專利名稱：用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制事件的方法
用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制事件的方法本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2007年06月08日、申請(qǐng)?zhí)枮?01010624669. X、名稱為“用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案；后者又是申請(qǐng)日為2007年06月08日、申請(qǐng)?zhí)枮?00780021251. 6、名稱為“用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案。優(yōu)先權(quán)本分案申請(qǐng)根據(jù)37CFR1. 53(b)和35U. S. C. § 120主張F(tuán)ischer等人于2006年9月29日提交的的題為“用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置”的共同受讓專利申請(qǐng)(律師卷號(hào)P1530/LMRX-P112 ;申請(qǐng)?zhí)朥Sll/537，515 ；)的優(yōu)先權(quán)，后者根據(jù)35USC119(e)主張由相同申請(qǐng)人于2006年6月8日提交的題為“用于在等 離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置”的共同擁有臨時(shí)申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)朥S60/804, 278)的優(yōu)先權(quán)，上述申請(qǐng)?jiān)诖艘胱鳛閰⒖肌?br> 背景技術(shù)：
在基板，例如半導(dǎo)體基板或諸如使用于平板顯示器制造的玻璃平板的處理中，經(jīng)常運(yùn)用等離子。作為在等離子室中基板處理的一部分，例如，在一系列步驟中處理基板，其中材料被有選擇地去除(蝕刻)和沉積，以在其上形成電氣部件。在基于Exelan 等離子處理系統(tǒng)平臺(tái)(可從Fremont, CA的Lam Research公司獲得)的一個(gè)示例性室實(shí)施中，采用RF能量在期望的等離子保持區(qū)域(即等離子處理室內(nèi)為基板處理目的而存在有等離子的區(qū)域)內(nèi)引發(fā)和保持等離子。在等離子處理過程中，RF回流可能通過例如上部電極從等離子保持區(qū)域內(nèi)導(dǎo)走。在該示例性的實(shí)施中，該RF回流穿過室頂，并經(jīng)室內(nèi)襯的橫向RF帶以及下部接地斗，然后回至懸臂孔內(nèi)表面，由此在限制環(huán)外部傳導(dǎo)。沿該復(fù)雜的路徑，該RF回流穿過結(jié)合相鄰RF室部件(或元件)的多個(gè)界面。在典型地用于機(jī)械加工的部件的情況下，很多RF室部件具有匹配表面、接口、因加工或容差考慮而導(dǎo)致的間隙或尖銳邊緣。當(dāng)相鄰的RF室部件匹配到一起時(shí)，這些尖銳角或表面本身形成間隙，從而形成對(duì)RF電流的高阻抗障礙。不希望局限于理論，確信在某些情況下，該高阻抗可導(dǎo)致橫跨間隙產(chǎn)生高電壓。如果該電壓足夠高，則可橫跨該間隙產(chǎn)生火花或電弧。在很多情況下，該電弧現(xiàn)象可導(dǎo)致噴射入環(huán)繞氣體空間(一個(gè)或多個(gè))內(nèi)的帶電粒子，例如電子或離子。該氣體空間環(huán)繞很多RF室部件，但不設(shè)置于期望在處理過程中產(chǎn)生和保持等離子的等離子產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)，但是在某些條件下仍可在室運(yùn)行過程中被導(dǎo)通，并引發(fā)和/或保持等離子。因此，該不期望的帶電粒子的注入可導(dǎo)致在環(huán)繞這些間隙的氣體空間內(nèi)不期望的等離子的引發(fā)，即使這些氣體空間不位于上述期望的等離子產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)(例如，大致上由上部電極、下部電極、和環(huán)繞的限制環(huán)限定的區(qū)域)。當(dāng)這些不期望的引發(fā)故障中的一種發(fā)生時(shí)，等離子室據(jù)稱將遭受等離子不受限制故障(plasma un-confinement event),它是對(duì)基板處理環(huán)境和當(dāng)前待處理基板而言極不期望出現(xiàn)的情況，并可能會(huì)導(dǎo)致對(duì)室硬件部件、尤其是對(duì)靜電卡盤的損壞。
