:步驟(4)中二次加工后的陰極外圓與鑰套內圓、夕卜圓同軸。
8.如權利要求6所述的陰極結構的制作方法，其特征是:步驟(2)中在陰極頭和鑰套的相連接下緣位置放置鑰釕焊料進行釬焊 焊接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種行波管陰極加鉬套結構，它包括陰極和鉬套，所述鉬套包裹在陰極發(fā)射面的邊緣，鉬套端面與陰極發(fā)射面處于同一平面，所述陰極發(fā)射面與鉬套外圓柱面相垂直。該行波管陰極結構的制作方法是將陰極去銅處理后放入鉬套內；然后將陰極和鉬套焊接固定在一起；對焊接后的陰極和鉬套進行浸鹽；對浸鹽后的陰極和鉬套的二次加工位置進行整體加工，加工出陰極發(fā)射面；并保證加工后的鉬套端面與陰極發(fā)射面處于同一平面，陰極發(fā)射面與鉬套外圓柱面相垂直。采用該陰極結構，由于陰極的發(fā)射面邊緣有鉬套緊密包裹，邊緣接近理想狀態(tài)，不會出現小倒角、小缺口等瑕疵，能夠消除或抑制陰極邊緣發(fā)射，提高了陰極質量。
文檔編號H01J23/04GK103236388SQ20131013283
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月16日 優(yōu)先權日2013年4月16日
發(fā)明者李國 , 肖劍鋒, 李新義, 夏曉明, 黃春林, 明濤 申請人:成都國光電氣股份有限公司