專利名稱：大氣壓等離子處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及在大氣壓下對(duì)被處理物實(shí)施等離子處理的大氣壓等離子處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
一直以來，利用減壓下產(chǎn)生的等離子體，對(duì)基板等被處理物進(jìn)行表面處理。具體而言，在減壓的腔室內(nèi)，使氣體發(fā)生等離子化，利用該等離子化的氣體，進(jìn)行被處理物的表面改性、表面清洗、形成薄膜等處理。在減壓下的等離子處理中，為了對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行減壓，而需要真空泵等，而且，為了維持減壓狀態(tài)，而需要對(duì)腔室進(jìn)行密閉。因此，在減壓下用于進(jìn)行等離子處理的系統(tǒng)具有大型化且成本升高的傾向。而且，需要腔室的密閉工序、減壓工序等，因此減壓下的等離子處理所需的時(shí)間變得比較長(zhǎng)。鑒于這種情況，近年來，在大氣壓下對(duì)被處理物實(shí)施等離子處理的大氣壓等離子處理系統(tǒng)的開發(fā)不斷發(fā)展。在下述專利文獻(xiàn)中示出了大氣壓等離子處理系統(tǒng)的一例。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-140051號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-331736號(hào)公報(bào)在基于等離子化的氣體的處理中存在表面改性、表面清洗、形成薄膜等各個(gè)種類的處理，有時(shí)連續(xù)進(jìn)行各種等離子處理。具體而言，例如，進(jìn)行作為反應(yīng)氣體使氧等離子化而將基板表面的有機(jī)物除去的等離子處理，在除去有機(jī)物后的基板表面，進(jìn)行通過用于形成薄膜的反應(yīng)氣體的等離子化而形成薄膜的等離子處理。并且，有時(shí)為了在所形成的薄膜上形成與該薄膜不同的薄膜，進(jìn)行利用其他用于形成薄膜的反應(yīng)氣體的等離子處理。在減壓下進(jìn)行這多個(gè)等離子處理時(shí)，對(duì)各處理需要反復(fù)進(jìn)行密閉工序及減壓工序，總處理時(shí)間可能相當(dāng)長(zhǎng)。另一方面，在通過大氣壓等離子處理系統(tǒng)來進(jìn)行多個(gè)等離子處理時(shí)，無需進(jìn)行各處理的密閉工序及減壓工序，因此能夠相當(dāng)縮短處理時(shí)間。在基于大氣壓等離子處理系統(tǒng)的多個(gè)等離子處理中，為了處理時(shí)間的進(jìn)一步縮短，考慮將進(jìn)行各處理的多個(gè)腔室配置成一列，并將相鄰的兩個(gè)腔室連通。但是，在將相鄰的兩個(gè)腔室連通時(shí)，需要避免各腔室內(nèi)使用的反應(yīng)氣體彼此混合。在上述專利文獻(xiàn)中記載了用于如下目的的技術(shù)，即:通過氣簾將被處理物的向系統(tǒng)內(nèi)的搬入口及被處理物的從系統(tǒng)內(nèi)的搬出口分隔成系統(tǒng)的內(nèi)部和外部，由此抑制反應(yīng)氣體從腔室內(nèi)的流出、外部空氣向腔室內(nèi)的流入等。然而，在上述專利文獻(xiàn)中，未考慮使兩個(gè)腔室連通的情況，且并未考慮到防止兩個(gè)腔室間的反應(yīng)氣體的混合。如此，可認(rèn)為，在大氣壓等離子處理系統(tǒng)中還大量存在改良的余地，通過實(shí)施各種改良，而能提高大氣壓等離子處理系統(tǒng)的實(shí)用性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型鑒于這種情況而作出，其課題在于提供一種高實(shí)用性的大氣壓等離子處理系統(tǒng)。為了解決上述課題，本申請(qǐng)的第一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)具備:多個(gè)腔室，排成一列地配置；一個(gè)以上腔室間連通路，各個(gè)腔室間連通路分別將上述多個(gè)腔室中的相鄰的兩個(gè)腔室連通；搬運(yùn)裝置，經(jīng)由上述一個(gè)以上腔室間連通路并通過上述多個(gè)腔室內(nèi)來搬運(yùn)被處理物；多個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置，與上述多個(gè)腔室對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置分別能夠在上述多個(gè)腔室中的與上述各個