專利名稱：磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于磁控管的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在屏蔽盒的內(nèi)部設(shè)置帶有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的屏蔽層，通過網(wǎng)孔阻止電磁波通過，從而有效減少高頻諧波的泄漏，降低磁控管對外界輻射的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部示意圖。如圖1、圖2所示，磁控管主要包括有正電極部；負(fù)電極部；磁極部；微波發(fā)射部。 正電極部由圓桶形狀的正極外殼11，在正極外殼11的內(nèi)壁上形成有多個放射狀的葉片12， 葉片上下溝槽中焊接內(nèi)外環(huán)構(gòu)成。負(fù)電極部包括在中心軸上由W(鎢)和TH(釷)元素形成的螺旋形狀并可放射熱電子的燈絲13 ；在葉片12的末端和燈絲13之間形成使熱電子旋轉(zhuǎn)的作用空間14 ；為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中心軸上下方向脫離，在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ；為了支撐燈絲13及引入電源，設(shè)計了貫通下部密封件16并連接上部密封件15的燈絲中央導(dǎo)桿17和與中央導(dǎo)桿17 —起引入電源并連接下部密封件16 的側(cè)面導(dǎo)桿18。磁極部包括固定在正極外殼11的上端和下端且能形成磁通的上磁極20，下磁極 21 ；為了能使作用空間14上形成磁場，在上磁極20的上端和下磁極21的下端安裝磁鐵22。在上磁極20的上部和下磁極21的下部設(shè)置起到磁通作用的上部密封室41和下部密封室42;為了在作用空間14里產(chǎn)生的高頻波發(fā)射到外部，設(shè)有連接在葉片12并貫通上磁極20和上部密封室41中央引出來的天線51 ；為了冷卻在作用空間14里產(chǎn)生并通過葉片12傳遞的熱量，設(shè)置有冷卻片61。在磁控管的下端對應(yīng)下磁極的下部密封室位置設(shè)置陶瓷部件31，陶瓷部件與形成下部密封室的下部封蓋緊密結(jié)合；在陶瓷部件31中設(shè)置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線35，另外設(shè)置具有濾波功能的濾波線圈32，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導(dǎo)桿17 —端和側(cè)面導(dǎo)桿18的一端；包圍濾波線圈設(shè)置由金屬材質(zhì)構(gòu)成的屏蔽盒 34，屏蔽盒內(nèi)部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔36，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈32，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器 33。另外還有把冷卻片61保護(hù)在內(nèi)部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。外殼19包括從上側(cè)容納內(nèi)部裝置的上殼19a和從下側(cè)容納內(nèi)部裝置的下殼19b。圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后，進(jìn)行排氣工序時為了把磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁鐵22產(chǎn)生的磁場通過上磁極20和下磁極21形成磁通時，在葉片12和燈絲13之間形成磁場。當(dāng)通過電容器33進(jìn)行通電的時候，燈絲13在大約2000K溫度下放射熱電子，熱電子在燈絲13與正電極部之間的4. OKV到 4. 4KV和在磁鐵22產(chǎn)生的磁場的作用下的作用空間14進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。這樣，在通過中央導(dǎo)桿17和側(cè)面導(dǎo)桿18向燈絲13通電的時候，在葉片12和燈絲 13之間產(chǎn)生2450MHZ左右的電場，使熱電子在作用空間14內(nèi)通過電場和磁場的作用下變成諧波，并使諧波傳遞到連接葉片12的天線51發(fā)射到外部。在作用空間產(chǎn)生的不僅有用于烹調(diào)的基本波(2450MHZ)，還有基本波頻率整數(shù)倍的高頻諧波，主要包括第二高頻諧波(4900MHZ)、第三高頻諧波(7350MHZ)、第四高頻諧波 (9. 8GHZ)、第五高頻諧波(12. 5GHZ)等?