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等離子體顯示面板及其制造方法

文檔序號:2858058閱讀:158來源:國知局
專利名稱:等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)和PDP制造方法。
背景技術(shù)
—般地,等離子體顯示面板(PDP)是通過使兩個基板之間的多個放電電極放電、 從而產(chǎn)生真空紫外線并激發(fā)基板之間的磷光體層中的磷光體來顯示期望的數(shù)字、字符或圖 形的平板顯示器,其中在兩個基板之間注入放電氣體。 PDP可以通過施加到放電單元的驅(qū)動電壓類型來分類(S卩,直流(DC)型或交流 (AC)型)或者通過放電電極的構(gòu)造來分類(即,雙向放電型或表面放電型)。 傳統(tǒng)的三電極表面放電型PDP包括前基板;后基板;形成在前基板上的多個維持 放電電極對,每對維持放電電極包括X電極和Y電極;覆蓋維持放電電極對的前電介質(zhì)層; 形成于前電介質(zhì)層上的保護層;形成于后基板上且延伸方向與維持放電電極對的延伸方向 交叉的多個尋址電極;覆蓋尋址電極的后電介質(zhì)層;形成于阻擋肋之間的紅、綠和藍(lán)磷光 體層;以及注入到通過接合前基板和后基板所形成的內(nèi)部空間中的放電氣體。
在具有以上結(jié)構(gòu)的PDP中,電信號施加到Y(jié)電極和尋址電極以選擇放電單元。然 后,電信號交替地施加到X電極和Y電極,使得表面放電發(fā)生在前電極的表面處,真空紫外 線由放電產(chǎn)生。由于真空紫外線激發(fā)磷光體層,所以可見光線從被激發(fā)的磷光體層發(fā)出。因 而,PDP能通過可見光線顯示靜止圖像或運動圖片。 傳統(tǒng)的PDP通過以下步驟制造準(zhǔn)備單一的基底基板(base substrate),將基底 基板劃分成多個單位基板以提高生產(chǎn)產(chǎn)量,即,第一基板、第二基板至第(n-1)基板和第n 基板。 根據(jù)它們的類型,各種圖案化的層形成于每個單位基板上。如果單位基板是前基 板,則多個維持放電電極對和覆蓋維持放電電極對的前電介質(zhì)層形成于每個單位基板上。 相反,如果單位基板是后基板,則多個尋址電極、覆蓋尋址電極的后電介質(zhì)層、阻擋肋和磷 光體層形成于單位基板上。 在每個單位基板上形成圖案化的層之后,執(zhí)行烘焙(baking)操作。在烘焙操作之 后,通過利用切割工具沿第一基板、第二基板至第n-l基板和第n基板之間的邊界切割,基 底基板被分成單位基板。 這里,在各種圖案化的層之間,通過在單位基板上施加阻擋肋原材料來圖案化阻 擋肋。關(guān)于這點,阻擋肋能通過使用包括噴砂方法、蝕刻方法、激光方法等的各種方法形成。
然而,在阻擋肋通過使用噴砂方法形成的情形下,會發(fā)生下述問題。
參照圖1,阻擋肋原材料102被印刷在傳統(tǒng)的基板101上。干膜103設(shè)置在已印刷 的阻擋肋原材料102上。接下來,阻擋肋通過光刻被圖案化,且通過利用朝基板101設(shè)置的 噴砂機(sander)沿箭頭A所示的方向噴研磨劑來拋光阻擋肋原材料102而成形。在圖案 化的基板101最外部分處的阻擋肋的外圍部分B具有因阻擋肋原材料102的粉末碰撞基板 101且如箭頭C所示彈回而凹入形成的中間部分。
