專利名稱：保護(hù)罩的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種硅片刻蝕設(shè)備。
背景技術(shù)：
在超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造工藝中，隨著電路尺寸的不斷縮小，刻蝕工藝用 于把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工 藝。在集成電路制造過程中，經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形， 或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的 介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去，制造出所需的 薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗 蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。理想的刻蝕工藝必須具有以下特點①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向 鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；② 良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都 比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發(fā)生因為 過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，對環(huán)境污染少，適用 于工業(yè)生產(chǎn)。目前，在200mm晶圓時代；介質(zhì)、多晶以及金屬刻蝕是刻蝕設(shè)備的三大塊。進(jìn)入 300mm時代以后，隨著銅互連的發(fā)展，金屬刻蝕逐漸萎縮，介質(zhì)刻蝕份額逐漸加大。介質(zhì)刻蝕 設(shè)備的份額已經(jīng)超過50%以上。而且隨著器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備使用量就越大。 進(jìn)入300mm時代以來，Lam由于其簡單的設(shè)計、較低的設(shè)備成本，逐漸在占據(jù)了大半市場。Lam刻蝕設(shè)備的刻蝕過程是在工藝腔100內(nèi)完成，如圖Ia所示，工藝腔100包括 變壓耦合等離子窗(Transformer Coupled Plasma window) 1、氣體注入裝置2、氣體管道3 和圓形環(huán)4。變壓耦合等離子窗1用于隔離大氣和真空，而工藝腔100所需的氣體是經(jīng)由 氣體管道3和氣體注入裝置2進(jìn)入；圓形環(huán)4位于變壓耦合等離子窗1的中心，該圓形環(huán)4 是所述氣體注入裝置2與變壓耦合等離子窗1的連接部分。由于氣體注入裝置2長時間在圓形環(huán)4上下壓，導(dǎo)致圓形環(huán)4極易發(fā)生變形成橢 圓形狀而失去彈性，使得氣體注入裝置2在安裝時由于圓形環(huán)一側(cè)變形而得不到有效重力 緩沖而直接與變壓耦合等離子窗1的石英表面發(fā)生碰撞。變壓耦合等離子窗1表面破碎后 工藝腔100不具有密閉性，而影響刻蝕質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容本實用新型解決的問題是由于硅片刻蝕設(shè)備的氣體注入裝置長時間在圓形環(huán)上 下壓，導(dǎo)致圓形環(huán)極易發(fā)生變形成橢圓形狀而失去彈性，使得氣體注入裝置在安裝時得不 到有效重力緩沖而直接與變壓耦合等離子窗的石英表面發(fā)生碰撞。變壓耦合等離子窗表面 破碎后工藝腔不具有密閉性，而影響刻蝕質(zhì)量。[0008]一種保護(hù)罩，用于保護(hù)氣體注入裝置下的變壓耦合等離子窗，包括分別位于保護(hù)罩兩側(cè)的第一開口和第二開口 ；與所述變壓耦合等離子窗相匹配的保護(hù)罩外側(cè)壁；與所述 氣體注入裝置相匹配的保護(hù)罩的內(nèi)側(cè)壁。優(yōu)選的，所述第一開口在安裝所述氣體注入裝置時位于保護(hù)罩的下方，所述第二 開口在安裝所述氣體注入裝置時位于所述保護(hù)罩的上方。優(yōu)選的，所述第一開口和第二開口通過位于保護(hù)罩的外側(cè)壁和所述保護(hù)罩的內(nèi)側(cè) 壁相連接。優(yōu)選的，所述外側(cè)壁上設(shè)置至少一個手柄。優(yōu)選的，所述保護(hù)罩采用聚氯乙烯材料。由于采用了上述技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點1、避免在安裝刻蝕設(shè)備的氣體注入裝置時，破壞所述變壓耦合等離子窗表面，造 成所述變壓耦合等離子窗失去密封性。2、防止在安裝氣體注入裝置不當(dāng)而使得氣體注入裝置彎曲，保證了氣體注入裝置 位于變壓耦合等離子窗中心。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中氣體注入裝置安裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中氣體注入裝置安裝不當(dāng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型的保護(hù)罩的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型的保護(hù)罩安裝氣體注入裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了更了解本實用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖說明如下。