專利名稱：磁控管以及使用微波的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控管以及使用微波的設(shè)備，尤其涉及在微波爐等使用微波的設(shè)備中使用的磁控管。
背景技術(shù)：
如圖6所示，在專利文獻I中所公開的以往的磁控管100中，在兩端設(shè)置有永磁鐵101的陽極筒體102上以規(guī)定間隔安裝有散熱板104，從該散熱板104延伸出來的冷卻片105在冷卻空氣的流通路徑的幾乎整個區(qū)域R (圖6中的虛線框)中配置，提高了冷卻片105的散熱效率。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開昭61-32331號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題但是，在使用相同形狀的多個片來構(gòu)成冷卻片的情況下，為了降低磁控管的溫度，如果只是單純地增加構(gòu)成冷卻片的片的數(shù)量，則構(gòu)成冷卻片的多個片之間的間隙就會變窄。特別是在專利文獻I的磁控管100中，如果在冷卻空氣通過的區(qū)域R中滿滿地配置冷卻片105，則磁軛103內(nèi)的間隙S減少，空氣阻力增加。因此，通過片105之間的冷卻空氣的量減少，冷卻片105的散熱效率變差(參照專利文獻I的圖I)。本發(fā)明的目的在于提供一種磁控管以及使用微波的設(shè)備，其中，該磁控管在從磁控管的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察冷卻片的情況下，形成冷卻片稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域，從而提高磁控管的冷卻效率。用于解決問題的手段本發(fā)明提供一種磁控管，該磁控管具備至少在兩端具有永磁鐵的陽極筒體；以及配置于所述陽極筒體的周圍，沿著該陽極筒體的中心軸排列的多個冷卻片，由對所述冷卻片的一部分進行切割，并且對該切割部分進行彼此不同的折彎加工而得到的至少2組片來分別形成所述多個冷卻片，以使得從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，形成所述冷卻片密集的區(qū)域和所述冷卻片稀疏的區(qū)域，并且所述至少2組片的折彎角度被形成為，在所述冷卻片密集的區(qū)域中，冷卻片的間隔為冷卻片的配置間隔的1/2以下。在上述磁控管中，從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，在所述冷卻片稀疏的區(qū)域中，構(gòu)成所述至少2組片中的一組的所述片與構(gòu)成其它組的所述片的一部分配置在同一面上。在上述磁控管中，從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，在所述冷卻片密集的區(qū)域中，構(gòu)成所述至少2組片中的一組的所述片的所述折彎加工的方向與構(gòu)成其它組的所述片的折彎加工的方向彼此不同。此外，本發(fā)明提供具備上述磁控管的使用微波的設(shè)備。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的磁控管以及使用微波的設(shè)備，形成在從磁控管的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察冷卻片的情況下的冷卻片稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域，從而能夠提高磁控管的冷卻效率。


圖I是本發(fā)明的實施方式磁控管I的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖2 (a)是折彎加工后的冷卻片10的立體圖，圖2 (b)是折彎加工前的冷卻片10的平面圖。圖3是磁控管I的主要部分放大圖。圖4是用于說明冷卻片10的配置間隔的圖。圖5是示意性地示出在冷卻片10之間流動的冷卻介質(zhì)的流動的圖。圖6是以往的磁控管100的整體結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式下面參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。