專利名稱：等離子顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下，稱為rop)即使在平板顯示(FPD)中也能夠高速顯示，并且易于實(shí)現(xiàn)大型化，因此，在影像顯示裝置以及宣傳顯示裝置等領(lǐng)域被廣泛地實(shí)際應(yīng)用。AC驅(qū)動面放電型PDP —般采用3電極結(jié)構(gòu)，通過將前面板和背面板2塊玻璃基板按照所規(guī)定的間隔對置配置而成。前面板由下列部分構(gòu)成由在玻璃基板上形成的條狀掃描電極和維持電極構(gòu)成的顯示電極；覆蓋該顯示電極，并發(fā)揮作為積蓄電荷的電容器作用的電介質(zhì)層；在該電介質(zhì)層上形成的厚度為Iym左右的保護(hù)膜。另一方面，背面板由下列部分構(gòu)成在玻璃基板上形成的多個(gè)尋址電極；覆蓋該尋址電極的基底電介質(zhì)層；在其上 面形成的隔壁；在通過隔壁隔開的顯示單元內(nèi)涂覆的分別發(fā)紅色、綠色和藍(lán)色光的熒光體層。前面板與背面板，使其電極形成面一側(cè)對置，并被氣密密封，在通過隔壁隔開的放電空間內(nèi)，將氖(Ne)-氙(Xe)的放電氣體以53kPa 80. OkPa的壓力封入。PDP通過向顯示電極選擇性地外加影像信號電壓而產(chǎn)生放電，由該放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)各顏色的熒光體層，發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光，實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示(參照專利文獻(xiàn)I)。在這種PDP中，作為在前面板的電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層的作用，可以舉出保護(hù)電介質(zhì)層免受由放電引起的離子沖擊；釋放用于產(chǎn)生尋址放電的初始電子等例子。保護(hù)電介質(zhì)層免受離子沖擊在防止放電電壓上升的方面起著重要的作用；另外，釋放用于產(chǎn)生尋址放電的初始電子在防止成為圖像閃爍的原因的尋址放電錯誤的方面起著重要的作用。為了增加從保護(hù)層釋放的初始電子的數(shù)量，減輕圖像的閃爍，進(jìn)行了例如在氧化鎂(MgO)中添加硅(Si)或鋁(Al)等的嘗試。近年來，隨著電視機(jī)的高精細(xì)化的發(fā)展，市場上對于低成本 低功率消耗 高亮度的全高清(High Definition) (1920X1080像素逐行掃描顯示)PDP的要求越來越高。由于保護(hù)層的電子釋放特性決定TOP的畫質(zhì)，所以，電子釋放特性的控制非常重要。針對這種rop，進(jìn)行了通過將雜質(zhì)混在保護(hù)層中來改善電子釋放特性的嘗試(專利文獻(xiàn)2)。但是，在將雜質(zhì)混在保護(hù)層中，改善了電子釋放特性的情況下，與此同時(shí)，在保護(hù)層表面積蓄了電荷，要作為存儲器功能使用時(shí)的電荷隨時(shí)間減少的衰減率變大，因此，需要加大用于抑制該問題的外加電壓等對策。如上所述，作為保護(hù)層的特性，存在著在具有高電子釋放能力的同時(shí)，也具有減小作為存儲器功能的電荷的衰減率、即高電荷保持特性這一必須兼?zhèn)湎喾吹?種特性的課題。專利文獻(xiàn)I JP特開2007-48733號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開2002-260535號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的rop的制造方法為等離子顯示面板的制造方法，該等離子顯示面板具有前面板和背面板，在前面板上，以覆蓋形成在基板上的顯示電極的方式形成電介質(zhì)層，并且在電介質(zhì)層上形成有保護(hù)層，背面板與前面板對置配置以便在前面板上形成放電空間，并且，在背面板上，在與顯示電極交叉的方向上形成尋址電極，且設(shè)置有劃分放電空間的隔壁，形成前面板的保護(hù)層的保護(hù)層形成工序包括基底膜形成工序，在電介質(zhì)層上以蒸鍍的方式形成基底膜；膏膜形成工序，在基底膜上涂覆含有金屬氧化物粒子、有機(jī)成分和稀釋溶劑的金屬氧化物膏，形成金屬氧化物膏膜；曝光顯影工序，將膏膜曝光、顯影，使膏膜以所規(guī)定的圖案形狀殘留在基底膜上；以及金屬氧化物粒子附著工序，通過對殘留在基底膜上的上述膏膜進(jìn)行燒制，除去有機(jī)成分，而使金屬氧化物粒子附著在上述基底膜上，作為金屬氧化物膏，金屬氧化物粒子的含量在I. 5體積％以下，有機(jī)成分為含有光聚合引發(fā)劑和水溶性纖維素衍生物和光聚合性單體的物質(zhì)。根據(jù)這種構(gòu)成，可以在基底膜上以所規(guī)定的圖案形狀形成含有金屬氧化物粒子的 膏膜，因此，可以在基底膜上將金屬氧化物粒子以在面內(nèi)均勻分散的方式附著，能夠使金屬氧化物粒子的覆蓋率分布均勻。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)在改善電子釋放特性的同時(shí)也兼?zhèn)潆姾杀３痔匦缘?、具有低功率消耗、高精?xì)、高亮度的顯示性能的rop。


圖I是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的制造方法制造的PDP的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示該rop的前面板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示該rop的保護(hù)層的形成工序的流程圖。圖4是表示結(jié)晶粒子的陰極發(fā)光測量結(jié)果的圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的電子釋放性能和Vscn點(diǎn)燈電壓的特性的圖。圖6是表示結(jié)晶粒子的粒徑和電子釋放性能的關(guān)系的圖。圖7是表示結(jié)晶粒子的粒徑和隔壁損壞概率的關(guān)系的特性圖。圖8是表示凝集粒子和粒度分布的一個(gè)例子的圖。符號說明IPDP2前面板3前面玻璃基板4掃描電極4a、5a透明電極4b、5b金屬總線電極5維持電極6顯示電極7黑色條(遮光層)8電介質(zhì)層
