專利名稱：像素結(jié)構(gòu)與場發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，且尤其涉及一種適用于場發(fā)射顯示器的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
顯示器在人們現(xiàn)今生活中的重要性日益增加，除了使用計(jì)算機(jī)或因特網(wǎng)外，電視機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)等，均須通過顯示器控制來傳遞信息。相較于傳統(tǒng)映像管顯示器，新世代的平面顯示器具有重量輕、體積小、及符合人體健康的優(yōu)點(diǎn)。在眾多新興的平面顯示器技術(shù)中，場發(fā)射顯示器(field emission display,FED) 不僅擁有傳統(tǒng)映像管高畫質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)，且相較于液晶顯示器的視角較小、使用溫度范圍過小、 及反應(yīng)速度慢的缺點(diǎn)而言，場發(fā)射顯示器具有高發(fā)光效率、反應(yīng)時(shí)間迅速、良好的協(xié)調(diào)顯示性能、超過IOOftL的高亮度、輕薄構(gòu)造、寬廣視角、工作溫度范圍大、高行動效率等優(yōu)點(diǎn)。此外，場發(fā)射顯示器使用時(shí)不需背光模塊。所以即使在戶外陽光下使用，依然能夠提供優(yōu)異的亮度表現(xiàn)。因此，目前場發(fā)射顯示器已被視為相當(dāng)有機(jī)會與液晶顯示技術(shù)競爭，甚至將其取代的新顯示技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，具有降低的寄生電容以維持良好的電性特性。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一第一基板上，適用于一場發(fā)射顯示器。像素結(jié)構(gòu)包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線以及一絕緣結(jié)構(gòu)層。掃描線具有一掃描主線以及至少一掃描分支。掃描主線沿一第一方線延伸，掃描分支連接掃描主線。數(shù)據(jù)線具有一數(shù)據(jù)主線以及至少一數(shù)據(jù)分支。數(shù)據(jù)主線沿一第二方向延伸，數(shù)據(jù)分支連接數(shù)據(jù)主線。掃描主線與數(shù)據(jù)主線相交重疊而定義出一主線重疊區(qū)，且掃描分支與數(shù)據(jù)分支重疊以定義出至少一顯示發(fā)射區(qū)。絕緣結(jié)構(gòu)層配置于掃描線與數(shù)據(jù)線之間，且在主線重疊區(qū)的數(shù)據(jù)主線與絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第一開孔，且在顯示發(fā)射區(qū)的數(shù)據(jù)分支與絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第二開孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一開孔包括位于數(shù)據(jù)主線中的一主線開孔，以及位于絕緣結(jié)構(gòu)層的第一絕緣開孔，該第二開孔包括位于數(shù)據(jù)分支中的一分支開孔，以及位于絕緣結(jié)構(gòu)層的第二絕緣開孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一絕緣開孔由數(shù)據(jù)線向下延伸的深度小于或等于絕緣結(jié)構(gòu)層的厚度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第一絕緣開孔的輪廓包圍其所連通的主線開孔的輪廓。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一絕緣開孔的孔徑大于主線開孔，該第二絕緣開孔的孔徑大于該分支開孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的絕緣結(jié)構(gòu)層包括至少一層間絕緣層。至少一層間絕緣層的材質(zhì)包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括一阻抗層，配置于絕緣結(jié)構(gòu)層與掃描線之間。阻抗層的材質(zhì)包括硅碳化合物、硅碳氧化合物或其組合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)發(fā)射源位于第二開孔中，且設(shè)置在掃描分支上。