參照圖1，對本發(fā)明的實施方式的磁控管I的結(jié)構(gòu)進行說明。圖I是本發(fā)明的實施方式的磁控管I的整體結(jié)構(gòu)圖。本實施方式的磁控管I具有陽極筒體2，其在長軸方向的兩端具有永磁鐵4 ;多個冷卻片10，其沿著陽極筒體2的長度方向大致等間隔地配置在陽極筒體2的周圍；以及磁軛3，在其內(nèi)部具備多個永磁鐵4、陽極筒體2以及多個冷卻片10。冷卻片10具有對在工作時變?yōu)楦邷氐拇趴毓躀進行冷卻的功能。另外，本發(fā)明的實施方式的磁控管I能夠用于微波爐等使用微波的設(shè)備。接著，參照圖2 (a)、圖2 (b)來說明冷卻片10的結(jié)構(gòu)。圖2 (a)是I片冷卻片10的立體圖(折彎加工后)。圖2 (b)是I片冷卻片10的平面圖(折彎加工前)。另外，在本實施方式的磁控管I中，沿著陽極筒體2的長度方向等間隔地配置有6片冷卻片10。在圖2 (a)中示出的冷卻片10是鋁制的薄板，所述冷卻片10由以下部分構(gòu)成主體部10c，在其內(nèi)部設(shè)置的孔IOd中插入陽極筒體2 ;圓筒部10e，其沿著主體部IOc的孔IOd設(shè)置；以及多個片10a、10b，其通過在主體部IOc的一部分切割而形成。多個片10a、IOb是主體部IOc的一部分，從冷卻片10的一對邊開始，互相平行地切割規(guī)定距離的長度，對被切割的部分的多個部位進行折彎加工，如圖2 (a)所示，形成一片冷卻片10。在本實施方式的磁控管I中，形成于I片冷卻片10的多個片10a、10b是通過彼此不同的折彎加工而折彎加工的。因此，從本實施方式的磁控管I的整體而言，6片冷卻片10各自由實施了彼此不同的折彎加工的2組片構(gòu)成。參照圖2 (a)、圖2 (b)對多個片10a、IOb的各自的折彎加工進行說明。圖2 (b)是折彎加工前的I片冷卻片10的平面圖。沿著圖2 (b)的切割線Cl，從冷卻片10的一條邊開始進行切割加工，分成4個具有寬度Wa的片IOa和2個具有寬度Wb的片10b。此處，多個片10a、10b的寬度Wa、Wb是任意的。然后，沿著折彎線L1、L2、L3對屬于一個組的4個片IOa和屬于另一個組的2個片IOb分別進行不同的折彎加工。此處，本實施方式的磁控管I的一個特征為通過適當?shù)卦O(shè)定沿著折彎線LI對多個片10a、10b進行折彎的方向(斜上方或者斜下方)以及角度(a al、abl),由此在將冷卻片10安裝在陽極筒體2上并從磁控管I的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的流動方向上觀察冷卻片10時，分成多個片10a、10b密集的區(qū)域和多個片10a、10b稀疏的區(qū)域(參照圖3)。
沿著折彎線LI，朝向斜上方(圖2 (b)中的從紙面里側(cè)向朝向近身處的方向)，以規(guī)定的角度a al對屬于一個組的4個片IOa進行折彎加工。然后，沿著折彎線L2，對片IOa的從折彎線L2到折彎線L3的部分，朝向斜下方(圖2 (b)中的從紙面近身處朝向里側(cè)的方向)以規(guī)定的角度a a2進行折彎加工。以在從磁控管I的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的流動方向上觀察冷卻片10時，片IOa的從折彎線L2到折彎線L3的部分與片IOb的從折彎線L2到折彎線L3的部分互相重疊(參照圖3的區(qū)域Rl)的方式來設(shè)定規(guī)定的角度aa20然后，沿著折彎線L3，進一步朝向斜下方(圖2 (b)中的從紙面近身處朝向里側(cè)的方向)，以規(guī)定的角度a a3進行折彎加工。此外，沿著折彎線LI，朝向斜下方(圖2 (b)中的從紙面近身處朝向里側(cè)的方向)以規(guī)定的角度a bl對屬于另一組的2個片IOb進行折彎加工。然后，沿著折彎線L2，對片IOb的從折彎線L2到折彎線L3的部分朝向斜上方(圖2 (b)中的從紙面里側(cè)向朝向近身處的方向)以規(guī)定的角度a b2進行折彎加工。以片IOa的從折彎線L2到折彎線L3的部分與片IOb的從折彎線L2到折彎線L3的部分互相重疊(參照圖3的區(qū)域Rl)的方式來設(shè)定規(guī)定的角度ab2。然后，沿著折彎線L3，朝向斜上方(圖2 (b)，從紙面里側(cè)向朝向近身處的方向)，以沿著磁軛3的方式，以規(guī)定的角度a b3進行折彎加工。