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室內(nèi)部在大氣壓下產(chǎn)生等離子體；及一個(gè)以上腔室間分隔裝置，與上述一個(gè)以上腔室間連通路對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)腔室間分隔裝置分別噴出氣體以遮斷上述一個(gè)以上腔室間連通路中的與上述各個(gè)腔室間分隔裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室間連通路，利用所噴出的氣流將相鄰的兩個(gè)腔室之間隔開；在上述多個(gè)腔室內(nèi)依次對(duì)由上述搬運(yùn)裝置搬運(yùn)的被處理物實(shí)施等離子處理。另外，第二方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述多個(gè)腔室內(nèi)的氣壓被設(shè)定為相同。另外，第三方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第一或第二方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述多個(gè)腔室內(nèi)的氣壓被設(shè)定為正壓。另外，第四方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第一至第三方面中任一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述多個(gè)腔室中的配置在兩端的兩個(gè)腔室分別具有用于供上述搬運(yùn)裝置搬出或搬入被處理物的搬出搬入口，且，上述搬出搬入口向大氣開口，上述大氣壓等離子處理系統(tǒng)具備兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置，上述兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置與上述配置在兩端的兩個(gè)腔室對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)腔室大氣間分隔裝置分別噴出氣體以遮斷上述搬出搬入口，利用所噴出的氣流將與上述各個(gè)腔室大氣間分隔裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室和大氣之間隔開。另外，第五方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第四方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置的各自的每單位時(shí)間的噴出量比上述一個(gè)以上腔室間分隔裝置的各自的每單位時(shí)間的噴出量多。另外，第六方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第一至第五方面中任一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述一個(gè)以上腔室間連通路在被處理物的搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比能夠利用上述大氣壓等離子處理系統(tǒng)處理的最大被處理物在上述搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。另外，第七方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)以第一至第六方面中任一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)為基礎(chǔ)，其中，上述一個(gè)以腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。實(shí)用新型效果在第一方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，進(jìn)行各處理的多個(gè)腔室配置成一列，通過連通路將相鄰的兩個(gè)腔室之間連通，并且被處理物通過多個(gè)腔室內(nèi)而由搬運(yùn)裝置搬運(yùn)。由此，對(duì)于由搬運(yùn)裝置搬運(yùn)的被處理物，能夠在多個(gè)腔室內(nèi)依次實(shí)施等離子處理，從而能夠縮短處理時(shí)間。此外，通過由分隔裝置噴出的氣流，能夠?qū)⑾噜彽膬蓚€(gè)腔室之間隔開，由此，能夠抑制在各腔室內(nèi)使用的反應(yīng)氣體的混合。