9保護(hù)層10背面板11背面玻璃基板12尋址電極13基底電介質(zhì)層14 隔壁15突光體層16放電空間
81第I電介質(zhì)層82第2電介質(zhì)層91基底膜92凝集粒子
具體實(shí)施例方式以下，針對本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行說明。(實(shí)施方式)圖I是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中的rop的制造方法制造的ropi的結(jié)構(gòu)的立體圖。由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2和由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10對置配置，其外周部被由玻璃粉等構(gòu)成的密封材料氣密密封。氖(Ne)以及氙(Xe)等放電氣體被以53. 3kPa 80. OkPa的壓力封入到I3DPl內(nèi)部的放電空間16中。在前面板2的前面玻璃基板3上，分別配置了多列互相平行的由掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的一對帶狀顯示電極6和黑色條(遮光層)7。在前面玻璃基板3上以覆蓋顯示電極6和遮光層7的方式形成了發(fā)揮電容器作用的電介質(zhì)層8，并且在其表面上進(jìn)一步形成了包含氧化鎂(MgO)等的保護(hù)層9。另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在與前面板2的掃描電極4以及維持電極5正交方向上，相互平行地配置了多個(gè)帶狀的尋址電極12，且其上覆蓋了基底電介質(zhì)層13。另外，在尋址電極12之間的基底電介質(zhì)層13上，形成了劃分放電空間16的具有所規(guī)定高度的隔壁14。在隔壁14之間的溝中形成了熒光體層15。熒光體層15通過紫外線分別發(fā)出紅光、綠光、以及藍(lán)光。在掃描電極4以及維持電極5與尋址電極12交叉的位置上，形成放電單元，成為用于彩色顯示的像素。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的I3DPl的前面板2的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是將圖I上下反轉(zhuǎn)過來表示的。如圖2所示，在根據(jù)浮法等制造的前面玻璃基板3上，由掃描電極4和維持電極5構(gòu)成的顯示電極6和黑色條(遮光層)7形成圖案。掃描電極4和維持電極5分別由銦錫氧化物(ITO)或氧化錫(SnO2)等構(gòu)成的透明電極4a、5a ;和在透明電極4a、5a上形成的金屬總線電極4b、5b構(gòu)成。金屬總線電極4b、5b用于在透明電極4a、5a的長度方向上提供導(dǎo)電性，由以銀(Ag)材料為主要成分的導(dǎo)電性材料形成。電介質(zhì)層8由第I電介質(zhì)層81和在第I電介質(zhì)層81上形成的第2電介質(zhì)層82至少2層構(gòu)成，第I電介質(zhì)層81是以覆蓋在前面玻璃基板3上形成的這些透明電極4a、5a和金屬總線電極4b、5b和遮光層7的方式設(shè)置的。
接下來，對作為本發(fā)明的PDP的特征的保護(hù)層9的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖2所示，保護(hù)層9由基底膜91和分布在基底膜91上的凝集粒子92構(gòu)成?；啄?1在電介質(zhì)層8上由氧化鎂(MgO)、或含有鋁(Al)的氧化鎂(MgO)構(gòu)成。另外，在該基底膜91上，分散地、并且在整個(gè)表面幾乎均勻地分布有凝集了多個(gè)金屬氧化物即氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的凝集粒子92。另外，凝集粒子92以2% 12%的范圍的覆蓋率附著在基底膜91上。在此，覆蓋率是指在I個(gè)放電單元的區(qū)域內(nèi)，凝集粒子92附著的面積a與I個(gè)放電單元的面積b的比率，通過覆蓋率(％) =a/bX100這一公式求出。作為實(shí)際測量時(shí)的方法，例如，用照相機(jī)拍攝相當(dāng)于用隔壁14劃分的I個(gè)放電單元的區(qū)域的圖像，修剪成xXy的I個(gè)單元的大小。然后，將修剪后的攝影圖像二進(jìn)制化為黑白數(shù)據(jù)，然后，根據(jù)該二進(jìn)制后的數(shù)據(jù)，求出凝集粒子92形成的黑色區(qū)域的面積a，如上所述，通過a/b X 100這一公式的計(jì)算求出覆蓋率。
接下來，對PDP的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖2所示，在前面玻璃基板3上，形成掃描電極4以及維持電極5和黑色條(遮光層)7。這些透明電極4a、5a和金屬總線電極4b、5b是使用光刻法等制成圖案而形成的。透明電極4a、5a是使用薄膜工藝等形成的，金屬總線電極4b、5b是將含有銀(Ag)材料的膏以所規(guī)定的溫度燒制固化形成的。另外，黑色條(遮光層)7也同樣是通過絲網(wǎng)印刷含有黑色顏料的膏的方法、或在前面玻璃基板3的整個(gè)表面上形成黑色顏料后，使用光刻法制成圖案，燒制而成。并且，在前面玻璃基板3上，通過覆蓋涂覆(die coat)法等以覆蓋由掃描電極4、維持電極5構(gòu)成的顯示電極6以及黑色條(遮光層)7的方式涂覆電介質(zhì)膏而形成電介質(zhì) 膏膜(電介質(zhì)材料層)(圖中沒有顯示)，。然后，通過將電介質(zhì)膏膜燒制固化，形成覆蓋掃描電極4、維持電極5以及黑色條(遮光層)7的電介質(zhì)層8。