專(zhuān)利名稱(chēng)：帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)、調(diào)節(jié)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于ー種用于使用多個(gè)子射束將圖案轉(zhuǎn)印至目標(biāo)的表面上的帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)。本發(fā)明進(jìn)一步關(guān)于ー種用于帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)中的調(diào)節(jié)裝置，且關(guān)于一種制造此調(diào)節(jié)裝置的方法。
背景技術(shù)：
舉例而言，自美國(guó)專(zhuān)利第6，958，804號(hào)已知帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)。該專(zhuān)利中所說(shuō)明的系統(tǒng)優(yōu)選地使用多個(gè)電子子射束以將圖案轉(zhuǎn)印至目標(biāo)表面。根據(jù)圖案數(shù)據(jù)通過(guò)靜電偏轉(zhuǎn)而在調(diào)節(jié)裝置中調(diào)節(jié)通過(guò)輻射源產(chǎn)生的電子子射束。接著將已調(diào)節(jié)的子射束轉(zhuǎn)移至目標(biāo)表面。為了實(shí)現(xiàn)圖案至目標(biāo)表面的高速轉(zhuǎn)印，至少部分地通過(guò)使用已調(diào)節(jié)的光束的光學(xué)傳輸來(lái)轉(zhuǎn)移用于控制靜電偏轉(zhuǎn)的圖案數(shù)據(jù)。自日本應(yīng)用物理第32卷(1993年)第I部分第12B號(hào)的第6012頁(yè)至第6017頁(yè) 已知另ー帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)的調(diào)節(jié)裝置包括被配置成用于1024個(gè)子射束的獨(dú)立偏轉(zhuǎn)的陣列。出于此目的，調(diào)節(jié)裝置包括具有1024個(gè)孔的基板，所述孔均呈25微米X25微米大小的正方形的形式?？椎拈g距為至少55微米。在孔的邊緣處提供電極以用于橫越孔產(chǎn)生電場(chǎng)來(lái)偏轉(zhuǎn)通過(guò)的帶電粒子子射束。將圖案數(shù)據(jù)經(jīng)由導(dǎo)線而轉(zhuǎn)移至電極。在歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)案I 453 076中，已認(rèn)識(shí)到，使用如上述文章中所述的多個(gè)電子射束會(huì)產(chǎn)生關(guān)于形成適合布線結(jié)構(gòu)的困難，該多個(gè)電子射束包含呈陣列形式的多個(gè)獨(dú)立控制熄滅電極(blanking electrode)。為了實(shí)現(xiàn)在有限空間內(nèi)經(jīng)由布線而使用更多互連，歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)案I 453 076建議形成布線基板及電極基板，該布線基板具有ー多層布線結(jié)構(gòu)，且該電極基板具有多個(gè)通孔及ー在每一通孔的相對(duì)側(cè)壁上的電極對(duì)以控制通過(guò)該通孔的帶電粒子束的軌跡。接著將布線基板與電極基板結(jié)合，使得將布線基板的連接布線襯墊連接至電極基板的電極對(duì)。分離基板及后續(xù)結(jié)合的建構(gòu)耗時(shí)且代價(jià)高的。此外，兩個(gè)基板相對(duì)于彼此的對(duì)準(zhǔn)是麻煩的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)，其允許將分離射束控制在ー小于55微米的間距內(nèi)，同時(shí)達(dá)成良好可靠性。出于此目的，本發(fā)明提供一種用于使用多個(gè)子射束將圖案轉(zhuǎn)印至目標(biāo)的表面上的帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括射束產(chǎn)生器，其用于產(chǎn)生多個(gè)子射束；調(diào)節(jié)裝置，其用于根據(jù)圖案數(shù)據(jù)來(lái)圖案化該多個(gè)子射束；及投影系統(tǒng)，其用于將該經(jīng)圖案化的射束投影至所述目標(biāo)表面上；其中所述調(diào)節(jié)裝置包括包含互連結(jié)構(gòu)的本體，該互連結(jié)構(gòu)具備多個(gè)調(diào)節(jié)器及在該互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連，該互連是用于實(shí)現(xiàn)所述調(diào)節(jié)器與一或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接；其中一個(gè)調(diào)節(jié)器包括第一電極、第二電極，及延伸通過(guò)該本體的孔，所述電極位于所述孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越該孔產(chǎn)生電場(chǎng)；且其中所述第一電極和所述第二電極中的至少ー個(gè)包括形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第一層次處的第一導(dǎo)電組件，及形成于該互連結(jié)構(gòu)的第二層次處的第二導(dǎo)電組件，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件彼此電連接。使用具有多個(gè)調(diào)節(jié)器和在互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處互連的該光刻系統(tǒng)會(huì)實(shí)現(xiàn)使用具有縮減間距的調(diào)節(jié)器陣列，因?yàn)榭杀榧八龆鄠€(gè)層次而分布各連接。結(jié)果，可在有限空間內(nèi)分布更多信息。適合地，調(diào)節(jié)器之間的間距小于25微米。優(yōu)選地，該間距為16微米或16微米以下，且最佳地，該間距為10微米或10微米以下。該小尺寸對(duì)于該互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的特征是兼容的。此外，實(shí)現(xiàn)了通過(guò)該調(diào)節(jié)器的充分偏轉(zhuǎn)強(qiáng)度，這是由于所述導(dǎo)電組件形成遍及該互連結(jié)構(gòu)的ー個(gè) 以上層次延伸的電極。在該子射束的行進(jìn)方向上的較長(zhǎng)偏轉(zhuǎn)區(qū)域可減小橫越一個(gè)孔所需要的在該電極范圍予以施加以獲得特定偏轉(zhuǎn)度的電壓。此外或可選地，在所述子射束的該行進(jìn)方向上的該較長(zhǎng)偏轉(zhuǎn)區(qū)域允許每單位電壓更多偏轉(zhuǎn)。該第一導(dǎo)電組件與該第二導(dǎo)電組件可通過(guò)至少一連通部(via)而彼此連接，其中該至少一連通部曝露至該孔，以便形成該電極的部分。包括該至少ー連通部會(huì)進(jìn)ー步加長(zhǎng)在所述子射束的該行進(jìn)方向上的主動(dòng)偏轉(zhuǎn)區(qū)域。因而，可實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)電壓的進(jìn)ー步減少及/或每單位電壓的更多偏轉(zhuǎn)。該多個(gè)調(diào)節(jié)器中的第一調(diào)節(jié)器可被配置成經(jīng)由該互連結(jié)構(gòu)的該第一層次處的該第一導(dǎo)電組件而連接至圖案數(shù)據(jù)接收組件，且該多個(gè)調(diào)節(jié)器中的第二調(diào)節(jié)器可被配置成經(jīng)由該互連結(jié)構(gòu)的該第二層次處的該第二導(dǎo)電組件而連接至該圖案數(shù)據(jù)接收組件。使用該互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次來(lái)達(dá)成調(diào)節(jié)器與光接收組件之間的連接可減少需要為電連接而保留的該調(diào)節(jié)裝置的區(qū)域。調(diào)節(jié)器與圖案數(shù)據(jù)接收組件之間的互連可以可尋址陣列進(jìn)行配置，其中該可尋址陣列設(shè)置有至少一字符線及至少一位線。此配置可進(jìn)ー步限制所需要的連接的數(shù)目。該互連結(jié)構(gòu)可通過(guò)基板支撐以改進(jìn)結(jié)構(gòu)完整性。該基板可為限定有多個(gè)半導(dǎo)體電路組件的半導(dǎo)體基板。在一些實(shí)施例中，該互連結(jié)構(gòu)的頂層為導(dǎo)電層。該導(dǎo)電頂層可限定可用于防止相鄰調(diào)節(jié)器之間的串?dāng)_的屏蔽。該頂層可被配置成處于接地電位。在此狀況下，該第一電極可被配置成用干與該圖案數(shù)據(jù)接收組件連接，而所述第二電極可連接至所述頂層。在一些實(shí)施例中，該互連結(jié)構(gòu)為CMOS結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)接收組件為該調(diào)節(jié)裝置的部分，且所述數(shù)據(jù)接收組件為用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)電信號(hào)的感光組件。