應(yīng)當(dāng)注意到，不同的RF室可能具有不同的部件或設(shè)計(jì)，并且RF電流可能在不同的室中具有不同路徑。不考慮不同RF室的特殊性，很多室中的RF電流趨向于穿過多個(gè)RF室部件，并趨向于偶發(fā)地遭受類似的與間隙相關(guān)的電弧現(xiàn)象和不期望的等離子引發(fā)問題。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種等離子處理系統(tǒng)，其具有配置為用于處理基板的等離子處理室。該系統(tǒng)包括多個(gè)部件，該多個(gè)部件中的至少兩個(gè)部件設(shè)置為以一種匹配配置形式彼此鄰近，使得在該兩個(gè)部件之間存有間隙。該間隙沿該處理過程中的RF電流路徑存在。該處理系統(tǒng)還包括介電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其配置為在該處理過程中，防護(hù)該間隙的至少部分不受該等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。在另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種等離子處理系統(tǒng)，其具有配置為用于處理 基板的等離子處理室。該等離子處理系統(tǒng)包括多個(gè)部件，該部件中的至少一個(gè)具有沿在該處理過程中的RF路徑存在的尖銳部件結(jié)構(gòu)。該處理系統(tǒng)還包括介電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其配置為在該處理過程中，防護(hù)該尖銳部件結(jié)構(gòu)中的至少部分不受該等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。在另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種用于配置用于處理基板的等離子處理室的方法，該等離子處理室內(nèi)具有多個(gè)限制環(huán)。該方法包括為在所述處理過程中于所述等離子處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定最壞情況德拜長(zhǎng)度。該方法進(jìn)一步包括執(zhí)行調(diào)整該多個(gè)限制環(huán)中個(gè)別一些之間的間隙以及增加至少一個(gè)附加限制環(huán)中的至少一種，以確保任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隙大于所述最壞情況德拜長(zhǎng)度。本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)將會(huì)結(jié)合附圖，在以下本發(fā)明的具體描述中更詳細(xì)地說明。


在附圖中，本發(fā)明以示例而非限制的形式說明，并且其中類似的參考標(biāo)號(hào)代表類似的元件，并且其中圖I根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，顯示了設(shè)置于等離子處理室外部區(qū)域內(nèi)的介電蓋和限制環(huán)的橫截面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。在以下描述中，闡明了多個(gè)具體細(xì)節(jié)，以提供對(duì)本發(fā)明透徹的理解。但是，明顯地，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以不具有一些或所有該具體細(xì)節(jié)而被實(shí)施。在其它情況下，未描述熟知的處理步驟和
/或結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，提供了用于顯著地減少和/或防止等離子不受限制故障發(fā)生的技術(shù)和裝置。如上述討論，確信等離子室設(shè)計(jì)和/或結(jié)構(gòu)的某些方面可導(dǎo)致電弧的產(chǎn)生，導(dǎo)致在期望的等離子保持區(qū)域外部引發(fā)等離子。如早先所提及，發(fā)明人在此確信，當(dāng)相鄰室部件的匹配表面之間的間隙沿RF電流路徑(例如，RF電流回路)存在時(shí)，該間隙成為產(chǎn)生電弧現(xiàn)象的一個(gè)因素。在電弧發(fā)生過程中出現(xiàn)的火花導(dǎo)致不期望的電荷或能量注入，其可導(dǎo)致帶電粒子的產(chǎn)生和/或噴射入環(huán)繞氣體空間內(nèi)。另一個(gè)導(dǎo)致不期望的等離子引發(fā)的因素確信為沿RF電流路徑存在的尖銳室部件邊緣或角。這些尖銳的幾何結(jié)構(gòu)趨向于聚集電場(chǎng)，并在某些情況下導(dǎo)致在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生。