一種場發(fā)射平面光源及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種場發(fā)射平面光源，包括陽極、隔離體、聚焦極、柵極和陰極，陽極與陰極通過隔離體隔開相對設置，其中，隔離體包括隔離主體和側(cè)壁支撐體，隔離主體開設漏斗狀通孔，隔離主體的大開口端與發(fā)光層相接，小開口端與側(cè)壁支撐體相接；聚焦極和柵極通過側(cè)壁支撐體隔開設置，柵極設置在陰極一側(cè)；柵極開設有柵極通孔，聚焦極開設有聚焦通孔；陰極包括陰極基板和發(fā)射體，陰極基板中部的圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個柱狀凸起，圓形區(qū)域的尺寸與柵極通孔的尺寸相當，發(fā)射體設置在柱狀凸起的上表面。本發(fā)明提供的場發(fā)射平面光源，通過設置特殊結(jié)構(gòu)的隔離體和多個陰極襯底，提高了器件的壽命及穩(wěn)定性。本發(fā)明還提供了該場發(fā)射平面光源的制備方法。
【專利說明】一種場發(fā)射平面光源及其制備方法
【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及場發(fā)射器件領域，具體涉及一種場發(fā)射平面光源及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 場發(fā)射器件是一種新興光源，是通過施加電場從陰極電極發(fā)射電子轟擊陽極發(fā)光 的裝置，能實現(xiàn)利用大功率高密度電子流發(fā)光。場發(fā)射平面光源因具有節(jié)能、環(huán)保、能夠在 惡劣環(huán)境下工作(如高低溫度環(huán)境)、輕薄等優(yōu)點，可廣泛應用于各個照明領域。場發(fā)射平 面光源與傳統(tǒng)的背光模塊相比，不僅構(gòu)造簡單，而且節(jié)能、體積小、易于大面積平面化、亮度 高，符合了未來平面光源的發(fā)展需求。盡管場發(fā)射平面光源在未來的市競爭中具有不可替 代的優(yōu)勢，然而，其在實際應用上存在一些問題需要解決。
[0003] 場發(fā)射平面光源所面臨的最重要的問題是關于穩(wěn)定性及壽命。而限制其壽命的主 要原因有：陽極在電子束轟擊下會產(chǎn)生一定量的殘余氣體，部分電離能小于從陰極發(fā)射出 來的高能電子束能量的時候，會發(fā)生電離現(xiàn)象，所產(chǎn)生的正離子在強電場作用下會垂直陰 極表面方面轟擊陰極納米材料，致使納米材料損壞，造成發(fā)射的跌落，影響器件工作的穩(wěn)定 性和壽命。其中，隔離體對器件壽命的影響比較大，通常對隔離體的材料要求有如下方面： (1)隔離體尺寸適中；（2)具有一定剛度、強度；（3)具有一定的電阻率；（4)放氣量小。隔 離體的形狀大小及擺放位置，除了對基板的受力分布影響比較大外，對陰極表面的電場分 布也頗有影響，是造成發(fā)射不均勻的原因之一。
[0004] 但通常的場發(fā)射的器件測試實驗中，更多的是考慮隔離體對陰陽極板的固定支撐 效果及隔離體材料的絕緣性，不同形狀大小及擺放位置的隔離體對陰極表面電場分布影響 的問題考慮的比較少。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 鑒于此，有必要提供一種場發(fā)射平面光源，其具有適合場發(fā)射平面光源的隔離體， 從而能有效提高場發(fā)射平面光源的使用壽命。
[0006] 本發(fā)明第一方面提供了一種場發(fā)射平面光源，包括陽極、隔離體、聚焦極、柵極和 陰極，所述陽極與陰極通過隔離體隔開相對設置，三者形成一密閉收容空間，所述聚焦極和 柵極收容在所述密閉收容空間內(nèi)，
[0007] 所述陽極依次包括陽極基板、導電層和發(fā)光層；
[0008] 所述隔離體包括隔離主體和側(cè)壁支撐體，所述隔離主體開設有漏斗狀通孔，所述 隔離主體的大開口端與所述發(fā)光層相接，小開口端與所述側(cè)壁支撐體相接；
