光致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光致發(fā)光器件，包括發(fā)光基板及設置于發(fā)光基板上的多個金屬微納結(jié)構(gòu)，該金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu)。這種金屬微納結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的表面等離子波與發(fā)光基板的發(fā)光材料產(chǎn)生波產(chǎn)生共振吸收效應，使得表面等離子波的能量傳遞給發(fā)光材料，實現(xiàn)了發(fā)光材料的熒光增強，從而提高了光致發(fā)光器件的發(fā)光效率。本發(fā)明還提供一種光致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】光致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光【技術領域】，特別是涉及一種光致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]火的發(fā)現(xiàn)使得人們不只是局限在白天能勞作生活，在黑夜里也可以。隨著電燈的發(fā)明和后續(xù)各種以電為驅(qū)動的照明器件的不斷出現(xiàn)，使得夜晚的工作效率提高，生活豐富。隨著生活水平的提高，人們越來越意識到，光不只是用來照明，還可以用來做裝飾，亦可以用來做顯示。
[0003]光致發(fā)光是目前照明和背光光源中很重要的發(fā)光技術，其發(fā)光原理是:物體依賴外界光源進行照射，從而獲得能量，產(chǎn)生激發(fā)導至發(fā)光的現(xiàn)象，它大致經(jīng)過吸收、能量傳遞及光發(fā)射三個主要階段，光的吸收及發(fā)射都發(fā)生于能級之間的躍遷，都經(jīng)過激發(fā)態(tài)。而能量傳遞則是由于激發(fā)態(tài)的運動。紫外輻射、可見光及紅外輻射均可引起光致發(fā)光。
[0004]大多數(shù)的顏色可以通過紅、綠、藍三色按照不同的比例合成產(chǎn)生。同樣絕大多數(shù)單色光也可以分解成紅綠藍三種色光。這是色度學的最基本原理，即三基色原理。三種基色是相互獨立的，任何一種基色都不能有其它兩種顏色合成。紅綠藍是三基色，這三種顏色合成的顏色范圍最為廣泛。紅色發(fā)光材料作為三基色的一基，其重要性不言而喻。目前的紅色發(fā)光材料都存在著發(fā)光效率普遍不高的問題，導致現(xiàn)有的光致發(fā)光器件存在發(fā)光效率較低，難以滿足使用需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，提供一種發(fā)光效率較高的光致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006]—種光致發(fā)光器件，包括發(fā)光基板及設置于所述發(fā)光基板上的多個金屬微納結(jié)構(gòu)，所述金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu)。
[0007]在其中一個實施例中，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)等間距地分布于所述發(fā)光基板上。
[0008]在其中一個實施例中，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成多行多列分布于所述發(fā)光基板上，所述行間距和列間距均為40納米?I微米。
[0009]在其中一個實施例中，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成圓形分布于所述發(fā)光基板上，相鄰兩個金屬微納結(jié)構(gòu)的間距為40納米微米。
[0010]在其中一個實施例中，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成多個同心且直徑成等差數(shù)列的圓形分布于所述發(fā)光基板上，每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)等間距分布。
[0011]在其中一個實施例中，所述金屬微納結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為銀、金或金-銀合金。
[0012]在其中一個實施例中，所述發(fā)光基板為發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷、發(fā)光透明陶瓷或由透明玻璃及層疊于所述透明玻璃上的發(fā)光薄膜組成。
[0013]一種光致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0014]制備發(fā)光基板；
[0015]在所述發(fā)光基板上涂覆光刻膠并進行曝光，以在所述光刻膠上形成多個第一光刻圖形，所述第一光刻圖形為圓形、長方形或正方形；
[0016]進行顯影，以在所述光刻膠上形成橫截面的形狀與所述第一光刻圖形相同的多個微孔；