并且，電介質(zhì)膏是含有玻璃粉末等的電介質(zhì)材料、粘合劑以及溶劑的涂料。另外，通過真空蒸鍍法在電介質(zhì)層8上形成由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底膜91。通過以上步驟，在前面玻璃基板3上，形成作為本發(fā)明的TOPl的凝集粒子92以外的所規(guī)定的構(gòu)成要素的顯示電極6、遮光層7、電介質(zhì)層8、基底膜91。接下來，通過圖3對形成本發(fā)明的實(shí)施方式中的ropi的保護(hù)層9的制造工序進(jìn)行說明。圖3是表示TOPl的保護(hù)層9的形成工序的流程圖。如圖3所示，在進(jìn)行了形成電介質(zhì)層8的電介質(zhì)層形成工序Al之后，在接下來的基底膜蒸鍍工序A2中，通過以含有鋁(Al)的氧化鎂(MgO)的燒結(jié)體作為原材料的真空蒸鍍法，在電介質(zhì)層8上形成主要由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底膜91。然后，進(jìn)入凝集粒子附著工序A3，其中，在基底膜蒸鍍工序A2中形成的未燒制的基底膜91上，將凝集了作為金屬氧化物粒子的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的凝集粒子92分散地附著形成。凝集粒子附著工序A3包括以下的工序。即，在膏膜形成工序A31中，將由氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子即金屬氧化物粒子、有機(jī)成分和稀釋溶劑構(gòu)成的光聚合組合物的金屬氧化物膏涂覆在基底膜91上形成膏膜。然后，在曝光顯影工序A32中，將在基底膜91上形成的膏膜進(jìn)行曝光顯影，在基底膜91上使膏膜以所規(guī)定的圖案形狀殘留下來。另外，在金屬氧化物粒子附著工序A33中，能夠通過燒制殘留的膏膜，來去除金屬氧化物膏中的有機(jī)成分，形成在基底膜91上附著了凝集有金屬氧化物的結(jié)晶粒子的凝集粒子92的保護(hù)層9。其結(jié)果是，能夠形成由基底膜91和凝集粒子92構(gòu)成的保護(hù)層9。在此，在曝光顯影工序A32中，使用紫外線、準(zhǔn)分子激光、X射線、電子射線等使光聚合引發(fā)劑活性化的具有所規(guī)定波長的活性光線，經(jīng)由形成所規(guī)定的圖案形狀的負(fù)型光掩模，將金屬氧化物膏曝光。然后，用水實(shí)施顯影處理，通過溶解除去未曝光部分，從而在基底膜91上形成成為所規(guī)定的圖案形狀的含有金屬氧化物粒子的膏膜。另外，作為曝光裝置，可以使用在光刻法中一般使用的紫外線照射裝置、制造半導(dǎo)體以及液晶顯示裝置時(shí)使用的曝光裝置等。另外，顯影液可以使用水，且作為顯影方法，可以列舉出浸潰法、搖動法、沖洗法、噴射法、攪拌法等。另外，在金屬氧化物粒子形成工序A33中的燒制工序中，為了將基底膜91上殘留下的膏膜中的有機(jī)成分進(jìn)行熱分解、揮發(fā)，而在數(shù)百。C的所規(guī)定溫度分布、氣氛中進(jìn)行。另外，作為曝光顯影工序A32之前的工序，包括使膏膜干燥的干燥工序。另外，關(guān)于本發(fā)明的金屬氧化物膏，雖會在后面詳細(xì)說明，但金屬氧化物膏為以下 物質(zhì)，其膏中所含有的金屬氧化物的粒子的含量在1.5體積％以下，且作為有機(jī)成分，包含光聚合引發(fā)劑、水溶性纖維素電介質(zhì)、和光聚合性單體。另外，分散于金屬氧化物膏中的金屬氧化物粒子，雖然是基本上作為一次粒子的結(jié)晶粒子被分散，但是這些一次粒子在膏中形成數(shù)個(gè)凝集粒子，這些凝集粒子被形成在基底膜上。另外，在以上的說明中，雖然作為基底膜91以氧化鎂(MgO)為主要成分，但是根據(jù)本發(fā)明，作為基底膜91具有保護(hù)電介質(zhì)層8免受離子沖擊的高耐濺射性能，電子釋放性能不必那么高。即，在以往的rop中，為兼顧一定以上的電子釋放性能和耐濺射性能這兩者，形成以氧化鎂(MgO)為主要成分的保護(hù)層9的情況較多。但是，本發(fā)明的構(gòu)成是通過金屬氧化物的結(jié)晶粒子支配性地控制電子釋放性能。因此，基底膜91完全沒有必要是氧化鎂(MgO)，完全可以使用氧化鋁(Al2O3)等耐濺射性能優(yōu)異的其他材料。另外，在上述說明中，雖然使用氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子作為金屬氧化物的結(jié)晶粒子進(jìn)行了說明，但即使使用其他的結(jié)晶粒子，例如具有與氧化鎂(MgO)同樣高的電子釋放性能的鍶(Sr)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鋁(Al)等金屬氧化物的結(jié)晶粒子，也可以獲得相同效果。因此，作為結(jié)晶粒子，并不特別限定于氧化鎂(MgO)。根據(jù)以上的工序，在前面玻璃基板3上形成顯示電極6、黑色條(遮光層)7、電介質(zhì)層8、基底膜91、以及氧化鎂(MgO)的凝集粒子92。另一方面，背面板10的形成方式如下首先，在背面玻璃基板11上絲網(wǎng)印刷含銀(Ag)材料的膏的方法、或在全面形成金屬膜后，使用光刻法制成圖案的方法等，來形成成為尋址電極12用的構(gòu)成物的材料層。通過將該材料層在所規(guī)定的溫度下燒制而形成尋址電極12。然后，在形成了尋址電極12的背面玻璃基板11上，通過覆蓋涂覆法等以覆蓋尋址電極12的方式涂敷電介質(zhì)膏，形成電介質(zhì)膏膜。然后，通過燒制電介質(zhì)膏膜而形成基底電介質(zhì)層13。并且，電介質(zhì)膏是含有玻璃粉末等的電介質(zhì)材料和粘合劑以及溶劑的涂料。然后，通過在基底電介質(zhì)層13上涂覆含有隔壁14的材料的隔壁形成用膏，制成所規(guī)定形狀的圖案，從而形成隔壁材料層。然后，通過燒制該隔壁材料層而形成隔壁14。在此，作為將涂覆在基底電介質(zhì)層13上的隔壁用膏制成圖案的方法，可以使用光刻法或噴砂法。接下來，在相鄰的隔壁14之間的基底電介質(zhì)層13上以及隔壁14的側(cè)面上，涂覆含有熒光體材料的熒光體膏，通過燒制而形成熒光體層15。