專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開的技術(shù)涉及使用于顯示設(shè)備等的等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下，稱作PDP)由前面板和背面板構(gòu)成。前面板由如下部件構(gòu)成玻璃基板；在玻璃基板的一個主面上形成的顯示電極；覆蓋顯示電極而起到電容器的作用的電介質(zhì)層；和在電介質(zhì)層上形成的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護層。已經(jīng)公開了一種為了使來自保護層的初始電子的放出數(shù)增加，而在由MgO構(gòu)成的保護層中添加雜質(zhì)的技術(shù)(例如，參照專利文獻1)。此外，公開了一種將MgO粒子形成于由 MgO薄膜構(gòu)成的基底膜上的技術(shù)(例如，參照專利文獻2)。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 JP特開2005-310581號公報專利文獻2 JP特開2006-59779號公報

發(fā)明內(nèi)容
PDP具備前面板、和與前面板相對配置的背面板。前面板具有顯示電極、覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層、和覆蓋電介質(zhì)層的保護層。保護層包含在電介質(zhì)層上形成的基底層、和在基底層的整個面分散配置的凝聚了多個金屬氧化物的結(jié)晶粒子而成的凝聚粒子?；讓雍醒趸V、鈰以及鍺?；讓又械拟嫷臐舛仍?00ppm以上500ppm以下，并且，鍺的濃度在 IOOppm 以上 5000ppm 以下。


圖1是表示第1實施方式所涉及的PDP的構(gòu)造的立體圖。圖2是表示第1實施方式所涉及的前面板的概略剖面的圖。圖3是第1實施方式所涉及的凝聚粒子的放大圖。圖4是表示凝聚粒子的平均粒徑和電子放出性能的關(guān)系的圖。圖5是表示第2實施方式所涉及的前面板的概略剖面的圖。圖6是表示電子放出性能和Vscn點亮電壓之間的關(guān)系的圖。圖7是表示鈰濃度和Vscn點亮電壓之間的關(guān)系的圖。圖8是表示尋址放電開始電壓的圖。圖9是表示凝聚粒子的平均粒徑和隔壁破損概率之間的關(guān)系的圖。
具體實施例方式(第1實施方式)[1. PDPl 的構(gòu)造]
PDP的基本構(gòu)造是一般的交流面放電型PDP。如圖1所示，PDPl將由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10相對配置。前面板2和背面板10的外周部被由玻璃粉等構(gòu)成的密封材料氣密密封。在被密封后的PDPl內(nèi)部的放電空間16中，以53kPa(400Torr) 80kPa(600Torr)的壓力封入有氖(Ne)以及氙(Xe)等放電氣體。在前面玻璃基板3上，由掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的一對帶狀的顯示電極 6、和黑條(black stripe) 7相互平行地分別配置了多列。在前面玻璃基板3上按照覆蓋顯示電極6和黑條7的方式形成起到電容器的作用的電介質(zhì)層8。并且，在電介質(zhì)層8的表面形成由氧化鎂(MgO)等構(gòu)成的保護層9。另外，關(guān)于保護層9，在后面詳細說明。掃描電極4以及維持電極5分別在由銦錫氧化物(ΙΤ0)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(SiO)等導(dǎo)電性金屬氧化物構(gòu)成的透明電極上層疊由Ag構(gòu)成的總線電極(bus electrode)0在背面玻璃基板11上，在與顯示電極6正交方向上，相互平行地配置有以銀(Ag) 為主要成分的導(dǎo)電性材料所構(gòu)成的多個數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12被基底電介質(zhì)層13覆蓋。并且，在數(shù)據(jù)電極12間的基底電介質(zhì)層13上形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁14。在隔壁14間的槽中，按照每個數(shù)據(jù)電極12，依次涂敷形成有通過紫外線以紅色發(fā)光的熒光體層15、以綠色發(fā)光的熒光體層15以及以藍色發(fā)光的熒光體層15。在顯示電極6 和數(shù)據(jù)電極12交叉的位置形成有放電單元。在顯示電極6方向上排列的具有紅色、綠色、 藍色的熒光體層15的放電單元成為用于進行彩色顯示的像素。另外，在本實施方式中，在放電空間16中封入的放電氣體包含10%體積以上30% 體積以下的Xe。[2. PDPl的制造方法][2-1.前面板2的形成]通過光刻法(photolithography)在前面玻璃基板3上形成掃描電極4以及維持電極5和黑條7。掃描電極4以及維持電極5具有包含用于確保導(dǎo)電性的銀(Ag)的金屬總線電極4b、5b。此外，掃描電極4以及維持電極5具有透明電極^、5a。金屬總線電極4b 層疊于透明電極如上。金屬總線電極恥層疊于透明電極fe上。在透明電極^、5a的材料中，使用用于確保透明度和電導(dǎo)率的銦錫氧化物(ITO) 等。首先，通過濺射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。然后，通過光刻法來形成規(guī)定的圖案的透明電極如、5a。在金屬總線電極4b、5b的材料中，使用含有銀(Ag)、用于使銀粘合的玻璃粉、感光性樹脂、溶劑等的電極漿料。首先，通過絲網(wǎng)印刷術(shù)等，在前面玻璃基板3上涂敷電極漿料。 接下來，利用干燥爐來除去電極漿料中的溶劑。接著，通過規(guī)定圖案的光掩膜來對電極漿料進行曝光。接下來，電極漿料被顯影，形成金屬總線電極圖案。