另外，在第二方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，能夠消除相鄰的兩個(gè)腔室之間的氣壓差。由此，能夠進(jìn)一步抑制相鄰的兩個(gè)腔室間的反應(yīng)氣體的混合。另外，在第三方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，各腔室內(nèi)的氣壓比大氣壓高。由此，能夠防止大氣向各腔室內(nèi)的流入。另外，在第四方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，通過由分隔裝置噴出的氣流，能夠?qū)⑽挥诙瞬康那皇遗c大氣之間隔開。由此，能夠抑制反應(yīng)氣體從該腔室內(nèi)向大氣的流出及大氣向該腔室內(nèi)的流入。另外，在第五方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，使將位于端部的腔室與大氣之間隔開的氣流比將相鄰的兩個(gè)腔室之間隔開的氣流強(qiáng)。在各腔室內(nèi)，為了進(jìn)行等離子處理而流有反應(yīng)氣體，且大多數(shù)的情況是腔室內(nèi)的氣壓比大氣壓高。另一方面，反應(yīng)氣體的流量在各腔室大幅不同的情況少，相鄰的兩個(gè)腔室間的氣壓差不是太大。因此，位于端部的腔室與大氣之間的氣壓差具有比相鄰的兩個(gè)腔室間的氣壓差大的傾向。因此，根據(jù)第五方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，能夠有效地抑制反應(yīng)氣體從位于端部的腔室內(nèi)向大氣的流出。另外，在第六方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，被處理物在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比腔室間連通路短。即，在搬運(yùn)被處理物時(shí)，被處理物不會(huì)橫跨相鄰的兩個(gè)腔室。由此，能夠抑制噴出到腔室間連通路的氣體的向腔室內(nèi)的流入。詳細(xì)而言，例如，被處理物在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比腔室間連通路長(zhǎng)的情況下，在搬運(yùn)被處理物時(shí)，被處理物有時(shí)會(huì)橫跨相鄰的兩個(gè)腔室。如此，當(dāng)被處理物橫跨兩個(gè)腔室時(shí)，噴出到腔室間連通路的氣體容易沿著被處理物流入到腔室內(nèi)。即，通過使被處理物在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比腔室間連通路短，而能夠抑制噴出到腔室間連通路的氣體向腔室內(nèi)的流入。另外，在第七方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中，從被處理物的側(cè)方噴出氣體。被處理物大多為板狀，可認(rèn)為，這樣的話，從側(cè)方噴出氣體時(shí)的流路阻力變得最小。因此，根據(jù)第七方面記載的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，噴出到腔室間連通路的氣體容易隔著被處理物流動(dòng)到噴出口的相反側(cè)，從而能夠抑制噴出的氣體向腔室內(nèi)的流入。

圖1是表示本實(shí)用新型的實(shí)施例的大氣壓等離子處理系統(tǒng)的立體圖。圖2是以將上部罩拆下的狀態(tài)表示圖1所示的大氣壓等離子處理系統(tǒng)的俯視圖。圖3是圖2的AA線的簡(jiǎn)要剖視圖。圖4是示意性地表示實(shí)施例的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中的氮?dú)饬鞯膱D。圖5是表示變形例的大氣壓等離子處理系統(tǒng)的簡(jiǎn)要剖視圖。圖6(a)、圖6(b)是示意性地表示變形例的大氣壓等離子處理系統(tǒng)中的氮?dú)饬鞯膱D。標(biāo)號(hào)說明10:大氣壓等離子處理系統(tǒng)34:處理室(腔室)38:等離子頭(大氣壓等離子發(fā)生裝置)40:第一連通路(搬出搬入口)42:第二連通路(腔室間連通路)44:第三連通路(腔室間連通路)46:第四連通路(搬出搬入口)50:搬運(yùn)裝置60:氣簾裝置(腔室大氣間分隔裝置)62:氣簾裝置(腔室間分隔裝置)64:氣簾裝置(腔室間分隔裝置)66:氣簾裝置(腔室大氣間分隔裝置)80:大氣壓等離子處理系統(tǒng)82:氣簾裝置(腔室間分隔裝置)(腔室大 氣間分隔裝置)
具體實(shí)施方式