通過以上工序制成在背面玻璃基板11上具有所規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10。綜上所述，將具備所規(guī)定的構(gòu)成部件的前面板2和背面板10對置配置，以使顯示電極6和尋址電極12呈正交，并將其周圍用玻璃粉密封，通過將含有氖(Ne)、氙(Xe)等的放電氣體封入到放電空間16中而制成ropi。在此，本發(fā)明的金屬氧 化物膏是一種膏中所包含的金屬氧化物的粒子含量為1.5體積％以下，并且包含光聚合引發(fā)劑、水溶性纖維素電介質(zhì)、光聚合性單體等光聚合性組合物作為有機(jī)成分的物質(zhì)。并且，作為光聚合引發(fā)劑，可以使用眾所周知的物質(zhì)，例如可以舉出二苯甲酮類、安息香類、安息香烷基醚類、苯乙酮類、氨基苯乙酮類、苯甲基類、安息香烷基醚類、苯甲基烷基縮酮類、蒽醌類、縮酮類、噻噸酮類等。作為具體的例子，可以舉出2，4_雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-S-三嗪、2，4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-S-三嗪、2，4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-S-三嗪、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙稀基苯基_s- 二嚷、2,4,6- 二甲基苯甲酸基-_■苯基氧化勝、I-〔 4- (2-輕基乙氧基)苯〕-2-羥基-2-甲基-I-丙烷-I-酮、2，4_ 二乙基噻唑酮、2，4_ 二甲基噻唑酮、2-氯噻噸酮、I-氯-4-丙氧基硫雜蒽酮、3，3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、二苯甲酮、1-(4-異丙基苯)-2-羥基-2-甲基丙烷-I-酮、I- (4-十二烷基苯)-2-羥基-2-甲基丙烷-I-酮、4-苯甲酰-4’-甲基二甲基硫醚、4-二甲氨基苯甲酸、4-二甲氨基苯甲酸甲酯、4-二甲氨基苯甲酸乙酯、4-二甲氨基苯甲酸丁酯、4-二甲氨基苯甲酸-2-乙基己基、4-二甲氨基苯甲酸_2_異戍醇、2, 2- 二乙氧基苯乙酮、節(jié)基二甲基縮酮、節(jié)基_ β _甲氧基乙基乙縮醒、I-苯基-1，2-丙二酮-2-(鄰乙氧羰基)肟、鄰苯甲酰苯甲酸甲酯、芐基、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、對二甲氨基苯乙酮、對叔丁基三氯苯乙酮、對叔丁基二氯苯乙酮、噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-異丙基硫雜蒽酮、二苯并環(huán)庚酮、α , α - 二氯-4-苯氧基苯乙酮、戍基-4- 二甲氨基苯甲酸酯、2-(鄰氯苯基)-4,5- 二苯基咪唑二聚物等。它們可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上組合使用。在光聚合性組合物中，該光聚合引發(fā)劑在O. I 5體積％的范圍，更優(yōu)選適當(dāng)?shù)夭捎肙. 5 2體積％的范圍。在光聚合引發(fā)劑不到O. I體積％的情況下，曝光引起的固化性降低。另外，在光聚合引發(fā)劑超過5體積％的情況下，會出現(xiàn)顯影的分辨性惡化等圖案形成差的問題。另外，水溶性纖維素電介質(zhì)可以是公知的物質(zhì)，并沒有特別限定，例如可以列舉出羥乙基纖維素、甲基羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。它們可以單獨(dú)使用，也可以2種以上混合使用。雖然該水溶性纖維素電介質(zhì)發(fā)揮作為粘結(jié)劑樹脂的功能，但是可以形成相對于紫外線、準(zhǔn)分子激光、X射線、電子射線等的、為了使光聚合引發(fā)劑活性化后開始聚合反應(yīng)而照射的活性光線，透過率高、精度高的圖案。另外，在光聚合性組合物中，上述水溶性纖維素電介質(zhì)在5 20%體積的范圍，更優(yōu)選適當(dāng)?shù)夭捎? 12體積％的范圍。在水溶性纖維素電介質(zhì)不到5體積％時(shí)，在通過絲網(wǎng)印刷法涂覆等情況下，由于橡膠滾軸和絲網(wǎng)版之間的摩擦力變大，因此產(chǎn)生橡膠滾軸的碰撞，印刷性降低。另外，在水溶性纖維素電介質(zhì)超過20體積％的情況下，當(dāng)在形成金屬氧化物膏膜之后進(jìn)行燒制來燃燒除去有機(jī)成分時(shí)，會出現(xiàn)易于殘留燃燒殘?jiān)痊F(xiàn)象。另外，稀釋溶劑只要是能溶解于水溶性纖維素電介質(zhì)的溶劑，就沒有特別的限定。例如，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊烷基乙酸酯等，可以單獨(dú)使用或2種以上組合使用，但是，更優(yōu)選的是將二乙二醇丁基醚和松油醇混合使用。另外，光聚合性單體可以是眾所周知的物質(zhì)，并無特別的限定?？梢耘e出例如，乙二醇丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇雙丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇雙丙烯酸酯、季戊四醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季 戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲 基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、丙烯酸甘油酯、甲基丙烯酸甘油酯、羰基環(huán)氧二丙烯酸酯等。在光聚合性組合物中，該光聚合性單體在3 15體積％的范圍，更優(yōu)選適當(dāng)?shù)夭捎? 10%體積的范圍。在光聚合性單體不到3%體積的情況下，在曝光時(shí)，固化程度不夠，顯影時(shí)發(fā)生圖案剝離。