最后，通過燒結(jié)爐，以規(guī)定的溫度對金屬總線電極圖案進行燒結(jié)。即、金屬總線電極圖案中的感光性樹脂被除去。此外，金屬總線電極圖案中的玻璃粉熔融。熔融后的玻璃粉在燒結(jié)后玻璃化。通過以上的工序形成了金屬總線電極4b、5b。黑條7由包含黑色顏料的材料形成。接下來，形成電介質(zhì)層8。在電介質(zhì)層8的材料中，使用包含電介質(zhì)玻璃粉、樹脂、和溶劑等的電介質(zhì)漿料。首先通過擠壓式涂布(die coating)法等，按照以規(guī)定的厚度覆蓋掃描電極4、維持電極5以及黑條7的方式，在前面玻璃基板3上涂敷電介質(zhì)漿料。接下來，通過干燥爐來除去電介質(zhì)漿料中的溶劑。最后，通過燒結(jié)爐以規(guī)定的溫度來對電介質(zhì)漿料進行燒結(jié)。即、電介質(zhì)漿料中的樹脂被除去。而且， 電介質(zhì)玻璃粉熔融。熔融后的電介質(zhì)玻璃粉在燒結(jié)后玻璃化。通過以上的工序，形成了電介質(zhì)層8。在此，除了對電介質(zhì)漿料進行擠壓式涂布的方法以外，還可以使用絲網(wǎng)印刷術(shù)、旋涂法等。此外，也可以不使用電介質(zhì)漿料，而通過CVD (Chemical Vapor D印osition)法等來形成作為電介質(zhì)層8的膜。電介質(zhì)層8的材料包含從氧化鉍(Bi2O3)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇 (BaO)中選擇的至少1種、和從氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2) 中選擇的至少1種。粘合劑成分是乙基纖維素、或者包含重量 20%重量的丙烯酸樹脂的萜品醇、或者二甘醇一丁醚乙酸酯。此外，在漿料中，也可以根據(jù)需要，添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯脂、磷酸三丁酯作為增塑劑，并添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、H0M0GEN0L(陰離子表面活性劑Kao股份有限公司產(chǎn)品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等作為分散劑，來提高漿料的印刷特性。接下來，在電介質(zhì)層8上形成保護層9。保護層9的詳細內(nèi)容見后述。通過以上工序在前面玻璃基板3上形成了掃描電極4、維持電極5、黑條7、電介質(zhì)層8、保護層9，前面板2完成。[2-2.背面板10的形成]通過光刻法在背面玻璃基板11上形成數(shù)據(jù)電極12。在數(shù)據(jù)電極12的材料中，使用含有用于確保導(dǎo)電性的銀(Ag)、用于使銀粘合的玻璃粉、感光性樹脂、和溶劑等的數(shù)據(jù)電極漿料。首先，通過絲網(wǎng)印刷術(shù)等，以規(guī)定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷數(shù)據(jù)電極漿料。 接下來，通過干燥爐來除去數(shù)據(jù)電極漿料中的溶劑。接著，通過規(guī)定圖案的光掩膜，來對數(shù)據(jù)電極漿料進行曝光。然后，數(shù)據(jù)電極漿料被顯影，形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，通過燒結(jié)爐， 以規(guī)定的溫度來對數(shù)據(jù)電極圖案進行燒結(jié)。即、數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂被除去。而且，數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃粉熔融。熔融后的玻璃粉在燒結(jié)后玻璃化。通過以上的工序，形成了數(shù)據(jù)電極12。在此，除了對數(shù)據(jù)電極漿料進行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以使用濺射法、蒸鍍法等。接下來，形成基底電介質(zhì)層13。在基底電介質(zhì)層13的材料中使用含有電介質(zhì)玻璃粉、樹脂、和溶劑等的基底電介質(zhì)漿料。首先，通過絲網(wǎng)印刷術(shù)等，以規(guī)定厚度在形成了數(shù)據(jù)電極12的背面玻璃基板11上按照覆蓋數(shù)據(jù)電極12的方式涂敷基底電介質(zhì)漿料。接下來， 通過干燥爐來除去基底電介質(zhì)漿料中的溶劑。最后，通過燒結(jié)爐，以規(guī)定的溫度來對基底電介質(zhì)漿料進行燒結(jié)。即，基底電介質(zhì)漿料中的樹脂被除去。而且，電介質(zhì)玻璃粉熔融。熔融后的電介質(zhì)玻璃粉在燒結(jié)后玻璃化。通過以上的工序，形成了基底電介質(zhì)層13。在此，除了對基底電介質(zhì)漿料進行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以使用擠壓式涂布法、旋涂法等。此外， 也可以不使用基底電介質(zhì)漿料，而通過CVD (Chemical Vapor D印osition)法等，來形成作為基底電介質(zhì)層13的膜。接下來，通過光刻法來形成隔壁14。在隔壁14的材料中使用含有填料、用于使填料粘合的玻璃粉、感光性樹脂、和溶劑等的隔壁漿料。首先，通過擠壓式涂布法等，以規(guī)定的厚度在基底電介質(zhì)層13上涂敷隔壁漿料。接下來，通過干燥爐來除去隔壁漿料中的溶劑。 接著，通過規(guī)定圖案的光掩膜來對隔壁漿料進行曝光。接下來，隔壁漿料被顯影，形成隔壁圖案。最后，通過燒結(jié)爐來在規(guī)定的溫度下對隔壁圖案進行燒結(jié)。即、隔壁圖案中的感光性樹脂被除去。而且，隔壁圖案中的玻璃粉熔融。熔融后的玻璃粉在燒結(jié)后玻璃化。通過以上的工序，形成了隔壁14。