所述感光組件可為提供于所述互連結(jié)構(gòu)的頂部的Ge ニ極管。本發(fā)明進(jìn)一步關(guān)于一種用于使用多個(gè)子射束將圖案轉(zhuǎn)移至目標(biāo)的表面上的帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括射束產(chǎn)生器，其用于產(chǎn)生多個(gè)子射束；根據(jù)前述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其用于根據(jù)圖案數(shù)據(jù)來(lái)偏轉(zhuǎn)所述多個(gè)子射束；子射束擋止器陣列，其用于選擇性阻擋所述經(jīng)偏轉(zhuǎn)子射束，以便形成經(jīng)圖案化的子射束；及投影系統(tǒng)，其用于將所述經(jīng)圖案化子射束投影至所述目標(biāo)表面上。在一些實(shí)施例中，所述光刻系統(tǒng)被配置成允許ー組子射束傳遞通過(guò)該子射束擋止器陣列中的單個(gè)孔。另外，該調(diào)節(jié)裝置中的對(duì)應(yīng)偏轉(zhuǎn)器可被配置成使所述子射束朝向阻擋位置偏轉(zhuǎn)至所述射束陣列上，使得所述阻擋位置圍繞該子射束擋止器陣列中的所述單個(gè)孔基本上均質(zhì)地散布。將經(jīng)偏轉(zhuǎn)射束引導(dǎo)朝向圍繞該單一孔實(shí)質(zhì)上均質(zhì)地散布的阻擋位置會(huì)允許在環(huán)繞該單個(gè)孔的區(qū)域中的該子射束擋止器陣列的表面的相對(duì)均勻降低(degradation)。結(jié)果,可延長(zhǎng)該子射束擋止器陣列的壽命。本發(fā)明進(jìn)一步關(guān)于一種制造調(diào)節(jié)裝置的方法，該方法包括提供包括互連結(jié)構(gòu)的本體，該互連結(jié)構(gòu)設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器及在所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連，所述互連是用于實(shí)現(xiàn)所述調(diào)節(jié)器與一個(gè)或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接，其中所述調(diào)節(jié)器包括第一電極和第二電極，且其中所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)包括形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第一層次處的第一導(dǎo)電組件以及形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第二層次處的第二導(dǎo)電組件，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件彼此電連接；和形成延伸通過(guò)所述本體的孔，使得所述多個(gè)調(diào)節(jié)器中的一個(gè)調(diào)節(jié)器的所述第一電極和所述第二電極位于所述孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越所述孔產(chǎn)生電場(chǎng)。形成孔可包括沉積第一抗蝕層；在所述第一抗蝕層的頂部沉積絕緣層；在所述第一抗蝕層的頂部沉積一第二抗蝕層；根據(jù)圖案來(lái)曝光所述第二抗蝕層，使得可在待形成有孔的部位的頂部移除所述第二抗蝕層，且根據(jù)所述圖案來(lái)選擇性移除所述第二抗蝕層；使用所述第二抗蝕層作為第一蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述絕緣層；使用所述經(jīng)蝕刻的絕緣層作為第二蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述第一抗蝕層；及使用所述經(jīng)蝕刻的第一抗蝕層作為第三蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述本體，以便形成所述孔。在一些實(shí)施例中，其中所述形成孔包括以化學(xué)方式選擇性蝕刻絕緣材料，以便曝露所述第一電極的表面、所述第二電極的表面及用于對(duì)所述電極中的一個(gè)內(nèi)的導(dǎo)電組件進(jìn)行連接的連通部中的至少一者。通過(guò)將一電極表面曝露于該孔內(nèi)，各電極對(duì)通過(guò)的帶電粒子子射束的影響得以改進(jìn)。該以化學(xué)方式選擇性蝕刻可包括濕式蝕刻。在一些實(shí)施例中，所提供的本體進(jìn)一步包括用于支撐該互連結(jié)構(gòu)的基板。在該情況下，所述形成孔的實(shí)施例可包括在所述基板中蝕刻所述孔的步驟。適于在所述基板中蝕刻孔的程序流程可包括使用布氏(Bosch)程序的各向異性蝕刻。在一些實(shí)施例中，所述圖案數(shù)據(jù)接收組件為用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的二極管，且該方法進(jìn)一步包括將具有二極管材料的板結(jié)合至該互連結(jié)構(gòu)上；及圖案化該板以在預(yù)定部位處獲得二極管。該板可包含鍺(Ge)。所形成的二極管為Ge 二極管。Ge 二極管在需要高速操作的應(yīng)用中可尤其有用，因?yàn)镚e 二極管的反應(yīng)時(shí)間相對(duì)較快。


將參考附圖中所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的各方面進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明，其中圖I示意性地示出可用于本發(fā)明的實(shí)施例中的無(wú)屏蔽光刻系統(tǒng)；圖2示意性地示出圖I的光刻系統(tǒng)中的子射束熄滅裝置陣列的實(shí)施例的操作；圖3A及圖3B示意性地示出子射束熄滅裝置陣列內(nèi)的電極的不同配置的俯視圖；圖4示意性地示出子射束熄滅裝置陣列內(nèi)的電極的另一實(shí)施例的俯視圖；圖5示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的可用于子射束熄滅裝置陣列中的組件的構(gòu)形配置的俯視圖；
圖6示意性地示出可用于本發(fā)明的實(shí)施例中的具有字符線及位線的可尋址陣列的構(gòu)形配置的俯視圖；圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的子射束熄滅裝置陣列的橫截面圖8A至圖8F示意性地示出在制造圖7的子射束熄滅裝置陣列的一部分時(shí)的步驟的橫截面圖；圖9A至圖9B示意性地示出在制造圖I的熄滅裝置配置時(shí)的另外步驟的橫截面圖；圖10示意性地示出包括屏蔽的熄滅裝置配置的橫截面圖；圖11示意性地示出包括屏蔽的另一熄滅裝置配置的橫截面圖；圖12示意性地示出裝配有射束保護(hù)器的熄滅裝置配置的實(shí)施例的橫截面圖；及圖13示意性地示出裝配有射束保護(hù)器的熄滅裝置配置的可選實(shí)施例的橫截面 圖。
具體實(shí)施例方式下文為本發(fā)明的各種實(shí)施例的說(shuō)明，其僅為參考附圖的示例。附圖未按比例繪制，且僅僅用于說(shuō)明性目的。如在本申請(qǐng)案的內(nèi)容背景中所使用的表達(dá)“互連結(jié)構(gòu)”(interconnectstructure)指代諸如常規(guī)地應(yīng)用于臨界尺寸為0. 25微米或0. 25微米以下的集成電路的結(jié)構(gòu)。其通常包含連接層次的自四個(gè)直至十個(gè)層次。各層次為使用垂直連接(亦被稱(chēng)作連通部)而相互互連。如下文所論述的互連可包括位于一個(gè)或多個(gè)連接層次內(nèi)的部分，以及包括對(duì)應(yīng)于一或多個(gè)連通部的部分。圖I示出了帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)I的實(shí)施例的簡(jiǎn)化示意圖。例如，該光刻系統(tǒng)(lithography system)被描述于美國(guó)專(zhuān)利第 6, 897, 458 號(hào)、第 6, 958, 804 號(hào)、第 7, 084, 414號(hào)及第7，129，502號(hào)中，該等專(zhuān)利已讓與給本申請(qǐng)案的申請(qǐng)人，且其全文在此以引用的方式并入本文中。此光刻系統(tǒng)I適合地包含產(chǎn)生多個(gè)射束的射束產(chǎn)生器，圖案化射束以形成經(jīng)調(diào)節(jié)射束的射束調(diào)節(jié)器，及用于將經(jīng)調(diào)節(jié)射束投影至目標(biāo)的表面上的射束投影器。射束產(chǎn)生器常規(guī)地包括源及至少一個(gè)射束分裂器。圖I中的源為電子源3，其被設(shè)置成產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上均勻的散布電子射束4。使電子射束4的束能量?jī)?yōu)選地在約IkeV至IOkeV的范圍內(nèi)維持相對(duì)較低。為了達(dá)成此目的，加速電壓優(yōu)選地較低，且可使電子源3相對(duì)于處于接地電位的目標(biāo)保持處于在約IkV至IOkV之間的電壓，但亦可使用其它設(shè)定。在圖I中，來(lái)自電子源3的電子射束4通過(guò)用于準(zhǔn)直電子射束4的準(zhǔn)直器透鏡5。準(zhǔn)直器透鏡5可為任何類(lèi)型的準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)。