以下，作為用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式，參照附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施例及變形例。<大氣壓等離子處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)>圖1 圖3表示本實(shí)用新型的實(shí)施例的大氣壓等離子處理系統(tǒng)(以下，有時(shí)簡(jiǎn)稱為“處理系統(tǒng)”)10。圖1是處理系統(tǒng)10的立體圖，圖2是將上部罩拆除的狀態(tài)下的處理系統(tǒng)10的以從上方的視點(diǎn)表示的簡(jiǎn)要俯視圖，圖3是圖2的AA線的簡(jiǎn)要剖視圖。處理系統(tǒng)10包括能夠在大氣壓下實(shí)施等離子處理的3臺(tái)大氣壓等離子處理裝置(以下，有時(shí)簡(jiǎn)稱為“處理裝置”)12、14、16、4臺(tái)連接裝置18、20、22、24。上述3臺(tái)處理裝置12、14、16和4臺(tái)連接裝置18、20、22、24交替相鄰排列，而配置成一列。順便提一下，在以下的說明中，將處理裝置12、14、16及連接裝置18、20、22、24的排列方向稱為左右方向，將與該方向垂直且水平的方向稱為前后方向。并且，將圖1中的左斜上方及圖2、3中的左方稱為左方，將圖1中的右斜下方及圖2、3中的右方稱為右方。此夕卜，將圖1中的左斜下方及圖2中的下方稱為前方，將圖1中的右斜上方及圖2中的上方稱為后方。而且，在對(duì)3臺(tái)處理裝置12、14、16進(jìn)行區(qū)別時(shí)，從配置在最左側(cè)的處理裝置開始，依次稱為第一處理裝置12、第二處理裝置14、第三處理裝置16，在對(duì)4臺(tái)連接裝置18、20、22,24進(jìn)行區(qū)別時(shí)，從配置在最左側(cè)的連接裝置開始，依次稱為第一連接裝置18、第二連接裝置20、第三連接裝置22、第四連接裝置24。處理裝置12、14、16分別具備基體30、將該基體30的整個(gè)上表面包圍的上部罩32，由上述基體30和上部罩32劃分成進(jìn)行等離子處理的處理室34。在處理室34的頂部即上部罩32的內(nèi)表面固定地設(shè)有頭保持部36，通過該頭保持部36，保持等離子頭38。等離子頭38在內(nèi)部對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行等離子化，將該等離子化后的氣體從形成在下端面上的開口(未圖示)朝向下方噴出，在大氣壓下能夠產(chǎn)生等離子氣體。能夠在大氣壓下產(chǎn)生等離子氣體的頭的結(jié)構(gòu)為公知的結(jié)構(gòu)，因此，簡(jiǎn)單說明的話，為如下結(jié)構(gòu):使反應(yīng)氣體向形成在等離子頭內(nèi)部的氣體流路中流動(dòng)，在設(shè)置于該氣體流路上的一對(duì)電極之間進(jìn)行放電，由此使反應(yīng)氣體發(fā)生等離子化。另外，連接裝置18、20、22、24將相鄰的兩臺(tái)處理裝置12、14、16的處理室34連通、或?qū)⑻幚硎?4與處理系統(tǒng)10的外部連通，且在內(nèi)部形成有用于將它們連通的通路。詳細(xì)而言，在第一連接裝置18的內(nèi)部形成有將第一處理裝置12的處理室34與處理系統(tǒng)10的外部連通的第一連通路40，在第二連接裝置20的內(nèi)部形成有將第一處理裝置12的處理室34與第二處理裝置14的處理室34連通的第二連通路42。在第三連接裝置22的內(nèi)部形成有將第二處理裝置14的處理室34與第三處理裝置16的處理室34連通的第三連通路44，在第四連接裝置24的內(nèi)部形成有將第三處理裝置16的處理室34與處理系統(tǒng)10的外部連通的第四連通路46。在處理系統(tǒng)10中，以沿左右方向貫穿其內(nèi)部的方式配置有搬運(yùn)裝置50。搬運(yùn)裝置50具有一對(duì)傳送帶52，上述一對(duì)傳送帶52通過各連通路40、42、44、46，沿著左右方向延伸，且固定在各處理裝置12、14、16的基體30上表面。搬運(yùn)裝置50為如下結(jié)構(gòu):通過一對(duì)傳送帶52對(duì)基板54進(jìn)行支承，通過電磁電動(dòng)機(jī)(未圖示)使上述一對(duì)傳送帶52回轉(zhuǎn)，由此將基板54朝向右方搬運(yùn)。即，通過搬運(yùn)裝置50，從第一連接裝置18的第一連通路40搬入基板54，并依次在第一處理裝置12、第二處理裝置14、第三處理裝置16的各自的處理室34內(nèi)搬運(yùn)，然后從第四連接裝置24的第四連通路46搬出。