在此，除了光刻法以外，也可以使用噴砂法等。接下來，形成熒光體層15。在熒光體層15的材料中，使用含有熒光體粒子、粘合齊U、和溶劑等的熒光體漿料。首先，通過分配法(dispensing)等，以規(guī)定厚度在相鄰的隔壁 14間的基底電介質(zhì)層13上以及隔壁14的側(cè)面涂敷熒光體漿料。接下來，通過干燥爐來除去熒光體漿料中的溶劑。最后，通過燒結(jié)爐來在規(guī)定的溫度下對熒光體漿料進行燒結(jié)。艮口、 熒光體漿料中的樹脂被除去。通過以上的工序，形成了熒光體層15。在此，除了分配法以外也可以使用絲網(wǎng)印刷術(shù)等。通過以上的工序，在背面玻璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10完成。[2-3.前面板2和背面板10的組裝]接下來，組裝前面板2和背面板10。首先，通過分配法，在背面板10的周圍形成密封材料(未圖示)。在密封材料(未圖示)的材料中使用含有玻璃粉、粘合劑、和溶劑等的密封漿料。接下來，通過干燥爐來除去密封漿料中的溶劑。接著，按照顯示電極6和數(shù)據(jù)電極12正交的方式，將前面板2和背面板10相對配置。然后，用玻璃粉來對前面板2和背面板10的周圍進行密封。最后，通過在放電空間中封入包含Ne、Xe等的放電氣體，從而PDPl 完成。[3.保護層9的詳細說明]如圖2所示，保護層9，作為一例，包含作為基底層的基底膜91和凝聚粒子92。基底膜91，作為一例，由平均粒徑為IOnm以上IOOnm以下的MgO的納米結(jié)晶粒子構(gòu)成。納米結(jié)晶粒子是指MgO的納米尺寸的單晶粒子。凝聚粒子92是凝聚了多個作為金屬氧化物的 MgO的結(jié)晶粒子9 而成的粒子。優(yōu)選使凝聚粒子92在基底膜91中的整個面上均勻地分散配置。此外，凝聚粒子92的平均粒徑構(gòu)成為基底膜91的平均膜厚的2倍以上。S卩、在基底膜91中分散配置有凝聚粒子92。并且，凝聚粒子92從基底膜91向著放電空間16突出。另外，平均粒徑通過對納米結(jié)晶粒子以及凝聚粒子92進行SEM (Scanning Electron Microscope)觀察來進行測長。另外，保護層9在放電單元內(nèi)在放電時進行電子的授受動作。因此，要求保護層9 具有高電子放出性能和高電荷保持性能。電子放出性能數(shù)值越大則表示電子放出量越多。電子放出性能表現(xiàn)為由放電的表面狀態(tài)以及氣體種類和氣體狀態(tài)決定的初始電子放出量。初始電子放出量能夠通過測定對表面照射離子或電子束而從表面放出的電子電流量的方法來測定。但是，非破壞性地實施很困難。因此，使用了 JP特開2007-48733號公報所記載的方法。即，測定放電時的延遲時間中的、被稱作統(tǒng)計延遲時間的作為放電產(chǎn)生容易度的標準的數(shù)值。通過對統(tǒng)計延遲時間的倒數(shù)進行積分，成為與初始電子的放出量線性對應(yīng)的數(shù)值。放電時的延遲時間是指，從寫入放電脈沖的上升沿開始到延遲地產(chǎn)生寫入放電為止的時間?？梢哉J為放電延遲的主要原因是，作為產(chǎn)生寫入放電時的觸發(fā)的初始電子不易從保護層9的表面被放出到放電空間16 中。
電荷保持性能是在PDP中為了抑制從保護層放出電荷的現(xiàn)象所需的施加于掃描電極的電壓(以下稱作Vscn點亮電壓)。Vscn點亮電壓越低則表示電荷保持性能越高。若 Vscn點亮電壓較低，則能夠用低電壓來驅(qū)動PDP。因此，作為電源和各電氣部件，能夠使用耐壓以及容量較小的部件。在現(xiàn)有的產(chǎn)品中，在用于將掃描電壓依次施加于面板的MOSFET 等半導(dǎo)體開關(guān)元件中，使用了耐壓150V程度的元件。作為Vscn點亮電壓，考慮到溫度所引起的變動，優(yōu)選抑制為120V以下。一般來說，保護層9的電子放出性能和電荷保持性能相反。即、具有高電子放出性能、并且具有減小電荷的衰減率的高電荷保持性能是相反的特性。例如，通過保護層9的成膜條件的變更、或者在保護層9中摻雜Al、Si、Ba等雜質(zhì)來成膜，能夠提高電子放出性能。但是，作為副作用，Vscn點亮電壓也上升。另一方面，本實施方式所涉及的保護層9用平均粒徑為IOnm以上IOOnm以下的氧化鎂(MgO)的納米結(jié)晶粒子構(gòu)成了基底膜91。于是，與通過真空蒸鍍等來形成基底膜91， 并且，摻雜了其他材料的情況相同地，在MgO的內(nèi)部的比較淺的位置，形成與雜質(zhì)相似的能級。此外，配置于基底膜91中并具有向放電空間16突出的構(gòu)造的結(jié)晶粒子92a的凝聚粒子92成為電場集中的構(gòu)造。因此，存在于基底膜91的較淺的能級的電子被凝聚粒子92所產(chǎn)生的電場拉起。并且，電子在凝聚粒子92的外表面?zhèn)鞑ゲ⒆鳛槎坞娮颖环懦?。結(jié)果， 本實施方式所涉及的保護層9具有高電子放出性能。構(gòu)成基底膜91的各個納米結(jié)晶粒子在微觀上孤立。即、不像蒸鍍膜那樣在面方向上連續(xù)。因此，在基底膜91的面方向上維持了絕緣性。即、面方向的導(dǎo)電性變小。結(jié)果，在尋址放電時積累的電荷不容易在面方向上散播。因此，保護層9具有高電荷保持性能。特別是，若像本實施方式這樣，凝聚粒子92為從基底膜91突出的形狀，則保護層9的表面成為凹凸狀。因此，保護層9相對于投影面積的實際表面積變大。因此，積累在保護層9上的電荷不易分散，能夠進一步提高電荷保持性能。若凝聚粒子92的平均粒徑較小，則埋在基底膜91中的凝聚粒子92較多，因此二次電子放出能力降低。將凝聚粒子92的平均粒徑除以基底膜91的膜厚而的得到的比率、 和二次電子放出能力的關(guān)系成為增加曲線(logistic curve) 0若凝聚粒子92的平均粒徑成為基底膜91的膜厚的2倍以上，則二次電子放出能力急劇增加。若凝聚粒子92的平均粒徑超過基底膜91的膜厚的約3倍則飽和。因此，在本實施方式中，使凝聚粒子92的平均粒徑為基底膜91的膜厚的2倍以上，并為了排除由于凝聚粒子92與背面板10的隔壁14 抵接而產(chǎn)生的故障而使凝聚粒子92的平均粒徑為基底膜91的膜厚的4. 