在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，變壓耦合等離子窗是由石英材料制成，所述氣體注入裝 置安裝在位于變壓耦合等離子窗中心的圓形環(huán)上，所述圓形環(huán)由教軟的聚氯乙烯制成，而 在氣體注入裝置的實際使用過程中，安裝時需要經(jīng)常碰觸變壓耦合等離子窗，因此，如果氣 體注入裝置中心不與變壓耦合等離子窗中心對準(zhǔn)時，所述氣體注入裝置經(jīng)常會出現(xiàn)彎曲現(xiàn) 象，并使的變壓耦合等離子窗表面損壞，若不及時修復(fù)或更換新的變壓耦合等離子窗，將無 法保證變壓耦合等離子窗的密封效果，勢必導(dǎo)致裝載在工藝腔內(nèi)的硅片沾附上微小顆?；?其它污染物，這些污染物將導(dǎo)致制作的硅片全部報廢，給工藝生產(chǎn)帶來巨大的損失，然而， 更換新的變壓耦合等離子窗成本又是非常高的。請參考圖3所示為本實用新型較佳實施例的保護(hù)罩結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型提出 一種用于防止變壓耦合等離子窗破損的保護(hù)罩200，包括第一開口 201、保護(hù)罩手柄202以 及第二開口 203，所述保護(hù)罩200的外側(cè)壁的形狀和大小與所述變壓耦合等離子窗204適 配，所述保護(hù)罩200的內(nèi)側(cè)壁的形狀與大小與氣體注入裝置205適配。第一開口 201和第二開口 203分別位于保護(hù)罩200的兩側(cè)，其中第一開口 201在 安裝氣體注入裝置205時位于保護(hù)罩200的下方，而第二開口 203在安裝氣體注入裝置205 時位于保護(hù)罩200的上方。第一開口 201和第二開口 203通過位于保護(hù)罩200的外側(cè)壁和 所述保護(hù)罩200的內(nèi)側(cè)壁相連接。[0024]安裝氣體注入裝置205時，先手持保護(hù)罩手柄202將保護(hù)罩200放置在變壓耦合 等離子窗204中心處，接著再將氣體注入裝置205從第二開口 203裝入。由于所述保護(hù)罩 200的外側(cè)壁的形狀和大小與所述變壓耦合等離子窗204適配，所述保護(hù)罩200內(nèi)側(cè)壁的形 狀與大小與氣體注入裝置205適配，所以保證了氣體注入裝置205的中心與變壓耦合等離 子窗204對準(zhǔn)，避免了氣體注入裝置205彎曲導(dǎo)致變壓耦合等離子窗204表面破損。安裝 完畢后，可以將保護(hù)罩200取出，正常開啟刻蝕設(shè)備運(yùn)作。雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型。本實 用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動與潤飾。因此，本實用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視 權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種保護(hù)罩，用于保護(hù)氣體注入裝置下的變壓耦合等離子窗，其特征在于，包括分別位于保護(hù)罩兩側(cè)的第一開口和第二開口；與所述變壓耦合等離子窗相匹配的保護(hù)罩外側(cè)壁；與所述氣體注入裝置相匹配的保護(hù)罩的內(nèi)側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)罩，其特征在于，所述第一開口在安裝所述氣體注入裝 置時位于保護(hù)罩的下方，所述第二開口在安裝所述氣體注入裝置時位于所述保護(hù)罩的上 方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)罩，其特征在于，所述第一開口和第二開口通過位于保 護(hù)罩的外側(cè)壁和所述保護(hù)罩的內(nèi)側(cè)壁相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)罩，其特征在于，所述外側(cè)壁上設(shè)置至少一個手柄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)罩，其特征在于，所述保護(hù)罩采用聚氯乙烯材料。
專利摘要一種保護(hù)罩，用于保護(hù)氣體注入裝置下的變壓耦合等離子窗，包括分別位于保護(hù)罩兩側(cè)的第一開口和第二開口；與變壓耦合等離子窗相匹配的保護(hù)罩外側(cè)壁；與氣體注入裝置相匹配的保護(hù)罩的內(nèi)側(cè)壁。保證在安裝氣體注入裝置安裝完后位于變壓耦合等離子窗中心而避免由于氣體注入裝置擠壓而使得變壓耦合等離子窗表面產(chǎn)生破裂而造成工藝腔不具有密閉性，而影響刻蝕質(zhì)量。
文檔編號H01J37/02GK201562655SQ20092021423
公開日2010年8月25日 申請日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者陸東 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司