在準(zhǔn)直之前，電子射束4可通過(guò)雙重八端網(wǎng)絡(luò)(double octopole)(圖中未示)。隨后，電子射束4照射于射束分裂器上，在圖I的實(shí)施例中為開(kāi)口陣列6。開(kāi)口陣列6優(yōu)選地包括具有通孔的板。開(kāi)口陣列6被設(shè)置成阻擋部分的射束4。另外，陣列6允許多條子射束7通過(guò)，以便產(chǎn)生多條平行的電子子射束7。圖I的光刻系統(tǒng)I產(chǎn)生大量子射束7，優(yōu)選地為約10，000至1，000, 000條子射束，但當(dāng)然有可能產(chǎn)生更多或更少子射束。應(yīng)注意，亦可使用其它已知方法來(lái)產(chǎn)生經(jīng)準(zhǔn)直的子射束?？稍谙到y(tǒng)中添加第二開(kāi)口陣列，以便自電子射束4產(chǎn)生分射束且自分射束產(chǎn)生電子子射束7。此情形允許操縱在下游更遠(yuǎn)處的分射束，其有益于系統(tǒng)操作，尤其在系統(tǒng)中的子射束數(shù)目為5，000或5，000以上時(shí)。子射束調(diào)節(jié)器，在圖I中被表示為調(diào)節(jié)系統(tǒng)8，常規(guī)地包含子射束熄滅裝置陣列9及子射束擋止器陣列10，子射束熄滅裝置陣列9包含具有多個(gè)熄滅裝置的配置。該熄滅裝置能夠偏轉(zhuǎn)電子子射束7中的一或多者。在本發(fā)明的實(shí)施例中，更具體而言，熄滅裝置為具備第一電極、第二電極及孔的靜電偏轉(zhuǎn)器。該電極則位于該孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越該孔產(chǎn)生電場(chǎng)。通常，第二電極為接地電極，亦即，連接至接地電位的電極。為了將電子子射束7聚焦于熄滅裝置陣列9的平面內(nèi)，光刻系統(tǒng)可進(jìn)一步包括聚光器透鏡陣列(圖中未示)。在圖I的實(shí)施例中，子射束擋止器陣列10包括開(kāi)口陣列以用于允許射束通過(guò)。子射束擋止器陣列10 (以其基本形式)包括具備通孔的基板，該通孔常規(guī)地為圓孔，但亦可使用其它形狀。在一些實(shí)施例中，子射束擋止器陣列10的基板由具有規(guī)則間隔的通孔陣列的硅片形成，且可通過(guò)覆有金屬表面層以防止表面帶電。在一些另外實(shí)施例中，金屬為不會(huì)形成原生氧化物表皮的類(lèi)型，諸如CrMo。子射束熄滅裝置陣列9及子射束擋止器陣列10共同地操作以阻擋子射束7或讓子射束7通過(guò)。在一些實(shí)施例中，使子射束擋止器陣列10的孔與子射束熄滅裝置陣列9中 的靜電偏轉(zhuǎn)器的孔對(duì)準(zhǔn)。若子射束熄滅裝置陣列9偏轉(zhuǎn)射束，則子射束將不通過(guò)子射束擋止器陣列10中對(duì)應(yīng)的孔。取而代之，子射束將被射束阻擋器陣列10的基板阻擋。若子射束熄滅裝置陣列9不偏轉(zhuǎn)射束，則射束將通過(guò)子射束擋止器陣列10中的對(duì)應(yīng)孔。在一些可選實(shí)施例中，子射束熄滅裝置陣列9與子射束擋止器陣列10之間的配合使得通過(guò)熄滅裝置陣列9中的偏轉(zhuǎn)器來(lái)偏轉(zhuǎn)子射束會(huì)使得子射束通過(guò)子射束擋止器陣列10中對(duì)應(yīng)的孔，而不偏轉(zhuǎn)會(huì)導(dǎo)致由子射束擋止器陣列10的基板的阻擋。調(diào)節(jié)系統(tǒng)8被設(shè)置成基于通過(guò)控制單元60提供的輸入而將圖案添加至子射束7?？刂茊卧?0可包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元61、讀出單元62及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器63?？刂茊卧?0可定位成遠(yuǎn)離系統(tǒng)的其余部分，例如，在潔凈室的內(nèi)部部分之外。在使用光纖64的情況下，可將持有圖案數(shù)據(jù)的經(jīng)調(diào)節(jié)光束14傳輸至投影器(projector)65，投影器65將來(lái)自光纖陣列(被示意性地描繪為板15)內(nèi)的光纖的末端的光投射至光刻系統(tǒng)I的電子光學(xué)部分中，通過(guò)虛線框及參考數(shù)字18示意性地表示。在圖I的實(shí)施例中，將經(jīng)調(diào)節(jié)的光束投影至子射束熄滅裝置陣列9上。更具體地，將來(lái)自光纖末端的經(jīng)調(diào)節(jié)光束14投射至位于子射束熄滅裝置陣列9上的相應(yīng)感光組件上。感光組件可被配置成將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成不同類(lèi)型的信號(hào)，例如，電信號(hào)。調(diào)節(jié)光束14載運(yùn)部分的圖案數(shù)據(jù)，其用于控制連接至相應(yīng)感光組件的一個(gè)或多個(gè)熄滅裝置。適合地，為了將光束14投射至對(duì)應(yīng)感光組件上，可使用諸如投影器65的光學(xué)組件。另外，為了允許以適合的入射角來(lái)投射光束14，可包括(例如)適合地置放于投影器65與子射束熄滅裝置陣列9之間的鏡面?？稍诳刂茊卧?0的控制下通過(guò)投影器定位裝置17而使投影器65與板15適當(dāng)?shù)貙?duì)準(zhǔn)。結(jié)果，投影器65與子射束熄滅裝置陣列9內(nèi)的感光組件之間的距離亦可變化。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)光波導(dǎo)管至少部分地使光束自板轉(zhuǎn)移朝向感光組件。光波導(dǎo)管可將光導(dǎo)引至極接近于感光組件的位置，適合地相隔小于I厘米，優(yōu)選地相隔大約I毫米。光波導(dǎo)管與相應(yīng)感光組件之間的短距離減少光損失。另一方面，使用被定位成遠(yuǎn)離可被帶電粒子射束占據(jù)的空間的板15及投影器65具有如下優(yōu)點(diǎn)射束干擾被最小化，且子射束熄滅裝置陣列9的構(gòu)造較不復(fù)雜。
通過(guò)子射束投影器將來(lái)自子射束調(diào)節(jié)器的已調(diào)節(jié)射束作為光點(diǎn)而投射至目標(biāo)24的目標(biāo)表面13上。子射束投影器常規(guī)地包括用于掃描目標(biāo)表面13上的已調(diào)節(jié)射束的掃描偏轉(zhuǎn)器，及用于將經(jīng)調(diào)節(jié)射束聚焦至目標(biāo)表面13上的投射透鏡系統(tǒng)。所述組件可存在于單個(gè)末端模塊內(nèi)。此末端模塊優(yōu)選地被構(gòu)造成可插入式可更換單元。因此，末端模塊可包含偏轉(zhuǎn)器陣列11及投影透鏡配置12?？刹迦胧娇筛鼡Q單元亦可包括如上文參考子射束調(diào)節(jié)器所說(shuō)明的子射束擋止器陣列10。在離開(kāi)末端模塊之后，子射束7照射于定位在目標(biāo)平面處的目標(biāo)表面13上。對(duì)于光刻應(yīng)用，目標(biāo)通常包括具備帶電粒子敏感層或抗蝕層(resist layer)的晶圓。
偏轉(zhuǎn)器陣列11可采取被設(shè)置成對(duì)已通過(guò)子射束擋止器陣列10的每一子射束7進(jìn)行偏轉(zhuǎn)的掃描偏轉(zhuǎn)器陣列的形式。偏轉(zhuǎn)器陣列11可包括實(shí)現(xiàn)相對(duì)較小驅(qū)動(dòng)電壓的應(yīng)用的多個(gè)靜電偏轉(zhuǎn)器。盡管將偏轉(zhuǎn)器陣列11繪制為在投影透鏡配置12上游，但偏轉(zhuǎn)器陣列11亦可定位于投影透鏡配置12與目標(biāo)表面13之間。投影透鏡配置12被設(shè)置成在通過(guò)偏轉(zhuǎn)器陣列11來(lái)偏轉(zhuǎn)子射束7之前或之后聚焦子射束7。優(yōu)選地，聚焦產(chǎn)生直徑為約10奈米至30奈米的幾何光點(diǎn)尺寸。在該優(yōu)選實(shí)施例中，投影透鏡配置12優(yōu)選地被配置成提供約100倍至500倍的縮小率，優(yōu)選地，盡可能地大，例如，在300倍至500倍的范圍內(nèi)。在該優(yōu)選實(shí)施例中，投影透鏡配置12可被有利地定位成接近于目標(biāo)表面13。在一些實(shí)施例中，射束保護(hù)器(圖中未示)可位于目標(biāo)表面13與投影透鏡配置12之間。射束保護(hù)器可為具備多個(gè)合適地定位的孔的箔或板。射束保護(hù)器被配置成在所釋放的抗蝕劑粒子可到達(dá)光刻系統(tǒng)I中的任何敏感組件之前吸收該抗蝕劑粒子。因此，投影透鏡配置12可確保目標(biāo)表面13上的單一像素的光點(diǎn)尺寸是正確的，而偏轉(zhuǎn)器陣列11可通過(guò)適當(dāng)掃描操作來(lái)確保目標(biāo)表面13上的像素的位置在微尺度上是正確的。具體地，偏轉(zhuǎn)器陣列11的操作使得像素適應(yīng)于最終構(gòu)成目標(biāo)表面13上的圖案的像素柵格。應(yīng)理解，通過(guò)存在于目標(biāo)24下方的晶圓定位系統(tǒng)適合地實(shí)現(xiàn)目標(biāo)表面13上的像素的大尺度定位。通常，目標(biāo)表面13包括在基板的頂部的抗蝕劑膜。將通過(guò)施加帶電粒子(亦即，電子)子射束而以化學(xué)方式將部分抗蝕劑膜改質(zhì)。由于該改質(zhì)，故該膜的經(jīng)輻照部分將或多或少可溶解于顯影劑中，從而在晶圓上產(chǎn)生抗蝕劑圖案。隨后可將晶圓上的抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)印至下面的層，即，通過(guò)如在半導(dǎo)體制造技術(shù)中所知的實(shí)施(implementation)、蝕刻及/或沉積步驟。