[0017]通過磁控濺射在所述多個微孔上沉積金屬形成多個金屬微納結(jié)構(gòu)，所述金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu) '及
[0018]除去剩余的光刻膠，得到所述光致發(fā)光器件。
[0019]在其中一個實施例中，所述多個第一光刻圖形等間距分布。
[0020]在其中一個實施例中，所述除去剩余的光刻膠的步驟為在超聲波功率為100KHZ、溫度為50°C下，在溶劑中超聲處理30分鐘。
[0021]上述光致發(fā)光器件在發(fā)光基板上設置多個金屬微納結(jié)構(gòu)，這種金屬微納結(jié)構(gòu)為納米或微米級的金屬圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu)，這種金屬微納結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的表面等離子波與發(fā)光基板的發(fā)光材料產(chǎn)生波產(chǎn)生共振吸收效應，使得表面等離子波的能量傳遞給發(fā)光材料，實現(xiàn)了發(fā)光材料的熒光增強，從而提高了光致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的光致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為一實施方式的光致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0024]圖3至圖5為實施例1制備光致發(fā)光器件的示意圖。
【具體實施方式】
[0025]以下通過【具體實施方式】和附圖對上述光致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡述。
[0026]請參閱圖1, 一實施方式的光致發(fā)光器件100,包括發(fā)光基板110和設置于發(fā)光基板110上的多個金屬微納結(jié)構(gòu)，金屬微納結(jié)構(gòu)是指微米或納米尺寸的具有一定形狀的金屬結(jié)構(gòu)，如微米或納米尺寸的金屬圓柱體、長方體、正方體等，圓柱體的底面直徑和高均為微米或納米尺寸，長方體的長、寬、高等均為微米或納米尺寸，正方體的邊長為微米或納米尺寸。本實施方式中，金屬微納結(jié)構(gòu)為納米尺寸的金屬圓柱體150。
[0027]發(fā)光基板110為發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)、發(fā)光透明陶瓷或由透明玻璃(圖未示)及層疊于透明玻璃上的發(fā)光薄膜(圖未示)組成，其中發(fā)光薄膜的厚度為微米級。發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)、發(fā)光透明陶瓷為摻雜了發(fā)光材料的玻璃、透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)或透明陶瓷，如摻雜紅光材料Y2O3: Eu3+、Y2O2S: Eu3+等。
[0028]發(fā)光基板110的形狀可以根據(jù)實際需要設置為長方形、正方形、圓形等。本實施方式的發(fā)光基板110為長方形板。
[0029]多個金屬圓柱體150等間距地設置于發(fā)光基板110上。本實施方式中，金屬圓柱體150為16個，成四行四列設置于發(fā)光基板110上，行間距和列間距均為40納米微米。當發(fā)光基板110的尺寸較大時，金屬圓柱體150的數(shù)量相應增加。
[0030]在其他實施方式中，多個金屬圓柱體150可以成圓形分布于發(fā)光基板110上,相鄰兩個金屬圓柱體150的間距優(yōu)選為40納米微米。
[0031]在另外的實施方式中，多個金屬圓柱體150成多個直徑依次增大的同心圓形分布于發(fā)光基板上，且多個直徑依次增大的同心圓形的直徑成等差數(shù)列，公差為d。每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)等間距分布。優(yōu)選的，每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)的間距等于d。
[0032]多個金屬圓柱體150的上述幾種排布方式使得金屬圓柱體產(chǎn)生的表面等離子波與發(fā)光材料產(chǎn)生波產(chǎn)生較強的共振吸收效應，因而能夠顯著提高發(fā)光材料的突光增強效應，大大提高光致發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0033]本實施方式中，金屬圓柱體150的底面直徑為400納米，高為50納米。金屬圓柱體150的材質(zhì)優(yōu)選為金、銀或金銀合金。