另外，在連接裝置18、20、22、24的各連通路40、42、44、46設(shè)有氣簾裝置60、62、64、66，能夠?qū)⒂筛鬟B通路連接的兩個(gè)處理室34之間、或處理室34與處理系統(tǒng)10的外部之間隔開。詳細(xì)而言，各氣簾裝置60等由鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68和吸引機(jī)構(gòu)70構(gòu)成，鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68配置在連通路40等的后方，吸引機(jī)構(gòu)70配置在連通路40等的前方。該鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68的鼓風(fēng)口 72和吸引機(jī)構(gòu)70的吸引口 74向連通路40等開口，隔著該連通路40等而相對(duì)。上述鼓風(fēng)口72和吸引口 74分別在連通路40等的上下方向的整個(gè)長(zhǎng)度上開口，鼓風(fēng)口 72及吸引口 74的上下方向的長(zhǎng)度與連通路40等的上下方向的長(zhǎng)度相同。并且，鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68從鼓風(fēng)口 72噴出氮?dú)猓龣C(jī)構(gòu)70將所噴出的氮?dú)鈴奈?74吸引，通過氣流而形成壁，通過氣流壁將處理室34之間或處理室34與大氣之間隔開?！创髿鈮旱入x子處理系統(tǒng)中的等離子處理〉在如上所述構(gòu)成的處理系統(tǒng)10中，能夠在3臺(tái)處理裝置12、14、16的處理室34的每一個(gè)處理室進(jìn)行不同的等離子處理，對(duì)于通過搬運(yùn)裝置50搬運(yùn)的基板54，依次進(jìn)行三種等離子處理。具體而言，首先，在經(jīng)由第一連通路40將基板54搬入的第一處理裝置12的處理室34中，將氧氣用作反應(yīng)氣體，進(jìn)行利用等離子化的氧氣將基板表面的有機(jī)物除去的等離子處理。等離子化的氧氣通過與附著于基板表面的有機(jī)污染物進(jìn)行化學(xué)結(jié)合，而將有機(jī)污染物分解，并從基板表面除去。接下來，將除去有機(jī)物后的基板54經(jīng)由第二連通路42向第二處理裝置14的處理室34搬運(yùn)，在該處理室34中，通過等離子化的反應(yīng)氣體將薄膜蒸鍍?cè)诨灞砻?。即，通過等離子CVD (Chemical VaporDeposition)來形成薄膜。作為反應(yīng)氣體，可采用娃燒、二氯二氫硅等各種氣體，根據(jù)形成的薄膜來選擇。接下來，在第二處理裝置14的處理室34中，形成了 I層薄膜的基板54經(jīng)由第三連通路44向第三處理裝置16的處理室34搬運(yùn)，在該處理室34中，通過等離子CVD形成第2層薄膜。該第三處理裝置16的處理室34內(nèi)的用于形成薄膜的反應(yīng)氣體采用與第二處理裝置14的處理室34內(nèi)的用于形成薄膜的反應(yīng)氣體不同的氣體，形成于基板54的兩個(gè)層成為不同的層。并且，實(shí)施了上述等離子處理的基板54經(jīng)由第四連通路46，從處理系統(tǒng)10搬出。在處理系統(tǒng)10內(nèi)進(jìn)行上述等離子處理的期間，通過氣簾裝置60等將氮?dú)庀蚋鬟B通路40等噴出，通過由氮?dú)庑纬傻臍饬鞅?，將相鄰的兩個(gè)處理室34之間、或位于端部的處理室34與處理系統(tǒng)10的外部之間隔開。該氮?dú)饬髟趶陌徇\(yùn)方向的視點(diǎn)下如圖4所示。氣簾裝置60等的鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68設(shè)置在各連通路40等的后方，從鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)68的噴出口 72朝向前方噴出氮?dú)狻２⑶?，該噴出的氮?dú)獗晃皆诟鬟B通路40等的前方設(shè)置的吸引機(jī)構(gòu)70的吸引口。通過這種氮?dú)饬鳎鐖D所示，在各連通路40形成氣流壁，通過該氣流壁，將相鄰的兩個(gè)處理室34之間、或位于端部的處理室34與處理系統(tǒng)10的外部之間隔開。由此，能夠防止在相鄰的兩個(gè)處理室34中使用的不同種類的反應(yīng)氣體的混合，并且能夠防止在位于端部的處理室34中使用的反應(yīng)氣體與大氣的混合。另外，傳送帶52是將一根帶的兩端連接的環(huán)狀帶，因此，從傳送帶52的側(cè)方噴出的氮?dú)獯┻^環(huán)狀帶內(nèi)部。從圖可知，氮?dú)鈴幕?4的側(cè)方噴出。因此，從噴出口 72噴出到基板54的氮?dú)庋刂?4的上表面及下表面，向吸引口 74流入。