當(dāng)阻擋肋的中間部分如上所述凹入形成且圖案化的阻擋肋原材料102被烘焙時, 外圍部分B的上部分和中間部分受到不同的收縮力。 當(dāng)烘焙圖案化的阻擋肋原材料102時,阻擋肋的外圍部分B具有在上部分D和中 間部分E(參見圖2)處施加的不同收縮力。因此,尖突起部分形成在阻擋肋的邊緣部分。由 于突起部分,產(chǎn)生了噪音。 換句話說,如在圖2中所示,在烘焙操作期間,外圍部分B在其上部分D處幾乎不 受到向下的豎直收縮力,因而在外圍部分B處的阻擋肋高度幾乎不變化。相反,在烘焙操作 期間,中間部分E受到與阻擋肋的內(nèi)部部分104類似的向下的豎直收縮力,因而阻擋肋的高 度在中間部分E處減小。 更具體地,在烘焙/烘干期間,上部分D基本不具有豎直收縮力,從而高度幾乎不 變化。相反,中間部分E受豎直的收縮力影響,從而其高度降低。 因而,由于在上部分D處的高度高于在中間部分E處的高度,所以在基板lOl的最 外部分處的阻擋肋的外圍部分B的高度與阻擋肋的內(nèi)部部分104的高度之間存在高度差 H1Q由于高度差H"在面板裝配之后,阻擋肋的上部分D可碰撞其它基板的下部分。因而, 會產(chǎn)生噪音。 同樣地,因為中間部分E由于豎直向下的收縮力導(dǎo)致向下壓縮,所以在阻擋肋的
邊緣部分處上部分D與中間部分E之間的收縮力的差別導(dǎo)致形成尖突起部分。 換言之,由于在相鄰的單位基板之間的邊緣處需要被移除(通過噴砂處理)的
額外的阻擋肋原材料,所以在靠近第一基板、第二基板至第n-l基板和第n基板之間的邊
界的位置處設(shè)置的多個阻擋肋之間的空間中不能確保阻擋肋原材料的粉末能沿其流出
(escape)的路徑。因此,阻擋肋原材料的粉末與阻擋肋的邊緣側(cè)壁碰撞,因而阻擋肋原材料
的粉末與阻擋肋碰撞的區(qū)域變得比其余區(qū)域更凹。 結(jié)果,在烘焙操作期間,在碰撞處的阻擋肋變得高于阻擋肋的其余區(qū)域。因而,在 這些位置處的阻擋肋可碰撞與單位基板結(jié)合的其它基板的下部分或電介質(zhì)層,這會在裝配 相應(yīng)對的單位基板之后產(chǎn)生噪音。 換句話說,與阻擋肋的其它部分相比,在阻擋肋的邊緣部分處,存在相應(yīng)于突起部
分的高度差&。由于該高度差,在面板裝配之后,會產(chǎn)生阻擋肋的突起部分碰撞其它基板的
現(xiàn)象,從而產(chǎn)生噪音。該現(xiàn)象類似于由于電極的底切而導(dǎo)致的巻邊現(xiàn)象。 特別地,在其中信號傳輸單元諸如帶載封裝(TCP)在每個單位基板被切割的邊緣
處連接到放電電極的端子的面板結(jié)構(gòu)中,除了由于阻擋肋的高度差而產(chǎn)生的噪音之外,在
放電期間信號傳輸單元的電路端子的振動也會產(chǎn)生噪音,因而總體噪音更加顯著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施方式提供一種PDP,其中在該PDP中基底基板被分成多個單 位基板,使得在基底基板被劃分的邊緣不同于設(shè)置信號傳輸單元的邊緣,以降低噪音,并提 供一種制造PDP的方法。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式,提供一種制造等離子體顯示面板(PDP)的方法。 該方法包括準(zhǔn)備將被分成多個單位基板的基底基板;在多個單位基板上形成多個放電電 極和覆蓋放電電極的電介質(zhì)層;在所述電介質(zhì)層上形成阻擋肋原材料;圖案化所述阻擋肋原材料以形成阻擋肋;以及沿單位基板之間的邊界劃分基底基板。阻擋肋包括在每個單 位基板的用于顯示圖像的顯示區(qū)中的主阻擋肋;以及在顯示區(qū)外部的每個單位基板的非顯 示區(qū)中的偽阻擋肋。偽阻擋肋位于靠近劃分基底基板的位置,使得在單位基板上的偽阻擋 肋在邊界對面彼此相對。單位基板沿邊界在與放電電極的端子和信號傳輸單元連接處的邊 緣相對的邊緣處彼此分離。 根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式,提供一種等離子體顯示面板(PDP)。該PDP包 括基板;在基板上的放電電極;覆蓋放電電極的電介質(zhì)層;以及在電介質(zhì)層上的阻擋肋。 阻擋肋包括在基板的用于顯示圖像的顯示區(qū)中的主阻擋肋;以及在顯示區(qū)外的基板的非 顯示區(qū)中的偽阻擋肋。偽阻擋肋位于靠近基板的邊界的位置處。放電電極的端子和信號傳 輸單元在相對于邊界的邊緣處連接。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進(jìn)行詳細(xì)地描述,本發(fā)明的上述和其它 特征和方面將變得更加清楚,附圖中 圖1是示出在傳統(tǒng)的基板上執(zhí)行的噴砂操作的局部分解透視圖;
