專利名稱：離子注入監(jiān)測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體離子注入工藝，具體地，涉及對(duì)襯底離子注入摻雜劑量的監(jiān)控。
背景技術(shù)：
制造金屬化物半導(dǎo)體(MOS)器件的方法發(fā)展的已經(jīng)很成熟。制作工藝中，會(huì)以P型或N型雜質(zhì)摻雜硅襯底。在離子注入工藝中，監(jiān)視離子注入從而確保正確數(shù)量的離子數(shù)量被注入到硅襯底中，非常重要。對(duì)離子注入的監(jiān)控，常規(guī)的技術(shù)是以退火的方式對(duì)監(jiān)測(cè)晶圓進(jìn)行測(cè)量，通過(guò)測(cè)量退火后晶圓的電阻來(lái)達(dá)成。但在某些情況下，快速熱退火無(wú)法確定注入情況，例如在注入中斷作業(yè)記錄無(wú)法確定的情況下。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種離子注入監(jiān)測(cè)方法，以有效解決上述問(wèn)題。本發(fā)明所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，其包括以熱波測(cè)量晶圓表面從而獲得熱波值；以及根據(jù)預(yù)先確定的熱波值與晶圓退火后電阻的關(guān)系，確定晶圓的電阻從而監(jiān)測(cè)晶圓的離子注入。本發(fā)明所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，優(yōu)選地，所述預(yù)先確定的熱波值與晶圓退火后電阻的關(guān)系是通過(guò)對(duì)晶圓進(jìn)行退火處理并獲得同一注入條件下對(duì)應(yīng)多個(gè)偏差的多個(gè)電阻值；對(duì)該晶圓進(jìn)行熱波處理，以獲得所述同一注入條件下的對(duì)應(yīng)所述多個(gè)偏差的熱波值；以及獲得所述熱波值與所述電阻值之間的關(guān)系。本發(fā)明所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，優(yōu)選地，所述熱波值與所述電阻值之間呈線性關(guān)系。優(yōu)選地，所述晶圓為監(jiān)測(cè)晶圓。本發(fā)明所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，由于已獲知電阻與熱波值關(guān)系，從而可以通過(guò)熱波處理晶圓，從而通過(guò)熱波值直接獲得晶圓電阻，進(jìn)而獲知離子注入情況，使得退火處理可以避免，改進(jìn)了注入生產(chǎn)線的監(jiān)控機(jī)制，節(jié)約了測(cè)試時(shí)間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法的流程示意圖；以及圖2是根據(jù)表I所得出的熱波值與電阻值的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解到，以下只是結(jié)合具體的實(shí)施方式來(lái)對(duì)本發(fā)明的主旨進(jìn)行說(shuō)明，并不就此限定本發(fā)明的實(shí)施。本發(fā)明所主張的范圍由所附的權(quán)利要求確定，任何不脫離本發(fā)明精神的修改、變更都應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。圖1是本發(fā)明所述方法的流程示意。如圖所示，在工藝步驟100，對(duì)若干監(jiān)測(cè)晶圓進(jìn)行退火處理，并獲得相同注入條件下，對(duì)應(yīng)多個(gè)偏差的多個(gè)電阻值。術(shù)語(yǔ)“相同注入條件”指的是對(duì)離子注入的控制條件相同，比如注入劑量、能量、和注入角度等參數(shù)相同；術(shù)語(yǔ)“偏差”指的是退火溫度不一致對(duì)退火所做的溫度拉偏。對(duì)上述若干監(jiān)測(cè)晶圓，在退火之后，對(duì)其進(jìn)行熱波處理，以獲得分別對(duì)應(yīng)步驟100中的多個(gè)偏差處的各熱波值，如步驟102所示。在步驟104，由步驟100和步驟102中所測(cè)量的結(jié)果獲得電阻值與熱波值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。表I給出了監(jiān)測(cè)晶圓在同樣的注入條件下，三個(gè)不同偏差處的三個(gè)電阻值，以及相應(yīng)的三個(gè)熱波值。具體而言:在P-QC的注入條件下，在740RT20的偏差處，退火后電阻為830.2歐姆，而離子注入的均勻性為0.927，熱波值這為322.0085，均勻性為1.74 ;在P-QC的注入條件下，在750RT20的偏差處，退火后電阻為816.7歐姆，而離子注入的均勻性為1.09，熱波值這為320.8411，均勻性為1.68 ;在P-QC的注入條件下，在760RT20的偏差處，退火后電阻為800.3歐姆，而離子注入的均勻性為1.11，熱波值這為319.4681，均勻性為1.72。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知道的，P-QC代表離子注入設(shè)備的日常品質(zhì)控制菜單；而740RT20中740代表溫度為740，20表示的是退火時(shí)間，750RT20和760RT20部分中各數(shù)據(jù)的含義是類似的。表I
權(quán)利要求
1.一種離子注入監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括: 以熱波測(cè)量晶圓表面從而獲得熱波值；以及 根據(jù)預(yù)先確定的熱波值與晶圓退火后電阻的關(guān)系，確定晶圓的電阻從而監(jiān)測(cè)晶圓的離子注入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述預(yù)先確定的熱波值與晶圓退火后電阻的關(guān)系是通過(guò)以下步驟確定的: 對(duì)晶圓進(jìn)行退火處理并獲得同一注入條件下對(duì)應(yīng)多個(gè)偏差的多個(gè)電阻值； 對(duì)該晶圓進(jìn)行熱波處理，以獲得所述同一注入條件下的對(duì)應(yīng)所述多個(gè)偏差的熱波值； 獲得所述熱波值與所述電阻值之間的關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述熱波值與所述電阻值之間呈線性關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述晶圓為監(jiān)測(cè)晶圓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種離子注入監(jiān)測(cè)方法，該方法包括以熱波測(cè)量晶圓表面從而獲得熱波值；以及根據(jù)預(yù)先確定的熱波值與晶圓退火后電阻的關(guān)系，確定晶圓的電阻從而監(jiān)測(cè)晶圓的離子注入。根據(jù)本發(fā)明所述方法，可以節(jié)約監(jiān)測(cè)時(shí)間。
文檔編號(hào)H01J37/244GK103094143SQ20111034732
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者蘇小鵬, 龔榜華, 郭楠 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司