另外，在光聚合性單體超過15體積％的情況下，由于會出現(xiàn)分辨性惡化，圖案形成差的問題，因此不適宜。另外，本發(fā)明的光聚合性組合物可以根據(jù)需要添加紫外線吸收劑、增感劑、增感助劑、聚合禁止劑、可塑劑、增粘劑、有機(jī)溶劑、分散劑、消泡劑、有機(jī)或無機(jī)的防沉淀劑等添加劑。增感劑是為了提高針對光的靈敏度而添加的。作為這種增感劑，具體可以列舉出2，4_ 二乙基噻唑酮、異丙基硫雜蒽酮、2，3_雙(4-二乙氨基苯亞甲基)環(huán)戊酮、2，6-雙(4-二甲氨基苯亞甲基)環(huán)戊酮、2，6_雙(4-二甲氨基苯亞甲基)-4-甲基環(huán)己酮、4，4_雙_( 二甲氨基)查耳酮、4，4_雙-(二乙氨基)查耳酮、對二甲氨基亞肉桂基茚酮、對二甲氨基苯亞甲基茚酮、2-(對二甲基氨基苯基亞乙烯基)-異萘噻唑、I，3-雙(4- 二甲基氨基苯亞甲基)丙酮、1，3_羰基-雙(4-二甲基氨基苯亞甲基)丙酮、3，3_羰基-雙(7-二乙氨基香豆素)、N-苯基-N-乙基乙醇胺、N-苯基乙醇胺、N-鄰甲苯基二乙醇胺、二甲氨基苯甲酸異戍酯、二乙氨基苯甲酸異戍酯、3-苯基-5-苯甲酰硫基四氮唑、I-苯基-5-乙氧羰基硫基四氮唑等。它們可以只使用一種，也可以將2種以上混合使用。聚合禁止劑是為了提高保存時(shí)的熱穩(wěn)定性而添加的。作為這種聚合禁止劑，具體可以列舉出氫醌酯、氫醌酯的單酯化物、N-亞硝基二苯胺、吩噻嗪、對叔丁基鄰苯二酚、N-苯基萘胺、2，6- 二叔丁基對甲酚、四氯對醌、鄰苯三酚等。為了提高印刷性可以添加可塑劑。例如可以列舉出鄰苯二甲酸二丁酯(DBP)、鄰
苯二甲酸二辛酯(DOP)、聚乙二醇、甘油、酒石酸丁酯等。消泡劑是為了減少光聚合性組合物中的氣泡，減少金屬氧化物膏膜中的空孔而添加的。作為這種消泡劑，具體可以列舉出聚乙二醇(分子量400 800)等的亞烷基二醇系、娃系、聞級醇系的消泡劑等。也可以將以上列舉的有機(jī)成分調(diào)制成膏狀或液狀，將金屬氧化物和稀釋溶劑用3根軋輥充分混煉，涂覆在支撐膜上，進(jìn)行干燥，制成片狀，并層壓在基板上。另外，還可以使用絲網(wǎng)印刷法等，通過直接在基板上進(jìn)行涂覆干燥、曝光、顯影而制成圖案。在制成片狀而使用的情況下，作為支撐膜，可以列舉出由例如，厚度為15 125 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚氯乙烯等的合成樹脂膜等形成的撓性膜。根據(jù)需要，可以對這些支撐膜進(jìn)行硅(Si)處理等的離型處理，以便向基板等的轉(zhuǎn)寫變得容易。另外，在具有這種光聚合性組合物的薄板上，為提高未使用時(shí)的穩(wěn)定性，可以貼上保護(hù)膜。作為這種保護(hù)膜，可以使用覆硅處理或?qū)⒐锜雍蟮?、厚度?5 125 μ m左右的聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜等。 接下來，對用于本發(fā)明的金屬氧化物膏的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，調(diào)制表I所示的組成的金屬氧化物膏。[表 I]
\. ———..............I..............■II I. , ■I ■II
組成No. 組合物組合物組合物
__(I) (2) (3)
金屬氧化物__MgO粒子__I. O I. O I. O
水溶性纖維素電介質(zhì)羥丙基纖維素 10.010. O 10. O
光聚合性單體__HQ-MPP__8. O 8. O 8.0
光聚合性引發(fā)劑IR-9Q7__O. 9O. 09 4.5
__DETXO. I O. 01 O. 5
稀釋溶劑乙二醇單丁基 60.0 60.7 57.0
醚__.___
__松油醇__20. O 20. 2 19. O
__ 100. O 100. O 100. O※表中的數(shù)值單位為vol %S卩，首先，在乙二醇單丁基醚和松油醇的稀釋溶劑中混合作為水溶性纖維素電介質(zhì)的羥丙基纖維素，一邊加熱一邊攪拌，進(jìn)行溶解，制成羥丙基纖維素溶液。然后，將該溶液返回到室溫，進(jìn)一步添加作為光聚合性單體的2-甲基丙烯酰氧乙基-2-羥丙基鄰苯二甲酸酯(商品名Η0-ΜΡΡ、共榮社化學(xué)(株)制造)、作為光聚合引發(fā)劑的2-甲基-I [4-(甲硫基)苯]-2-丙酰嗎啉-I-酮(商品名IR-907，Ciba-Geigy(株)公司制造)和二乙基噻噸酮(商品名DETX-S，日本化藥(株)公司制造)，進(jìn)行溶解制成有機(jī)載體(vehecle)。將該有機(jī)載體和作為金屬氧化物粒子的氧化鎂(MgO)粒子用3根軋棍(roller mill)混合、分散，制成光聚合性組合物。然后，添加乙二醇單丁基醚和松油醇，進(jìn)行粘度調(diào)整，使用30μπι的過濾器進(jìn)行過濾，制成金屬氧化物膏。
并且，在表I中，表示了金屬氧化物膏中的、改變了各自的含量的組合物(I)、組合物(2)、組合物(3)，在這些組合物中，對與曝光顯影工序中的基板的貼緊性和分辨性進(jìn)行了評估。如圖2所示，在形成了掃描電極4、維持電極5遮光層7、電介質(zhì)層8、基底91的基板上，使用絲網(wǎng)印刷法涂覆進(jìn)行了如上調(diào)整的金屬氧化物膏，形成金屬氧化物膏膜，然后，在95°C干燥5分鐘。并且，在絲網(wǎng)版上使用了 380S網(wǎng)眼。然后，通過負(fù)型的圖案形成用光掩模照射活性光線，將金屬氧化物膏膜以曝光量lOOJ/cm2進(jìn)行曝光。然后，使用保持在30°C的自來水，通過噴射法以出像點(diǎn)(breakpoint)的2倍的時(shí)間進(jìn)行顯影，將沒有被光固化的部分在水中溶出。并且，所謂的“出像點(diǎn)”是指在不將這種光聚合性組合物的膏曝光而進(jìn)行了顯影的情況下，到膏全部溶解于顯影液為止的時(shí)間。