[0009] 所述聚焦極和所述柵極通過所述側(cè)壁支撐體隔開設置，所述柵極設置在所述陰極 一側(cè)；所述柵極開設有能使從所述陰極發(fā)射的電子束通過的柵極通孔，所述聚焦極開設有 能使所述電子束聚焦的聚焦通孔；
[0010] 所述陰極包括陰極基板和發(fā)射體，所述陰極基板中部的圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多 個柱狀凸起，所述圓形區(qū)域的尺寸與所述柵極通孔的尺寸相當，所述發(fā)射體設置在所述柱 狀凸起的上表面。
[0011] 優(yōu)選地，所述聚焦極包括導電平板和設置在所述導電平板上方的突起，所述聚焦 通孔貫穿所述導電平板和所述突起并在所述突起頂端具有最小處直徑。
[0012] 優(yōu)選地，所述隔離主體小開口端的開口 口徑小于或等于所述聚焦通孔的最小處直 徑。
[0013] 優(yōu)選地，所述發(fā)射體與所述柵極通孔、所述聚焦通孔以及所述隔離主體的漏斗狀 通孔處于同一軸線位置。
[0014] 優(yōu)選地，所述柱狀凸起為不銹鋼材質(zhì)，所述柱狀凸起的上表面為平面或弧形外凸 面。
[0015] 優(yōu)選地，所述隔離體的材質(zhì)為陶瓷、玻璃或碳化硼。
[0016] 優(yōu)選地，所述陽極基板的材質(zhì)為玻璃，所述導電層為金屬鋁、金或銀層，或者銦錫 氧化物層，所述發(fā)光層為可激發(fā)出波長為420nm?480nm藍光的熒光粉層。
[0017] 優(yōu)選地，所述陰極基板為中部圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個不銹鋼柱狀凸起的導電 玻璃基板。
[0018] 優(yōu)選地，所所述發(fā)射體為氧化鋅納米棒或碳納米管。
[0019] 本發(fā)明第二方面提供了一種上述場發(fā)射平面光源的制備方法，包括以下步驟：
[0020] 在潔凈的陽極基板上采用磁控濺射法或蒸鍍法制備導電層，然后在所述導電層表 面制備發(fā)光層，得到陽極；
[0021] 制作中部圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個柱狀凸起的陰極基板，再采用直接生長或涂 覆的方式在所述柱狀凸起上表面制備發(fā)射體，得到陰極；
[0022] 采用絕緣材料制作隔離體，所述隔離體包括隔離主體和側(cè)壁支撐體，所述隔離主 體開設有漏斗狀通孔；
[0023] 制作開設有能使由陰極發(fā)射的電子束通過的柵極通孔的柵極；制作開設有能使所 述電子束聚焦的聚焦通孔的聚焦極；
[0024] 將所述陽極、聚焦極、柵極、陰極和隔離體進行組裝，所述隔離主體的大開口端與 所述發(fā)光層相接，小開口端與所述側(cè)壁支撐體相接，所述聚焦極和所述柵極通過所述側(cè)壁 支撐體隔開設置，所述柵極設置在所述陰極一側(cè)；所述陽極、聚焦極、柵極、陰極和隔離體組 裝形成一收容空間，抽真空密封所述收容空間，制得場發(fā)射平面光源。
[0025] 綜上所述的場發(fā)射平面光源，由于隔離體的"漏斗狀"特殊結(jié)構(gòu)，當在各個電極施 加相應的電壓后，電子束轟擊陽極板后所產(chǎn)生的正離子在電場作用下以垂直的方向往陰極 加速，加速的中間過程將被"漏斗狀"的隔離主體內(nèi)壁攔截，由于漏斗通孔小開口端開口的 直徑較小，所以大大減少了轟擊陰極的正離子的數(shù)量，降低對陰極納米材料的毀壞程度，從 而提高了器件工作的穩(wěn)定性及壽命。此外，場發(fā)射平面光源用多個柱狀凸起做陰極襯底代 替?zhèn)鹘y(tǒng)的單個陰極襯底結(jié)構(gòu)，避免單個毀壞后器件工作停止的狀態(tài)，有利于提高器件工作 的穩(wěn)定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026] 圖1是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的剖面圖；