然后，使用上述的方法準備6片進行了折彎加工的冷卻片10，以在孔IOd中插入陽極筒體2的方式，將冷卻片10安裝在陽極筒體2上。此時，如圖I所示，沿著折彎線L3以規(guī)定的角度折彎加工的6片冷卻片10的端部以抵接在磁軛3內(nèi)的狀態(tài)被固定。接著，參照圖3，針對當將冷卻片10安裝在陽極筒體2上時，從磁控管I的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的流動方向上觀察冷卻片10時看到的多個片10a、10b的樣子進行說明。圖3是磁控管I的主要部分放大圖。另外，在圖3中，為了說明方便，針對圖I的左半部分的冷卻片10進行說明。此外，在圖3中，片IOa在縱深方向上重疊，省略因重疊而不可見的片IOa的圖示。此外，在圖中假定冷卻介質(zhì)的流動是從紙面近身處朝向里側(cè)的方向。此外，為了說明方便，在圖3中，為了彼此區(qū)別6片冷卻片10的各片10a、10b，對片IOa從上方開始依次設(shè)定為片10a-l、-U0a-6o對IOb也同樣在圖3中從上方開始依次設(shè)定為片 10b-l、...、10b-6。如圖3所示，當從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10時，朝向斜上方以規(guī)定的角度a al對構(gòu)成組Ga的片10a-l、…、10a_6進行了折彎加工的部分，與朝向斜下方以規(guī)定的角度Qbl對構(gòu)成組Gb的片10b-l、…、10b-6進行了折彎加工的部分，密集于圖3示出的區(qū)域R2中。此處，參照圖4對圖3中示出的冷卻片10的折彎加工的角度進行說明。圖4是用于說明冷卻片10的配置間隔的圖。在圖4中，為了說明方便，只示出在圖3中示出的片10a-l、10a-2、10b-l、10b-2。
如圖4所示，在本實施方式的磁控管I中，將沿著折彎線LI將多個片10a、10b折彎的折彎角度a al、Cibl設(shè)定為例如114°。此外，在本實施方式的磁控管I中，將沿著陽極筒體2的長度方向配置的互相鄰接的冷卻片10彼此的間隔Pl設(shè)定為3mm，并且，在沿著陽極筒體2的長度方向互相鄰接的冷卻片10中，將一方的冷卻片的片IOa-I與另一方的冷卻片10的片10a-2之間的間隔Pa2設(shè)定為間隔Pl的一半、即I. 5mm。同樣地，將片IOb-I與片10b-2的間隔Pb2設(shè)定為間隔Pl的一半、即I. 5mm。因此，如圖3所示，能夠在區(qū)域R2中形成多個片10a、10b密集的區(qū)域。此處，在本實施方式的磁控管I中，將折彎角度a al、abl設(shè)定為114°，但并不僅限于此。只要將折彎角度a al、a bl設(shè)定在101°至127°的范圍內(nèi)，如圖3所示，在區(qū)域R2中就能夠形成多個片10a、IOb密集的區(qū)域。并且，在本實施方式的磁控管I中，將沿著陽極筒體2的長度方向互相鄰接的片的間隔Pa2、Pb2 (參照圖4)設(shè)定為I. 5mm，但不僅限于此。只要將間隔Pa2、Pb2設(shè)定為間隔Pl的一半以下，如圖3所示，在區(qū)域R2中就能夠形成多個片10a、10b密集的區(qū)域。
此外，在從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10的情況下，構(gòu)成組Ga的片10a-l、…、10a-6的被朝向斜上方以規(guī)定的角度a &進行了折彎加工的部分與構(gòu)成組Gb的片10b-l、-U0b-6的被朝向斜下方以規(guī)定的角度ab2進行了折彎加工的部分，在圖3示出的區(qū)域Rl中，不是密集而是稀疏。此外，在圖3示出的區(qū)域Rl中，構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的間隔較大，在從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10的情況下，構(gòu)成組Ga的片中的10a-4、10a-5、10a_6與構(gòu)成組Gb的片中的10b-l、10b-2、10b-3大致配置在同一面上。因此，在圖3示出的區(qū)域Rl中，構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的間隙較大的部分的有效面積增加，能夠減少與位于永磁鐵4周圍的空間部的通氣阻力差。