圖案形成用光掩模由透過活性光線的玻璃基板制成，由涂覆或染色了吸收活性光線的黑色顏料或涂料的遮光部、和透過活性光線的透過部構(gòu)成。評估緊貼性的光掩模的透過部形成為200 μ m、150m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m 9種不同的寬度，將相同寬度的透過部各5根、合計(jì)90根設(shè)置在遮光部內(nèi)。寬度相同的透過部之間空出其寬度的2倍的間隔彼此相鄰。即，在寬度為50μπι的透過部的情況下，交替設(shè)置有寬度50 μ m的透過部和寬度100 μ m的遮光部。如果經(jīng)由該光掩模對金屬氧化物膏膜照射活性光線，則只有入射到透過部中的活性光線透過，并入射到膏膜上，膏膜被曝光成光掩模的透過部的圖案形狀。然后，在光聚合性組合物的膏膜的被曝光的部分，經(jīng)整個(gè)厚度方向的區(qū)域進(jìn)行光聚合，在膏膜上形成寬度不同的多個(gè)線狀潛影。通過將其顯影，能夠獲得在基板上形成線狀的不同寬度的凸部圖案。另一方面,評估分辨性的光掩模的遮光部形成為200 μ m、150 μ m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m的9種不同的寬度，將相同寬度的遮光部各5根、合計(jì)90根設(shè)置在透過部內(nèi)。寬度相同的遮光部之間空出其寬度的2倍的間隔彼此相鄰。S卩，在寬度為50 μ m的遮光部的情況下，交替設(shè)置有寬度50 μ m的遮光部和寬度100 μ m的透過部。如果經(jīng)由該光掩模對膏膜照射活性光線，則只有入射到透過部中的活性光線透過，并入射到膏膜上，膏膜被曝光。如果將其顯影，則可以獲得在基板上形成線狀的不同寬度的凹部圖案。關(guān)于按以上方法得到的圖案，分別通過凸部評估緊貼性，通過凹部評估分辨性。根據(jù)通過這種光掩模所得到的圖案評估緊貼性。如上所述，如果對膏膜進(jìn)行曝光時(shí)，光固化充分進(jìn)行，則在基板上分別形成200 μ m、150 μ m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m寬度的凸部各5根。但是，在膏膜的底部的光固化不充分的情況下，潛影部分會溶出到顯影液中，在基板上不形成凸部。在此，通過透過寬度不同的9種透過部的光來進(jìn)行固化，并對在基板上所形成的線狀凸部是否在顯影后以充分緊貼的狀態(tài)形成進(jìn)行觀察，來評估緊貼性。然后，在以例如50MJ/cm2曝光時(shí)，對在9種透過部中與5根都能以緊貼的狀態(tài)形成在基板上的最小的凸部對應(yīng)的圖案側(cè)的透過部的線寬(Pm)進(jìn)行了觀察。另一方面，分辨性的評估，如果相對于曝光量的固化順利地進(jìn)行，則在基板上分別形成 200 μ m、150 μ m、100 μ m、75 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20 μ m、10 μ m 寬度的凹部各 5 根。但是，在光聚合性組合物的靈敏度高的情況下，遮光部分也進(jìn)行光聚合反應(yīng)，原本必須溶解在顯影液中的部分也發(fā)生固化，在基板上不形成凹部。在此，對寬度不同的9種顯影后的凹部形狀進(jìn)行了觀察，并對與5根都被完全溶出的最小線寬部分的凹部對應(yīng)的圖案側(cè)的遮光部的線寬(Pm)進(jìn)行了觀察。其結(jié)果，在表I中，組合物(I)顯影后的圖案形成了緊貼性ΙΟμπκ分辨性 ομπ 的良好圖案，而組合物(2)由于沒有進(jìn)行充分的光聚合反應(yīng)，在顯影時(shí)圖案會被剝離，不能形成金屬氧化物膏膜的圖案。另一方面，組合物(3)的光聚合反應(yīng)會一直進(jìn)展到遮光部，不能形成良好的凹部，沒有獲得良好的分辨性。綜上所述，如果使用表I中的組合物⑴的金屬氧化物膏，則經(jīng)由所規(guī)定形狀的光掩模進(jìn)行曝光 顯影處理，能夠以所規(guī)定的覆蓋率將金屬氧化物的凝集粒子92分散配置在基底膜91的整個(gè)表面上。另外，也能夠以僅針對像素為最合適的覆蓋率分布金屬氧化物的、凝集粒子92。并且，如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的ropi中，在其放電特性方面，氧化鎂(MgO)的凝集粒子92的覆蓋率優(yōu)選在2% 12%的范圍內(nèi)。此時(shí)，由于覆蓋率取決于金屬氧化物膏膜的膜厚，因此，如果基于利用絲網(wǎng)印刷能夠形成的膜厚范圍，則金屬氧化物膏中的氧化鎂(MgO)粒子的含量優(yōu)選在O. 01體積％ I. 5體積％的范圍內(nèi)。如上所述，作為包含本發(fā)明中的金屬氧化物的粒子、有機(jī)樹脂成分和稀釋溶劑的金屬氧化物膏，膏中所包含的金屬氧化物的粒子的含量設(shè)在I. 5體積％以下，并且作為有機(jī)成分，包含有光聚合引發(fā)劑、水溶性纖維素電介質(zhì)和光聚合性單體。其結(jié)果，如果使用這種金屬氧化物膏，則其粘度特性、分散性、印刷性、燃燒性都穩(wěn)定，并且通過曝光顯影能夠形成高精度的圖案。因此，能夠高精度地控制在基底膜91上的分散配置。接下來，對根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中的rop的制造方法所制造的rop I的性能比較的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。首先，試制了具有不同構(gòu)成的保護(hù)層9的rop。試制品I是形成了僅由氧化鎂(MgO)膜構(gòu)成的保護(hù)層9的rop;試制品2是形成了由添加了鋁(Al)、硅(Si)等雜質(zhì)的氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層9的rop ;試制品3是本發(fā)明中的ropi，是在氧化鎂(MgO)的基底膜91上附著了由金屬氧化物構(gòu)成的結(jié)晶粒子的凝集粒子92的ropi。并且，在試制品3中，作為金屬氧化物，使用氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子，對其陰極發(fā)光進(jìn)行了測量，結(jié)果具有了如圖4所示的特性。