0倍以下。因此、 凝聚粒子92的平均粒徑，作為一例，在基底膜91的膜厚為約0.5μπι到Ι.Ομπι的范圍時， 優(yōu)選設(shè)為0. 9 μ m以上4. 0 μ m以下。像這樣，根據(jù)本實施方式，由納米結(jié)晶粒子構(gòu)成的基底膜91、和在基底膜91中配置的結(jié)晶粒子9 凝聚而成的凝聚粒子92構(gòu)成了保護層9，因此能夠滿足電子放出性能和電荷保持性能這兩方面。[3-1.基底膜91的詳細說明]納米結(jié)晶粒子，作為一例，利用瞬間氣相生成法來制作。瞬間氣相生成法是用等離子等來使MgO氣化，并通過包含反應(yīng)氣體的冷卻氣體來使MgO瞬間冷卻，從而制作納米尺寸的微粒子的方法。在本實施方式中，使用了平均粒徑IOnm IOOnm的納米結(jié)晶粒子。
然后，這些納米結(jié)晶粒子與二甘醇一丁醚、或萜品醇混合。接下來，通過分散處理裝置使其分散來制作納米結(jié)晶粒子分散液。在分散處理中，使用氧化鋯或氧化鋁等的顆粒(beads)。顆粒的平均粒徑優(yōu)選為0.02mm 0.3mm的范圍。顆粒的平均粒徑更優(yōu)選為 0. 02mm 0. Imm的范圍。作為分散處理裝置，優(yōu)選將這些顆粒和納米結(jié)晶粒子分散液填充在研磨容器內(nèi)，并使研磨容器搖動或攪拌的搖動研磨機或攪拌研磨機。在本實施方式中，在二甘醇一丁醚中混合了 MgO的納米結(jié)晶粒子，使MgO的納米結(jié)晶粒子成為5% 20%重量的范圍。接下來，通過將混合物分散，制作了納米結(jié)晶粒子分散液。在分散中使用了作為攪拌研磨機的搖擺研磨機(rocking mill)。此外，分散處理在以下條件下進行。研磨容器的容量為lOOmL，顆粒為平均粒徑0. Imm的氧化鋯，研磨容器內(nèi)的顆粒填充率為50%體積，研磨容器的振動速度為500rpm，處理時間為60分鐘。[3-2.凝聚粒子92的詳細說明]如圖3所示，凝聚粒子92是指規(guī)定的一次粒徑的結(jié)晶粒子9 凝聚或頸縮 (necking)的狀態(tài)的粒子。即，并不是具有較大的耦合力地耦合為固體，而是通過靜電或范德瓦爾斯力(van der Waals' force)等，由多個一次粒子構(gòu)成了集合體的體，以通過超聲波等外來刺激，其一部分或全部成為一次粒子的狀態(tài)的程度而耦合。作為凝聚粒子92的粒徑，優(yōu)選為約1 μ m程度，作為結(jié)晶粒子92a，優(yōu)選14面體或12面體等具有存在7個以上的面的多面體形狀的粒子。此外，結(jié)晶粒子9 的一次粒子的粒徑能夠通過結(jié)晶粒子9 的生成條件來控制。 例如，在對碳酸鎂或水氧化鎂等的前體進行燒結(jié)來生成的情況下，能夠通過控制燒結(jié)溫度或燒結(jié)環(huán)境氣體來控制粒徑。一般來說，燒結(jié)溫度可以從700°C到1500°C的范圍內(nèi)選擇。通過使燒結(jié)溫度為比較高的1000°C以上，能夠?qū)⒘娇刂圃?. 3 2μπι程度。并且，通過對前體進行加熱，在生成過程中，多個一次粒子彼此之間凝聚或頸縮從而能夠得到凝聚粒子 92。[3-3.保護層9的形成]首先，制作混合了如下成分的印刷用漿料50%重量的媒介物(vehicle)，其混合了 10%重量的丙烯酸樹脂；45%重量的去除了顆粒的納米結(jié)晶粒子分散液；以及5%重量的凝聚粒子92。接下來，通過絲網(wǎng)印刷術(shù)在電介質(zhì)層8上涂敷印刷用漿料。接著，通過干燥爐在100°C 1200C的溫度范圍內(nèi)進行20分鐘熱處理。之后，通過燒結(jié)爐，在340°C 360°C 的溫度范圍內(nèi)進行60分鐘熱處理。由此，形成了在由納米結(jié)晶粒子構(gòu)成的基底膜91中分散配置了凝聚粒子92，并且，凝聚粒子92從基底膜91突出的保護層9。[3-4.保護層9的評價]如圖4所示，若凝聚粒子92的平均粒徑減小到0. 3 μ m程度，則電子放出性能降低。另一方面，可知若凝聚粒子92的平均粒徑為0. 9 μ m以上，則能夠得到高電子放出性能。并且，用上述方法制作的基底膜91能夠降低雜質(zhì)氣體的吸附量。通過熱脫附氣體分析法，對作為比較例通過真空蒸鍍法而形成的保護層、和作為實施例利用平均粒徑為 IOnm IOOnm的范圍的納米結(jié)晶粒子而形成的保護層9進行了比較評價。結(jié)果，相對于比較例，在實施例中，作為雜質(zhì)氣體的水分、碳酸氣體、CH系氣體全部大幅減少。具體來說，在比較例中，在350°C 400°C下脫附的氣體的量急劇增加。另一方面，在實施例中沒有急劇的增加。作為雜質(zhì)氣體的水分使放電所引起的保護層9的濺射量增加。此外，作為雜質(zhì)氣體的碳酸氣體或CH系氣體使熒光體層15的熒光體的發(fā)光特性大幅降低。因此，實施例能夠?qū)崿F(xiàn)大幅減少了雜質(zhì)氣體的吸附，耐濺射性優(yōu)異，且抑制了發(fā)光性能的劣化的PDPl。并且，若納米結(jié)晶粒子的平均粒徑為IOnm以上IOOnm以下，則能夠抑制保護層9 的可見光透過率的損失。即、PDPl的發(fā)光效率不會降低。另一方面，在平均粒徑不到IOnm 的納米結(jié)晶粒子的情況下，納米結(jié)晶粒子之間的凝聚明顯。因此，即使利用滾動研磨機、顆粒研磨機、超聲波以及FILLMIX等分散裝置，分散也不充分。即、可見光透過率反而降低。此夕卜，若納米結(jié)晶粒子的平均粒徑超過lOOnm，則在納米結(jié)晶粒子內(nèi)產(chǎn)生光的散射，由此可見光透過率降低。此外，本實施方式所涉及的基底膜91優(yōu)選燒結(jié)后的膜厚為0. 5 μ m以上。這是因為電荷保持性能比現(xiàn)有的蒸鍍膜更加提高。另一方面，基底膜91優(yōu)選燒結(jié)后的膜厚為3 μ m 以下。這是因為保護層9的針對可見光的透過率降低。[4.總結(jié)]本實施方式所涉及的保護層9包含在電介質(zhì)層8上形成的作為基底層的基底膜