[0034]光致發(fā)光器件100在發(fā)光基板110上設置納米級的金屬圓柱體150,金屬圓柱體150這種金屬微納結(jié)構(gòu)在電子轟擊下產(chǎn)生的表面等離子體波與發(fā)光基板110中的發(fā)光材料的發(fā)生波產(chǎn)生共振，使得金屬圓柱體150的表面等離子波的能量能夠傳遞給發(fā)光材料，從而實現(xiàn)了發(fā)光材料的熒光增強，提高了光致發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0035]多個納米級的金屬圓柱體150等間距地分布于發(fā)光基板110上，其產(chǎn)生的表面等離子體波與發(fā)光材料發(fā)生波產(chǎn)生的共振效應較強，使得光致發(fā)光器件100的發(fā)光效率大于金屬層完全覆蓋在發(fā)光基板上形成的光致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0036]在其他實施方式中，金屬微納結(jié)構(gòu)可以為長方體或立方體微納結(jié)構(gòu)，多個長方體微納結(jié)構(gòu)或立方體微納結(jié)構(gòu)等間距地分布于發(fā)光基板上，亦能實現(xiàn)發(fā)光基板的發(fā)光材料的熒光增強效應，提高光致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0037]請參閱圖2，一實施方式的光致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0038]步驟SllO:制備發(fā)光基板。
[0039]發(fā)光基板為發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)、發(fā)光透明陶瓷或由透明玻璃及層疊于透明玻璃上的發(fā)光薄膜組成。
[0040]當發(fā)光基板為發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)或發(fā)光透明陶瓷時，發(fā)光基板是采用高溫熔融法或高溫高壓法將發(fā)光材料，如將紅光材料Y2O3: Eu3+、Y2O2SiEu3+等摻雜于玻璃、透明玻璃陶瓷或透明陶瓷組成的紅光發(fā)光玻璃、紅光發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)或紅光發(fā)光透明陶瓷。
[0041]發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷(微晶玻璃)或發(fā)光透明陶瓷在使用前進行清洗并干燥。
[0042]當發(fā)光玻璃為由透明玻璃及層疊于透明玻璃上的發(fā)光薄膜組成時，首先提供玻璃基板，清洗玻璃基板并干燥后，采用絲網(wǎng)印刷將發(fā)光材料印刷在玻璃基板上形成發(fā)光薄膜或采用磁控濺射使發(fā)光材料沉積在玻璃基板的表面形成發(fā)光薄膜。發(fā)光薄膜的厚度為微米量級。
[0043]步驟S120:在發(fā)光基板上涂覆光刻膠并進行曝光，以在光刻膠上形成多個第一光刻圖形，第一光刻圖形為圓形、長方形或正方形。
[0044]光刻膠優(yōu)選采用鄰疊氮萘醌類光刻膠或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光刻膠。鄰疊氮萘醌類光刻膠和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光刻膠均為正性光刻膠，這兩種光刻膠的分辨率較高，有利于形成納米或微米級圖形。
[0045]在發(fā)光基板上涂覆一定厚度的光刻膠形成光刻膠層，光刻膠為鄰疊氮萘醌類光刻膠時，通過紫外光進行曝光；光刻膠為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光刻膠時，通過X射線進行曝光。
[0046]曝光后在光刻膠層上形成第一光刻圖形。第一光刻圖形的形狀根據(jù)金屬微納結(jié)構(gòu)的形狀確定。當金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體時，第一光刻圖形的形狀為圓形，當金屬微納結(jié)構(gòu)為長方體或正方體時，第一光刻圖形為長方形或正方形。
[0047]多個第一光刻圖形等間距分布。在優(yōu)選的方案中，多個第一光刻圖形成多行多列地分布，行間距和列間距相等，優(yōu)選為40納米微米?；蛘?，多個第一光刻圖形成圓形分布，相鄰兩個金屬微納結(jié)構(gòu)的間距為40納米微米。多個第一光刻圖形也可以成多個直徑依次增大的同心圓形分布，且多個直徑依次增大的同心圓形的直徑成等差數(shù)列，公差為d。每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)等間距分布。優(yōu)選的，每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)的間距等于d。
[0048]步驟S130:進行顯影，以在光刻膠上形成橫截面的形狀與第一光刻圖形相同的微孔。
[0049]顯影液采用氫氧化鉀溶液。
[0050]曝光完成后將涂覆有光刻膠的發(fā)光基板浸泡于氫氧化鉀溶液中進行顯影，顯影后在光刻膠層上形成橫截面的形狀與第一光刻圖形相同的微孔。微孔為納米或微米級微孔，微孔的深度等于光刻膠的厚度。
[0051]步驟S140:通過磁控濺射在多個微孔上沉積金屬形成多個金屬微納結(jié)構(gòu)。