如此，通過將氮?dú)鈴谋“鍫畹幕鍌?cè)方噴出，而能夠以少的流路阻力使氮?dú)饬鲃?dòng)，從而能夠適當(dāng)?shù)匦纬蓺饬鞅凇Ｔ诟魈幚硎?4中為了進(jìn)行等離子處理，而流有反應(yīng)氣體，在各等離子處理中使用的反應(yīng)氣體的流量大致相同。因此，各處理室34的氣壓大致相同。即，處理室間的氣壓差幾乎為0，從而能夠更有效地防止處理室間的反應(yīng)氣體的混合。而且，由于在處理室34中流有反應(yīng)氣體，因此處理室34內(nèi)的氣壓高于大氣壓。因此，在位于端部的處理室34與大氣之間，適當(dāng)?shù)胤乐沽舜髿庀蛱幚硎?4的流入。另外，如上所述，相鄰的處理室34間的氣壓差幾乎沒有，且位于端部的處理室34內(nèi)的氣壓比大氣壓高，因此位于端部的處理室34與大氣之間的氣壓差大于相鄰的處理室34間的氣壓差。因此，使在位于處理系統(tǒng)10的端部的連接裝置18、24上設(shè)置的氣簾裝置60、66的每單位時(shí)間的噴出量比在位于處理裝置12等之間的連接裝置20、22上設(shè)置的氣簾裝置62、64的每單位時(shí)間的噴出量多。由此，能夠適當(dāng)?shù)胤乐狗磻?yīng)氣體從位于端部的處理室34向大氣的流出。<變形例>在上述處理系統(tǒng)10中，如下構(gòu)成:氮?dú)鈴幕?4的側(cè)方噴出，但也可以構(gòu)成為氮?dú)鈴幕?4的上方噴出。如此構(gòu)成的系統(tǒng)作為變形例的處理系統(tǒng)80如圖5所示。該圖是與表示上述處理系統(tǒng)10的圖3相當(dāng)?shù)膱D，是以從前方的視點(diǎn)表示變形例的處理系統(tǒng)80的簡(jiǎn)要剖視圖。另外，變形例的處理系統(tǒng)80除了氣簾裝置82之外，與上述處理系統(tǒng)10為大致同樣的結(jié)構(gòu)，因此對(duì)于與上述處理系統(tǒng)10同樣的功能的結(jié)構(gòu)要素，使用相同標(biāo)號(hào)而省略說明或簡(jiǎn)略地進(jìn)行說明。裝備于處理系統(tǒng)80的氣簾裝置82包括配置在各連通路40等的上方的鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)84和配置在各連通路40等的下方的吸引機(jī)構(gòu)86，鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)84的鼓風(fēng)口 88和吸引機(jī)構(gòu)86的吸引口 90隔著各連通路40等而相對(duì)。上述鼓風(fēng)口 88和吸引口 90分別在各連通路40等的前后方向的整個(gè)長(zhǎng)度上開口，鼓風(fēng)口 88及吸引口 90的前后方向的長(zhǎng)度與各連通路40等的前后方向的長(zhǎng)度相同。并且，鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)84為如下結(jié)構(gòu):從鼓風(fēng)口 88噴出氮?dú)猓龣C(jī)構(gòu)86從吸引口 90吸引該噴出的氮?dú)?。通過這種結(jié)構(gòu)，在變形例的處理系統(tǒng)80中，也與上述處理系統(tǒng)10同樣地，通過氮?dú)饬鱽硇纬杀?，通過氣流壁將處理室34之間、或處理室34與大氣之間隔開。另外,在變形例的處理系統(tǒng)80中，與上述處理系統(tǒng)10不同,將氮?dú)獬蚧?4的上表面噴出，以比較大的流路阻力使氮?dú)饬鲃?dòng)。該氮?dú)饬髟趶那胺降囊朁c(diǎn)下如圖6(a)所示。圖6(a)表示基板54在連通路40等內(nèi)被搬運(yùn)的狀態(tài)，該圖中的基板54是能夠在處理系統(tǒng)80中處理的最大基板。從圖可知，連通路40等在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比基板54在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)，從鼓風(fēng)機(jī)構(gòu)84的鼓風(fēng)口 88朝向基板54的上表面噴出的氮?dú)庠诹魅胩幚硎?4之前，由吸引機(jī)構(gòu)86的吸引口 90吸引。另一方面，說明連通路在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比基板54在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度短的情況下的氮?dú)饬?。具體而言，如圖6(b)所示，說明通過長(zhǎng)度比基板54在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度短的連通路92將兩個(gè)處理室34連通的情況下的氮?dú)饬?。