91、和在基底膜91中分散配置的多個粒子?；啄?1具有平均粒徑為IOnm以上IOOnm以下的MgO的納米結(jié)晶粒子。粒子是多個金屬氧化物的結(jié)晶粒子9 凝聚而成的凝聚粒子
92。凝聚粒子92的平均粒徑是基底膜91的膜厚的2倍以上4倍以下。上述構(gòu)成的保護層9具有高初始電子放出性能以及高電荷保持性能。即、本實施方式所涉及的PDP能夠?qū)崿F(xiàn)消耗功率削減、亮度提高、高精細化等。在本實施方式中，作為構(gòu)成基底膜91的金屬氧化物的納米結(jié)晶粒子，舉例說明了 MgO。但是，除了 MgO之外也可以使用Sr0、Ca0、BaO等金屬氧化物的納米結(jié)晶粒子。并且， 也可以使用多種金屬氧化物的納米結(jié)晶粒子的混合物。此外，在本實施方式中，作為構(gòu)成凝聚粒子92的金屬氧化物的結(jié)晶粒子，舉例說明了 MgO。但是，即使為其他單晶粒子，使用與MgO同樣具有高電子放出性能的Sr、Ca、Ba 等的金屬氧化物的結(jié)晶粒子也能夠得到同樣的效果。因此，作為金屬氧化物的結(jié)晶粒子，不限定于MgO。(第2實施方式)[1. PDPl 的構(gòu)造]本實施方式所涉及的PDPl的電介質(zhì)層8以及保護層9的構(gòu)成與第1實施方式所涉及的PDPl不同。因此，針對電介質(zhì)層8以及保護層9進行詳細說明。在第2實施方式中， 對與第1實施方式相同的構(gòu)成賦予相同的符號，并且，適當省略說明。[2.電介質(zhì)層8的詳細說明]如圖5所示，本實施方式所涉及的電介質(zhì)層8是覆蓋顯示電極6以及黑條7的第 1電介質(zhì)層81、和覆蓋第1電介質(zhì)層81的第2電介質(zhì)層82的至少2層的結(jié)構(gòu)。[2-1.第1電介質(zhì)層81]第1電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料含有20%重量 40%重量的三氧化二鉍(Bi2O3)。 并且，第1電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料含有0.5%重量 12%重量的從氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)以及氧化鋇(BaO)的群中選擇的至少1種。并且，第1電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料含有0. 重量 7%重量的從三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、二氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)、氧化銅(CuO)、三氧化二鉻(Cr2O3)、三氧化二鈷(Co2O3)、二氧化七釩(V2O7)以及三氧化二銻(Sb2O3)的群中選擇的至少1種。此外，作為上述以外的成分，也可以含有0%重量 40%重量的氧化鋅(SiO)、0% 重量 35%重量的三氧化二硼(B2O3)、0%重量 15%重量的二氧化硅(SiO2)、0%重量 10%重量的三氧化二鋁(Al2O3)等、不含有鉛成分的材料組合。并且，這些材料組合的含有量沒有特別限定。由這些組合成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料被濕噴式研磨機(wet jet mill)或球磨機研磨為0.5μπι 2.5μπι的平均粒徑。被研磨后的電介質(zhì)材料是電介質(zhì)材料粉末。接下來，用三輥機(three-rolls)等將55%重量 70%重量的電介質(zhì)材料粉末、和30%重量 45% 重量的粘合劑成分很好地混煉，由此，擠壓式涂布用、或者印刷用的第1電介質(zhì)層用漿料完成。粘合劑成分是乙基纖維素、或者含有重量 20%重量的丙烯酸樹脂的萜品醇、或者二甘醇一丁醚乙酸酯。此外，在漿料中，也可以根據(jù)需要添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯脂、磷酸三丁酯作為增塑劑。此外，也可以添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、H0M0GEN0L(陰離子表面活性劑Kao股份有限公司產(chǎn)品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等作為分散劑。通過添加分散劑，印刷性提高。第1電介質(zhì)層用漿料按照覆蓋顯示電極6的方式，通過擠壓式涂布法或絲網(wǎng)印刷術(shù)而印刷于前面玻璃基板3。印刷后的第1電介質(zhì)層用漿料經(jīng)過干燥工序后被燒結(jié)。燒結(jié)溫度是比電介質(zhì)材料的軟化點稍高的溫度即575°C 590°C。[2-2.第2電介質(zhì)層82]第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料含有11%重量 20%重量的Bi203。并且，第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料含有1. 6%重量 21%重量的從CaO、SrO以及BaO的群中選擇的至少1種。并且，第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料含有0. 重量 7%重量的從臨03、恥3、 氧化鈰(CeO2)、CuO、Cr2O3> Co2O3> V2O7, Sb2O3 以及 MnO2 中選擇的至少 1 種。此外，作為上述以外的成分，也可以含有0%重量 40%重量的Ζη0、0%重量 35%重量的化03、0%重量 15%重量的Si02、0%重量 10%重量的Al2O3等、不含有鉛成分的材料組合。并且，這些材料組合的含有量沒有特別限定。由這些組合成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料被濕噴式研磨機或球磨機研磨為0. 