另外，像素結(jié)構(gòu)還包括一陽極設(shè)置在一第二基板上，跟發(fā)射源相對設(shè)置，其中掃描分支作為一陰極，數(shù)據(jù)分支作為一柵極?；谏鲜觯瑸榱私档拖袼亟Y(jié)構(gòu)中的寄生電容以使像素結(jié)構(gòu)具有理想的特性，本發(fā)明在數(shù)據(jù)線主線上形成多個(gè)主線開孔，這些主線開孔位于掃描線主線與數(shù)據(jù)線主線重疊的區(qū)域中以減少掃描線與數(shù)據(jù)線之間的重疊面積。另外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)更在掃描線與數(shù)據(jù)線之間的絕緣結(jié)構(gòu)層中設(shè)置連通于主線開孔以進(jìn)一步降低像素結(jié)構(gòu)中可能存在的寄生電容。本發(fā)明的適用于場發(fā)射顯示器的像素結(jié)構(gòu)中，掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容可以顯著地下降而使像素結(jié)構(gòu)具有理想的電性特性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1示出為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線1-1’的剖面示意圖。圖3為圖1的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于場發(fā)射顯示器時(shí)，對應(yīng)圖1的剖線ΙΙ-ΙΓ圖4示出為本發(fā)明一實(shí)施例的制作主線開孔與第一絕緣開孔的流程。圖5為圖1的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于場發(fā)射顯示器時(shí)，對應(yīng)圖1的剖線ΙΙ-ΙΓ主要附圖標(biāo)記說明10 基板20 微粒子30:導(dǎo)電材料層100 像素結(jié)構(gòu)110:掃描線112:掃描主線114:掃描分支120 數(shù)據(jù)線122 數(shù)據(jù)主線122A:主線開孔124 數(shù)據(jù)分支124A 分支開孔130 絕緣結(jié)構(gòu)層132 第一絕緣開孔134 第二絕緣開孔140 發(fā)射源142 第一開孔144 第二開孔
的示意圖< 的示意圖<
150 :阻抗層
152 墊層
160 陽極
170 第二基板
A 主線重疊區(qū)
B 顯示發(fā)射區(qū)
Dl第一方向
D2第二方向
H:深度
Ι-IMI-II'
ΟΙ>02 孔徑
T 厚度
具體實(shí)施例方式圖1示出為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線1-1’的剖面示意圖，而圖3為圖1的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于場發(fā)射顯示器時(shí)，對應(yīng)圖1的剖線11-11’的示意圖。請同時(shí)參照圖1與圖2，像素結(jié)構(gòu)100配置于基板10上并且包括一掃描線110、一數(shù)據(jù)線120、一絕緣結(jié)構(gòu)層130。掃描線110配置于基板10與數(shù)據(jù)線120之間。絕緣結(jié)構(gòu)層130配置于掃描線110 與數(shù)據(jù)線120之間，以使掃描線110與數(shù)據(jù)線120彼此電性絕緣。此外，可以選擇性地增加設(shè)置阻抗層150 (或稱為電阻層；Resistor layer)，配置于絕緣結(jié)構(gòu)層130與掃描線110之間。在本實(shí)施例中，絕緣結(jié)構(gòu)層130雖示出為單層，但在其他實(shí)施例或是實(shí)際的應(yīng)用中，絕緣結(jié)構(gòu)層130可以是單層或是多層的疊層，絕緣結(jié)構(gòu)層130包括至少一層或是多層的層間絕緣層，其材質(zhì)包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。另外，阻抗層150的材質(zhì)包括硅碳化合物、硅碳氧化合物或其組合，其中阻抗層150可以選擇性地配置于像素結(jié)構(gòu)100 中。亦即，在其他的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)100可選擇性地不設(shè)置有阻抗層150。當(dāng)然，阻抗層150的設(shè)置以及絕緣結(jié)構(gòu)層130的層數(shù)可以是實(shí)際設(shè)計(jì)需求而決定，不應(yīng)特別地用以局限本發(fā)明的精神。在本實(shí)施例中，掃描線110具有一掃描主線112以及至少一掃描分支114。掃描主線112沿一第一方線Dl延伸，掃描分支114連接掃描主線112。