專利名稱：晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池的鍍膜設(shè)備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
在各種硅太陽電池中，晶體硅電池一直占據(jù)著最重要的地位近年來，在晶體硅太陽電池提高效率方面取得了巨大成就和進(jìn)展，進(jìn)一步提高了它在未來光伏應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)地位。背面鈍化技術(shù)是晶體硅太陽能電池提高效率的有效手段之一，通過背面鈍化，有效的提高了太陽電池的開路電壓和短路電流，從而提高了太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。目前背面鈍化主要是在背面鍍制鈍化膜，此鈍化膜可以選擇二氧化硅，三氧化二鋁，氮化硅，還可以選擇疊層鈍化膜，如二氧化硅與氮化硅疊層膜，三氧化二鋁與氮化硅疊層膜等。目前背面鈍化在提高效率的同時(shí)增加了背面鈍化設(shè)備，大大增加了晶硅電池的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對(duì)上述問題而提出的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，他可以同時(shí)完成太陽能電池正面減反射膜與背面鈍化膜的制備，大大降低了設(shè)備制作成本，簡(jiǎn)化了工藝步驟，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明的一種晶體娃太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和娃片載板，娃片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進(jìn)氣孔，下方的下進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對(duì)硅片上表面進(jìn)行減反射膜制備，對(duì)硅片下表面進(jìn)行鈍化膜制備。硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在硅片載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對(duì)硅片下表面進(jìn)行減反射膜制備，對(duì)硅片上表面進(jìn)行鈍化膜制備。上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨(dú)控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。上進(jìn)氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進(jìn)氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上下進(jìn)氣孔可單獨(dú)控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片上表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置將反應(yīng)腔室溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過上進(jìn)氣孔進(jìn)入反應(yīng)腔室，上等離子源對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片上表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片下表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過下進(jìn)氣孔進(jìn)入反應(yīng)腔室，下等離子源對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片下表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。本發(fā)明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備有益效果是該設(shè)備包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片 載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進(jìn)氣孔，下方的下進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。硅片載板有兩種設(shè)計(jì)方式，都可以對(duì)硅片上表面進(jìn)行減反射膜制備，對(duì)硅片下表面進(jìn)行鈍化膜制備。上進(jìn)氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進(jìn)氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上、下進(jìn)氣孔，上、下等離子源均可單獨(dú)控制，根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)，通入不同的氣體及氣體流量。
排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與娃片載板處于同一水平面，娃片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。使用該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備可以同時(shí)對(duì)硅片進(jìn)行減反射膜及鈍化膜的制備，降低設(shè)備成本，提高設(shè)備利用率，減少工藝步驟，降低生產(chǎn)過程中造成的碎片等不良，適合工業(yè)化生產(chǎn)。


圖I所示為本發(fā)明實(shí)施例I的設(shè)備垂直剖面 圖2所示為實(shí)施例I的硅片載板設(shè)計(jì)；
圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例2的設(shè)備垂直剖面 圖4所示為實(shí)施例2的硅片載板設(shè)計(jì)。圖中，I.上進(jìn)氣孔，2.下進(jìn)氣孔，3.排氣孔，4.加熱裝置，5.上等離子源，6.硅片載板，7.下等離子源，8.反應(yīng)腔室，9.硅片，10.掛鉤，11.真空泵。
具體實(shí)施例方式 為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖和實(shí)例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案，但是本發(fā)明并不局限于此。實(shí)施例I
如說明書附I、圖2所示本發(fā)明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室8和娃片載板6,娃片載板6位于反應(yīng)腔室8中部，另外還包括反應(yīng)腔室8上方的上進(jìn)氣孔1，下方的下進(jìn)氣孔2，反應(yīng)腔室8兩側(cè)的排氣孔3，硅片載板6上方的上等離子源5及硅片載板6下方的下等離子源7，與排氣孔3外接的真空泵11和均勻分布在反應(yīng)腔室8上下內(nèi)表面的加熱裝置4。硅片載板6為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片9形狀一致，鏤空大小略小于硅片9，鏤空上方承載硅片9，用此載板可以對(duì)硅片9上表面進(jìn)行減反射膜制備,對(duì)硅片9下表面進(jìn)行鈍化膜制備。上等離子源5位于硅片載板6上方，下等離子源7位于硅片載板6下方，上下等離子源均可單獨(dú)控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。上進(jìn)氣孔I位于硅片載板6和上等離子源5上方，下進(jìn)氣孔2位于硅片載板6和下等離子源7下方，上下進(jìn)氣孔可單獨(dú)控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔3位于反應(yīng)腔室8側(cè)面,與娃片載板6處于同一水平面,娃片載板6上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔3排出，排氣孔3外接真空泵11，以保證反應(yīng)腔室8 一定的