[0027] 圖2是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的隔離主體結(jié)構(gòu)圖；
[0028] 圖3是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的陽極結(jié)構(gòu)圖；
[0029] 圖4是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的聚焦極結(jié)構(gòu)圖；
[0030] 圖5是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的柵極結(jié)構(gòu)圖；
[0031] 圖6是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的陰極結(jié)構(gòu)圖；
[0032] 圖7是本發(fā)明第二實施例中場發(fā)射平面光源的陰極結(jié)構(gòu)圖；
[0033] 圖8是本發(fā)明第一實施例中場發(fā)射平面光源的剖面工作效果示意圖。
【具體實施方式】
[0034] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035] 參照圖1?6,本發(fā)明第一實施例提供的一種場發(fā)射平面光源，包括陽極10、隔離 體20、聚焦極40、柵極50和陰極30。陽極10與陰極30通過隔離體20隔開相對設置，三者 形成一密閉收容空間，陽極10包括陽極基板11、導電層12和發(fā)光層13,陰極30包括陰極基 板31和發(fā)射體32,導電層12、發(fā)光層13、發(fā)射體32,以及聚焦極40和柵極50收容在密閉 收容空間內(nèi)，隔離體20包括隔離主體21和側(cè)壁支撐體22,隔離主體21開設有漏斗狀通孔 211，隔離主體21的大開口端212與發(fā)光層13相接，小開口端213與側(cè)壁支撐體22相接； 聚焦極40和柵極50通過側(cè)壁支撐體22隔開設置，柵極50固定在陰極30 -側(cè)；柵極50開 設有能使從陰極30發(fā)射的電子束通過的柵極通孔51，聚焦極40開設有能使電子束聚焦的 聚焦通孔41 ;陰極30包括陰極基板31和發(fā)射體32,陰極基板31中部的圓形區(qū)域內(nèi)陣列設 置有多個柱狀凸起311，圓形區(qū)域的尺寸與柵極通孔51的尺寸相當，發(fā)射體32設置在柱狀 凸起311的上表面。
[0036] 其中，圖1為本實施例提供的場發(fā)射平面光源的剖面圖。
[0037] 隔離體20包括隔離主體21和側(cè)壁支撐體22,隔離主體21開設有漏斗狀通孔211， 隔離主體21的大開口端212與發(fā)光層13相接，小開口端213與側(cè)壁支撐體22相接。圖2 為本實施例中場發(fā)射平面光源隔離主體結(jié)構(gòu)圖。隔離體20的材質(zhì)可以為陶瓷、玻璃或碳化 硼。在本實施例中，隔離體20的材質(zhì)為陶瓷。在本實施例中，隔離體20為拆分結(jié)構(gòu)，即隔 離主體21與側(cè)壁支撐體22分別單獨存在，通過膠黏劑封接在一起，其中，側(cè)壁支撐體22包 括三個環(huán)柱狀的支撐子體221、222和223。在本發(fā)明的其他實施例中，隔離體20可以為一 體化結(jié)構(gòu)，即隔離主體21和側(cè)壁支撐體22為一整體構(gòu)件。隔離體20的外表面形狀不作特 殊限制，可以為柱形。所述柱形可以是圓柱形，也可以是方柱形。在本實施例中，隔離體20 的外表面為圓柱形。
[0038] 在本實施例中，聚焦極40、柵極50和陰極30分別通過環(huán)柱狀的支撐子體221、222 和223隔開設置，并通過膠黏劑進行固定，陽極10采用低玻粉與隔離體20進行固定。在本 發(fā)明的其他實施例中，當隔離體20為一體化結(jié)構(gòu)時，側(cè)壁支撐體22的內(nèi)壁上可以預定距離 設置用于固定聚焦極40、柵極50和陰極30的凹槽，隔離主體21設置用于固定陽極10的凹 槽，也可以不設置凹槽，直接采用膠黏劑將聚焦極40、柵極50和陰極30設置在側(cè)壁支撐體 22的內(nèi)壁上。