數(shù)據(jù)線120具有一數(shù)據(jù)主線122以及至少一數(shù)據(jù)分支124。數(shù)據(jù)主線122沿一第二方向D2延伸，數(shù)據(jù)分支IM連接數(shù)據(jù)主線122。掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122相交重疊而定義出一主線重疊區(qū)A，且掃描分支114與數(shù)據(jù)分支IM重疊以定義出至少一顯示發(fā)射區(qū)B，掃描分支114與數(shù)據(jù)分支IM更可以構(gòu)成沿著第二方向D2其他的顯示發(fā)射區(qū)(未示出)。此外，至少一第一開孔142定義在主線重疊區(qū)A的數(shù)據(jù)主線122與絕緣結(jié)構(gòu)層130中，且至少一第二開孔144定義在顯示發(fā)射區(qū)B的數(shù)據(jù)分支IM與絕緣結(jié)構(gòu)層130中。其中，第一開孔142包括位于數(shù)據(jù)主線122 中的一主線開孔122A，以及位于絕緣結(jié)構(gòu)層130中的一第一絕緣開孔132，第二開孔144包括位于數(shù)據(jù)分支124中的一分支開孔124A，以及位于絕緣結(jié)構(gòu)層130中的一第二絕緣開孔 134。
另外，由圖1與圖3可知，第一絕緣開孔132位于主線重疊區(qū)A并連通主線開孔 122A，第二絕緣開孔134位于顯示發(fā)射區(qū)B并連通分支開孔124A。同時(shí)，發(fā)射源140例如是位于第二開孔144的第二絕緣開孔134中，且可設(shè)置在掃描分支114上。具體而言，由圖 3可知，像素結(jié)構(gòu)100應(yīng)用于場發(fā)射顯示器時(shí)，可以還包括一陽極160，其設(shè)置在一第二基板 170上，且陽極160跟發(fā)射源140相對設(shè)置。此時(shí)，掃描分支114例如作為一陰極，而數(shù)據(jù)分支IM例如作為一柵極。此外，如圖5所示，在發(fā)射源140與掃描分支114之間可以選擇性地增設(shè)一墊層152，例如是鉻層，以增進(jìn)發(fā)射源140的發(fā)射效率。若像素結(jié)構(gòu)100中有設(shè)置阻抗層150，墊層152則設(shè)置在發(fā)射源140與阻抗層150之間。此外，在第一基板10與第二基板170之間設(shè)置有間隔物(未示出)，用以支撐第一基板10與第二基板170，此為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，因此不再贅述。由于設(shè)置發(fā)射源140的顯示發(fā)射區(qū)B是位在掃描分支114上，且對應(yīng)數(shù)據(jù)分支 124，當(dāng)顯示發(fā)射區(qū)B中發(fā)生的任何缺陷，例如構(gòu)件之間的不當(dāng)短路或是構(gòu)件之間的不當(dāng)斷路等，可以獨(dú)立地進(jìn)行修補(bǔ)，而不影響掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122。舉例而言，顯示發(fā)射區(qū) B中的構(gòu)件之間發(fā)生不當(dāng)短路時(shí)可以利用激光切割或是其他合適的方法將對應(yīng)的掃描分支 114與數(shù)據(jù)分支IM切斷。此時(shí)，掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122仍為連續(xù)的傳輸線路而不受修補(bǔ)動作影響。相較于以往設(shè)計(jì)將發(fā)射源直接設(shè)置在掃描線與數(shù)據(jù)線相交處的像素結(jié)構(gòu)而言，本實(shí)施例將掃描線110與數(shù)據(jù)線120延伸出掃描分支114與數(shù)據(jù)分支124作為設(shè)置發(fā)射源140的顯示發(fā)射區(qū)B使得像素結(jié)構(gòu)100具有可修補(bǔ)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有助于提升像素結(jié)構(gòu) 100的良率。除此之外，對像素結(jié)構(gòu)100而言，掃描線110與數(shù)據(jù)線120兩者之間所產(chǎn)生的寄生電容越大，則因?yàn)榧纳娙荻a(chǎn)生的不良電性特性，例如RC延遲等，將因應(yīng)而生。其中，掃描線110與數(shù)據(jù)線120之間的寄生電容符合下列公式C = A/d，其中C為寄生電容，ε為掃描線110與數(shù)據(jù)線120之間的介質(zhì)的介電系數(shù)，A為掃描線110與數(shù)據(jù)線120的重疊面積，而d為掃描線110與數(shù)據(jù)線120之間的距離。由上述公式可知，掃描線110與數(shù)據(jù)線120的重疊面積越大，則對于像素結(jié)構(gòu)100 的特性越不利。