關(guān)于具有這3種保護(hù)層9的構(gòu)成的rop，對其電子釋放性能和電荷保持性能進(jìn)行了分析。并且，電子釋放性能是以表示越大則電子釋放量就越多的數(shù)值，通過放電的表面狀態(tài)、以及由氣體種類和其狀態(tài)決定的初始電子釋放量來表現(xiàn)。關(guān)于初始電子釋放量，雖然可以通過在表面照射離子或電子束來測量從表面釋放的電子電流量的方法進(jìn)行測量，但很難以非破壞的方式對前面板2的表面實(shí)施評估。因此，如日本特開2007-48733號公報(bào)所記載的那樣，對放電時(shí)的延遲時(shí)間中的、被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的成為放電的發(fā)生容易度的尺度的數(shù)值進(jìn)行測量。如果對該數(shù)值的倒數(shù)進(jìn)行積分，則成為與初始電子的釋放量線形對應(yīng)的數(shù)值，因此在此使用該數(shù)值進(jìn)行評估。該放電時(shí)的延遲時(shí)間是指從脈沖上升開始放電延遲進(jìn)行的時(shí)間。放電延遲的主要原因可以認(rèn)為是在放電開始時(shí)，成為起因(trigger)的初始電子難以從保護(hù)層9的表面釋放到放電空間16中。 另外，作為電荷保持性能的指標(biāo)，使用了在制成ropi時(shí)為了抑制電荷釋放現(xiàn)象所必須的、外加給掃描電極4的電壓值(以下稱為Vscn點(diǎn)燈電壓)。即，表不Vscn點(diǎn)燈電壓越低電荷保持能力越高。這表明由于即使在rop的面板設(shè)計(jì)上也能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動，所以，作為電源或各電部件，可以使用耐壓以及電容小的部件。在現(xiàn)今的制品中，在用于將掃描電壓依次外加到面板上的MOSFET等的半導(dǎo)體開關(guān)元件中使用了耐壓150V左右的元件。因此，作為Vscn點(diǎn)燈電壓，考慮到溫度引起的變化而優(yōu)選抑制在120V以下。這些電子釋放性能和電荷保持性能的分析結(jié)果如圖5所示。在圖5中，橫軸的電子釋放性能以試制品I的電子釋放性能作為基準(zhǔn)進(jìn)行了表示。從圖5可明確得知，在氧化鎂(MgO)的基底膜91上將氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的凝集粒子92以在整個(gè)表面大致分散地、均勻分布的方式形成的試制品3，在電荷保持性能的評估中，能夠?qū)scn點(diǎn)燈電壓設(shè)定在120V以下，而且，與試制品I相比，電子釋放性能可以獲得6倍以上的良好特性。一般來講，PDP的保護(hù)層9的電子釋放性能和電荷保持性能相反。例如，通過改變 保護(hù)層9的成膜條件，而且如試制品2那樣，通過在保護(hù)層9中摻雜鋁(Al)或硅(Si)、鋇(Ba)等雜質(zhì)而成膜，雖然可以提高電子釋放性能，但作為副作用，Vscn點(diǎn)燈電壓也會上升。但是，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)通過高精細(xì)化而使掃描線數(shù)增加，并且對于單元尺寸有縮小趨勢的rop，可以滿足電子釋放性能和電荷保持性能兩者的要求的保護(hù)層9。接下來，針對試制品3中所使用的結(jié)晶粒子的粒徑進(jìn)行說明。并且，在以下的說明中，粒徑是指平均粒徑，平均粒徑是指體積累積平均直徑(D50)。圖6表示在圖5中所說明的本發(fā)明的試制品3中，通過改變氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的粒徑來檢驗(yàn)電子釋放性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。并且，在圖6中，氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的粒徑表示通過麥奇克(Microtrac)HRA粒度分布分析儀在試劑I級以上的乙醇溶液中測量了粒度分布時(shí)的平均粒徑，進(jìn)一步通過掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察結(jié)晶粒子來進(jìn)行了測量。如圖6所示可知，如果粒徑小到O. 3 μ m左右，則電子釋放性能降低，如果大致上為O. 9 μ m以上，則可以獲得高的電子釋放性能。但是，為了增加放電單元內(nèi)的電子釋放數(shù)量，保護(hù)層9上的每單位面積中的結(jié)晶粒子數(shù)量越多越優(yōu)選。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人所做的實(shí)驗(yàn)可知，如果結(jié)晶粒子存在于相當(dāng)于與前面板2的保護(hù)層9緊密接觸的背面板10的隔壁14的頂部的部分上，會使隔壁14的頂部損壞，且由于其材料附在熒光體層15上，而出現(xiàn)相應(yīng)的單元無法正常點(diǎn)亮、熄滅的現(xiàn)象。如果在與隔壁14的頂部對應(yīng)的部分上不存在結(jié)晶粒子，則很難發(fā)生該隔壁損壞現(xiàn)象，所以，附著的結(jié)晶粒子數(shù)越多，隔壁14的損壞概率就越高。圖7是表示在圖5中說明的本發(fā)明的試制品3中，在每單位面積上散布不同粒徑的相同數(shù)量的結(jié)晶粒子，并對隔壁損壞的關(guān)系進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的圖。由該圖7可明確得知，如果結(jié)晶粒子的直徑大到2. 5μπι左右，則隔壁損壞概率急劇增高，但是如果結(jié)晶粒子直徑小于2. 5 μ m，則可以將隔壁損壞概率抑制到比較小。根據(jù)以上結(jié)果，可以認(rèn)為，在本發(fā)明的ropi的保護(hù)層9中，作為凝集了結(jié)晶粒子的凝集粒子92，優(yōu)選粒徑在O. 9μπι以上、2. 5μ 以下，但是在作為I3DPl實(shí)際上進(jìn)行大量生產(chǎn)的情況下，必須要考慮結(jié)晶粒子的制造上的偏差或形成保護(hù)層9時(shí)的制造上的偏差。