顯然，若輻照不均勻，則可能不以均勻方式顯影抗蝕劑，從而導(dǎo)致圖案中的錯(cuò)誤。因此，高質(zhì)量投影對(duì)于獲得提供可重現(xiàn)結(jié)果的光刻系統(tǒng)有重大意義。不應(yīng)當(dāng)由偏轉(zhuǎn)步驟引起輻照差異。圖2示意性地示出圖I的光刻系統(tǒng)中的子射束熄滅裝置陣列9的實(shí)施例的操作。具體地，圖2示意性地示出包括子射束熄滅裝置陣列9及子射束擋止器陣列10的射束調(diào)節(jié)器的一部分的橫截面圖。子射束熄滅裝置陣列9設(shè)置有多個(gè)孔35。出于參考起見(jiàn)，亦已指示目標(biāo)24。該圖未按比例繪制。射束調(diào)節(jié)器的所示出部分被配置成調(diào)節(jié)三個(gè)子射束7a、7b及7c。子射束7a、7b、7c可形成單個(gè)子射束組的部分，該組可由來(lái)自單一源的射束或由單個(gè)分射束產(chǎn)生。圖2的子射束調(diào)節(jié)器被配置成用于使子射束組會(huì)聚朝向用于各組的共同會(huì)聚點(diǎn)P。該共同會(huì)聚點(diǎn)P優(yōu)選地位于子射束組的光軸O上?？紤]圖2中所示出的子射束7a、7b、7c，子射束7a、7c具有在子射束與光軸0之間延伸的入射角。子射束7b的定向?qū)嵸|(zhì)上平行于光軸。對(duì)于每一子射束來(lái)說(shuō)，用以建立通過(guò)子射束擋止器陣列10的基板對(duì)經(jīng)偏轉(zhuǎn)射束進(jìn)行阻擋的射束偏轉(zhuǎn)方向可不同。通過(guò)朝向左邊，亦即，朝向圖2中方向(通過(guò)虛線7a_指示)的偏轉(zhuǎn)來(lái)阻擋子射束7a。另一方面，朝向右邊，即朝向“ + ”方向偏轉(zhuǎn)子射束7b、7c，以建立各射束的阻擋。該阻擋方向系分別通過(guò)虛線7b+及7c+指示。應(yīng)注意，偏轉(zhuǎn)方向的選擇可能不為任意的。舉例而言，對(duì)于子射束7a，虛線7a+示出出子射束7a朝向右邊的偏轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其通過(guò)子射束擋止器陣列10。因此，子射束7a沿著線7a+的偏轉(zhuǎn)是不適當(dāng)?shù)?。另一方面，子射?b朝向左邊的偏轉(zhuǎn)，通過(guò)虛線7b_指示,將為一選項(xiàng)。圖3A示意性地示出子射束熄滅裝置陣列內(nèi)的電極的配置的俯視圖，其中子射束熄滅裝置陣列被配置成使射束陣列會(huì)聚朝向一共同會(huì)聚點(diǎn)。在該實(shí)施例中，子射束熄滅裝置采取靜電調(diào)節(jié)器30的形式，每一調(diào)節(jié)器30包含第一電極32、第二電極34，及延伸通過(guò)子 射束熄滅裝置陣列的本體的孔35。電極32、34位于孔35的相對(duì)側(cè)上以用于橫過(guò)孔35產(chǎn)生電場(chǎng)。各調(diào)節(jié)器30圍繞經(jīng)中心定位的光軸0形成徑向配置。在圖3A所示的實(shí)施例中，兩個(gè)電極32、34具有凹入形狀，其使電極32、34的形狀符合圓柱形孔35。此圓柱形孔形狀本身適于防止引入特定光學(xué)像差，諸如像散。在此實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)各調(diào)節(jié)器30的電極32、34，使得當(dāng)偏轉(zhuǎn)射束時(shí)，仍將沿著會(huì)聚至光軸上的會(huì)聚點(diǎn)的線引導(dǎo)射束。沿著自光軸延伸的徑向線的此偏轉(zhuǎn)有益于防止其它子射束的干擾，和/或任何不希望的經(jīng)偏轉(zhuǎn)子射束通過(guò)子射束擋止器陣列10。具體地，若相較于子射束熄滅裝置陣列9與子射束擋止器陣列10之間的垂直距離，子射束之間以及子射束組之間的橫向距離較小，則此干擾及/或不期望的通過(guò)可為顯著的。盡管圖3A示出在光軸0附近無(wú)調(diào)節(jié)器30的區(qū)域，但其并非此實(shí)施例的必要特征。圖3B示出子射束熄滅裝置陣列內(nèi)的電極的可選配置，其中子射束熄滅裝置陣列被配置成使子射束組會(huì)聚朝向一共同會(huì)聚點(diǎn)。在該配置中，各調(diào)節(jié)器30再次圍繞經(jīng)中心定位的光軸0形成徑向配置。然而，各調(diào)節(jié)器30未以圍繞光軸的同心圓而布置，而是以通過(guò)基本上垂直于彼此地定向的行及列形成的陣列而設(shè)置。同時(shí)地，各調(diào)節(jié)器30的電極32、34具有可將子射束沿著自光軸0延伸的徑向線偏轉(zhuǎn)的定向。詳言之，當(dāng)通過(guò)如圖3A及圖3B所示的電極配置的子射束被配置成被引導(dǎo)朝向如圖2所示的子射束擋止器陣列中的單一孔時(shí)，偏轉(zhuǎn)方向優(yōu)選地為使得將待由子射束擋止器陣列阻擋的子射束朝向阻擋位置引導(dǎo)至子射束擋止器陣列上，該阻擋位置圍繞各射束擋止器孔大致均質(zhì)地散布。通過(guò)均勻地分布子射束組內(nèi)的子射束的阻擋位置，使得由帶電粒子的碰撞引起的射束擋止器陣列的受蝕降低(degradation)盡可能均勻地散布。圖4示意性地示出了子射束熄滅裝置陣列內(nèi)的電極的另一實(shí)施例的俯視圖。在此實(shí)施例中，電極32、34再被定位成圍繞孔35，但若干調(diào)節(jié)器30的第二電極34被集成為單條帶。調(diào)節(jié)器30被按列進(jìn)行配置。隔離區(qū)39適合地存在于調(diào)節(jié)器30的第一列37與調(diào)節(jié)器30的第二列38之間。隔離區(qū)39被設(shè)計(jì)成防止不當(dāng)放電。在許多應(yīng)用中，將第二電極34的電位置于接地電位，亦即，0V。然而，亦可將由若干調(diào)節(jié)器30的第二電極34共享的電位設(shè)定于不同電位，例如，約IkV或約-IkV的參考電壓。圖5示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的可用于子射束熄滅裝置陣列9中的組件的構(gòu)形配置(topographic arrangement)的俯視圖。將子射束熄滅裝置陣列劃分成射束區(qū)域51及非射束區(qū)域52。射束區(qū)域51表示被配置成接收及調(diào)節(jié)子射束的區(qū)域。非束區(qū)域52為被配置成提供用于為支撐射束區(qū)域51內(nèi)組件所需要的組件的區(qū)域。存在于射束區(qū)域51內(nèi)的組件包括調(diào)節(jié)器30。調(diào)節(jié)器30可采取如參看圖2至圖4所論述的靜電偏轉(zhuǎn)器的形式。非射束區(qū)域52內(nèi)的組件可包括被配置成接收經(jīng)調(diào)節(jié)光信號(hào)的感光組件40，例如，以參照?qǐng)DI所述的方式。感光組件40的適合實(shí)例包括但不限于光電二極管及光敏晶體管。圖5所示的實(shí)施例中的非射束區(qū)域進(jìn)一步包括多路分解器41。通過(guò)感光組件40接收的光信號(hào)可為用以包括用于一個(gè)以上調(diào)節(jié)器30的信息的多路傳輸信號(hào)。因此，在通過(guò)感光組件40接收到光信號(hào)之后，將光信號(hào)傳遞至多路分解器41，在多路分解器41中多路分解該信號(hào)。在多路分解之后，經(jīng)由專(zhuān)用電連接42而將經(jīng)多路分解的信號(hào)轉(zhuǎn)遞至正確的調(diào)節(jié)器30。由于使用經(jīng)多路傳輸?shù)墓庑盘?hào)以及具有感光組件40及多路分解器41的配置，故感光組件40的數(shù)目少于調(diào)節(jié)器30的數(shù)目。具有有限數(shù)目的感光組件40會(huì)實(shí)現(xiàn)非射束區(qū)域52的尺寸的減少。射束區(qū)域51則可被更接近地置放在一起以增加熄滅裝置陣列中每單位面積的調(diào)節(jié)器30的數(shù)目。相較于非多路傳輸實(shí)施例，若將使用相同數(shù)目的調(diào)節(jié)器，則子射束熄滅裝置陣列的布局將更緊湊。若熄滅裝置陣列的尺寸保持大致相同，則可使用更多調(diào)節(jié)器?？蛇x地，代替減小非射束區(qū)域52的尺寸，使用多路傳輸實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)使用具有更大光接收區(qū)域的感光組件40。使用每感光組件40的更大光接收區(qū)域會(huì)減少為將光信號(hào)引導(dǎo)朝向正確感光組件40所需要的光學(xué)器件的復(fù)雜性，且使光接收結(jié)構(gòu)更穩(wěn)固。調(diào)節(jié)器30可適合地以行和列進(jìn)行配置以允許如圖6所示的經(jīng)由字線80及位線90的尋址。此按陣列尋址減少自多路分解器41延伸至調(diào)節(jié)器30的連接的數(shù)目。舉例而言，在圖6中，僅存在10個(gè)連接線，而個(gè)別尋址將產(chǎn)生25個(gè)連接線以尋址25個(gè)調(diào)節(jié)器30。連接線的該減少改進(jìn)了子射束熄滅裝置陣列9的可靠性，因?yàn)槠渥兊幂^不易受歸因于多路分解器41與調(diào)節(jié)器30之間的不正常工作連接的故障的影響。此外，該連接在置放于此按陣列尋址配置中時(shí)可占據(jù)較少空間。盡管圖5中的實(shí)施例示出每感光組件40存在四個(gè)偏轉(zhuǎn)器30，而圖6示出每感光組件40存在25個(gè)偏轉(zhuǎn)器30，但偏轉(zhuǎn)器30與感光組件40之間的比率可增加至高達(dá)100或甚至100以上，例如，250。