這種情況下，基板54橫跨兩個(gè)處理室34，從鼓風(fēng)口 88朝向基板54的上表面噴出的氮?dú)庠谟晌?90吸引之前，向各處理室34流入。如此，若在流路阻力大的狀態(tài)下使氮?dú)饬鲃?dòng)，且基板54橫跨兩個(gè)處理室34，則氮?dú)馊菀琢魅氲教幚硎覂?nèi)。在變形例的處理系統(tǒng)80中，如上所述，雖然在比較大的流路阻力下使氮?dú)饬鲃?dòng)，但連通路40等在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比基板54在搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。因此，根據(jù)變形例的處理系統(tǒng)80，能夠適當(dāng)?shù)匾种频獨(dú)庀蛱幚硎?4內(nèi)的流入。順便提一下，在上述實(shí)施例及變形例中，處理系統(tǒng)10、80是大氣壓等離子處理系統(tǒng)的一例，搬運(yùn)裝置50是搬運(yùn)裝置的一例。而且，各處理裝置12、14、16內(nèi)的處理室34是腔室的一例，設(shè)置于各處理室34的等離子頭38是大氣壓等離子發(fā)生裝置的一例。將各處理室34連通的第二連通路42及第三連通路44是腔室間連通路的一例，將處理室34和大氣連通的第一連通路40及第四連通路46是搬出搬入口的一例。設(shè)置在上述第二連通路42及第三連通路44上的氣簾裝置62、64、82是腔室間分隔裝置的一例，設(shè)置在第一連通路40及第四連通路46上的氣簾裝置60、66、82是腔室大氣間分隔裝置的一例。并且，基板54是被處理物的一例。此外，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施例及變形例，基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)，能夠以實(shí)施各種變更、改良的各種方式來實(shí)施。具體而言，例如，在上述實(shí)施例及變形例中，作為大氣壓等離子發(fā)生裝置，采用將等離子化的氣體吹到被處理物上的結(jié)構(gòu)的等離子頭38、即所謂遠(yuǎn)距離方式的等離子發(fā)生裝置，但也可以采用直接方式的等離子發(fā)生裝置。具體而言，可以采用如下方式的等離子發(fā)生裝置:在一對(duì)電極之間配置被處理物，在其間流過反應(yīng)氣體的狀態(tài)下，在一對(duì)電極間放電，由此進(jìn)行等離子處理。進(jìn)一步而言，還可以采用遠(yuǎn)距離方式的等離子發(fā)生裝置和直接方式的等離子發(fā)生裝置這兩種方式。即，也可以在第一臺(tái)處理裝置和第三臺(tái)處理裝置上設(shè)置遠(yuǎn)距離方式的等離子發(fā)生裝置，并在第二臺(tái)處理裝置上設(shè)置直接方式的等離子發(fā)生裝置。另外，在上述實(shí)施例及變形例中，采用氮?dú)庾鳛閺臍夂熝b置噴出的氣體，但也可以采用氦氣、氬氣等各種氣體。但是，優(yōu)選缺乏反應(yīng)性的氣體、即所謂惰性氣體。
權(quán)利要求1.一種大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于，具備: 多個(gè)腔室，排成一列地配置； 一個(gè)以上腔室間連通路，各個(gè)腔室間連通路分別將所述多個(gè)腔室中的相鄰的兩個(gè)腔室連通； 搬運(yùn)裝置，經(jīng)由所述一個(gè)以上腔室間連通路并通過所述多個(gè)腔室內(nèi)來搬運(yùn)被處理物；多個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置，與所述多個(gè)腔室對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置分別能夠在所述多個(gè)腔室中的與所述各個(gè)大氣壓等離子發(fā)生裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室內(nèi)部在大氣壓下產(chǎn)生等離子體；及 一個(gè)以上腔室間分隔裝置，與所述一個(gè)以上腔室間連通路對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)腔室間分隔裝置分別噴出氣體以遮斷所述一個(gè)以上腔室間連通路中的與所述各個(gè)腔室間分隔裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室間連通路，利用所噴出的氣流將相鄰的兩個(gè)腔室之間隔開； 