真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9上表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置4將反應(yīng)腔室8溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過上進(jìn)氣孔I進(jìn)入反應(yīng)腔室，上等離子源5對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片9上表面， 真空泵11將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室8的真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9下表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過下進(jìn)氣孔2進(jìn)入反應(yīng)腔室8，下等離子源7對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片9下表面，真空泵11將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室8的真空度。使用此晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9進(jìn)行上下表面鍍膜，上進(jìn)氣孔I通入氣體硅烷和氨氣，下進(jìn)氣孔2通入三甲基鋁TMA、Ar與N20，加熱裝置4將反應(yīng)腔室8溫度加熱至390攝氏度，可以完成硅片9上表面鍍制氮化硅，下表面鍍制三氧化二鋁的工藝流程。實(shí)施例2
如說明書附3、圖4所示本發(fā)明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室8和娃片載板6,娃片載板6位于反應(yīng)腔室8中部，另外還包括反應(yīng)腔室8上方的上進(jìn)氣孔1，下方的下進(jìn)氣孔2，反應(yīng)腔室8兩側(cè)的排氣孔3，硅片載板6上方的上等離子源5及硅片載板6下方的下等離子源7，與排氣孔3外接的真空泵11和均勻分布在反應(yīng)腔室8上下內(nèi)表面的加熱裝置4。硅片載板6為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片9形狀一致，鏤空大小略大于硅片9，在硅片載板6下邊緣設(shè)置掛鉤10，硅片9水平置于掛鉤10上，用此載板可以對(duì)硅片9下表面進(jìn)行減反射膜制備,對(duì)硅片9上表面進(jìn)行鈍化膜制備。上等離子源5位于硅片載板6上方，下等離子源7位于硅片載板6下方，上下等離子源均可單獨(dú)控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。上進(jìn)氣孔I位于硅片載板6和上等離子源5上方，下進(jìn)氣孔2位于硅片載板6和下等離子源7下方，上下進(jìn)氣孔可單獨(dú)控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。排氣孔3位于反應(yīng)腔室8側(cè)面,與娃片載板6處于同一水平面,娃片載板6上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔3排出，排氣孔3外接真空泵11，以保證反應(yīng)腔室8 一定的
真空度。該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9上表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置4將反應(yīng)腔室8溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過上進(jìn)氣孔I進(jìn)入反應(yīng)腔室，上等離子源5對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片9上表面，真空泵11將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室8的真空度。
該晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9下表面鍍膜的反應(yīng)流程為鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置4將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過下進(jìn)氣孔2進(jìn)入反應(yīng)腔室8，下等離子源7對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在硅片9下表面，真空泵11將反應(yīng)廢氣通過排氣孔3抽走，并保證反應(yīng)腔室8的真空度。使用此鍍膜設(shè)備對(duì)硅片9進(jìn)行上下表面鍍膜，下進(jìn)氣孔I通入氣體硅烷和氨氣，上進(jìn)氣孔2通入三甲基鋁TMA、Ar與N20，加熱裝置4將反應(yīng)腔室8溫度加熱至390攝氏度， 可以完成硅片9下表面鍍減反射膜一氮化硅，上表面鍍鈍化膜一三氧化二鋁。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，其特征在干，硅片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進(jìn)氣孔，下方的下進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，其特征在于硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，其特征在于硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在硅片載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，其特征在于上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，其特征在于上進(jìn)氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進(jìn)氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，其特征在于排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與硅片載板處于同一水平面，排氣孔外接真空泵。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池的鍍膜設(shè)備，具體涉及一種晶體硅太陽能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進(jìn)氣孔，下方的下進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置，該設(shè)備可以同時(shí)進(jìn)行正面減反射膜及背面鈍化膜的制備，使得設(shè)備及工藝流程簡(jiǎn)化，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102683250SQ20121015912
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月22日
發(fā)明者任現(xiàn)坤, 劉鵬, 姚增輝, 姜言森, 孫繼峰, 張麗麗, 張同星, 張春艷, 張黎明, 徐振華, 李剛, 李玉花, 杜敏, 王兆光, 程亮, 賈河順 申請(qǐng)人:山東力諾太陽能電力股份有限公司