多路分解器41與對(duì)應(yīng)調(diào)節(jié)器30之間的連接的減少的優(yōu)點(diǎn)則變得顯著，在于子射束熄滅裝置陣列9的穩(wěn)固性及可靠性得到相當(dāng)大地改進(jìn)。適合地，可將多路分解器41移動(dòng)朝向射束區(qū)域51以縮短與各調(diào)節(jié)器30的連接。這在感光組件40與偏轉(zhuǎn)器30之間的距離相對(duì)較大，例如，為大約100微米或100微米以上，時(shí)尤其有用。為了確保調(diào)節(jié)器30在完整偏轉(zhuǎn)周期期間偏轉(zhuǎn)所通過(guò)的子射束，射束區(qū)域51可進(jìn) 一步包括連接至各調(diào)節(jié)器30的內(nèi)存組件95，內(nèi)存組件95用于在預(yù)定時(shí)間周期暫時(shí)地儲(chǔ)存專(zhuān)用于各調(diào)節(jié)器30的控制信號(hào)。預(yù)定時(shí)間周期可對(duì)應(yīng)于或大于完整偏轉(zhuǎn)周期以確?？刂菩盘?hào)可用于該整個(gè)偏轉(zhuǎn)周期。該配置允許偏轉(zhuǎn)步驟獨(dú)立于控制信號(hào)按時(shí)間的傳輸。此外，可因此依序地進(jìn)行控制信號(hào)傳輸，而同時(shí)進(jìn)行射束偏轉(zhuǎn)。圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的子射束熄滅裝置陣列或調(diào)節(jié)裝置的一部分的橫截面圖。盡管圖中未示，但應(yīng)理解，熄滅裝置陣列在兩個(gè)維度上(在進(jìn)入及離開(kāi)圖7中頁(yè)面的方向上)延伸，例如， 根據(jù)如圖5中示意性地示出的將子射束熄滅裝置陣列劃分成射束區(qū)域及非射束區(qū)域。陣列9包括包含互連結(jié)構(gòu)100的本體?；ミB結(jié)構(gòu)100設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器。該互連結(jié)構(gòu)100提供實(shí)現(xiàn)該調(diào)節(jié)器至一或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接的不同連接層次，例如，圖5和圖6所示的感光組件40。調(diào)節(jié)器與圖案數(shù)據(jù)接收組件之間的連接被稱(chēng)作“互連，，(interconnect)。每一調(diào)節(jié)器包含第一電極132、第二電極134，及延伸通過(guò)該本體的孔135。電極132、134位于孔135的相對(duì)側(cè)上以用于橫越孔135產(chǎn)生電場(chǎng)。電極132、134通過(guò)在互連結(jié)構(gòu)100的不同層次處的導(dǎo)電組件110形成，其中導(dǎo)電組件110通過(guò)一或多個(gè)連通部120而彼此連接?？赏ㄟ^(guò)基板101 (例如，硅基板)支撐互連結(jié)構(gòu)100以用于增強(qiáng)子射束熄滅裝置陣列的結(jié)構(gòu)完整性。使用通過(guò)連通部120連接的在不同層次處的導(dǎo)電組件110形成的電極132、134具有如下優(yōu)點(diǎn)可使用已知半導(dǎo)體技術(shù)，例如，用于CMOS技術(shù)中的技術(shù)，來(lái)制造子射束熄滅裝置陣列，其中CMOS代表互補(bǔ)金氧半導(dǎo)體(Complementary Metal-OxideSemiconductor)。此外，使用在多個(gè)層次處的導(dǎo)電組件110會(huì)實(shí)現(xiàn)在不同層次處調(diào)節(jié)器與圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接，該圖案數(shù)據(jù)接收組件如早先所描述的感光組件。舉例而言，在如圖6所示的配置中，相較于位線，字符線可在互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處連接至電極。因而，子射束熄滅裝置陣列的每單位面積的連接線的密度可得以改進(jìn)，這提供了以比在所有連接皆位于同一層次時(shí)的間距更緊密的間距來(lái)置放調(diào)節(jié)器的機(jī)會(huì)。可使用本體的頂層140來(lái)限定屏蔽?？蓪⒃撈帘卧O(shè)定于與第二電極134的電位相同的電位，第二電極134可充當(dāng)接地電極。屏蔽可用于防止相鄰調(diào)節(jié)器之間的串?dāng)_。如上文所提及，互連結(jié)構(gòu)100可使用常規(guī)地應(yīng)用于臨界尺寸為0. 25微米或0. 25微米以下的集成電路的技術(shù)。在所述技術(shù)中的一些技術(shù)(例如，CMOS)中，該結(jié)構(gòu)通常包含用于互連目的的4個(gè)至10個(gè)層次。各層次系使用垂直互連區(qū)域或連通部而相互互連。各層次的層次厚度常規(guī)地為約I微米。在可用于本發(fā)明的實(shí)施例中的一類(lèi)型的互連結(jié)構(gòu)中，該互連結(jié)構(gòu)包括使用所謂的雙金屬蝕刻(dual damascene)技術(shù)所制造的銅(Cu)層次及Cu連通部。在可使用的另一類(lèi)型的互連結(jié)構(gòu)中，該互連結(jié)構(gòu)包含鋁(Al)層次及鎢(W)連通部?？墒褂煤辖鹪貋?lái)優(yōu)化所使用的材料。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)知道，可使用阻擋層。該阻擋層在互連結(jié)構(gòu)中使用Cu的情況下尤其有用。Cu趨向于極容易地遷移且可污染該結(jié)構(gòu)。Al較不易受由于在經(jīng)曝露的Al表面上形成原生氧化物的遷移的影響。然而，此原生氧化物層的厚度通常相當(dāng)薄，且可使用阻擋層來(lái)改進(jìn)互連結(jié)構(gòu)的性能。阻擋層可包含選自由TiN、TaN及TiW組成的材料組中的材料。為了獲得所需功能性，互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的每一層次常規(guī)地具有其自身的不同圖案?？墒褂免g化層來(lái)覆蓋互連結(jié)構(gòu)的頂部以保護(hù)互連結(jié)構(gòu)避免潮濕及污染?？稍谧钌辖饘倩瘜哟沃谢蛏踔猎阝g化層的頂部限定用于提供互連結(jié)構(gòu)與外部組件的電接觸的結(jié)合襯墊。該結(jié)合襯墊可適于導(dǎo)線結(jié)合或焊料凸塊制備。此外，互連結(jié)構(gòu)的頂側(cè)可適合地設(shè)置有金屬化表面以避免帶電粒子(例如，電子)的局部帶電及吸引。應(yīng)注意，盡管圖7所示的定向可以其它方式示意，但帶電粒子射束可向下以及向上通過(guò)孔135。陣列9的實(shí)際定向可取決于可用空間及由帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)中的其它組件引起的其它約束。圖8A至圖8F示意性地示出在制造圖7的子射束熄滅裝置陣列9時(shí)的步驟的橫截面圖。 圖8A示出制造中的第一階段，其包括提供包含互連結(jié)構(gòu)100的本體。該互連結(jié)構(gòu)包括限定層次136、137堆棧的層堆棧(stack)。每一層次可包括一或多個(gè)層。用于進(jìn)行此層內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間的連接的層被限定為金屬化層次136的部分。被配置成實(shí)現(xiàn)堆棧內(nèi)的不同層之間的連接的層被限定為連通部層次137的部分?；ミB結(jié)構(gòu)100被設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器及在互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連。該互連實(shí)現(xiàn)該調(diào)節(jié)器與一或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件，例如參考圖5所述的感光組件40，的連接。該本體通常包括用于改進(jìn)結(jié)構(gòu)完整性且用以提供另外的電開(kāi)關(guān)及連接能力的支撐基板101。出于此原因，可適合地在基板101內(nèi)限定諸如晶體管、二極管及電容器的主動(dòng)組件。基板101常規(guī)地包含娃，或絕緣體上娃(silicon-on-insulator),或另一改質(zhì)型娃基板(諸如SiGe)。可通過(guò)介電層105來(lái)覆蓋面朝互連結(jié)構(gòu)的基板表面，以防止擴(kuò)散至基板101中。在此狀況下，介電層105可設(shè)置有娃局部氧化(Local oxidation of Silicon, L0C0S)或淺溝槽絕緣(Shallow trench insulation, STI),或?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員所知的任何其它適合技術(shù)。在基板101及可選熱氧化物層105的頂部上，限定多層次互連結(jié)構(gòu)100?；ミB結(jié)構(gòu)100包含多個(gè)層，其被常規(guī)地配置成使得金屬化層次136通過(guò)連通部層次137而彼此連接。在不同層次中，存在根據(jù)通過(guò)絕緣材料145環(huán)繞的預(yù)定圖案的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。