還確信，該偶發(fā)不受限制等離子故障也可由帶來等離子密度浪涌(surge)的瞬時(shí)不穩(wěn)定故障所導(dǎo)致。這些等離子密度浪涌可能由多種原因引起，例如RF發(fā)生器浪涌。不考慮在等離子密度內(nèi)產(chǎn)生這些瞬時(shí)浪涌的原因，確信通過合適地配置和/或減少相鄰等離子限制環(huán)之間的空間，可增強(qiáng)對(duì)等離子的限制。本發(fā)明的實(shí)施方式旨在關(guān)注上述等離子不受限制的一個(gè)或多個(gè)原因。為解決涉及電弧的不期望的等離子引發(fā)問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種介電防護(hù)結(jié)構(gòu) (例如蓋或護(hù)套)，其可防護(hù)沿RF電流路徑存在的相鄰室部件之間的間隙免受環(huán)繞氣體空間(一個(gè)或多個(gè))影響。大體而言，可依必要提供一個(gè)或多個(gè)護(hù)套或蓋，以提供防護(hù)功能。參考圖1，其顯示了示例性等離子處理室的相關(guān)部分，圖中顯示了介電護(hù)套102，其防護(hù)該示例性室實(shí)施內(nèi)的間隙104和間隙106不受鄰近間隙104和間隙106的相鄰環(huán)繞氣體空間的影響。在圖I的示例性實(shí)施中，間隙104存在于外部電極110 (例如，其可由硅形成)和安裝板112之間的界面處。盡管外部電極110和安裝板112可匹配安裝到一起(例如，通過合成橡膠粘結(jié))，但在相鄰的匹配表面內(nèi)仍存有小的間隙。類似地，間隙106存在于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114 (例如，其由鋁形成)之間。確信，當(dāng)RF電流沿室部件表層或表面?zhèn)鲗?dǎo)時(shí)，間隙例如間隙104可形成對(duì)RF電流的高阻抗障礙，導(dǎo)致橫跨該間隙產(chǎn)生電勢(shì)差，并且，在某些情況下，導(dǎo)致由電弧表征的放電現(xiàn)象產(chǎn)生。護(hù)套102可由介電材料形成(例如無機(jī)絕緣體材料)，并防護(hù)該間隙不受相鄰環(huán)繞氣體空間影響。以此種方式，即使橫跨間隙104和/或間隙106產(chǎn)生電弧，在電弧形成過程中所產(chǎn)生的火花不受環(huán)繞氣體空間影響，從而防止在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或噴注，和/或不期望的等離子的引發(fā)。在一個(gè)實(shí)施方式中，護(hù)套102由石英形成，但也可采用其它合適的介電材料，例如礬土(如氧化鋁)、氮化硅等。只要護(hù)套102大體上是不導(dǎo)電的，護(hù)套102可由任何與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容的材料制成。盡管圖I顯示了單個(gè)的護(hù)套，但多個(gè)護(hù)套和/或蓋也是可能的。另外，防護(hù)RF作用間隙免受環(huán)繞氣體空間影響的介電蓋可具有不同于護(hù)套的幾何形狀。護(hù)套102顯示為具有支架132，當(dāng)安裝板112固定(例如，螺栓固定)到上部室結(jié)構(gòu)114時(shí)，支架132位于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114之間。在組裝過程中，護(hù)套102可圍繞外部電極110/安裝板112結(jié)構(gòu)設(shè)置，從而支架132抵靠在于安裝板112內(nèi)形成的肩上。然后，該包括外部電極110、安裝板112、和護(hù)套102的結(jié)構(gòu)緊固到上部室結(jié)構(gòu)114，使護(hù)套102位于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114之間。從參考箭頭140的方向上看，沒有緊固件結(jié)構(gòu)(例如螺釘頭)的暴露部分存在于護(hù)套102內(nèi)，從而減小了污染誘發(fā)(contamination trapping)的可能性和/或避免了可能在等離子處理過程中導(dǎo)致火花產(chǎn)生的尖銳結(jié)構(gòu)(例如螺釘頭)的出現(xiàn)。關(guān)鍵在于，護(hù)套102 (以及提供的防護(hù)RF作用界面之間間隙不受環(huán)繞氣體空間影響的蓋)可以構(gòu)成為當(dāng)被安裝于該室之內(nèi)時(shí)，這些護(hù)套和蓋本身不導(dǎo)致電弧形成。