圖2是示出在烘干阻擋肋之后圖1的基板的透視圖; 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的三電極表面放電型等離子體顯示面板(PDP)的局 部分解透視圖; 圖4是示出在圖3的前基板和后基板(在裝配之后)上設(shè)置的放電電極和阻擋肋 的示意圖; 圖5是示出如何布置圖3的PDP、信號傳輸單元和電路板的圖; 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式劃分為兩個基板的基底基板的圖; 圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式劃分為兩個基板的基底基板的圖; 圖8是更具體地示出在圖7的兩個基板之間的邊界的截面圖;以及 圖9是更具體地示出根據(jù)圖7的變型的實施方式在兩個基板之間的邊界的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的三電極表面放電型等離子體顯示面板(PDP) 300 的局部分解透視圖。 參考圖3, PDP 300包括前基板301和面對前基板301的后基板302。為了形成封 閉的放電空間,玻璃粉(frit glass)(圖5的320)沿前基板301和后基板302的內(nèi)表面的 邊緣施加。 例如,前基板301可以是由鈉鈣玻璃(soda lime glass)等形成的透明基板、半透 射基板、反射基板或著色基板。 維持放電電極對303設(shè)置在前基板301上。每個維持放電電極對303包括X電極 304和Y電極305。維持放電電極對設(shè)置在多個放電單元的每個中。 X電極304包括X透明電極306,每個透明電極306單獨設(shè)置在相應(yīng)的放電單元中;X總線電極線307,每個X總線電極線307沿在X軸方向布置的放電單元延伸,且電連接 相應(yīng)于這些放電單元的X透明電極306。 Y電極305包括Y透明電極308,每個透明電極308單獨設(shè)置在相應(yīng)的放電單元 中;Y總線電極線309,每個Y總線電極線309沿在X軸方向布置的放電單元延伸,且電連接 相應(yīng)于這些放電單元的Y透明電極308。 X透明電極306和Y透明電極308具有例如矩形橫截面。X透明電極306和相應(yīng) 的Y透明電極308在它們相應(yīng)的放電單元的中心處彼此不接觸,且彼此分離預(yù)定距離以形 成放電間隙。X總線電極線307和Y總線電極線309是例如條型線,設(shè)置在它們相應(yīng)的放電 單元中每一個的兩個相對邊緣處。 X透明電極306和Y透明電極308由透明導(dǎo)電膜諸如銦錫氧化物(ITO)膜形成。X 總線電極線307和Y總線電極線309由例如具有優(yōu)良傳導(dǎo)性的銀膏或金屬諸如鉻_銅_鉻 形成。 X電極和Y電極被前電介質(zhì)層310覆蓋。前電介質(zhì)層310由透明電介質(zhì)形成;例 如,由具有高介電性能的材料形成,諸如PbO-B203_Si02。 由鎂氧化物(MgO)形成的保護層311形成于前電介質(zhì)層310的上表面上,以提高 二次電子發(fā)射。保護層311沉積于前電介質(zhì)層310的上表面上。 后基板302可以是例如透明基板、半透射基板、反射基板或著色基板。在后基板 302上,尋址電極312沿與Y電極305的方向交叉的方向設(shè)置。 尋址電極312是例如條型電極,延伸以穿過沿PDP 300的Y_軸的相應(yīng)放電單元。 尋址電極312被后電介質(zhì)層313覆蓋。后電介質(zhì)層313由具有高介電性能的材料形成,例 如,該高介電性能與前電介質(zhì)層310的相同。 主阻擋肋314設(shè)置在前基板301與后基板302之間。主阻擋肋314形成為限定放 電單元并防止或降低相鄰放電單元之間的串?dāng)_。 主阻擋肋314包括沿PDP 300的X-軸延伸的第一主阻擋肋315和沿PDP300的