因此，通過冷卻片10之間的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的量增加，提高了磁控管I的冷卻效率。此外，與圖3示出的區(qū)域Rl相同，在作為陽極筒體2的附近的區(qū)域且沒有進行折彎加工的區(qū)域R3中，構(gòu)成組Ga的片10a-l、…、10a-6以及構(gòu)成組Gb的片10b_l、…、10b_6不是密集而是稀疏。因此，在本實施方式的磁控管I中，使用多個具有相同形狀的冷卻片10，只對各冷卻片10進行切割加工以及折彎加工，就能夠廉價并且容易地形成在從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10的情況下，多個片10a、10b稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域。接著，參照圖5，對在本實施方式的磁控管I中通過冷卻片10之間的間隙的冷卻介質(zhì)(空氣)的流動進行說明。圖5是示意性地示出了通過冷卻片10之間的間隙的冷卻介質(zhì)(空氣)的流動(圖中箭頭)的圖。如圖5所示，從冷卻介質(zhì)(空氣)看來,構(gòu)成組Ga的片IOa-U…、10a-6以及構(gòu)成組Gb的片IOb-U…、10b_6密集的區(qū)域R2 (圖5中，網(wǎng)線部分)可以視為阻礙冷卻介質(zhì)(空氣)流動的屏障。因此，通過區(qū)域R3的冷卻介質(zhì)(空氣)與可以被視為屏障的區(qū)域R2碰撞，然后，向陽極筒體2的后方流動。因此，在本實施方式的磁控管I中，能夠形成在從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10的情況下，多個片10a、IOb稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域，在整體上，能夠抑制通過多個片10a、IOb之間的冷卻介質(zhì)的量的減少，提高磁控管I的冷卻效率。并且，在本實施方式的磁控管I中，由于可以被視為屏障的區(qū)域R2，能夠防止通過區(qū)域R3的冷卻介質(zhì)從陽極筒體2散出的擴散現(xiàn)象。因此，能夠進一步提高磁控管I的冷卻效率。如上所述，在本實施方式的磁控管I中，只對構(gòu)成具有相同形狀的冷卻片10的多個片10a、10b在至少兩處進行適當?shù)恼蹚澕庸?，就可以形成在從磁控管I的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察安裝在陽極筒體2上的冷卻片10的情況下，在圖3示出的區(qū)域R2中多個片10a、IOb密集，而在圖3示出的區(qū)域Rl和區(qū)域R3中稀疏。因此，通過設(shè)置構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的各片之間的間隙極小的部分(圖3中，區(qū)域R2)，來確保構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的各片之間的間隙較大的部分(圖3中，區(qū)域Rl和區(qū)域R3)，由此構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的間隙較大的部分的有效面積增加，能夠減小與處于永磁鐵4周圍的空間部的通氣阻力差。因此，能夠抑制通過冷卻片10之間的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的量的減少，提高磁控管I的冷卻效率。此外，在本實施方式的磁控管I中，關(guān)于在冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣 )的流動方向上觀察磁控管I而看到的構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、10b的間隔較大的部分(圖3中，區(qū)域R1)，設(shè)置在圖3中示出的區(qū)域R2中向上方折彎的群(組Ga)與在圖3中示出的區(qū)域R2中向下方折彎群(組Gb)幾乎在同一面上的片，由此構(gòu)成冷卻片10的多個片10a、IOb的間隙較大的部分的有效面積增加，能夠減少與處于永磁鐵4周圍的空間部的通氣阻力差。因此，能夠抑制通過冷卻片10之間的冷卻介質(zhì)(在本實施方式中為空氣)的量的減少，提高磁控管I的冷卻效率。