在所述多個(gè)腔室內(nèi)依次對(duì)由所述搬運(yùn)裝置搬運(yùn)的被處理物實(shí)施等離子處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述多個(gè)腔室內(nèi)的氣壓被設(shè)定為相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述多個(gè)腔室內(nèi)的氣壓被設(shè)定為正壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述多個(gè)腔室內(nèi)的氣壓被設(shè)定為正壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述多個(gè)腔室中的配置在兩端的兩個(gè)腔室分別具有用于供所述搬運(yùn)裝置搬出或搬入被處理物的搬出搬入口，且，所述搬出搬入口向大氣開口， 所述大氣壓等離子處理系統(tǒng)具備兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置， 所述兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置與所述配置在兩端的兩個(gè)腔室對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且，各個(gè)腔室大氣間分隔裝置分別噴出氣體以遮斷所述搬出搬入口，利用所噴出的氣流將與所述各個(gè)腔室大氣間分隔裝置本身對(duì)應(yīng)的腔室和大氣之間隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述兩個(gè)腔室大氣間分隔裝置各自的每單位時(shí)間的噴出量比所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置各自的每單位時(shí)間的噴出量多。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間連通路在被處理物的搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比能夠利用所述大氣壓等離子處理系統(tǒng)處理的最大被處理物在所述搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間連通路在被處理物的搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比能夠利用所述大氣壓等離子處理系統(tǒng)處理的最大被處理物在所述搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間連通路在被處理物的搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度比能夠利用所述大氣壓等離子處理系統(tǒng)處理的最大被處理物在所述搬運(yùn)方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的大氣壓等離子處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述一個(gè)以上腔室間分隔裝置分別形成向與被處理物的搬運(yùn)方向垂直且水平的方向噴出氣體的結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種高實(shí)用性的大氣壓等離子處理系統(tǒng)。在大氣壓下進(jìn)行等離子處理的系統(tǒng)中，具備(a)排成一列地配置的多個(gè)腔室(34)；(b)將相鄰的兩個(gè)腔室連通的一個(gè)以上連通路(42、44)；(c)經(jīng)由連通路并通過腔室內(nèi)而搬運(yùn)基板(54)的搬運(yùn)裝置(50)；(d)能夠在各腔室內(nèi)在大氣壓下產(chǎn)生等離子體的多個(gè)等離子頭(38)；(e)噴出氣體以將各連通路遮斷并通過該噴出的氣流而將相鄰的腔室間隔開的一個(gè)以上分隔裝置(62、64)；對(duì)于通過搬運(yùn)裝置搬運(yùn)的被處理物，在多個(gè)腔室內(nèi)依次實(shí)施等離子處理。通過這種結(jié)構(gòu)，能夠縮短多個(gè)等離子處理所需的時(shí)間，并且能夠通過噴出的氣流抑制在各腔室內(nèi)使用的反應(yīng)氣體的混合。
文檔編號(hào)H01J37/32GK203013672SQ201220335340
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者巖城范明 申請(qǐng)人:富士機(jī)械制造株式會(huì)社