[0039] 隔離主體21的漏斗狀通孔211可以為方形或圓形。在本實施例中，漏斗狀通孔 211為圓形。
[0040] 圖3是本實施例中場發(fā)射平面光源的陽極結(jié)構(gòu)圖。陽極10包括陽極基板11、和形 成于陽極基板11上的導電層12和發(fā)光層13,發(fā)光層13形成于導電層12上。其中，陽極基 板11選自玻璃或陶瓷材質(zhì)的圓形或方形板。導電層12為金屬鋁、金或銀層，或者銦錫氧化 物（ΙΤ0)層，優(yōu)選采用鋁層，通過磁控濺射法制備在陽極基板11上。發(fā)光層13為可激發(fā)出 波長為420nm?480nm藍光的熒光粉層。發(fā)光層13可采用絲網(wǎng)印刷的方式制備。本發(fā)明 對陽極基板11、導電層12和發(fā)光層13的厚度不作特殊限定。
[0041] 圖4是本實施例中場發(fā)射平面光源的聚焦極結(jié)構(gòu)圖。圖5是本實施例中場發(fā)射平 面光源的柵極結(jié)構(gòu)圖。聚焦極40包括導電平板42和設置在導電平板42上方的突起43， 聚焦通孔41貫穿導電平板40和突起43并在在突起43頂端具有最小處直徑。在本實施例 中，隔離主體21小開口端213的開口口徑小于聚焦通孔41的最小處直徑。在其他實施例 中，隔離主體21小開口端213的開口 口徑可等于聚焦通孔41的最小處直徑。聚焦極40和 柵極50為圓形或方形板金屬板，優(yōu)選為金屬銅板。
[0042] 在本實施例中，發(fā)射體與柵極通孔、聚焦通孔以及隔離主體的漏斗狀通孔處于同 一軸線位置。
[0043] 聚焦極40和柵極50以預定距離設置，該預定距離可根據(jù)實際情況科學設定，以使 器件獲得最好的發(fā)射效果，本發(fā)明對此不做特殊限定。
[0044] 圖6是本實施例中場發(fā)射平面光源的陰極結(jié)構(gòu)圖。陰極30包括陰極基板31和發(fā) 射體32,陰極30與陽極10相對設置，陽極10、隔離體20和陰極30形成一密閉收容空間。 聚焦極40和柵極50收容在該空間內(nèi)。
[0045] 陰極基板31的形狀與陽極基板11相匹配，可以為圓形或方形。在本實施例中，陰 極基板31為圓形。發(fā)射體32設置在柱形凸起311的上表面。在本實施例中，柱形凸起311 的上表面為平面。在本發(fā)明第二實施例中，柱形凸起31Γ的上表面為弧形外凸面。圖7是 本發(fā)明第二實施例中場發(fā)射平面光源的陰極結(jié)構(gòu)圖。柱形凸起311為不銹鋼材質(zhì)，可為圓 柱體或方柱體。發(fā)射體32可以為氧化鋅納米棒或碳納米管。發(fā)射體32可以采用直接生長 (如化學氣相沉積法)或涂覆(如絲網(wǎng)印刷法)的方式制備在柱形凸起311的上表面。在本實 施例中，陰極基板31為中部圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個不銹鋼柱狀凸起311的導電玻璃基 板312,即柱狀凸起311為單獨結(jié)構(gòu)，采用銀漿粘貼在導電玻璃基板312上。其中，導電玻璃 基板312可以為具有銦錫氧化物（ΙΤ0)層的玻璃基板。在本發(fā)明其他實施例中，陰極基板 31可以為中部圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個柱狀凸起的不銹鋼板，即柱狀凸起311與陰極基 板31為一體化結(jié)構(gòu)。