如上所述，沿RF電流路徑的尖銳部件結(jié)構(gòu)(邊緣或角)可能會(huì)具有集中電場(chǎng)的效果，其導(dǎo)致在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。作為本文采用的術(shù)語，尖銳部件結(jié)構(gòu)表示在多個(gè)部件之間的部件或結(jié)合部，其具有這樣的形狀，相對(duì)于其它部件結(jié)構(gòu)該形狀具有增強(qiáng)的集中電場(chǎng)的能力，從而使得在環(huán)繞氣體空間內(nèi)發(fā)生不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。參考圖1，接地斗(groundbucket)152的尖銳角150可能會(huì)集中電場(chǎng),使得在環(huán)繞氣體空間內(nèi)發(fā)生不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。需要注意的是，這是一種不同于上述RF作用間隙的不受限制等離子引發(fā)機(jī)制，因?yàn)樵诮?50處不存在間隙。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，提供由介電材料(例如不導(dǎo)電絕緣體材料)形成的介電角-遮蔽蓋(corner-draping cover)以防護(hù)該尖銳部件結(jié)構(gòu)不受環(huán)繞氣體空間影響。該角_遮蔽蓋在圖I的不例中顯不為角_遮蔽蓋160。角-遮蔽蓋160包括一個(gè)邊緣，其在圖I中垂直向下延伸并遮蔽角150，從而形成角150的連續(xù)介電防護(hù)。在一個(gè)實(shí)施方式中， 角-遮蔽蓋160由石英形成，但也可采用其它合適的介電材料，例如礬土 (如，氧化鋁)、氮化硅等。只要角-遮蔽蓋160大體上是不導(dǎo)電的，角-遮蔽蓋160可由任何與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容的材料制成。注意到并非必須由單片的材料形成角-遮蔽蓋160，以覆蓋接地斗152的所有RF作用表面。在圖I的示例中，因?yàn)榻拥囟返拇怪眰?cè)邊不暴露于期望的等離子保持區(qū)域190內(nèi)的等離子，所以接地斗152的垂直側(cè)邊可依需要利用由不同或相同介電材料形成的其它蓋遮蔽。邊緣的提供和/或該兩個(gè)蓋的交疊部分允許使用多片(例如，兩片)的蓋，這降低了制造成本，因?yàn)椴⒉恍枰髩K且形狀復(fù)雜的蓋。在一個(gè)示例性的實(shí)施中，接地斗152的垂直側(cè)邊利用蓋162覆蓋，蓋162可例如由塑料材料形成，例如無定形聚醚酰亞胺(通常通過名稱Ultem被熟知)。只要蓋162大體上是不導(dǎo)電的，蓋162可由任何在等離子處理過程中，與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容和/或與沿接地斗的垂直側(cè)壁所存在情況相容的材料制成。蓋162和角-遮蔽蓋160可如圖I所示交疊，以提供對(duì)RF作用角和/或接地斗152的RF作用表面的完全遮蓋。如上所述，發(fā)明人在此確信該偶發(fā)不受限制等離子故障也可由帶來等離子密度浪涌的瞬時(shí)不穩(wěn)定故障所導(dǎo)致。進(jìn)一步地，不考慮在等離子密度內(nèi)瞬時(shí)不穩(wěn)定所產(chǎn)生的具體原因，確信可通過在相鄰等離子限制環(huán)之間合適的間隔而增強(qiáng)等離子限制。大致而言，減小相鄰等離子限制環(huán)之間的間隔(在某些情形下，可能需要用額外的限制環(huán)對(duì)現(xiàn)有室進(jìn)行改裝)允許限制環(huán)組180在期望的等離子保持區(qū)域190內(nèi)限制等離子，即使是在等離子密度浪涌產(chǎn)生時(shí)。但不希望局限于理論，確信，例如，即使該瞬時(shí)等離子密度浪涌多達(dá)四倍地增加，但相鄰限制環(huán)間隔二分之一的減小，即可使該限制環(huán)組令人滿意地限制等離子。通過經(jīng)驗(yàn)地確定相鄰限制環(huán)之間的最優(yōu)間隔，偶發(fā)等離子不受限制故障的發(fā)生將會(huì)顯著地減少和/或消除。在一個(gè)實(shí)施方式中，相鄰等離子限制環(huán)之間的間隔(由變量S表示)尺寸設(shè)計(jì)為S<DL(ffC)方程 I.在方程I中，DLac)表示等離子的最差情況德拜長(zhǎng)度(worst case Debyelength),即在最差情況等離子密度浪涌下等離子的德拜長(zhǎng)度。盡管給定的等離子可通過不同方式被量化，但德拜長(zhǎng)度是用于量化等離子的最熟知方法之一，并可用于計(jì)算任何等離子。關(guān)于德拜長(zhǎng)度的進(jìn)一步信息可在多種等離子參考文獻(xiàn)中找到，例如包括Introduction to Plasma Physics, Goldston&Rutherford(1997), Institute of PhysicsPublishing, Philadelphia, PA,其合并入此處作為參考。