專利名稱：一種大功率led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大功率的LED。
背景技術(shù)：
LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器 件，它利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，當(dāng)兩端加上正向電壓，半導(dǎo) 體中的載流子發(fā)生復(fù)合引起光子發(fā)射而產(chǎn)生光。由于LED工作電壓低、 耗能小、發(fā)光效率高等特點(diǎn)，被廣泛用于照明、顯示等技術(shù)領(lǐng)域。
現(xiàn)有的LED是通過塑膠材料進(jìn)行封裝，由于塑膠材料易成型、成本 低等方面的優(yōu)勢，因此成為現(xiàn)有的LED常用封裝材料。但是由于塑膠材 料的導(dǎo)熱性能比較差，對于較大功率的LED來說， 一方面LED產(chǎn)生的 熱量使塑膠材料發(fā)生變形或劣化，從而影響LED穩(wěn)定性；另一方面LED 的電極需要向塑膠外延伸較長的距離，才能在與控制LED電路焊接連接 時，不會因?yàn)楹附赢a(chǎn)生的高溫?fù)p壞LED,因此該種LED的體積較大， 無法滿足LED小型化的發(fā)展需要。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種大功率LED，可以提高 LED的穩(wěn)定性，同時減小體積。
為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種大功率LED，所述大功率 LED包括LED芯片，所述LED芯片設(shè)在底座的上端面，所述LED芯 片上罩設(shè)有透光體，所述底座的側(cè)面包覆有耐高溫的陶瓷封裝體，所述 封裝體與底座之間設(shè)有兩電極，所述兩電極一端分別與所述LED芯片上
的正負(fù)電極連接，另一端從所述底座的下端面伸出。
優(yōu)選地，所述封裝體為高溫共燒陶資基板HTCC或者低溫共燒陶資基板LTCC，其材質(zhì)包括三氧化二鋁A1203、玻璃陶瓷或氮化鋁A1N中 的一種或多種。
優(yōu)選地，所述透光體為透鏡，所述透鏡材質(zhì)為聚碳酸酯PC或者硅膠。
優(yōu)選地，所述底座為熱的良導(dǎo)體。
優(yōu)選地，延伸至所述底座的下端面電極一端"i殳有導(dǎo)電片，所述導(dǎo)電 片與所述電極電連接，與所述底座絕緣。 優(yōu)選地，所述兩電才及相對i殳置。
本實(shí)用新型大功率LED，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用耐高溫的陶瓷 封裝體對LED進(jìn)行封裝， 一方面大功率LED工作產(chǎn)生大量熱量時，LED 不會發(fā)生變形，因此可以提高LED的穩(wěn)定性；另一方面與LED芯片連 接的兩個電極一端分別延伸至所述底座的下端面，在所述LED與控制 LED工作電路進(jìn)行焊接連接時，也不會因?yàn)楹附硬课痪嚯x封裝體近，出 現(xiàn)由焊接產(chǎn)生的高溫?fù)p壞LED現(xiàn)象，因此可以減小LED體積。
同時由于底座設(shè)有凸臺，在所述凸臺端面中心位置設(shè)有用于配置所 述LED芯片的凹槽，可以使所述透光體與底座接觸面積更大，從而使透 光體與結(jié)合更緊密。由于在凸臺端面中心位置設(shè)有凹槽，因此可以確定 所述LED芯片固定位置。所述底座為熱的良導(dǎo)體，可以更好將LED產(chǎn) 生的熱量傳導(dǎo)出去。由于封裝體采用耐高溫的陶瓷，因此可以起到抗紫 外線和抗氧化。


圖1是本實(shí)用新型大功率LED—實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型大功率LED另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型大功率LED又一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。 下面將結(jié)合具體實(shí)施例，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明本實(shí)用新型目的 的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)。