[0046] 圖8是本實施例中場發(fā)射平面光源的剖面工作效果示意圖。本實施例提供的場發(fā) 射平面光源的工作原理如下：將陰極30接地，在柵極50施加一個正向電壓V g，同時在聚焦 極40施加一個負電壓Vf，在陽極導電層12施加一個相對柵極電壓較大的加速電壓V a，這時 候，從陰極30所產(chǎn)生的電子束60會經(jīng)過聚焦極電壓的影響及陽極高電壓的加速以發(fā)射的 形式轟擊陽極發(fā)光層12,和傳統(tǒng)的場發(fā)射平面光源區(qū)別的是，電子束60轟擊陽極發(fā)光層12 后所產(chǎn)生的正離子在電場作用下以垂直的方向往陰極30加速的中間過程被"漏斗"狀的絕 緣隔離主體攔截，由于漏斗狀通孔的小開口端開口直徑較小，所以大大減少轟擊陰極30的 正離子數(shù)量，從而降低了對陰極發(fā)射體的毀壞程度，提高了器件工作的穩(wěn)定性及壽命。此 夕卜，場發(fā)射平面光源用多個柱狀凸起做陰極襯底代替?zhèn)鹘y(tǒng)的單個陰極襯底結(jié)構(gòu)，避免單個 毀壞后器件工作停止的狀態(tài)，有利于提高器件工作的穩(wěn)定性。
[0047] 另一方面，上述場發(fā)射平面光源的制備方法如下：
[0048] 首先，選用一塊圓形玻璃作為陽極基板，玻璃厚度為3_、直徑為100mm，將陽極基 板依次用丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗15分鐘并吹干或烘干。然后在該潔凈的陽極基板 上采用磁控濺射的方法制備厚度為2微米的金屬鋁導電層，隨后在該鋁層上陽極基板中部 直徑為80mm的圓形區(qū)域內(nèi)，采用涂覆法涂覆一層厚度為35微米的ZnS:Ag藍光熒光粉層， 得到陽極；
[0049] 采用切割、打磨等方法加工不銹鋼板，得到多個上、下表面均為平面的不銹鋼圓柱 體，將得到的多個不銹鋼圓柱體采用銀漿粘結(jié)，陣列設置在清潔的ΙΤ0導電玻璃基板的中 部直徑為30_的圓形區(qū)域內(nèi)，得到陰極基板。再在每個柱狀凸起上表面采用涂覆法涂覆一 層厚度為5微米的碳納米管發(fā)射體，得到陰極；
[0050] 采用切割、打磨等加工方法得到一個外表面為圓柱形，外周圓直徑為130mm的陶 瓷材質(zhì)隔離主體和三個外表面為圓柱形，外周圓直徑為130mm、內(nèi)環(huán)直徑為80mm的環(huán)柱狀 的陶瓷材質(zhì)支撐子體，隔離主體中部開設有漏斗狀通孔；
[0051] 采用切割、拋光等方法加工得到直徑為100_，且中心具有聚焦通孔的圓形金屬銅 板作為聚焦極，該聚焦極包括金屬銅平板和設置在金屬銅平板上方的突起，聚焦通孔貫穿 金屬銅平板和突起并在突起頂端具有最小處直徑，該最小處直徑等于隔離主體漏斗狀通孔 的小開口端開口口徑，為2mm;同樣，采用切割、拋光等方法加工得到直徑為100臟，且中心 具有柵極通孔的圓形金屬銅板作為柵極；所述柵極通孔的尺寸為30_ ;
[0052] 將上述所得陽極、聚焦極、柵極、陰極和隔離體進行組裝，隔離主體的大開口端與 發(fā)光層相接，采用低玻粉進行固定，小開口端與側(cè)壁支撐體相接，聚焦極、柵極和陰極采用 三個支撐子體隔開設置，并用膠黏劑粘結(jié)固定，柵極設置在陰極一側(cè)；發(fā)射體與柵極通孔、 聚焦通孔以及隔離主體的漏斗狀通孔處于同一軸線位置；最后組裝形成一收容空間，抽真 空至1 X l(T5Pa，密封該收容空間，制得場發(fā)射平面光源。
[0053] 上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體 實施方式，上述的【具體實施方式】僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領域的普通技術(shù)人員 在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多 形式，這些均屬于本發(fā)明的保護之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種場發(fā)射平面光源，包括陽極、隔離體、聚焦極、柵極和陰極，所述陽極與陰極通過 隔離體隔開相對設置，三者形成一密閉收容空間，所述聚焦極和柵極收容在所述密閉收容 空間內(nèi)，其特征在于， 所述陽極依次包括陽極基板、導電層和發(fā)光層； 