Y-軸延伸的第二主阻擋肋316。第一主阻擋肋315和第二主阻擋肋316布置成例如以矩陣 形式形成放電單元。 主阻擋肋314的結(jié)構(gòu)不限于此,主阻擋肋314可具有任何結(jié)構(gòu),只要該結(jié)構(gòu)能限定 放電單元。另外,放電單元的橫截面的形狀不是必須是矩形的,還可以是多邊形、圓形、橢圓形等。 放電氣體諸如氖_氙(Ne-Xe)或氦_氙(He-Xe)被注入到由前基板301、后基板 302和主阻擋肋314限定的放電空間中。 另外,磷光體層317形成于放電單元中,其中該磷光體層317被從放電氣體產(chǎn)生的 紫外線激發(fā)且發(fā)射各種顏色的可見光線。在當(dāng)前實施方式中,磷光體層317形成于后電介 質(zhì)層313的上部分上和主阻擋肋314的內(nèi)壁上。 這里,磷光體層317包括紅、綠和藍(lán)磷光體層。然而,本發(fā)明不限于此。在當(dāng)前實 施方式中,紅色磷光體層由(Y, Gd) B03: Eu+3形成,綠色磷光體層由Zn2Si04: Mn2+形成,藍(lán)色磷 光體層由BaMgAl^O^Eu2"形成。 圖4是示出設(shè)置在圖3的前基板301和后基板302上的放電電極和阻擋肋的示意 圖。
參考圖4,組合的第一基板301和第二基板302被顯示區(qū)Da和非顯示區(qū)NDa,其中 顯示區(qū)Da是顯示圖像的區(qū)域,非顯示區(qū)NDa是沿顯示區(qū)Da的邊緣限定且是用于連接外部 器件的區(qū)域。 在顯示區(qū)Da中,X電極304和Y電極305沿基板的Y_軸交替布置且沿X_軸方向 延伸,尋址電極312在與X電極304和Y電極305交叉的方向上沿基板的Y_軸方向延伸。 另外,主阻擋肋314以矩陣形式設(shè)置在顯示區(qū)Da中。成對的X電極304和Y電極305以及 尋址電極312設(shè)置在由主阻擋肋314分成(section)的每個放電單元中。
偽阻擋肋318形成在圍繞顯示區(qū)Da的非顯示區(qū)NDa中,以防止或降低由收縮而引 起的主阻擋肋314的高度差,從而防止或降低噪音。當(dāng)由于主阻擋肋314被收縮力彎曲導(dǎo) 致前基板301和后基板302結(jié)合不牢固時,可產(chǎn)生噪音。偽阻擋肋318和顯示區(qū)Da的主阻 擋肋314基本上形成為單個整體,但是本發(fā)明不限于此。 排放孔(exhaustion hole) 319設(shè)置在非顯示區(qū)NDa中,該排放孔319提供一路 徑,保留在通過接合前基板301和后基板302形成的內(nèi)部空間中的雜質(zhì)在真空排氣(vacuum exhaustion)期間能經(jīng)由該路徑被排出。參見圖4。 圖5是示出圖3的PDP 300、信號傳輸單元510和電路板520如何布置的圖。
參考圖5,電極端子312a從通過重疊PDP 300的前基板301和后基板302而形成 的區(qū)域的外部的位置突出,其中電極端子312a從圖3的尋址電極312延伸。電極端子312a 從其突出的位置位于PDP 300的邊緣,在該邊緣處前基板301或后基板302暴露于外部。
雖然在圖5中僅示出了尋址電極312的電極端子31a的位置,但是很明顯從圖3 的維持放電電極對303延伸的電極端子也從通過重疊PDP 300的前基板301和后基板302 形成的區(qū)域的外部的位置突出。 信號傳輸單元510在電極端子312a與電路板520的連接器521之間互連,因而電 極端子312a和電路板520的連接器521能交換電信號。信號傳輸單元510的形狀可改變。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式,每個信號傳輸單元510包括多個驅(qū)動集成電路(IC)511、 構(gòu)圖以連接到驅(qū)動IC 511的導(dǎo)線512,以及具有柔性以覆蓋整個導(dǎo)線512的膜513。