通過經(jīng)驗(yàn)或理論地為給定的等離子處理室確定最差情況等離子密度(甚至通過專業(yè)有素的猜測(cè))，可獲取德拜長(zhǎng)度，然后將其用于方程中以確定相鄰等離子限制環(huán)之間理想的間隔。在一個(gè)實(shí)施方式中，相鄰限制環(huán)間隔的減小，應(yīng)當(dāng)與從期望等離子保持區(qū)域190內(nèi)滿意地排出副產(chǎn)品氣體的需要相平衡。過緊的間隔可能會(huì)不當(dāng)?shù)胤恋K副產(chǎn)品氣體的去除，從而負(fù)面地影響基板處理。如果，例如，室間隔192允許，則可引入具有相應(yīng)環(huán)內(nèi)間隙的附加的限制環(huán)，以導(dǎo)出副產(chǎn)品氣流。在一個(gè)實(shí)施方式中，最優(yōu)的相鄰限制環(huán)間隔表示這樣的距離，即該距離可顯著地減少或消除等離子不受限制故障的發(fā)生，同時(shí)未不當(dāng)?shù)赜绊憣?duì)從等離子處理室滿意地排出副產(chǎn)品氣體的要求?？捎纱讼鄳?yīng)地配置限制環(huán)的數(shù)量。

由以上描述可以理解，本發(fā)明的實(shí)施方式可有利地減少和/或防止等離子不受限制故障的發(fā)生。通過利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)遮蔽一個(gè)或多個(gè)部件的表面、間隙或角，該一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可減少和/或防止不期望的帶電粒子進(jìn)入環(huán)繞該一個(gè)或多個(gè)部件的氣體空間內(nèi)。通過減小等離子限制環(huán)之間的間隔，該一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可增強(qiáng)對(duì)等離子密度浪涌的等離子限制。其結(jié)果是，等離子處理可更穩(wěn)定和/或被更好地控制。應(yīng)當(dāng)注意到，可在給定的等離子處理室內(nèi)采用上述技術(shù)(S卩，間隙覆蓋、角-遮蔽覆蓋、和相鄰限制環(huán)間隔減小)中一個(gè)、兩個(gè)或所有三個(gè)的任何組合。另外，盡管說明了具體的室部件以利于討論，但應(yīng)當(dāng)理解這些技術(shù)可以被單獨(dú)或結(jié)合地調(diào)整，以沒有限制地遮蔽可能導(dǎo)致等離子不受限制故障發(fā)生的任何RF作用間隙或角或邊緣或突出部分。另外，應(yīng)當(dāng)注意，盡管本發(fā)明通過Exelan 平臺(tái)進(jìn)行說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式可適用于任何等離子處理室，包括電容耦合室、電感耦合室、微波室等。盡管本發(fā)明已通過多個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但可具有落入本發(fā)明范圍內(nèi)的變形、置換、和等同方式。例如，盡管圖I討論了用于遮蔽間隙和角的介電蓋，但也可采用其它手段，例如介電涂層。還應(yīng)當(dāng)注意到，具有實(shí)施本發(fā)明方法和裝置的多種備選方式。因此意在將該說明書解釋為包括落入本發(fā)明真正精神和范圍內(nèi)的所有該變形、置換、和等同方式。
權(quán)利要求
1.用于防止在受限等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的基板處理過程中的等離子不受限事件的配置等離子處理室的方法，其中所述受限等離子區(qū)域由圍繞電極底部的一組限制環(huán)所限定，所述方法包括 識(shí)別相鄰室部件的匹配表面之間的間隙，所述間隙沿射頻(RF)電流路徑存在；和 采用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)以防護(hù)所述間隙的至少部分不受所述處理過程中所述等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述相鄰室部件的第一室部件具有 第一表面，所述第一表面與所述相鄰室部件的第二室部件匹配，使得在所述第一室部件和所述第二室部件之間存在第一間隙，所述第一間隙在所述處理中沿所述RF電流路徑存在，所述第一室部件進(jìn)一步具有在第一側(cè)的凹部，從而在所述第一表面下方形成肩部，和 第二表面，其與第一表面相對(duì)，其中所述第一室部件的所述第二表面與第三室部件匹配，使得在所述第一室部件和所述第三室部件之間存在第二間隙，所述第二間隙在所述處理中沿所述RF電流路徑存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)為具有外表面和內(nèi)表面的單件連續(xù)介電護(hù)套，支架特征置于所述介電護(hù)套上端和所述介電護(hù)套下端之間的所述內(nèi)表面上，使得當(dāng)所述支架特征被置于所述第一室部件的所述肩部上且所述第一室部件被裝配至所述第二室部件時(shí)，所述介電護(hù)套的向上突出部分位于圍繞所述第二室部件的至少第一部分的所述支架特征上方，并從而使所述介電護(hù)套的向下突出部分位于同時(shí)覆蓋至少所述第一室部件的第一部分和所述第三室部件的第一部分的所述支架特征下方，所述介電護(hù)套的所述外表面連續(xù)跨越所述第二室部件的至少第二部分、所述第一室部件以及所述第三室部件的至少第二部分，從而減少污染。