5 μ m 2.5μπι的平均粒徑。被研磨后的電介質(zhì)材料是電介質(zhì)材料粉末。接下來，用三輥機等將 55%重量 70%重量的電介質(zhì)材料粉末、和30%重量 45%重量的粘合劑成分很好地混煉，由此，擠壓式涂布用、或者印刷用的第2電介質(zhì)層用漿料完成。第2電介質(zhì)層用漿料的粘合劑成分與第1電介質(zhì)層用漿料的粘合劑成分相同。第2電介質(zhì)層用漿料通過擠壓式涂布法或絲網(wǎng)印刷術(shù)而印刷于第1電介質(zhì)層81 上。印刷后的第2電介質(zhì)層用漿料經(jīng)過干燥工序后被燒結(jié)。燒結(jié)溫度是比電介質(zhì)材料的軟化點稍高的溫度即550°C 590°C。[2-3.電介質(zhì)層8的膜厚]作為電介質(zhì)層8的膜厚，為了確?？梢姽馔高^率，優(yōu)選第1電介質(zhì)層81和第2電介質(zhì)層82加起來為41 μ m以下。為了抑制與金屬總線電極4b、5b所含有的Ag的反應(yīng)，第 1電介質(zhì)層81中的Bi2O3的含有量，比第2電介質(zhì)層82中的Bi2O3的含有量多。因此，第1電介質(zhì)層81的可見光透過率比第2電介質(zhì)層82的可見光透過率低。因此，第1電介質(zhì)層 81的膜厚優(yōu)選比第2電介質(zhì)層82的膜厚薄。另外，若在第2電介質(zhì)層82中Bi2O3為11 %重量以下，則不容易產(chǎn)生著色。但是， 在第2電介質(zhì)層82中容易產(chǎn)生氣泡。此外，若Bi2O3超過40%重量，則容易產(chǎn)生著色，且透過率降低。因此，Bi2O3優(yōu)選超過11%重量且為40%重量以下。此外，電介質(zhì)層8的膜厚越小則亮度提高的效果和放電電壓降低的效果越顯著。 因此，只要在絕緣耐壓不下降的范圍內(nèi)，優(yōu)選盡量將膜厚設(shè)定得較小。因此，在本實施方式中，電介質(zhì)層8的膜厚為41 μ m以下。并且，第1電介質(zhì)層81的膜厚為5 μ m 15 μ m、第2 電介質(zhì)層82的膜厚為20 μ m 36 μ m。本實施方式中的PDP1，即使將Ag使用于顯示電極6，前面玻璃基板3的著色現(xiàn)象 (變黃)也較少。并且，在電介質(zhì)層8中氣泡的產(chǎn)生等較少，實現(xiàn)了絕緣耐壓性能優(yōu)異的電介質(zhì)層8。[2-4.關(guān)于變黃或氣泡的產(chǎn)生被抑制的理由的考察]通過在含有Bi2O3的電介質(zhì)材料中添加臨03或冊3，在580°C以下容易生成Ag2Mo04、 Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13這些化合物。在本實施方式中，由于電介質(zhì)層8 的燒結(jié)溫度為550°C 590°C，因此在燒結(jié)中在電介質(zhì)層8中擴散的銀離子(Ag+)與電介質(zhì)層8中的MoO3或WO3發(fā)生反應(yīng)，由此生成穩(wěn)定的化合物從而穩(wěn)定化。即、Ag+不被還原而被穩(wěn)定化。通過Ag+的穩(wěn)定化，伴隨Ag的膠態(tài)化的氧的產(chǎn)生也變少。因此，向電介質(zhì)層8中產(chǎn)生的氣泡也變少。為了使上述效果有效，優(yōu)選在含有Bi2O3的電介質(zhì)材料中使從Mo03、W03、Ce02、Cu0、 Cr203>Co203>V207,Sb203以及Mr^2中選擇的至少1種成分的含有量為0. 重量以上。并且， 更優(yōu)選0. 重量以上7%重量以下。特別是，在不到0. 重量時抑制變黃的效果較少。 若超過7%重量則在玻璃上發(fā)生著色因此不優(yōu)選。S卩、本實施方式中的電介質(zhì)層8，在與含有Ag的金屬總線電極仙、恥相接的第1電介質(zhì)層81中抑制變黃現(xiàn)象和氣泡產(chǎn)生。并且，通過在第1電介質(zhì)層81上設(shè)置的第2電介質(zhì)層82而實現(xiàn)了較高的光透過率。其結(jié)果，作為電介質(zhì)層8整體，能夠?qū)崿F(xiàn)氣泡或變黃的產(chǎn)生極少且透過率高的PDPl。[3.保護層9的詳細說明]保護層主要有4個功能。第1個是保護電介質(zhì)層不受放電所產(chǎn)生的離子沖擊的影響。第2個是放出用于產(chǎn)生尋址放電的初始電子。第3個是保持用于產(chǎn)生放電的電荷。第 4個是在維持放電時放出二次電子。通過保護電介質(zhì)層不受離子沖擊的影響，放電電壓的上升得到抑制。通過增加初始電子放出數(shù)，成為圖像閃爍的原因的尋址放電錯誤被降低。通過提高電荷保持性能，施加電壓被降低。通過增加二次電子放出數(shù)，維持放電電壓被降低。 為了使初始電子放出數(shù)增加，進行了例如在保護層的MgO中添加硅(Si)或鋁(Al)等的嘗試ο但是，在通過在MgO中混合雜質(zhì)而改善了初始電子放出性能的情況下，積累在保護層上的電荷隨時間而減少的衰減率變大。因此，為了補充衰減的電荷，需要增大施加電壓等對策。要求保護層同時具有如下兩個相反的特性具有高初始電子放出性能，并且減小電荷的衰減率、即具有高電荷保持性能。