金屬化層次136中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)常規(guī)地采取諸如導(dǎo)線等的連接結(jié)構(gòu)的形式，而連通部層次137中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)常規(guī)地采取所謂的接觸孔或連通部的形式。金屬化層次內(nèi)的導(dǎo)電材料的圖案以及連通部的位置及數(shù)目至少在互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的一些部位處對(duì)應(yīng)于待形成的調(diào)節(jié)器所要求的圖案。出于此目的，使孔區(qū)域135保持無(wú)金屬結(jié)構(gòu)，且使孔區(qū)域135填充有絕緣材料145。另外，導(dǎo)電組件110在一或多個(gè)金屬化層次內(nèi)圍繞孔區(qū)域135以圓周方式進(jìn)行置放，且適合地經(jīng)由連通部層次中的連通部120而彼此連接。用于金屬化層次136中(例如，用于導(dǎo)電組件110)的金屬常規(guī)地包含鋁(Al)。或者或可選地，該金屬可包含銅(Cu)。用于連通部120的常規(guī)材料為以所謂的雙金屬蝕刻制造程序所制造的鉍(W)或Cu。所使用的絕緣材料145常規(guī)地包括二氧化硅(Si02)。盡管圖中未示，但可適合地使用鈍化層來(lái)覆蓋互連結(jié)構(gòu)100以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)。對(duì)于在用于帶電粒子光刻的應(yīng)用中的使用，優(yōu)選地使用導(dǎo)電涂層來(lái)覆蓋此鈍化層以避免系統(tǒng)內(nèi)的任何不當(dāng)電荷積聚。可使用已知半導(dǎo)體處理技術(shù),例如用以制造CMOS芯片的技術(shù),來(lái)制造本體。使用已知半導(dǎo)體處理技術(shù)來(lái)提供子射束熄滅裝置陣列的基本構(gòu)建區(qū)塊會(huì)顯著地降低制造成本。此外，使用此本體會(huì)改進(jìn)根據(jù)下文所描述的制造程序所制造的子射束熄滅裝置陣列的可靠性。在提供本體之后，可通過(guò)三個(gè)層來(lái)覆蓋互連結(jié)構(gòu)100，即，第一抗蝕層151、絕緣層153和第二抗蝕層155。圖8B中示出在此步驟之后的最終結(jié)果。第一抗蝕層151常規(guī)地為光阻層。第二抗蝕層155常規(guī)地為電子射束抗蝕層。絕緣層153常規(guī)地包含Si02?？赏ㄟ^(guò)自旋來(lái)沉積抗蝕層151、155。可通過(guò)濺鍍來(lái)沉積絕緣層153。接著根據(jù)一圖案來(lái)曝光第二抗蝕層155，且隨后進(jìn)行顯影以獲得圖SC所示的結(jié)構(gòu)?？墒褂秒娮由涫鴪D案產(chǎn)生器進(jìn)行根據(jù)一圖案的局部曝光，其中第二抗蝕層155包含電子射束抗蝕劑?？蛇x地，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在第二抗蝕層155為光阻的狀況下，可結(jié) 合屏蔽而使用適合光源來(lái)執(zhí)行通過(guò)圖案的曝光。現(xiàn)將經(jīng)圖案化的第二抗蝕層155用作絕緣層153的蝕刻屏蔽。接著可將經(jīng)蝕刻的絕緣層153作為蝕刻第一抗蝕層151的蝕刻屏蔽。該蝕刻可包括使用諸如氟等離子和/或氧等離子的適合的等離子的感應(yīng)耦合等離子(ICP)蝕刻。在第一抗蝕層151的蝕刻期間，可消耗第二抗蝕層155。圖8D中示意性地示出上文所描述的程序步驟的最終結(jié)果。緊接著，將第一抗蝕層151作為蝕刻屏蔽而用于移除絕緣材料。該蝕刻可再次包括以適合等離子(例如，氟等離子)的ICP蝕刻。圖SE中示出該蝕刻步驟的結(jié)果。隨后,優(yōu)選地通過(guò)使用各向異性(anisotropic)蝕刻技術(shù)而將孔160蝕刻至基板101中。詳言之，若基板為娃基板，貝U適合蝕刻技術(shù)為所謂的布氏蝕刻(Bosch-etching)。布氏蝕刻為通過(guò)等離子環(huán)境中的循環(huán)蝕刻及沉積步驟進(jìn)行各向異性蝕刻的方法，且在德國(guó)專(zhuān)利DE4241045及美國(guó)專(zhuān)利5，501，893中關(guān)于硅的蝕刻予以更詳細(xì)地描述。可以類(lèi)似方式蝕刻諸如GaAs、Ge及SiGe的其它材料。另外，可使用以化學(xué)方式選擇性蝕刻技術(shù)以通過(guò)移除絕緣材料同時(shí)使金屬結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上完整來(lái)加寬互連結(jié)構(gòu)100中的自由空間。適合的以化學(xué)方式選擇性蝕刻技術(shù)包括濕式蝕刻。由于加寬互連結(jié)構(gòu)100內(nèi)的自由空間，故可曝露不同金屬化層次中的導(dǎo)電組件110，以及連通部層次中的一個(gè)或多個(gè)連通部120。圖8F中示意性地示出上述蝕刻步驟的結(jié)果。曝露金屬化層次中的導(dǎo)電組件110以及優(yōu)選地曝露一或多個(gè)連通部層次中的至少一個(gè)連通部120會(huì)改進(jìn)調(diào)節(jié)器的電極132、134的性能。通過(guò)電極132、134提供的橫越孔135電場(chǎng)可更均一。此外，移除在使用期間可面朝電子射束的絕緣材料145會(huì)防止通過(guò)諸如電子的散射帶電粒子而在使用期間使此材料帶電。子射束熄滅裝置陣列的孔內(nèi)的電荷積聚趨向于隨著時(shí)間而降低性能且因此是不希望的。盡管圖8E所示的結(jié)構(gòu)建議需要移除絕緣材料145來(lái)曝露導(dǎo)電組件110的側(cè)面，但可能已經(jīng)在早先蝕刻步驟中達(dá)成該側(cè)面中的一面或多面的曝露。盡管該圖中未指示，但至少導(dǎo)電組件110的已曝露表面以及優(yōu)選地曝露至孔135的內(nèi)部容積的一個(gè)或多個(gè)連通部120可設(shè)置有基本上惰性的導(dǎo)電涂層，例如，不會(huì)氧化或基本上不會(huì)氧化的材料的涂層。該涂層的實(shí)例包括但不限于CrMo、Au及Pt的涂層。為了描繪另外的處理步驟，在圖9A、圖9B中提供子射束熄滅裝置陣列的較大部分的橫截面圖。在此狀況下，該橫截面圖包括如參看圖8A至圖8F所述的三個(gè)孔135。在用以加寬互連結(jié)構(gòu)100內(nèi)的自由空間及基板101中的孔160的蝕刻的以化學(xué)地選擇性步驟之后，通過(guò)自背對(duì)互連結(jié)構(gòu)100的側(cè)，即背側(cè)(backside)進(jìn)行蝕刻而將大孔170形成至半導(dǎo)體基板101中。對(duì)于此蝕刻，在基板101的背側(cè)上選擇性沉積第三抗蝕層157(見(jiàn)圖9A)。接著將第三抗蝕層157用作蝕刻中的蝕刻屏蔽，其導(dǎo)致圖9B所示的結(jié)果。隨后移除第三抗蝕層157將導(dǎo)致圖7所示的子射束熄滅裝置陣列部分。對(duì)于背側(cè)蝕刻，可利用干式蝕刻，例如反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，或?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員所知的濕式蝕刻。應(yīng)注意，以化學(xué)方式選擇性移除絕緣材料以便將導(dǎo)電材料曝露至孔的步驟不必須是在半導(dǎo)體基板101中蝕刻一個(gè)或多個(gè)孔之后予以實(shí)施，而亦可在參考圖9A、圖9B所論述的背部蝕刻(back-etching)步驟之后予以應(yīng)用。
此外，盡管參考圖9A、圖9B所述的背部蝕刻步驟自背側(cè)產(chǎn)生的孔具有足以限定通過(guò)用于一個(gè)以上調(diào)節(jié)器的整個(gè)結(jié)構(gòu)的通孔的尺寸，但應(yīng)理解，亦可每調(diào)節(jié)器設(shè)置該背部蝕刻孔。針對(duì)多個(gè)調(diào)節(jié)器使用單一背側(cè)孔的優(yōu)點(diǎn)在于其由于用于背側(cè)蝕刻步驟中的屏蔽的較低復(fù)雜性及較低對(duì)準(zhǔn)要求而簡(jiǎn)化制造。圖10示出子射束熄滅裝置陣列的另一部分的簡(jiǎn)化橫截面圖。具體地，圖10示意性地示出包含感光組件的子射束熄滅裝置陣列的一部分。在所示的實(shí)施例中，感光組件包含二極管241，二極管241具有第一區(qū)241P、第二區(qū)241N，及在該區(qū)241N、241P之間的結(jié)合部分242?？狗瓷渫繉?43存在于二極管241的頂部。此抗反射涂層243被設(shè)置成防止由于反射而使光強(qiáng)度降低。在所示實(shí)施例中，已在二極管241的頂部移除互連結(jié)構(gòu)100以產(chǎn)生空腔250?？稍谕瓿苫ミB結(jié)構(gòu)100之后通過(guò)蝕刻來(lái)執(zhí)行此移除?？蛇x地，可在為了獲得圖SE所示的結(jié)構(gòu)而執(zhí)行的蝕刻步驟期間產(chǎn)生空腔250?？稍谛纬煽涨?50之前沉積抗反射涂層243。通過(guò)選擇選擇性蝕刻劑和/或向該涂層提供一適合且光學(xué)透明的蝕刻終止層，而在蝕刻步驟中將不移除涂層243?；蛘撸缮院?，亦即在產(chǎn)生空腔250之后，沉積抗反射涂層243。如圖10的實(shí)施例中所示出，可將額外的導(dǎo)電層260添加至互連結(jié)構(gòu)100。熟悉芯片尺度封裝技術(shù)者應(yīng)知道，此額外互連層260可充當(dāng)所謂的再分布層及/或凸塊金屬化層。在一些實(shí)施例中，額外互連層260包括兩個(gè)子層，亦即，底部鈍化層及頂部導(dǎo)電層。鈍化層被配置成保護(hù)互連結(jié)構(gòu)100免受由外部影響(例如，在制造期間本體的其他機(jī)械處置)引起的損壞。