；静ㄓ糜趯ξ⒉t內(nèi)的物品加熱，整數(shù)倍高頻諧波容易對周圍的電器元件造成強(qiáng)烈的電磁干擾，而且對人體有害，因此必須盡量減少高頻諧波從磁控管中泄漏。 現(xiàn)有技術(shù)中磁控管的扼流結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于磁控管的正極外殼上部并形成上部密封室的天線封蓋100和密閉焊接于天線封蓋內(nèi)部并與天線封蓋內(nèi)壁共同形成扼流槽102 的筒狀扼流壁101 ；天線封蓋上部的天線出口處向上部密封室內(nèi)側(cè)彎曲形成扼流筒，扼流筒與扼流壁之間同樣形成扼流槽102，扼流筒、天線封蓋與扼流壁共軸。當(dāng)磁控管開始工作時，磁控管中產(chǎn)生高頻諧波，通常高頻諧波在磁控管的上部的天線封蓋中能夠得到較好的抑制，但在磁控管的向下方向上，一部分能量即高頻諧波通過磁控管負(fù)電極部下方的陰極引出線向外輻射出來，這部分能量容易引起磁控管外部的打火，而且容易對微波爐周圍的設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾，影響到磁控管本身的工作效率，甚至危害到操作人員的身體健康，功率越大的磁控管其諧波的泄漏就更加明顯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種在屏蔽盒的內(nèi)部設(shè)置帶有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的屏蔽層，通過網(wǎng)孔阻止電磁波通過，從而有效減少高頻諧波的泄漏，降低磁控管對外界輻射的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)。本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，設(shè)置在磁控管的下部，包括濾波線圈，分別連接磁控管中燈絲的中央導(dǎo)桿和側(cè)面導(dǎo)桿；屏蔽盒，包圍濾波線圈，其內(nèi)部形成密閉的空間，磁控管陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器，設(shè)置在上述屏蔽盒外， 與濾波線圈相連接，在屏蔽盒內(nèi)部空間內(nèi)設(shè)置包圍濾波線圈的屏蔽層。本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施所述的屏蔽層由分布有網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)的金屬板構(gòu)成。上述網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)在屏蔽層上均勻排列。所述的網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)為直徑小于1/4波長的圓孔。所述的屏蔽層上留有通孔，陶瓷部件從通孔穿至屏蔽層包圍的空間中。構(gòu)成屏蔽層的材質(zhì)中加入吸收微波的材料。上述吸收微波的材料為鐵氧體。所述的屏蔽層與屏蔽盒之間留有空隙。所述的濾波線圈在屏蔽層包圍的空間內(nèi)設(shè)置，濾波線圈與屏蔽層不接觸。兩個濾波線圈的繞線方向相反。
本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)中，在屏蔽盒內(nèi)部設(shè)置帶有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的屏蔽層，網(wǎng)孔的大小小于1/4的微波波長，屏蔽層與屏蔽盒之間留有一定距離，而磁控管的陶瓷部件穿過屏蔽層，進(jìn)入到由屏蔽層分割出的空間內(nèi)部，貫穿陶瓷部件的陰極引出線在屏蔽層圍出的內(nèi)部空間中與濾波線圈相連接，磁控管工作時，一部分微波由陰極引出線從磁控管下方泄漏，由于陶瓷部件穿過屏蔽層，而陰極引出線穿出陶瓷部件的部分都被屏蔽層所包圍，從陰極引出線導(dǎo)出的微波都被擴(kuò)散在屏蔽層形成的空間中，屏蔽層上小于1/4微波波長的網(wǎng)孔能夠阻礙電磁波通過，從而使泄漏出的微波在屏蔽層中發(fā)生損耗，避免高頻諧波從陰極引出線向外界擴(kuò)散，因此對磁控管在工作時產(chǎn)生的諧波噪聲和線傳導(dǎo)噪聲具有良好的屏蔽作用，能夠降低磁控管對其周圍設(shè)備的電磁干擾，同時也降低了磁控管工作時對操作人員的身體健康所帶來的損害。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部示意圖；圖3是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部示意圖；圖4是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖3是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部示意圖；圖4是本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)的內(nèi)部剖視圖。