專利名稱：低沖擊擊穿電壓氣體放電管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及氣體放電管，具體而言是一種低沖擊擊穿電壓氣體放電管。
背景技術：
目前記錄在案的雷暴次數(shù)與十年前相比大約多出兩倍，保護人和電氣設備免受電壓浪涌影響已變得格外重要。隨著設備的低成本和小型化設計趨勢，所使用的元器件的耐壓水平也逐漸降低，于是對承擔保護作用的氣體放電管的要求越來越高。實踐中通常用沖擊擊穿電壓來衡量氣體放電管的保護水平沖擊擊穿電壓越低，氣體放電管的保護水平越聞?，F(xiàn)有的氣體放電管初始沖擊擊穿電壓尚能滿足要求，但在雷電流沖擊后，由于放 電管內部電子發(fā)射物質和金屬放電極會在高速高密度電子撞擊和高溫蒸發(fā)的雙重作用下飛濺到陶瓷內壁，導致瓷管內壁導電帶被飛濺物屏蔽，導電帶尖端作用大大下降，作為觸發(fā)機構的功能會大大減弱或消失，因而沖擊擊穿電壓急劇升高并且離散性顯著變大，氣體放電管的保護水平急劇降低。因此設計出一種不受雷電流影響并且結構簡單、運行可靠的低沖擊擊穿電壓氣體放電管十分必要。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種不受雷電流影響并且結構簡單、運行可靠的低沖擊擊穿電壓氣體放電管。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案一種低沖擊擊穿電壓氣體放電管，包括瓷管、放電極、導電帶和焊料片，瓷管內腔充有氣體，瓷管內壁設有導電帶，放電極置于瓷管內并通過焊料片分別封接在瓷管的兩個端面上，其特征是瓷管的外壁上設置有導電層，導電層與瓷管端面的封接面連接成一體。進一步地，在上述方案中，所述導電層為兩個，所述兩個導電層分別與瓷管兩端的封接面連接成一體，所述兩個導電層之間的絕緣距離大于所述低沖擊擊穿電壓氣體放電管內部放電間隙。進一步地，在上述方案中，所述導電層緊貼在瓷管的外壁上。進一步地，在上述方案中，所述導電層為筒狀。進一步地，在上述方案中，所述導電層和封接面為同一種金屬。本發(fā)明采用瓷管外壁上設置導電層，改變了電場分布，增加了導電帶尖端的電場強度，電子、離子與氣體分子總的碰幢次數(shù)增加，電離機率大大增加，有效彌補了因瓷管內壁導電帶被覆蓋所導致的沖擊擊穿電壓急劇升高。本發(fā)明結構簡單、運行可靠。


圖I為本發(fā)明的結構示意圖；圖2為本發(fā)明一個實施例與現(xiàn)有技術的雷擊試驗對比圖。
具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步的說明，但該實施例不應理解為對本發(fā)明的限制。本發(fā)明包括瓷管I、放電極2、導電帶3和焊料片6，瓷管I內腔充有氣體4，瓷管I內壁設有導電帶3，放電極2置于瓷管I內并通過焊料片6分別封接在瓷管I的兩個端面上，瓷管I的外壁上設置有導電層5，導電層5與瓷管I端面的封接面連接成一體。優(yōu)選的實施例是，在上述方案中，所述導電層5為兩個，所述兩個導電層5分別與瓷管I兩端的封接面連接成一體，所述兩個導電層5之間的絕緣距離大于所述低沖擊擊穿電壓氣體放電管內部放電間隙。優(yōu)選的實施例是，在上述方案中，所述導電層5緊貼在瓷管I的外壁上。
優(yōu)選的實施例是，在上述方案中，所述導電層5為筒狀。優(yōu)選的實施例是，一種低沖擊擊穿電壓氣體放電管，包括瓷管I、放電極2、導電帶3和焊料片6，瓷管I內腔充有氣體4，瓷管I內壁設有導電帶3，放電極2置于瓷管I內并通過焊料片6分別封接在瓷管I的兩個端面上，放電管內部放電間隙為I毫米，瓷管I的外壁上設置有兩個導電層5，兩個導電層5分別與瓷管I兩端的封接面連接成一體，所述兩個導電層5之間的絕緣距離為4毫米，所述兩個導電層5均為筒狀并緊貼在瓷管I的外壁上，所述導電層5和封接面為金屬鎳。本實施例與現(xiàn)有技術進行雷擊試驗的對比結果如圖2所示，圖2中，橫軸為沖擊擊穿電壓值，縱軸為百分比，右側實線為現(xiàn)有技術的沖擊擊穿電壓參數(shù)分布，左側虛線為本實施例的沖擊擊穿電壓參數(shù)分布。從圖中可見，采用本發(fā)明后，沖擊擊穿電壓平均值有明顯下降，由1081V降為848. 8V，離散性明顯變好，沖擊擊穿電壓最大值由1400V變?yōu)?84V，標準差由118. 7變?yōu)?0. 17。本說明書中未作詳細描述的內容，屬于本專業(yè)技術人員公知的現(xiàn)有技術。
權利要求
1.一種低沖擊擊穿電壓氣體放電管，包括瓷管(I)、放電極(2)、導電帶(3)和焊料片(6)，瓷管⑴內腔充有氣體(4)，瓷管⑴內壁設有導電帶(3)，放電極⑵置于瓷管(I)內并通過焊料片(6)分別封接在瓷管(I)的兩個端面上，其特征在于瓷管(I)的外壁上設置有導電層(5)，導電層(5)與瓷管(I)端面的封接面連接成一體。
2.根據(jù)權利要求I所述的低沖擊擊穿電壓氣體放電管，其特征在于所述導電層(5)為兩個，所述兩個導電層(5)分別與瓷管(I)兩端的封接面連接成一體，所述兩個導電層(5)之間的絕緣距離大于所述低沖擊擊穿電壓氣體放電管內部放電間隙。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的低沖擊擊穿電壓氣體放電管，其特征在于所述導電層(5)緊貼在瓷管(I)的外壁上。
4.根據(jù)權利要求3所述的低沖擊擊穿電壓氣體放電管，其特征在于所述導電層(5)為筒狀。
5.根據(jù)權利要求3所述的低沖擊擊穿電壓氣體放電管，其特征在于所述導電層(5)和封接面為同一種金屬。
全文摘要
本發(fā)明涉及低沖擊擊穿電壓氣體放電管，包括瓷管、放電極、導電帶和焊料片，瓷管內腔充有氣體，瓷管內壁設有導電帶，放電極置于瓷管內并通過焊料片分別封接在瓷管的兩個端面上，其特征是瓷管的外壁上設置有導電層，導電層與瓷管端面的封接面連接成一體。本發(fā)明采用瓷管外壁上設置導電層，改變了電場分布，增加了導電帶尖端的電場強度，電子、離子與氣體分子總的碰幢次數(shù)增加，電離機率大大增加，有效彌補了因瓷管內壁導電帶被覆蓋所導致的沖擊擊穿電壓急劇升高。本發(fā)明結構簡單、運行可靠。
文檔編號H01J17/40GK102891057SQ201210333350
公開日2013年1月23日 申請日期2012年9月10日 優(yōu)先權日2012年9月10日
發(fā)明者張玉, 劉兵, 洪家平 申請人:愛普科斯電子(孝感)有限公司