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)被配置為覆蓋所述間隙的所述至少所述部分，而不會(huì)將暴露的緊固件部分呈現(xiàn)于所述環(huán)繞氣體空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)為多片防護(hù)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)為單片防護(hù)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)由包括無機(jī)絕緣體材料、不導(dǎo)電絕緣體材料、石英、礬土材料和氮化硅中至少一種的材料形成。
8.用于防止在受限等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的基板處理過程中的等離子不受限事件的配置等離子處理室的方法，其中所述受限等離子區(qū)域由圍繞電極底部的一組限制環(huán)所限定，所述方法包括 識(shí)別具有沿射頻(RF)電流路徑的尖銳部件結(jié)構(gòu)的室部件；和采用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)以防護(hù)所述尖銳部件結(jié)構(gòu)的至少部分不受所述處理過程中所述等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)為多片防護(hù)結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)為單片防護(hù)結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)由包括無機(jī)絕緣體材料、不導(dǎo)電絕緣體材料、石英、礬土材料和氮化硅中至少一種的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括邊緣特征，其垂直延伸并遮蔽所述尖銳部件結(jié)構(gòu)，從而至少部分防護(hù)所述尖銳部件結(jié)構(gòu)不受所述環(huán)繞氣體空間影響。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述介電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第二介電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其與所述第一介電防護(hù)結(jié)構(gòu)垂直，所述第二介電結(jié)構(gòu)覆蓋所述室部件的豎直側(cè)，所述第二介電防護(hù)結(jié)構(gòu)的至少一部分與所述第一介電防護(hù)結(jié)構(gòu)的所述邊緣特征重疊。
全文摘要
提供了防止在受限等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的基板處理過程中的等離子不受限事件的配置等離子處理室的方法。提供了由圍繞電極底部的一組限制環(huán)限定的等離子保持區(qū)域。該方法包括測(cè)定處理過程中等離子處理室內(nèi)生成的等離子的最差情況德拜長(zhǎng)度。該方法還包括執(zhí)行調(diào)節(jié)任意對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隙和增加至少一個(gè)額外的限制環(huán)的至少一個(gè)以確保任意對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隙小于該最差情況德拜長(zhǎng)度。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102768934SQ20121027394
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2007年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月8日
發(fā)明者安德烈亞斯·菲舍爾, 拉金德爾·德辛德薩 申請(qǐng)人:朗姆研究公司