[3-1.保護層9的構(gòu)成]如圖5所示，本實施方式所涉及的保護層9包含作為基底層的基底膜91和凝聚粒子92。基底膜91是含有鍺(Ge)和鈰(Ce)的MgO膜。凝聚粒子92是凝聚了多個MgO的結(jié)晶粒子9 而成的粒子。在本實施方式中，多個凝聚粒子92在基底膜91的整個面上分散配置。另外，凝聚粒子92更優(yōu)選在基底膜91的整個面上均勻地分散配置。這是因為放電電壓的面內(nèi)偏差會變小。[3-2.基底膜91的形成]作為一例，通過EB(Electron Beam)蒸鍍來形成?；啄?1的材料是以單晶的 MgO為主要成分的球團礦(pellet)。首先，對配置于EB蒸鍍裝置的成膜室中的球團礦照射電子束。接受了電子束的能量的球團礦蒸發(fā)。蒸發(fā)后的MgO附著于配置在成膜室內(nèi)的電介質(zhì)層8上。MgO的膜厚通過電子束的強度、成膜室的壓力等，而被調(diào)整為規(guī)定的范圍內(nèi)?；啄?1的膜厚，作為一例，是從500nm到IOOOnm程度。在后面說明的試制品的制造中，使用了在作為主要成分的MgO中含有規(guī)定濃度的雜質(zhì)的球團礦。[3-3.凝聚粒子92的形成]作為一例，通過絲網(wǎng)印刷來形成。在絲網(wǎng)印刷中使用了將凝聚粒子92與有機樹脂成分和稀釋溶劑一起混煉而成的金屬氧化物漿料。具體來說，通過在基底膜91上的整個面上涂敷金屬氧化物漿料，形成了金屬氧化物漿料膜。金屬氧化物漿料膜的膜厚，作為一例， 為5 μ m到20 μ m程度。另外，作為在基底膜91上形成金屬氧化物漿料膜的方法，除了絲網(wǎng)印刷之外，也可以使用噴涂、旋涂、擠壓式涂布、狹縫涂布(slit coating)等。接下來，對金屬氧化物漿料膜進行干燥。通過干燥爐等，以規(guī)定的溫度對金屬氧化物漿料膜進行加熱。溫度范圍，作為一例，為100°c到150°C程度。通過加熱，從金屬氧化物漿料膜中除去了溶劑成分。接下來，對干燥后的金屬氧化物漿料膜進行燒結(jié)。通過燒結(jié)爐等，以規(guī)定的溫度對金屬氧化物漿料膜進行加熱。溫度范圍，作為一例，為400°C到500°C程度。燒結(jié)時的環(huán)境氣體沒有特別限定。例如，可以使用大氣、氧氣、氮氣等。通過加熱，從金屬氧化物漿料膜中除去了樹脂成分。[4.實驗結(jié)果]接下來，對為了確認本實施方式所涉及的保護層9的特性而進行的實驗結(jié)果進行說明。試制了具有不同構(gòu)成的保護層9的PDP。試制品1是具有僅由MgO膜構(gòu)成的保護層的PDP。試制品2是具有由摻雜了 Al、Si等雜質(zhì)的MgO構(gòu)成的保護層的PDP。試制品3是具有由MgO的基底膜、和在基底膜上分散配置的MgO的結(jié)晶粒子的一次粒子構(gòu)成的保護層的PDP。試制品4是具有由在MgO中作為雜質(zhì)摻雜了 200ppm 500ppm的Ce的基底膜、和在基底膜上在整個面均勻地分散配置的凝聚粒子92構(gòu)成的保護層的PDP。試制品5是具有由在MgO中摻雜了 Ge和200ppm 500ppm的Ce的基底膜91、和在基底膜91上在整個面均勻地分散配置的凝聚粒子92構(gòu)成的保護層9的PDP。另外，在試制品3、4、5中，結(jié)晶粒子9 是氧化鎂(MgO)的單晶粒子。
在圖6中，示出了保護層的電子放出性能以及電荷保持性能。電子放出性能是以試制品1的平均值為基準的標準值。可知，試制品5能夠使作為電荷保持性能的評價結(jié)果的 Vscn點亮電壓成為120V以下，而且能夠得到電子放出性能為8以上的良好的特性。因此， 即使在由于高精細化而掃描線數(shù)增加，并且單元尺寸存在減小的傾向的PDPl中，也能夠滿足電子放出能力和電荷保持能力這兩者。并且，由于Vscn點亮電壓為100V以下，因此能夠使用較小的耐壓元件，能夠?qū)崿F(xiàn)低消耗功率化。本實施方式所涉及的保護層9，通過使MgO中含有Ce，在MgO的能帶構(gòu)造(band structure)的比較淺的能量帶(energy zone)上，形成了能量寬度較窄的能帶構(gòu)造。結(jié)果， 在保護層9表面積累電荷，想要作為存儲器功能來使用時的電荷隨著時間而減少的衰減率變大。但是，通過使MgO中在含有Ce的同時還含有Ge，可以認為在MgO的能帶構(gòu)造的比較深的能量帶上，形成了保持電荷的能帶構(gòu)造從而提高了電荷保持性能。在試制品1中，能夠使Vscn點亮電壓成為100V程度。但是，電子放出性能與其他試制品相比明顯較低。在試制品2中，電子放出性能與試制品1相比較高。但是，電荷保持能力較低。即 Vscn點亮電壓與試制品5相比較高。電子放出性能高的理由，可以認為是由于利用在MgO 中摻雜的Al或Si而在MgO的內(nèi)部形成了雜質(zhì)能級，電子從雜質(zhì)能級被放出。但是，雜質(zhì)能級使電子容易在膜表面方向移動。因此，可以認為積累的電荷沿著雜質(zhì)能級散逸從而電荷保持能力變小。試制品3的電子放出性能與試制品1以及試制品2相比較高。但是，電荷保持能力較低。即、Vscn點亮電壓與試制品5相比較高。作為電荷保持能力較低的理由，也可以認為是由于，保持的電荷積累在結(jié)晶粒子 9 上因此引起電場集中，產(chǎn)生向著沒有保持電荷的放電單元的結(jié)晶粒子9 放出的現(xiàn)象。 因此，可以認為，優(yōu)選按照不發(fā)生電場集中的方式，在基底膜91側(cè)使電荷分散。S卩、若在MgO中摻雜Al、Si、Ce，則基底膜91中的電荷的分散變得過大。但是，如試制品5那樣，通過在MgO中摻雜了 Ce的基底膜91中進一步摻雜Ge，能夠使基底膜91中的電荷的分散處于合適的范圍。另外，若基底膜91中的Ge的濃度不到lOOppm，則從提高電荷保持能力的角度來看是不夠的。此外，若基底膜91中的Ge的濃度超過5000ppm，則蒸鍍變得不穩(wěn)定。S卩、球團礦的蒸發(fā)的控制變得困難。另外，若基底膜91中的Ce的濃度不到200ppm，則從提高電荷保持能力的角度來看是不夠的。此外，若基底膜91中的Ce的濃度超過500ppm，則蒸鍍變得不穩(wěn)定。S卩、球團礦的蒸發(fā)的控制變得困難。另外，如圖7所示，若使基底膜91中的Ce的濃度處于200ppm以上500ppm以下的范圍內(nèi)，則能夠使Vscn點亮電壓成為100V以下。此時，基底膜91中的Ge的濃度為2000ppm。[5.凝聚粒子92的作用]通過本發(fā)明者們的實驗，確認了 MgO的凝聚粒子92主要有抑制寫入放電時的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。因此，在實施方式中，利用了凝聚粒子 92與基底膜91相比高初始電子放出特性更優(yōu)異的性質(zhì)。即、凝聚粒子92作為放電脈沖上升時所需要的初始電子提供部而配設(shè)。