在這點上,尋址電極312是單一掃描型(single scan type)。因而,尋址電極312 能沿單一方向從PDP 300的頂部掃描到PDP 300的底部,或者反之亦然。
因此,尋址電極312能在PDP 300的一個邊緣處被連接到需要掃描的信號傳輸單 元510或電路板520,在PDP 300的其它邊緣處不需要信號傳輸單元510或電路板520。由 于單一掃描方法在PDP 300的其它邊緣處既不需要信號傳輸單元510也不需要電路板520, 所以制造PDP 300的成本顯著降低。 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的被分為兩個基板的單一基底基板600。
參照圖6,基底基板600被分成第一基板601和第二基板602。在這點上,第一基 板601和第二基板602的每一個都是相應(yīng)于在圖3至圖5中示出的后基板302的單位基 板。雖然在當(dāng)前實施方式中示出了其中基底基板600被分成兩個基板的情形,但是很明顯 根據(jù)基底基板的尺寸,基底基板可以被分成多于兩個的基板,諸如第一基板、第二基板至第 n-l基板和第n基板。 第一電介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604被分別涂覆在第一基板601和第二基板 602上。當(dāng)?shù)谝浑娊橘|(zhì)層603的厚度和第二電介質(zhì)層604的厚度是均勻的且彼此基本相等時,有利于制造。 第一電介質(zhì)層603在第一基板上從第一基板601的第一邊緣691附近覆蓋到第二 邊緣692,其中第二邊緣692靠近邊界Ba,在該邊界Ba處,基底基板600被分成第一基板 601和第二基板602。第二電介質(zhì)層604在第二基板上從第二基板602的第一邊緣693附 近覆蓋到第二邊緣694,其中第二邊緣694靠近邊界Ba,在該邊界Ba處,基底基板600被分 成第一基板601和第二基板602。 第一尋址電極(例如,參見圖3中的尋址電極312)設(shè)置在第一基板601和第一電 介質(zhì)層603之間,第一尋址電極被第一電介質(zhì)層603覆蓋。第一尋址電極端子605設(shè)置在 第一基板601的第一邊緣691附近的第一邊緣區(qū),其中第一尋址電極端子605從第一尋址 電極延伸,且不被第一 電介質(zhì)層603覆蓋。 另外,第二尋址電極(例如,參見圖3中的尋址電極312)設(shè)置在第二基板602和 第二電介質(zhì)層604之間,第二尋址電極被第二電介質(zhì)層604覆蓋。第二尋址電極端子606 設(shè)置在第二基板602的第一邊緣693附近的第一邊緣區(qū),其中第二尋址電極端子606從第 二尋址電極延伸,且不被第二電介質(zhì)層604覆蓋。 在圖6中示出的實施方式中,第一尋址電極和第二尋址電極屬于單一掃描型。因 而,第一尋址電極端子605在第一基板601的第一邊緣691處電連接到第一信號傳輸單元 607,而第二尋址電極端子606在第二基板602的第一邊緣693處電連接到第二信號傳輸單 元608。沒有尋址電極端子設(shè)置在邊界Ba側(cè),在該邊界Ba處基底基板600被分成第一基板 601和第二基板602。 第一主阻擋肋(例如,參見圖3-4中的主阻擋肋314)設(shè)置在第一電介質(zhì)層603上, 多個第一偽阻擋肋609和610(例如,參見圖4中的偽阻擋肋318)在第一主阻擋肋的邊緣 處連接到第一主阻擋肋。第二主阻擋肋(例如,參見圖3-4中的主阻擋肋314)設(shè)置在第二 電介質(zhì)層604上,多個第二偽阻擋肋611和612 (例如,參見圖4中的偽阻擋肋318)在第二 主阻擋肋的邊緣處連接到第二主阻擋肋。 