此外，在本實施方式的磁控管I中，通過區(qū)域R3的冷卻介質(zhì)(空氣)與可以被視為屏障的區(qū)域R2碰撞，然后，向陽極筒體2的后方流動。因此，能夠進一步提高磁控管I的冷卻效率。另外，在本實施方式的磁控管I中，以冷卻片10為鋁制的薄板進行了說明，但并不僅限于此。以上已經(jīng)說明了本發(fā)明的各種實施方式，但本發(fā)明不限于上述實施方式中示出的事項，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)說明書的記載以及公知技術(shù)對本發(fā)明進行的變更和應(yīng)用也是本發(fā)明的預(yù)定內(nèi)容，并且這些變更和應(yīng)用包含在所要求保護的范圍內(nèi)。本申請基于2009年11月30日提出申請的日本專利申請(日本特愿2009-272337)，并以引證的方式將其內(nèi)容援引于此。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的磁控管以及使用微波的設(shè)備具有如下效果能夠形成在從磁控管的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察冷卻片的情況下的冷卻片稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域，從而提高磁控管的冷卻效率，因此作為微波爐等設(shè)備是有用的。標號說明I :磁控管2:陽極筒體3 :磁軛4 :永磁鐵10 :冷卻片005510a 10b多少片
權(quán)利要求
1.一種磁控管，該磁控管具備至少在兩端具有永磁鐵的陽極筒體；以及配置于所述陽極筒體的周圍，沿著該陽極筒體的中心軸排列的多個冷卻片， 所述磁控管的特征在干， 由對所述冷卻片的一部分進行切割，并且對該切割部分進行彼此不同的折彎加工而得到的至少2組片來分別形成所述多個冷卻片，以使得從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察，形成所述冷卻片密集的區(qū)域和所述冷卻片稀疏的區(qū)域，并且所述至少2組片的折彎角度被形成為，在所述冷卻片密集的區(qū)域中，冷卻片的間隔為冷卻片的配置間隔的1/2以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控管，其特征在干， 從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，在所述冷卻片稀疏的區(qū)域中，構(gòu)成所述至少2組片中的一組的所述片與構(gòu)成其它組的所述片的一部分配置在同一面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管，其特征在干， 從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，在所述冷卻片密集的區(qū)域中，構(gòu)成所述至少2組片中的一組的所述片的所述折彎加工的方向與構(gòu)成其它組的所述片的折彎加工的方向彼此不同。
4.ー種使用微波的設(shè)備，該設(shè)備具備權(quán)利要求I至3中任意一項所述的磁控管。
全文摘要
形成在從磁控管的冷卻介質(zhì)的流動方向上觀察冷卻片的情況下的冷卻片稀疏的區(qū)域和密集的區(qū)域，提高了磁控管的冷卻效率。本發(fā)明的磁控管具備至少在兩端具有永磁鐵的陽極筒體；以及配置于所述陽極筒體的周圍，沿著該陽極筒體的中心軸排列的多個冷卻片，由對所述冷卻片的一部分進行切割，并且對該切割部分進行彼此不同的折彎加工而得到的至少2組片來分別形成所述多個冷卻片，以使得從借助所述多個冷卻片冷卻所述陽極筒體的冷卻介質(zhì)的流動方向觀察，形成所述冷卻片密集的區(qū)域和所述冷卻片稀疏的區(qū)域，并且所述至少2組片的折彎角度被形成為，在所述冷卻片密集的區(qū)域中，冷卻片的間隔為冷卻片的配置間隔的1/2以下。
文檔編號H01J23/00GK102630331SQ20108005375
公開日2012年8月8日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者桑原渚, 阿久津和康 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社