[0052]金屬微納結(jié)構(gòu)為納米或微米級的圓柱體、長方體或立方體。一次濺射填滿微孔得到金屬微納結(jié)構(gòu)。
[0053]步驟S150:除去剩余的光刻膠，得到光致發(fā)光器件。
[0054]金屬微納結(jié)構(gòu)的材質(zhì)優(yōu)選為金、銀或金銀合金。
[0055]在發(fā)光基板上形成金屬微納結(jié)構(gòu)后，除去剩余的光刻膠，得到光致發(fā)光器件。
[0056]除去光刻膠的方法為在溶劑中超聲處理30分鐘。溶劑可以采用丙酮、甲苯、二甲基甲酰胺等。根據(jù)具體的光刻膠選擇合適的溶劑，以保證將剩余的光刻膠溶解而除去，并且該溶劑對發(fā)光基板和金屬微納結(jié)構(gòu)無腐蝕性。本實施方式優(yōu)選丙酮作為溶劑，除去鄰疊氮萘醌類光刻膠或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光刻膠。
[0057]超聲處理可以加速光刻膠的溶解，提高除去光刻膠的效率。
[0058]超聲波的功率優(yōu)選為100KHZ，處理過程的溫度優(yōu)選為50°C。在功率為IOOKHZd^度為50°C下除去光刻膠，以保證一定的效率，并保證除膠過程金屬微結(jié)構(gòu)不從發(fā)光基板上脫落和對發(fā)光薄膜不產(chǎn)生損傷作用。
[0059]上述光致發(fā)光器件的制備方法在發(fā)光基板上制備特定的金屬微納結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)金屬微納結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的表面等離子體波與發(fā)光基板中發(fā)光材料發(fā)生波的共振吸收，提高了光致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0060]上述光致發(fā)光器件的制備方法通過一次曝光、顯影的步驟在發(fā)光基板上形成多個微孔，通過一次濺射成型的方法沉積金屬材料填滿多個微孔而在發(fā)光基板上形成多個金屬微納結(jié)構(gòu)，制備效率高，有利于降低光致發(fā)光器件的制備成本。
[0061]以下為具體實施例。
[0062]實施例1
[0063]制備光致發(fā)光器件100
[0064]請同時參閱圖 3~圖5，制備光致發(fā)光器件100包括如下步驟:
[0065](I)采用高溫熔融法將紅色發(fā)光材料Y2O3 = Eu3+摻雜于玻璃中制備發(fā)光玻璃作為發(fā)光基板110，發(fā)光基板110的長寬高為5cmX5cmX0.1cm，清洗發(fā)光基板110并干燥；
[0066](2)通過旋涂的方法在發(fā)光基板110上涂覆厚度為50nm的鄰疊氮萘醌類光刻膠，形成光刻膠層120 ；
[0067](3)將16個成正方形排列(四行四列，行間距和列間距均為400nm)的第一光刻圖形130通過紫外光曝光在光刻膠層120上，第一光刻圖形130為直徑為400nm的圓形，如圖3所示；
[0068](4)用KOH溶液浸泡顯影，在光刻膠層120上形成16個成正方形排列的圓柱形的微孔140 (底面直徑400nm，孔深50nm)；
[0069](5)通過磁控濺射在微孔140內(nèi)沉積銀，形成16個成正方形排列的銀圓柱體微納結(jié)構(gòu)150，如圖5所示，銀圓柱體微納結(jié)構(gòu)150的底面直徑為400nm，高為50nm ；
[0070](6)用IOOKHz超聲波，加熱到50°C，在1.25L丙酮中超聲振蕩30min除去剩余光刻膠，得到光致發(fā)光器件100，如圖5所示。
[0071]實施例2
[0072]制備光致發(fā)光器件，包括如下步驟:
[0073](I)提供玻璃基板，清洗玻璃基板并干燥后，采用絲網(wǎng)印刷將發(fā)光材料印刷在玻璃基板上形成發(fā)光薄膜或采用磁控濺射使發(fā)光材料Y2O3 = Eu3+沉積在玻璃基板的表面形成發(fā)光薄膜得到發(fā)光基板。發(fā)光基板的長寬高為5cmX5cmX0.1cm ；
[0074](2)通過旋涂的方法在發(fā)光薄膜上涂覆厚度為50nm的鄰疊氮萘醌類光刻膠，形成光刻膠層；
[0075](3)將16個成正方形排列(四行四列，行間距和列間距均為I μ nm)的第一光刻圖形通過紫外光曝光在光刻膠層上，第一光刻圖形為直徑為400nm的圓形；
[0076](4)用KOH溶液浸泡顯影，在光刻膠層上形成16個成正方形排列的圓柱形的微孔(底面直徑400nm,孔深50nm)；
[0077](5)通過磁控濺射在微孔內(nèi)沉積銀，形成16個成正方形排列的銀圓柱體微納結(jié)構(gòu)，銀圓柱體微納結(jié)構(gòu)的底面直徑為400nm，高為50nm ；
[0078](6)用IOOKHz超聲波，加熱到50°C，在1.25L丙酮中超聲振蕩30min除去剩余光刻膠，得到光致發(fā)光器件。
[0079]實施例3
[0080]制備光致發(fā)光器件，包括如下步驟:
[0081](I)采用高溫熔融法將紅色發(fā)光材料Y2O2S = Eu3+摻雜于玻璃中制備發(fā)光玻璃作為發(fā)光基板，發(fā)光基板的長寬高為5cmX5cmX0.1cm,清洗發(fā)光基板并干燥；