具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型大功率LED實(shí)施例，由于采用耐高溫的陶資封裝體對 LED進(jìn)行封裝， 一方面大功率LED工作產(chǎn)生大量熱量時，LED不會發(fā) 生變形，因此可以提高LED的穩(wěn)定性；另一方面與LED芯片連接的兩 個電極一端分別延伸至所述底座的下端面，在所述LED與控制LED工 作電路進(jìn)行焊接連接時，也不會因?yàn)楹附硬课痪嚯x封裝體近，出現(xiàn)由焊 接產(chǎn)生的高溫?fù)p壞LED現(xiàn)象，因此可以減小大功率LED體積。
如圖l所示，本實(shí)用新型大功率LED—實(shí)施例。
所述大功率LED包括LED芯片1,所述LED芯片1設(shè)在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩設(shè)有透光體5，所述底座2的側(cè)面包 覆有耐高溫的陶瓷封裝體4，所述封裝體4與底座2之間設(shè)有兩個電極 3,所述電極3—端分別與所述LED芯片l上的正負(fù)電極連接，另一端 延伸至所述底座2的下端面，用于與控制所述LED工作的電路進(jìn)行焊接 連接。由于采用耐高溫的陶瓷封裝體4對LED進(jìn)行封裝，由于采用耐高 溫的陶瓷封裝體4對LED進(jìn)行封裝， 一方面大功率LED工作產(chǎn)生大量 熱量時，LED不會發(fā)生變形，因此可以提高LED的穩(wěn)定性；另一方面 與LED芯片1連4妄的兩個電極3 —端分別延伸至所述底座2的下端面， 在所述LED與控制LED工作電路進(jìn)行焊接連接時，也不會因?yàn)楹附硬?位距離封裝體4較近而出現(xiàn)由焊接產(chǎn)生的高溫?fù)p壞LED現(xiàn)象，因此可以 減小LED體積。
在本實(shí)施例中，所述封裝體4優(yōu)選地為陶瓷，比如高溫共燒陶覺基 板HTCC或者低溫共燒陶乾基板LTCC，其材質(zhì)包括三氧化二鋁A1203、 玻璃陶瓷或氮化鋁A1N中的一種或多種，但也可以是其他耐高溫材料。 所述底座2為鋁，或者其他熱的良導(dǎo)體，可將所述LED芯片1產(chǎn)生的熱 量迅速傳導(dǎo)出去，從而降低大功率LED工作溫度。所述透鏡材質(zhì)為聚碳 酸酯PC或者硅膠。
所述底座2的上端面可以設(shè)有與用于容置所述LED芯片1的凹槽 21;優(yōu)選地，所述凹槽21設(shè)置在上端面中心位置，所述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，在將所述LED芯片1固定在所述凹槽21 中時，由于凹槽21的位置固定，因此在固定時可以方^f更定位，同時所 述凹槽21的深度低于所述LED芯片1的厚度，從而不影響所述LED芯 片1出光角度。
所述兩電極3分別與所述底座2之間電絕緣。所述透光體5可以是 透鏡，通過所述透鏡可以對LED芯片l進(jìn)行保護(hù)，同以可以根據(jù)需要對 LED芯片l發(fā)的光進(jìn)行匯聚或擴(kuò)散，當(dāng)所述透光體5為透鏡時，可以在 所述透鏡與LED芯片1、底座2之間填充可透光的封裝膠，如硅膠或其 他透光材料。
優(yōu)選地，所述兩電極3 —端從所述底座2的下端面伸出的長度為所 述封裝體4的外邊緣到電極3之間距離相等。方便焊接固定所述大功率 LED,同時不增大LED體積。
如圖2所示，本實(shí)用新型大功率LED在上述施例的基礎(chǔ)上還提出另 一實(shí)施例。
所述大功率LED包括LED芯片1，所述LED芯片1 i殳在所述底座 2的上端面，所述LED芯片1上罩設(shè)有透光體5,所述底座2的側(cè)面包 覆有耐高溫的陶瓷封裝體4,所述封裝體4與底座2之間設(shè)有兩個電極 3,所述電極3—端分別與所述LED芯片1上的正負(fù)電極連接，另一端 延伸至所述底座2的下端面。所述底座2i殳有一凸臺22,所述凸臺22 的端面中心位置設(shè)有所述凹槽21。由于所述透光體5與所述封裝體4、 LED芯處1、和底座2之間接觸面積更大，從而使所述透光體5與底座 2結(jié)合更牢固。其他結(jié)構(gòu)及連接關(guān)系不變，不再贅述。