如圖3、圖4所示，在磁控管的下端對應(yīng)下磁極的下部密封室位置設(shè)置陶瓷部件， 陶瓷部件與形成下部密封室的下部封蓋緊密結(jié)合；在陶瓷部件中設(shè)置兩條穿過陶瓷部件的陰極引出線，另外設(shè)置具有濾波功能的濾波線圈32，兩段濾波線圈分別通過陰極引出線連接燈絲的中央導(dǎo)桿一端和側(cè)面導(dǎo)桿的一端；包圍濾波線圈設(shè)置由金屬材質(zhì)構(gòu)成的屏蔽盒34，屏蔽盒內(nèi)部形成密閉的空間，屏蔽盒上部形成通孔，陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔并與屏蔽盒相固定，連接濾波線圈32，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器 33。本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，連接設(shè)置在磁控管的下部，構(gòu)成磁控管的一部分，包括濾波線圈32，由一組相互對應(yīng)設(shè)置的線圈構(gòu)成，通過陰極引出線分別連接磁控管中燈絲的中央導(dǎo)桿和側(cè)面導(dǎo)桿，形成電路連通；屏蔽盒34，由金屬板構(gòu)成，包圍濾波線圈，其內(nèi)部形成密閉的空間，保護(hù)濾波線圈及濾波線圈的電路連接，在屏蔽盒的上部設(shè)置通孔36，磁控管的陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器33，設(shè)置在上述屏蔽盒外，通過連接導(dǎo)線穿過屏蔽盒與濾波線圈相連接，將電源供給給磁控管。在屏蔽盒內(nèi)部的空間內(nèi)設(shè)置包圍濾波線圈的屏蔽層37，屏蔽層本身也形成一個分割開的空間，在屏蔽盒內(nèi)部成為微波的過濾層。屏蔽層37由分布有網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)的金屬板構(gòu)成，為屏蔽電磁波則要求屏蔽層的材質(zhì)為金屬材質(zhì)，而且由于屏蔽層在屏蔽盒內(nèi)部單獨(dú)又圍成了空間，為了不影響磁控管下部和濾波線圈的散熱，需要保證屏蔽層內(nèi)部和屏蔽盒內(nèi)部的空間進(jìn)行連通，使屏蔽層圍成空間內(nèi)的熱量向外部發(fā)散，從而進(jìn)行正常的熱量交換，防止屏蔽層內(nèi)部空間內(nèi)的元件因溫度過高而老化故障。屏蔽層37上的網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)為均勻排列，使屏蔽層的微波屏蔽及散熱效果更加均勻， 防止屏蔽層對散熱過多的阻礙，均勻排列的網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)也更加便于加工。屏蔽層上的網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)可以為各種形狀，但網(wǎng)孔的最大跨度最好要小于1/4波長， 這樣可以有效地防止電磁波的通過，如果網(wǎng)孔的最長處跨度較大，則可能會造成電磁波從網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)中向外泄露，屏蔽層就無法起到良好的濾波作用。在同時保證散熱效果即濾波效果的前提下，可以將網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)選為直徑小于1/4波長的圓孔，既便于加工生產(chǎn)，又可以更加容易的保證網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)的規(guī)格。在上述的屏蔽層上留有通孔，通孔與屏蔽盒上部的通孔位置相對應(yīng)，穿過屏蔽盒的陶瓷部件同時從穿至屏蔽層包圍的空間中，從而保證屏蔽層對陶瓷部件中的陰極引出線的包圍，從陰極引出線中導(dǎo)出的電磁波直接會進(jìn)入到屏蔽層圍成的空間中，因而直接在屏蔽層的空間中發(fā)生損耗，使電磁波無法發(fā)生泄露。構(gòu)成屏蔽層的材質(zhì)中加入吸收微波的材料以增加屏蔽層對電磁波的減弱作用，使電磁波向外的輻射能量更小，進(jìn)一步提高屏蔽層對電磁波的屏蔽濾波作用。鐵氧體為最常見的吸收微波的材料，因此可以在屏蔽層的生產(chǎn)成型過程中，向生產(chǎn)材料中添加鐵氧體使屏蔽層具有吸收微波的效果。。屏蔽層與屏蔽盒之間留有一定空隙，濾波線圈在屏蔽層包圍的空間內(nèi)設(shè)置，濾波線圈與屏蔽層不接觸。兩個濾波線圈的繞線方向相反，通過線圈里相反的電流走向提高濾波線圈在電路中的濾波作用。