[0082](2)通過旋涂的方法在發(fā)光基板上涂覆厚度為50nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，形成光刻膠層；
[0083](3)將16個成圓形排列(相鄰的兩個第一光刻圖形的間距為40nm)的第一光刻圖形通過紫外光曝光在光刻膠層上，第一光刻圖形為邊長為50nm的正方形；
[0084](4)用KOH溶液浸泡顯影，在光刻膠層上形成16個成圓形分布的正方形的微孔(邊長為50nm,孔深50nm)；
[0085](5)通過磁控濺射在微孔內(nèi)沉積金，形成16個成圓形分布的金正方體微納結(jié)構(gòu)，金正方體微納結(jié)構(gòu)的邊長為50nm ；[0086](6)用IOOKHz超聲波，加熱到50°C，在1.25L丙酮中超聲振蕩30min除去剩余光刻膠，得到光致發(fā)光器件。
[0087]實施例4
[0088]制備光致發(fā)光器件，包括如下步驟:
[0089](I)采用高溫熔融法將紅色發(fā)光材料Y2O2S = Eu3+摻雜于玻璃中制備發(fā)光玻璃作為發(fā)光基板，發(fā)光基板的長寬高為5cmX5cmX0.1cm,清洗發(fā)光基板并干燥；
[0090](2)通過旋涂的方法在發(fā)光基板上涂覆厚度為50nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，形成光刻膠層；
[0091](3)將16個成圓形排列(相鄰的兩個第一光刻圖形的間距為IOOnm)的第一光刻圖形通過紫外光曝光在光刻膠層上，第一光刻圖形為邊長為50nm的正方形；
[0092](4)用KOH溶液浸泡顯影，在光刻膠層上形成16個成圓形分布的正方形的微孔(邊長為50nm,孔深50nm)；
[0093](5)通過磁控濺射在微孔內(nèi)沉積金-銀合金，形成16個成圓形分布的由金-銀合金組成的正方體微納結(jié)構(gòu)，正方體微納結(jié)構(gòu)的邊長為50nm ；
[0094](6)用IOOKHz超聲波，加熱到50°C，在1.25L丙酮中超聲振蕩30min除去剩余光刻膠，得到光致發(fā)光器件。
[0095]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種光致發(fā)光器件，其特征在于，包括發(fā)光基板及設置于所述發(fā)光基板上的多個金屬微納結(jié)構(gòu)，所述金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)等間距地分布于所述發(fā)光基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成多行多列分布于所述發(fā)光基板上，所述行間距和列間距均為40納米微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成圓形分布于所述發(fā)光基板上，相鄰兩個金屬微納結(jié)構(gòu)的間距為40納米微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述多個金屬微納結(jié)構(gòu)成多個同心且直徑成等差數(shù)列的圓形分布于所述發(fā)光基板上，每一個圓形上的金屬微納結(jié)構(gòu)等間距分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬微納結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為銀、金或金_銀合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光基板為發(fā)光玻璃、發(fā)光透明玻璃陶瓷、發(fā)光透明陶瓷或由透明玻璃及層疊于所述透明玻璃上的發(fā)光薄膜組成。
8.—種光致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 制備發(fā)光基板； 在所述發(fā)光基板上涂覆光刻膠并進行曝光，以在所述光刻膠上形成多個第一光刻圖形，所述第一光刻圖形為圓形、長方形或正方形； 進行顯影，以在所述光刻膠上形成橫截面的形狀與所述第一光刻圖形相同的多個微孔； 通過磁控濺射在所述多個微孔上沉積金屬形成多個金屬微納結(jié)構(gòu)，所述金屬微納結(jié)構(gòu)為圓柱體、長方體或正方體微納結(jié)構(gòu) '及 除去剩余的光刻膠，得到所述光致發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述多個第一光刻圖形等間距分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述除去剩余的光刻膠的步驟為在超聲波功率為100KHZ、溫度為50°C下，在溶劑中超聲處理30分鐘。
【文檔編號】F21K2/00GK103591464SQ201210295741
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月17日
【發(fā)明者】周明杰, 陳貴堂 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司