頂部導(dǎo)電層可用以實(shí)現(xiàn)與其它結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電連接。此外，詳言之，當(dāng)在所有處理步驟之后將頂部導(dǎo)電層濺鍍于本體的頂部時(shí)，頂部導(dǎo)電層可覆蓋遍及系統(tǒng)分布的絕緣粒子。該絕緣粒子的覆蓋減少系統(tǒng)內(nèi)雜散場(chǎng)(stray field)來(lái)源的數(shù)目。在另一適合實(shí)施中，第一邊界區(qū)域247及第二邊界區(qū)域248側(cè)向地(laterally)存在于光電二極管241與互連結(jié)構(gòu)100之間。第一邊界區(qū)域247在本文中存在于朝向圖中未示的偏轉(zhuǎn)器的側(cè)處。第一邊界區(qū)域247在本文中小于第二邊界區(qū)域248。此實(shí)施例允許傳輸具有稍微小于恰好90度的入射角的光束。在如圖10所示的空腔250內(nèi)提供感光組件尤其適于直徑小于空腔250的高度或與空腔250的高度相當(dāng)?shù)母泄饨M件。在此狀況下，空腔250的側(cè)面有效地阻擋源自感光組件且尤其源自抗反射涂層243的電場(chǎng)。該場(chǎng)由于散射帶電粒子的聚集。角度P的正切等于空腔的直徑與高度的比率。角度P適合地大于約45度，更適合地大于約60度。若感光組件開(kāi)始作為帶電粒子的來(lái)源，則這可干擾一或多個(gè)接近子射束的潔凈傳遞(圖10中未示)。省去抗反射涂層243可減少此不要求的效應(yīng)?？狗瓷渫繉?43通常是由絕緣材料制成或主要包含絕緣材料，其中可相對(duì)容易地收集散射帶電粒子。然而，省去抗反射涂層243將降低光稱(chēng)合(light incoupling)的效率。詳言之，如果光學(xué)地傳輸?shù)臄?shù)據(jù)的量被設(shè)計(jì)成較大(其可為每偏轉(zhuǎn)器大約100兆位/秒)，則光耦合效率系重要的。高效率實(shí)現(xiàn)以高頻率(例如，為高于IOMHz的頻率，優(yōu)選地高于IOOMHz的頻率，且適合地高于IGHz的頻率)調(diào)節(jié)的光束的傳輸。在圖10所示的實(shí)施例中，光學(xué)導(dǎo)電涂層270存在于抗反射涂層的頂部上以充當(dāng)射束保護(hù)器。代替射束保護(hù)器的其它實(shí)施例，或除了射束保護(hù)器的其它實(shí)施例以外亦可使用此涂層270，該射束保護(hù)器的其它實(shí)施例中的一些實(shí)施例將在下文中予以描述。在空腔250內(nèi)提供導(dǎo)電涂層270可以本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方式進(jìn)行。舉例而言，可以單一步驟來(lái)圖案化抗反射涂層243及導(dǎo)電涂層270?；蛘撸墒褂眠m合的印刷程序來(lái)提供導(dǎo)電涂層270。導(dǎo)電涂層270可包含選自由氧化銦錫(ITO)及與多元酸組合的導(dǎo)電聚合物(諸如聚3，4-乙烯二氧噻吩)組成的材料組的材料。圖10所示的二極管241常規(guī)地為通過(guò)進(jìn)行適合摻雜以獲得摻雜區(qū)241P、241N而形成于支撐基板101中的二極管。常規(guī)地，基板101主要含有硅，且二極管241被稱(chēng)作硅二極管。硅二極管的反應(yīng)時(shí)間對(duì)于需要高速操作的一些應(yīng)用可能過(guò)慢。因此，詳言之，對(duì)于 較高速的應(yīng)用，優(yōu)選地使用Ge 二極管。不必將Ge 二極管整合于支撐基板101中。取而代之，可通過(guò)在互連結(jié)構(gòu)100的頂部結(jié)合Ge板，如通過(guò)使用陽(yáng)極結(jié)合，來(lái)形成Ge 二極管。可通過(guò)在互連結(jié)構(gòu)100的頂部沉積中間絕緣層(例如，二氧化硅層)，接著進(jìn)行適合拋光步驟以獲得基本上平坦表面，來(lái)執(zhí)行該結(jié)合。該基本上平坦表面則可用于接收Ge板以供結(jié)合。在結(jié)合Ge板之后，可適合地圖案化該板以在預(yù)定部位處獲得二極管，在下文中被稱(chēng)作Ge 二極管。應(yīng)注意，以此方式形成的Ge 二極管不像圖10中的Si 二極管241那樣位于空腔250中。因此，起源于Ge 二極管的電場(chǎng)基本上不被互連結(jié)構(gòu)100阻擋。對(duì)于該實(shí)施例，使用射束保護(hù)器是希望的。將參看圖11、圖12及圖13來(lái)描述此射束保護(hù)器的實(shí)施例。如上文所提及，該結(jié)構(gòu)的實(shí)施例可設(shè)置有射束保護(hù)器。該射束保護(hù)器可采取基本上平行于子射束熄滅裝置陣列9的基板101的板總成的形式?？蛇x地，該射束保護(hù)器可體現(xiàn)為自此板延伸的側(cè)壁。將參看圖11至圖13來(lái)論述射束保護(hù)器的不同實(shí)施例。圖11示出了圖10所示的結(jié)構(gòu)的另外實(shí)施例。在圖11的實(shí)施例中，將本體280裝配至互連結(jié)構(gòu)100。利用焊球275進(jìn)行裝配。焊球275延伸通過(guò)通常用于IC制造中的鈍化層265。將本體280適合地用作射束保護(hù)器，以便阻擋起源于感光組件的電場(chǎng)。圖11中還不出表不該電場(chǎng)的場(chǎng)線290的例不性方向。圖12示出了具有射束保護(hù)器300的子射束熄滅裝置陣列309的示意性橫截面圖。可將子射束熄滅裝置陣列309再分成射束區(qū)域及非射束區(qū)域，如圖5中示意性地示出。本文中的非射束區(qū)域包括被配置成接收光束317的多個(gè)感光組件340。射束區(qū)域包括多個(gè)相互鄰近的偏轉(zhuǎn)器330。在本文中通過(guò)虛點(diǎn)線箭頭指示的光束317具有大約90度的入射角。應(yīng)注意，這并非必需的。圖12所示的射束保護(hù)器300的實(shí)施例包括基板310，基板310設(shè)置有在其上延伸的側(cè)壁320。設(shè)置在基板310上的側(cè)壁320鄰近于孔335，孔335是與射束307的軌跡對(duì)準(zhǔn)。應(yīng)注意，盡管圖12中的子射束307垂直地通過(guò)子射束陣列309，但這并非必需的。側(cè)壁320適合地由導(dǎo)電材料制成。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁320圍繞孔335圓周地配置。在另一些實(shí)施例中，側(cè)壁320圍繞通過(guò)一或多個(gè)感光組件340限定的側(cè)向區(qū)域以圓周方式進(jìn)行配置。在此狀況下，可提供側(cè)壁320的結(jié)構(gòu)，其包括圍繞感光組件的側(cè)向區(qū)域延伸的側(cè)壁，及圍繞孔335延伸的側(cè)壁。圖13示出具有射束保護(hù)器300的射束熄滅裝置配置309的另一實(shí)施例。該實(shí)施例的射束熄滅裝置配置309包含第一基板400及第二基板410。在第一基板400上限定偏轉(zhuǎn)器330。在第二基板410的表面處限定感光組件340。焊球420或其它類(lèi)型的連接器提供從第一基板400至第二基板的機(jī) 械連接，及感光組件340與偏轉(zhuǎn)器330及/或任何中間電路之間的電連接。光束317現(xiàn)從相反方向(例如，行的頂側(cè))到達(dá)感光組件340。此外，輻射孔435存在于第一基板400中。射束保護(hù)器300體現(xiàn)為圍繞多個(gè)感光組件340以圓周方式延伸的側(cè)壁。已參考上文所論述的特定實(shí)施例而描述本發(fā)明。應(yīng)認(rèn)識(shí)到，此等實(shí)施例易受為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的各種修改及替代形式，而不脫離本發(fā)明的精神及范疇。因而，盡管已描述特定實(shí)施例，但此等實(shí)施例僅為實(shí)例且不限制本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的范疇系界定于隨附權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.ー種用于帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)中的調(diào)節(jié)裝置，所述裝置包括包含互連結(jié)構(gòu)的本體，該互連結(jié)構(gòu)設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器及在所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連，所述互連用于實(shí)現(xiàn)所述調(diào)節(jié)器與一個(gè)或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接； 其中一個(gè)調(diào)節(jié)器包括第一電極、第二電極，及延伸通過(guò)所述本體的孔，所述電極位于所述孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越所述孔產(chǎn)生電場(chǎng)；且 其中所述第一電極和所述第二電極中的至少ー個(gè)包括形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第一層次處的第一導(dǎo)電組件，和形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第二層次處的第二導(dǎo)電組件，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件彼此電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件通過(guò)至少ー個(gè)連通部而彼此連接，所述至少一個(gè)連通部曝露至所述孔，以形成所述電極的部分。