因此，為了降低掃描線Iio與數(shù)據(jù)線120之間的寄生電容，在本實(shí)施例中， 數(shù)據(jù)主線122具有至少一主線開孔122A，其位于主線重疊區(qū)A中。在數(shù)據(jù)主線122上設(shè)置主線開孔122A有助于減少數(shù)據(jù)主線122與掃描主線112之間的重疊面積，因而可以降低兩者之間的寄生電容。此外，絕緣結(jié)構(gòu)層130具有至少一第一絕緣開孔132。第一絕緣開孔132連通于主線開孔122A，且各第一絕緣開孔I32的孔徑01大于其所連通的主線開孔122A的孔徑02。 同時(shí)，第一絕緣開孔132的輪廓實(shí)質(zhì)上包圍其所連通的主線開孔122A的輪廓。所以，在第一絕緣開孔132的面積范圍內(nèi)，掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122間的介質(zhì)為空氣，而無絕緣結(jié)構(gòu)層130。由于，空氣的介電系數(shù)小于絕緣結(jié)構(gòu)層130的介電系數(shù)，所以根據(jù)上述公式，掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122間的介質(zhì)為空氣時(shí)兩者之間的寄生電容會小于掃描主線112與數(shù)據(jù)主線122間的介質(zhì)為絕緣結(jié)構(gòu)層130時(shí)兩者之間的寄生電容。也就是說，絕緣結(jié)構(gòu)層130 中的第一絕緣開孔132大于主線開孔122A的設(shè)計(jì)有助于進(jìn)一步降低掃描線110與數(shù)據(jù)線 120之間的寄生電容而提升像素結(jié)構(gòu)100的品質(zhì)，特別是改善像素結(jié)構(gòu)100的電性特性。以絕緣結(jié)構(gòu)層130使用氧化硅層為例，氧化硅的介電系數(shù)約為3. 9，空氣的介電系數(shù)約為1. 0，當(dāng)未使用第一開孔142時(shí)，電容值例如是162500pF/y m，制作第一開孔142之后，電容值可降低到102083ρΡ/μπι，約可降低30%的電容值，可以大幅度地降低驅(qū)動所需的電力。具體而言，第一絕緣開孔132由數(shù)據(jù)線120向下延伸的深度H實(shí)質(zhì)上可以小于或等于絕緣結(jié)構(gòu)層130的厚度Τ。舉例而言，絕緣結(jié)構(gòu)層132由N層層間絕緣層所構(gòu)成時(shí)，第一絕緣開孔132的深度H可以是M層層間絕緣層的厚度，其中M小于或等于N。當(dāng)M小于N 時(shí)，則絕緣結(jié)構(gòu)層130中至少有一層層間絕緣層仍覆蓋于掃描線110上方，有助于地避免掃描線110被第一絕緣開孔132暴露出來。此時(shí)，掃描線110不容易與數(shù)據(jù)線120短路在一起。當(dāng)然，本發(fā)明不以此為限，以像素結(jié)構(gòu)100的設(shè)計(jì)而言，絕緣結(jié)構(gòu)層130與掃描線110 之間設(shè)置有阻抗層150。所以，第一絕緣開孔132由數(shù)據(jù)線120向下延伸的深度H等于絕緣結(jié)構(gòu)層130的厚度T時(shí)，掃描線110仍被阻抗層110所覆蓋而不會被第一絕緣開孔132暴露出來，也就不容易與數(shù)據(jù)線120短路在一起。因此，第一絕緣開孔132的深度H可以視整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而決定。詳言之，圖4示出為本發(fā)明一實(shí)施例的制作主線開孔與第一絕緣開孔的流程。請參照圖4，在步驟a中，將多個(gè)微粒子20灑布于基板10上。此時(shí)，基板10上已經(jīng)形成有掃描線110、絕緣結(jié)構(gòu)層130以及阻抗層150，其中絕緣結(jié)構(gòu)層130可以由多層層間絕緣層所構(gòu)成，但本發(fā)明不特別地局限層間絕緣層的數(shù)量。另外，微粒子20可以是納米粒子或是其他微小的粒子。接著，進(jìn)行步驟b，于基板10上沉積導(dǎo)電材料層30，其中導(dǎo)電材料層30局部地沉積于微粒子20上而局部地沉積于絕緣結(jié)構(gòu)層130上。然后，如步驟c所示，以毛刷或是其他合適的工具移除微粒子20。如此一來，導(dǎo)電材料層30可以形成如步驟d所示出的具有多個(gè)主線開孔122A的數(shù)據(jù)主線122。然后，如步驟e所示，以數(shù)據(jù)主線122為掩模進(jìn)行蝕刻工藝以在絕緣結(jié)構(gòu)層130中形成多個(gè)第一絕緣開孔132。在此所采用的蝕刻工藝可以包括先后進(jìn)行的干蝕刻步驟以及濕蝕刻步驟。干蝕刻步驟可以先在深度方向上移除部份的絕緣結(jié)構(gòu)層130，而后續(xù)的濕蝕刻步驟可以在寬度方向上移除部份的絕緣結(jié)構(gòu)層130。