圖8是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中的I3DPl中使用的凝集粒子92的粒度分布的一個(gè)例子的圖。凝集粒子92具有如圖8所示的分布。通過圖6所示的電子釋放特性以及圖7所示的隔壁損壞特性可知，優(yōu)選使用作為平均粒徑的體積累積平均直徑(D50)在0.9 μ m 2 μ m的范圍內(nèi)的凝集粒子92。綜上所述，在具有使用本發(fā)明的實(shí)施方式中的金屬氧化物膏而形成的保護(hù)層9的PDPl中，作為電子釋放性能，具有與試制品I相比6倍以上的特性，作為電荷保持性能，能夠獲得Vscn點(diǎn)燈電壓在120V以下的特性。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)由于高精細(xì)化而使掃描線數(shù)增加，并且具有單元尺寸變小趨勢的TOPl的保護(hù)層9。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)可以滿足電子釋放性能和電荷保持性能這兩者的要求，具備高精細(xì)、高亮度的顯示性能，并且功率消耗低的PDP。但是，在本發(fā)明的ropi中，如上所述，氧化鎂(MgO)的凝集粒子92以2% 12%的范圍的覆蓋率附著。這是基于本發(fā)明的發(fā)明人試制了改變凝集粒子92的覆蓋率后的樣品，并對這些樣品的特性進(jìn)行了檢驗(yàn)的結(jié)果。即，可知這表明了以下的特性隨著凝集粒子92的覆蓋率變高，Vscn點(diǎn)燈電壓變大而惡化，相反，隨著覆蓋率變小，Vscn點(diǎn)燈電壓變小。 即，可以明確的是，為了充分發(fā)揮使凝集粒子92附著帶來的效果，凝集粒子92的覆蓋率只要設(shè)定在12%以下即可。另一方面，為了減小特性的偏差，氧化鎂(MgO)的凝集粒子92需要存在于各放電單元中。因此，需要附著在基底膜91的整個(gè)表面上?？梢?，在覆蓋率小的情況下，顯現(xiàn)在面內(nèi)的偏差變大的傾向，且凝集粒子92在放電單元之間的附著狀態(tài)的偏差變大。通過本發(fā)明的發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，如果以4%以上的覆蓋率附著氧化鎂(MgO)的凝集粒子92，則能夠?qū)⒚鎯?nèi)偏差抑制在大約4%以下。另外還可以知道，在以2%以上的覆蓋率附著氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的凝集粒子92的情況下，也能夠?qū)⒚鎯?nèi)偏差抑制在大約6%左右，實(shí)際應(yīng)用上沒有問題。根據(jù)這些結(jié)果，在本發(fā)明中，優(yōu)選以2% 12%范圍的覆蓋率附著氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子的凝集粒子92，更優(yōu)選以4% 12%范圍的覆蓋率附著凝集粒子92。為實(shí)現(xiàn)該覆蓋率，金屬氧化物膏中的氧化鎂(MgO)粒子含量優(yōu)選在O. 01體積％ I. 5體積％的范圍內(nèi)。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)綜上所述，本發(fā)明對于實(shí)現(xiàn)具有高精細(xì)、高亮度的顯示性能，并且功率消耗低的PDP非常有用。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板的制造方法， 該等離子顯示面板具有前面板和背面板，在上述前面板上，以覆蓋形成在基板上的顯示電極的方式形成電介質(zhì)層，并且在上述電介質(zhì)層上形成有保護(hù)層，上述背面板與上述前面板對置配置以便在上述前面板上形成放電空間，并且，在上述背面板上，在與上述顯示電極交叉的方向上形成尋址電極，且設(shè)置有劃分上述放電空間的隔壁， 形成上述前面板的上述保護(hù)層的保護(hù)層形成工序包括 基底膜形成工序，在上述電介質(zhì)層上以蒸鍍的方式形成基底膜； 膏膜形成工序，在上述基底膜上涂覆含有金屬氧化物粒子、有機(jī)成分和稀釋溶劑的金屬氧化物膏，形成金屬氧化物膏膜； 曝光顯影工序，將上述膏膜曝光、顯影，使膏膜以所規(guī)定的圖案形狀殘留在上述基底膜上；以及 金屬氧化物粒子附著工序，通過對殘留在上述基底膜上的上述膏膜進(jìn)行燒制，除去上述有機(jī)成分，而使上述金屬氧化物粒子附著在上述基底膜上， 作為上述金屬氧化物膏，上述金屬氧化物粒子的含量在I. 5體積％以下，在有機(jī)成分中使用含有光聚合引發(fā)劑、水溶性纖維素衍生物和光聚合性單體的物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于， 使用上述金屬氧化物膏中所含有的上述金屬氧化物粒子的含量為O. Ol體積％以上的膏。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示面板的制造方法。為了實(shí)現(xiàn)具有高精細(xì)、高亮度的顯示性能，并且功率消耗低的等離子顯示面板，在基底膜(91)形成后，涂覆由金屬氧化物粒子、含有光聚合引發(fā)劑和水溶性纖維素衍生物和光聚合性單體的有機(jī)成分、以及稀釋溶劑形成的金屬氧化物膏，通過將膏膜曝光、顯影并燒制，在基底膜(91)上附著形成凝集了多個(gè)金屬氧化物粒子的凝集粒子，并且，金屬氧化物膏中所含的金屬氧化物粒子的含量在1.5體積％以下。
文檔編號H01J11/12GK102741964SQ20098010050
公開日2012年10月17日 申請日期2009年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月24日
發(fā)明者坂元光洋, 大江良尚, 宮前雄一郎, 溝上要, 石野真一郎 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社