所述隔離體包括隔離主體和側(cè)壁支撐體，所述隔離主體開設有漏斗狀通孔，所述隔離 主體的大開口端與所述發(fā)光層相接，小開口端與所述側(cè)壁支撐體相接； 所述聚焦極和柵極通過所述側(cè)壁支撐體隔開設置，所述柵極設置在所述陰極一側(cè)；所 述柵極開設有能使從所述陰極發(fā)射的電子束通過的柵極通孔，所述聚焦極開設有能使所述 電子束聚焦的聚焦通孔； 所述陰極包括陰極基板和發(fā)射體，所述陰極基板中部的圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個柱 狀凸起，所述圓形區(qū)域的尺寸與所述柵極通孔的尺寸相當，所述發(fā)射體設置在所述柱狀凸 起的上表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述聚焦極包括導電平板和設 置在所述導電平板上方的突起，所述聚焦通孔貫穿所述導電平板和所述突起并在所述突起 頂端具有最小處直徑。
3. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述隔離主體小開口端的開口 口徑小于或等于所述聚焦通孔的最小處直徑。
4. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述發(fā)射體與所述柵極通孔、所 述聚焦通孔以及所述隔離主體的漏斗狀通孔處于同一軸線位置。
5. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述隔離體的材質(zhì)為陶瓷、玻璃 或碳化硼。
6. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述柱狀凸起為不銹鋼材質(zhì)，所 述柱狀凸起的上表面為平面或弧形外凸面。
7. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述陽極基板的材質(zhì)為玻璃，所 述導電層為金屬鋁、金或銀層，或者銦錫氧化物層，所述發(fā)光層為可激發(fā)出波長為420nm? 480nm藍光的熒光粉層。
8. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述陰極基板為中部圓形區(qū)域 內(nèi)陣列設置有多個不銹鋼柱狀凸起的導電玻璃基板。
9. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射平面光源，其特征在于，所述發(fā)射體為氧化鋅納米棒或 碳納米管。
10. -種如權(quán)利要求1?9任一項所述的場發(fā)射平面光源的制備方法，其特征在于，包 括以下步驟： 在潔凈的陽極基板上采用磁控濺射法或蒸鍍法制備導電層，然后在所述導電層表面制 備發(fā)光層，得到陽極； 制作中部圓形區(qū)域內(nèi)陣列設置有多個柱狀凸起的陰極基板，再采用直接生長或涂覆的 方式在所述柱狀凸起上表面制備發(fā)射體，得到陰極； 采用絕緣材料制作隔離體，所述隔離體包括隔離主體和側(cè)壁支撐體，所述隔離主體開 設有漏斗狀通孔； 制作開設有能使由陰極發(fā)射的電子束通過的柵極通孔的柵極；制作開設有能使所述電 子束聚焦的聚焦通孔的聚焦極； 將所述陽極、聚焦極、柵極、陰極和隔離體進行組裝，所述隔離主體的大開口端與所述 發(fā)光層相接，小開口端與所述側(cè)壁支撐體相接，所述聚焦極和所述柵極通過所述側(cè)壁支撐 體隔開設置，所述柵極設置在所述陰極一側(cè)；所述陽極、聚焦極、柵極、陰極和隔離體組裝形 成一收容空間，抽真空密封所述收容空間，制得場發(fā)射平面光源。
【文檔編號】H01J63/06GK104064432SQ201310094740
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月22日
【發(fā)明者】周明杰, 吳康鋒 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司