如圖8所示，在本實施方式所涉及的試制品5中，能夠使尋址放電開始電壓成為 50V以下?？梢哉J為尋址放電開始電壓的降低是因為通過凝聚粒子92增加了來自保護層9 的電子放出量。另外，圖8中的試制品1到試制品5與圖6中的試制品1到試制品5相同。在本實施方式中，凝聚粒子92，在附著于基底膜91上的情況下，以10%以上20% 以下的范圍的覆蓋率，并且按照在整個面分布的方式而附著。覆蓋率是指，用在1個放電單元的區(qū)域中附著了凝聚粒子92的面積a與1個放電單元的面積b的比率來表示的百分率， 通過覆蓋率(％ ) = a/bX100的式而求出。實際的測定方法是對與被隔壁14劃分出的1 個放電單元相當?shù)膮^(qū)域的圖像進行拍攝。接著，圖像被修剪為xXy的1個單元的大小。接下來，修剪后的圖像被二值化為黑白數(shù)據(jù)。然后，基于被二值化后的數(shù)據(jù)來求出凝聚粒子92 所產(chǎn)生的黑色區(qū)域的面積a。最后，通過a/b X 100來運算。另外，如圖4所示，若平均粒徑減小到0. 3 μ m程度，則電子放出性能變低，若大體為0. 9μπι以上，則能夠得到高電子放出性能。為了增加放電單元內(nèi)的電子放出數(shù)，優(yōu)選保護層9上的每個單位面積的結(jié)晶粒子數(shù)較多。根據(jù)本發(fā)明者們的實驗，若在與和保護層9密切接觸的隔壁14的頂部相當?shù)牟糠执嬖诮Y(jié)晶粒子92a，則存在使隔壁14的頂部破損的情況。在此情況下，已知由于破損的隔壁 14的材料會跑到熒光體上等，從而產(chǎn)生相應(yīng)的單元不再正常地點亮或熄滅的現(xiàn)象。只要結(jié)晶粒子9 不存在于與隔壁頂部對應(yīng)的部分則不容易產(chǎn)生隔壁破損的現(xiàn)象，因此附著的結(jié)晶粒子數(shù)越多，則隔壁14的破損產(chǎn)生概率越高。如圖9所示，若粒徑增大到2. 5 μ m程度，則隔壁破損的概率急劇變高。但是，可知， 若為比2. 5 μ m小的粒徑，則能夠?qū)⒏舯谄茡p的概率抑制得較小?；谝陨辖Y(jié)果，可以認為凝聚粒子92的粒徑優(yōu)選為0. 9 μ m以上2. 5 μ m以下的范圍。另一方面，在對PDP進行批量生產(chǎn)的情況下，需要考慮凝聚粒子92的制造上的偏差、和保護層的制造上的偏差。已知，在考慮了制造上的偏差等因素的基礎(chǔ)上，若使用粒徑處于0.9μπι以上 2. Ομπι以下的范圍內(nèi)的凝聚粒子92，則能夠穩(wěn)定地得到上述效果。[6.總結(jié)]本實施方式所涉及的保護層9包含在電介質(zhì)層8上形成的作為基底層的基底膜 91、和在基底膜91的整個面上分散配置的凝聚了多個金屬氧化物的結(jié)晶粒子9 而成的凝聚粒子92。基底膜91含有MgO、Ce以及Ge?；啄?1中的Ce的濃度為200ppm以上 500ppm以下，并且，Ge的濃度為IOOppm以上5000ppm以下。上述構(gòu)成的保護層9具有高初始電子放出性能以及高電荷保持性能。即、本實施方式所涉及的PDP能夠?qū)崿F(xiàn)消耗功率削減、亮度提高、高精細化等。此外，在本實施方式中，作為構(gòu)成凝聚粒子的金屬氧化物結(jié)晶粒子，使用MgO粒子進行了說明，但即使為其他金屬氧化物結(jié)晶粒子，使用具有與MgO同樣具有高電子放出性能的Sr0、Ca0、Ba203、Al203等金屬氧化物結(jié)晶粒子也能夠得到同樣的效果。因此，粒子種類不限定于MgO。工業(yè)實用性如上所述，本實施方式中公開的技術(shù)在實現(xiàn)具備高畫質(zhì)的顯示性能、并且低消耗功率的PDP方面很有用。
符號說明1 PDP2 前面板3前面玻璃基板4掃描電極4a,5a 透明電極4b、5b金屬總線電極5 維持電極6 顯示電極7 黑條8 電介質(zhì)層9保護層10 背面板11背面玻璃基板12數(shù)據(jù)電極13基底電介質(zhì)層14 隔壁15熒光體層16 放電空間81 第1電介質(zhì)層82第2電介質(zhì)層91 基底膜92凝聚粒子92a 結(jié)晶粒子
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，其具備 前面板；禾口與所述前面板相對配置的背面板，所述前面板具有顯示電極；覆蓋所述顯示電極的電介質(zhì)層；和覆蓋所述電介質(zhì)層的保護層，所述保護層包含在所述電介質(zhì)層上形成的基底層；和在所述基底層的整個面分散配置的凝聚了多個金屬氧化物的結(jié)晶粒子而成的凝聚粒子，所述基底層含有氧化鎂、鈰以及鍺，所述基底層中的鈰的濃度在200ppm以上500ppm以下，并且，鍺的濃度在IOOppm以上5000ppm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中， 所述金屬氧化物為氧化鎂，所述凝聚粒子的平均粒徑在0.911111以上2.(^111以下。
全文摘要
等離子顯示面板(1)具備前面板(2)、和與前面板(2)相對配置的背面板(10)。前面板(2)具有顯示電極(6)、覆蓋顯示電極(6)的電介質(zhì)層(8)、和覆蓋電介質(zhì)層(8)的保護層(9)。保護層(9)包含在電介質(zhì)層(8)上形成的基底層(91)、和在基底層(91)的整個面分散配置的凝聚了多個金屬氧化物的結(jié)晶粒子(92a)而成的凝聚粒子(92)?；讓?91)含有氧化鎂、鈰以及鍺。基底層(91)中的鈰的濃度在200ppm以上500ppm以下，并且，鍺的濃度在100ppm以上5000ppm以下。
文檔編號H01J11/40GK102473569SQ20118000283
公開日2012年5月23日 申請日期2011年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者久富慶之, 后藤貞浩, 坂元光洋, 大江良尚, 小倉健, 木上憲吾, 溝上要 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社