3.如權(quán)利要求I或2所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述多個(gè)調(diào)節(jié)器中的第一調(diào)節(jié)器被配置成經(jīng)由所述互連結(jié)構(gòu)的在所述第一層次處的所述第一導(dǎo)電組件而連接至圖案數(shù)據(jù)接收組件，且所述多個(gè)調(diào)節(jié)器中的第二調(diào)節(jié)器被配置成經(jīng)由所述互連結(jié)構(gòu)的所述第二層次處的所述第二導(dǎo)電組件而連接至所述圖案數(shù)據(jù)接收組件。
4.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述多個(gè)調(diào)節(jié)器的所述互連以可尋址陣列進(jìn)行配置，該可尋址陣列設(shè)置有至少一字符線及至少一位線。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述互連結(jié)構(gòu)通過(guò)基板支撐。
6.如權(quán)利要求5所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述基板為其中限定有多個(gè)半導(dǎo)體電路組件的半導(dǎo)體基板。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述互連結(jié)構(gòu)的頂層為導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求7所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述頂層被配置成處于接地電位，其中所述第一電極被配置成用干與所述圖案數(shù)據(jù)接收組件連接，且其中所述第二電極連接至所述頂層。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述互連結(jié)構(gòu)為CMOS結(jié)構(gòu)。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述數(shù)據(jù)接收組件為所述調(diào)節(jié)裝置的部分，且所述數(shù)據(jù)接收組件為用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)電信號(hào)的感光組件。
11.如權(quán)利要求10所述的調(diào)節(jié)裝置，其中所述感光組件為提供于所述互連結(jié)構(gòu)頂部的Ge ニ極管。
12.一種用于使用多個(gè)子射束將圖案轉(zhuǎn)印至目標(biāo)的表面上的帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括 射束產(chǎn)生器，其用于產(chǎn)生多個(gè)子射束； 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其用于根據(jù)圖案數(shù)據(jù)來(lái)偏轉(zhuǎn)所述多個(gè)子射束； 子射束擋止器陣列，其用于選擇性阻擋所述已偏轉(zhuǎn)的子射束，以便形成圖案化子射束；和 投影系統(tǒng)，其用于將所述經(jīng)圖案化射束投影至所述目標(biāo)表面上。
13.如權(quán)利要求12所述的光刻系統(tǒng)，其中子射束組被配置成通過(guò)所述子射束擋止器陣列中的單個(gè)孔，且所述調(diào)節(jié)裝置中的對(duì)應(yīng)偏轉(zhuǎn)器被配置成使所述子射束朝向阻擋位置偏轉(zhuǎn)至所述子射束陣列上，使得所述阻擋位置基本上均質(zhì)地圍繞所述單個(gè)孔散布。
14.ー種制造調(diào)節(jié)裝置的方法，包括 提供包括互連結(jié)構(gòu)的本體，該互連結(jié)構(gòu)設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器及在所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連，所述互連是用于實(shí)現(xiàn)所述調(diào)節(jié)器與ー個(gè)或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接，其中所述調(diào)節(jié)器包括第一電極和第二電極，且其中所述第一電極和所述第二電極中的至少ー個(gè)包括形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第一層次處的第一導(dǎo)電組件以及形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第二層次處的第二導(dǎo)電組件，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件彼此電連接；和 形成延伸通過(guò)所述本體的孔，使得所述多個(gè)調(diào)節(jié)器中的一個(gè)調(diào)節(jié)器的所述第一電極和所述第二電極位于所述孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越所述孔產(chǎn)生電場(chǎng)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述形成孔包括 沉積第一抗蝕層； 在所述第一抗蝕層的頂部沉積絕緣層； 在所述第一抗蝕層的頂部沉積ー第二抗蝕層； 根據(jù)圖案來(lái)曝光所述第二抗蝕層，使得可在待形成有孔的部位的頂部移除所述第二抗蝕層，且根據(jù)所述圖案來(lái)選擇性移除所述第二抗蝕層； 使用所述第二抗蝕層作為第一蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述絕緣層； 使用所述經(jīng)蝕刻的絕緣層作為第二蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述第一抗蝕層；及 使用所述經(jīng)蝕刻的第一抗蝕層作為第三蝕刻屏蔽來(lái)蝕刻所述本體，以便形成所述孔。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其中所述形成孔包括以化學(xué)方式選擇性蝕刻絕緣材料，以便曝露所述第一電極的表面、所述第二電極的表面及用于對(duì)所述電極中的ー個(gè)內(nèi)的導(dǎo)電組件進(jìn)行連接的連通部中的至少ー者。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中以化學(xué)方式選擇性地蝕刻包括濕式蝕刻。
18.如權(quán)利要求14至17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述本體進(jìn)ー步包括用干支撐所述互連結(jié)構(gòu)的基板，且其中所述形成孔包括在所述基板中蝕刻孔的步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中蝕刻孔包括使用布氏程序的各向異性蝕刻。
20.如權(quán)利要求14至19中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述圖案數(shù)據(jù)接收組件為用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的ニ極管，且所述方法進(jìn)ー步包括 將具有ニ極管材料的板結(jié)合至所述互連結(jié)構(gòu)上； 圖案化所述板以在預(yù)定位置處獲得ニ極管。
21.如權(quán)利要求第20項(xiàng)所述的方法，其中所述板包含鍺。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于帶電粒子多子射束光刻系統(tǒng)中的調(diào)節(jié)裝置。該裝置包括包含互連結(jié)構(gòu)(100)的本體，該互連結(jié)構(gòu)設(shè)置有多個(gè)調(diào)節(jié)器及在所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同層次處的互連，所述互連用于實(shí)現(xiàn)所述調(diào)節(jié)器與一個(gè)或多個(gè)圖案數(shù)據(jù)接收組件的連接。一個(gè)調(diào)節(jié)器包括第一電極(132)，第二電極(134)，及延伸通過(guò)所述本體的孔(135)。所述電極位于所述孔的相對(duì)側(cè)上以用于橫越所述孔產(chǎn)生電場(chǎng)。所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)包括形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第一層次處的第一導(dǎo)電組件(110)，和形成于所述互連結(jié)構(gòu)的第二層次處的第二導(dǎo)電組件(110)。所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件彼此電連接。
文檔編號(hào)H01J37/04GK102668015SQ201080048345
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月26日
發(fā)明者F.M.波斯特馬, M.J-J.威蘭 申請(qǐng)人:邁普爾平版印刷Ip有限公司