在步驟e中，由于第一絕緣開孔132是以數(shù)據(jù)主線122為掩模所蝕刻而成的，第一絕緣開孔132可以連通于主線開孔122A。此外，在上述濕蝕刻步驟完成后，可形成弧形側(cè)壁，如圖2所示。此外，亦可適當(dāng)控制蝕刻條件，使第一絕緣開孔132呈角錐狀，形成斜向側(cè)壁(未圖示)。第一絕緣開孔132的孔徑大于主線開孔122A的孔徑而第一絕緣開孔132的輪廓可以包圍主線開孔122A的輪廓。進(jìn)一步而言，步驟e所采用的蝕刻工藝可以經(jīng)由適當(dāng)?shù)恼{(diào)整以決定第一絕緣開孔13的深度以及側(cè)壁輪廓。值得一提的是，圖4雖表示為第一絕緣開孔132與主線開孔122A的制作流程，但在這樣的制作流程中可以同時(shí)地形成圖3所示出的分支開孔124A與第二絕緣開孔134。也就是說，本實(shí)施例不需以額外的步驟來制作第一絕緣開孔132與主線開孔122A，而不會造成制作時(shí)程的延長或是工藝成本的增加。當(dāng)然，上述制作流程僅是舉例說明之用，并非意圖以上面所描述的步驟來局限本發(fā)明。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中所使用的圖案化工藝都可以應(yīng)用于本發(fā)明而在絕緣結(jié)構(gòu)層130與數(shù)據(jù)線120上形成所需的第一開孔與第二開孔。綜上所述，本發(fā)明將掃描線與數(shù)據(jù)線所延伸出來的分支重疊以構(gòu)成設(shè)置發(fā)射源的顯示發(fā)射區(qū)。如此一來，一旦顯示發(fā)射區(qū)內(nèi)的構(gòu)件發(fā)生缺陷，可以對掃描線與數(shù)據(jù)線所延伸出來的分支進(jìn)行修補(bǔ)而使像素結(jié)構(gòu)具有可修補(bǔ)的特性。另外，在掃描線與數(shù)據(jù)線的主線重疊區(qū)上設(shè)置有多個(gè)位在數(shù)據(jù)線上的開孔，可減少掃描線與數(shù)據(jù)線的主線重疊面積而降低掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。同時(shí)，主線重疊區(qū)中的絕緣結(jié)構(gòu)層可以設(shè)置有絕緣開孔，以進(jìn)一步降低掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。因此，本發(fā)明的適用于場發(fā)射顯示器的像素結(jié)構(gòu)中，掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容可以顯著地下降而使像素結(jié)構(gòu)具有理想的電性特性。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改變與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)視所附的權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一第一基板上，適用于一場發(fā)射顯示器，其包括一掃描線，具有一掃描主線以及至少一掃描分支，該掃描主線沿一第一方線延伸，該掃描分支連接該掃描主線；一數(shù)據(jù)線，具有一數(shù)據(jù)主線以及至少一數(shù)據(jù)分支，該數(shù)據(jù)主線沿一第二方向延伸，該數(shù)據(jù)分支連接該數(shù)據(jù)主線，該掃描主線與該數(shù)據(jù)主線相交重疊而定義出一主線重疊區(qū)，且該掃描分支與該數(shù)據(jù)分支重疊以定義出至少一顯示發(fā)射區(qū)；以及一絕緣結(jié)構(gòu)層，配置于該掃描線與該數(shù)據(jù)線之間，且該主線重疊區(qū)的該數(shù)據(jù)主線與該絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第一開孔，且該顯示發(fā)射區(qū)的該數(shù)據(jù)分支與該絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第二開孔。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一開孔包括位于該數(shù)據(jù)主線中的一主線開孔，以及位于該絕緣結(jié)構(gòu)層的該第一絕緣開孔，該第二開孔包括位于該數(shù)據(jù)分支中的一分支開孔，以及位于該絕緣結(jié)構(gòu)層的該第二絕緣開孔。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣開孔由該數(shù)據(jù)線向下延伸的深度小于或等于該絕緣結(jié)構(gòu)層的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中各該第一絕緣開孔的輪廓包圍其所連通的該主線開孔的輪廓。