本發(fā)明的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)中，在屏蔽盒內(nèi)部設(shè)置帶有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的屏蔽層，網(wǎng)孔的大小小于1/4的微波波長，屏蔽層與屏蔽盒之間留有一定距離，而磁控管的陶瓷部件穿過屏蔽層，進(jìn)入到由屏蔽層分割出的空間內(nèi)部，貫穿陶瓷部件的陰極引出線在屏蔽層圍出的內(nèi)部空間中與濾波線圈相連接，磁控管工作時，一部分微波由陰極引出線從磁控管下方泄漏，由于陶瓷部件穿過屏蔽層，而陰極引出線穿出陶瓷部件的部分都被屏蔽層所包圍，從陰極引出線導(dǎo)出的微波都被擴(kuò)散在屏蔽層形成的空間中，屏蔽層上小于1/4微波波長的網(wǎng)孔能夠阻礙電磁波通過，從而使泄漏出的微波在屏蔽層中發(fā)生損耗，避免高頻諧波從陰極引出線向外界擴(kuò)散，因此對磁控管在工作時產(chǎn)生的諧波噪聲和線傳導(dǎo)噪聲具有良好的屏蔽作用，能夠降低磁控管對其周圍設(shè)備的電磁干擾，同時也降低了磁控管工作時對操作人員的身體健康所帶來的損害。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然而，并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)然會利用揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾，成為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，設(shè)置在磁控管的下部，包括濾波線圈，分別連接磁控管中燈絲的中央導(dǎo)桿和側(cè)面導(dǎo)桿；屏蔽盒，包圍濾波線圈，其內(nèi)部形成密閉的空間，磁控管陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器，設(shè)置在上述屏蔽盒外，與濾波線圈相連接，其特征在于在屏蔽盒內(nèi)部空間內(nèi)設(shè)置包圍濾波線圈的屏蔽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于屏蔽層由分布有網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)的金屬板構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于上述網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)在屏蔽層上均勻排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)為直徑小于 1/4波長的圓孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于屏蔽層上留有通孔，陶瓷部件從通孔穿至屏蔽層包圍的空間中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于構(gòu)成屏蔽層的材質(zhì)中加入吸收微波的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于上述吸收微波的材料為鐵氧體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于屏蔽層與屏蔽盒之間留有空隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于濾波線圈在屏蔽層包圍的空間內(nèi)設(shè)置，濾波線圈與屏蔽層不接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于兩個濾波線圈的繞線方向相反。
全文摘要
一種磁控管的濾波結(jié)構(gòu)，設(shè)置在磁控管的下部，包括濾波線圈，分別連接磁控管中燈絲的中央導(dǎo)桿和側(cè)面導(dǎo)桿；屏蔽盒，包圍濾波線圈，其內(nèi)部形成密閉的空間，磁控管陶瓷部件的下端穿過屏蔽盒上部的通孔與屏蔽盒相固定；電容器，設(shè)置在上述屏蔽盒外，與濾波線圈相連接，在屏蔽盒內(nèi)部空間內(nèi)設(shè)置包圍濾波線圈的屏蔽層。從陰極引出線導(dǎo)出的微波都被擴(kuò)散在屏蔽層形成的空間中，屏蔽層上小于1/4微波波長的網(wǎng)孔能夠阻礙電磁波通過，從而使泄漏出的微波在屏蔽層中發(fā)生損耗，避免高頻諧波從陰極引出線向外界擴(kuò)散，因此對磁控管在工作時產(chǎn)生的諧波噪聲和線傳導(dǎo)噪聲具有良好的屏蔽作用。
文檔編號H01J23/15GK102237240SQ201010156748
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者王媛 申請人:樂金電子(天津)電器有限公司