由于采用耐高溫的陶瓷封裝體4對LED進(jìn)^f亍封裝， 一方面大功率 LED工作產(chǎn)生大量熱量時，LED不會發(fā)生變形，因此可以提高LED的 穩(wěn)定性；另一方面與LED芯片1連接的兩個電極3 —端分別延伸至所述 底座2的下端面，在所述LED與控制LED工作電路進(jìn)行焊接連接時， 也不會因?yàn)楹附硬课痪嚯x封裝體4較近而出現(xiàn)由焊接產(chǎn)生的高溫?fù)p壞 LED現(xiàn)象，因此可以減小LED體積。如圖3所示，本實(shí)用新型上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上還提出又一實(shí)施例。 在所述電極3延伸至所述底座2的下端面設(shè)有導(dǎo)電片6,所述導(dǎo)電 片6與所述電極3電連接，并與所述封裝體4固定。所述導(dǎo)電片6的面 積是所述電極3的截面幾倍，由于所述導(dǎo)電片6的面積大于所述電極3 的截面積，因此可以方便所述大功率LED與控制電路連接。其他結(jié)構(gòu)及 其配置關(guān)系與上述實(shí)施例相同，不再贅述。
以上所述^f又為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型 的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或 等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括 在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種大功率LED，其特征在于所述大功率LED包括LED芯片，所述LED芯片設(shè)在底座的上端面，所述LED芯片上罩設(shè)有透光體，所述底座的側(cè)面包覆有耐高溫的陶瓷封裝體，所述封裝體與底座之間設(shè)有兩電極，兩所述電極一端分別與所述LED芯片上的正負(fù)電極連接，另一端延伸至所述底座的下端面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED,其特征在于所述封裝體為 高溫共燒陶資基板HTCC或者低溫共燒陶瓷基板LTCC，其材質(zhì)包括三 氧化二鋁A1203 、玻璃陶資或氮化鋁A1N中的 一種或多種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大功率LED,其特征在于所述底座 為熱的良導(dǎo)體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率LED,其特征在于延伸至所述底 座的下端面電才及一端設(shè)有導(dǎo)電片，所述導(dǎo)電片與所述電極電連接，與所 述底座絕緣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的大功率LED,其特征在于所述兩電極相 對設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率LED,其特征在于所述透光體為 透鏡，所述透鏡材質(zhì)為聚碳酸酯PC或者硅膠。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種大功率LED，該大功率LED包括LED芯片，所述LED芯片設(shè)在底座的上端面，所述LED芯片上罩設(shè)有透光體，所述底座的側(cè)面包覆有耐高溫的陶瓷封裝體，所述封裝體與底座之間設(shè)有兩電極，兩所述電極一端分別與所述LED芯片上的正負(fù)電極連接，另一端延伸至所述底座的下端面。由于所述耐高溫的陶瓷封裝體可以是陶瓷材料，因此可以耐高溫，一方面大功率LED工作產(chǎn)生大量熱量時，LED不會發(fā)生變形，因此可以提高LED的穩(wěn)定性；另一方面與LED芯片連接的兩電極一端分別延伸至所述底座的下端面，在所述LED與控制LED工作電路進(jìn)行焊接連接時，也不會因?yàn)楹附硬课痪嚯x封裝體近，出現(xiàn)由焊接產(chǎn)生的高溫?fù)p壞LED現(xiàn)象，因此可以減小大功率LED體積。
文檔編號F21V19/00GK201382377SQ20092013527
公開日2010年1月13日 申請日期2009年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月27日
發(fā)明者非 王 申請人:深圳市瑞豐光電子有限公司