5.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣開孔的孔徑大于該主線開孔，該第二絕緣開孔的孔徑大于該分支開孔。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該絕緣結(jié)構(gòu)層包括至少一層間絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該至少一層間絕緣層的材質(zhì)包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一阻抗層，配置于該絕緣結(jié)構(gòu)層與該掃描線之間。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該阻抗層的材質(zhì)包括硅碳化合物、硅碳氧化合物或其組合。
10.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括多個(gè)發(fā)射源位于該第二開孔中，且設(shè)置在該掃描分支上。
11.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一墊層，配置于該發(fā)射源與該掃描線之間。
12.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一第二基板，跟該第一基板相對設(shè)置，該第二基板包括一陽極設(shè)置在該第二基板上，跟所述多個(gè)發(fā)射源相對設(shè)置，其中該掃描分支作為一陰極，該數(shù)據(jù)分支作為一柵極。
13.一種場發(fā)射顯示器，包括一第一基板；多條掃描線，每一掃描線具有一掃描主線以及至少一掃描分支，該掃描主線沿一第一方線延伸，該掃描分支連接該掃描主線；多條數(shù)據(jù)線，每一條數(shù)據(jù)線具有一數(shù)據(jù)主線以及至少一數(shù)據(jù)分支，該數(shù)據(jù)主線沿一第二方向延伸，該數(shù)據(jù)分支連接該數(shù)據(jù)主線，所述多個(gè)掃描主線與所述多個(gè)數(shù)據(jù)主線相交重疊而定義出多個(gè)主線重疊區(qū)，且所述多個(gè)掃描分支與所述多個(gè)數(shù)據(jù)分支重疊以定義出多個(gè)顯示發(fā)射區(qū)；一絕緣結(jié)構(gòu)層，配置于所述多個(gè)掃描線與所述多個(gè)數(shù)據(jù)線之間，且每一該主線重疊區(qū)的該數(shù)據(jù)主線與該絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第一開孔，且每一該顯示發(fā)射區(qū)的該數(shù)據(jù)分支與該絕緣結(jié)構(gòu)層具有至少一第二開孔；以及多個(gè)發(fā)射源，分別位于該第二開孔中。
14.如權(quán)利要求13所述的場發(fā)射顯示器，還包括一第二基板，跟該第一基板相對設(shè)置， 該第二基板包括一陽極設(shè)置在該第二基板上，跟所述多個(gè)發(fā)射源相對設(shè)置，其中該掃描分支作為一陰極，該數(shù)據(jù)分支作為一柵極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一第一基板上，適用于一場發(fā)射顯示器，并包括掃描線、數(shù)據(jù)線以及絕緣結(jié)構(gòu)層。掃描線具有沿第一方線延伸的掃描主線以及連接掃描主線的掃描分支。數(shù)據(jù)線具有沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)主線以及連接數(shù)據(jù)主線的數(shù)據(jù)分支。掃描主線與數(shù)據(jù)主線相交重疊而定義出主線重疊區(qū)，且掃描分支與數(shù)據(jù)分支重疊以定義出顯示發(fā)射區(qū)。絕緣結(jié)構(gòu)層配置于掃描線與數(shù)據(jù)線之間，且在主線重疊區(qū)的數(shù)據(jù)主線與絕緣結(jié)構(gòu)層于具有至少一第一開孔，且在顯示發(fā)射區(qū)的數(shù)據(jù)分支與絕緣結(jié)構(gòu)層于具有至少一第二開孔。本發(fā)明的適用于場發(fā)射顯示器的像素結(jié)構(gòu)中，掃描線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容可以顯著地下降而使像素結(jié)構(gòu)具有理想的電性特性。
文檔編號H01J31/12GK102436996SQ20111039658
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者劉志偉, 王倉鴻, 陳盈穎 申請人:友達(dá)光電股份有限公司