雖然多個第一偽阻擋肋609和610以及多個第二偽阻擋肋611和612可分別設(shè)置 在沿第一基板601的邊緣和第二基板602的邊緣的所有區(qū)域中,但是本發(fā)明的實施方式將 描述其中多個第一偽阻擋肋609和610中的每一個都分別設(shè)置在第一基板601的兩個相對 邊緣的情形。另外,多個第二偽阻擋肋611和612的每一個都分別設(shè)置在第二基板602的 兩個相對邊緣,其中多個第一偽阻擋肋609和610以及多個第二偽阻擋肋611和612在垂 直于第一尋址電極端子605和第二尋址電極端子606的延伸方向(即,Y-軸方向)的方向 (即,X-軸方向)延伸。 如上所述,第一偽阻擋肋609和610以及第二偽阻擋肋611和612分別設(shè)置在第 一基板601和第二基板602的相應(yīng)一個的兩個相對邊緣處,從而第一偽阻擋肋的一個偽阻 擋肋609和第二偽阻擋肋的一個偽阻擋肋611在邊界Ba對面彼此相對。在這點上,第一電 介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604都不形成在一個偽阻擋肋609與一個偽阻擋肋611之間。 雖然主要參考在邊界Ba每側(cè)的"一個偽阻擋肋"描述了實施方式,但是本發(fā)明不限于此。根 據(jù)阻擋肋的結(jié)構(gòu),在邊界Ba每側(cè)上的多個阻擋肋可彼此相對。 用于由第一基板601和另一基板形成的面板(例如,參見圖5)的真空排氣的第一 排放孔613鄰近第一基板601的第二邊緣692形成,其中第二邊緣692靠近邊界Ba,在該邊
9界Ba處基底基板600被分成第一基板601和第二基板602。另外,用于由第二基板602和另一基板形成的面板(例如,參見圖5)的真空排氣的第二排放孔614鄰近第二基板602的第二邊緣694形成,其中第二邊緣694靠近邊界Ba,在該邊界Ba處基底基板600被分成第一基板601和第二基板602。 如上所述,第一基板601和第二基板602的形狀和在第一基板601和第二基板602上的布局基本彼此相同。因而,第一電介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604,第一尋址電極端子605和第二尋址電極端子606、第一和第二偽阻擋肋609至612以及第一排放孔613和第二排放孔614位于關(guān)于彼此相同的相對位置(例如,關(guān)于彼此對稱)。第一尋址電極和第二尋址電極屬于單一掃描型。 因而,第一尋址電極端子605與第一信號傳輸端子607之間的連接以及第二尋址電極端子606與第二信號傳輸單元608之間的連接分別設(shè)置第一基板601的第一邊緣691和第二基板602的第一邊緣693處,而不是靠近邊界Ba的第二邊緣692和694。
現(xiàn)在將描述切割具有以上結(jié)構(gòu)的基底基板600的工藝。 首先,準(zhǔn)備即將被分成第一基板601和第二基板602的基底基板600。然而,本發(fā)明不限于此,基底基板600可以被分成任何其它適當(dāng)數(shù)量的基板。 接下來,第一尋址電極和第二尋址電極分別在第一基板601和第二基板602上被圖案化。然后,第一電介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604被分別涂覆在第一基板601和第二基板602上,其中第一電介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604分別覆蓋第一尋址電極和第二尋址電極。 第一電介質(zhì)層603被涂覆在第一基板601上,使得在第一基板601的第一邊緣691處突出的第一尋址電極端子605不被覆蓋。第二電介質(zhì)層604被涂覆在第二基板602上,使得在第二基板602的第一邊緣693處突出的第二尋址電極端子606不被覆蓋,其中第二基板602具有與第一基板601基本相同的形狀和布局。 接下來,第一主阻擋肋的原材料被涂覆在第一基板601的顯示區(qū)中的第一電介質(zhì)層603上,多個第一偽阻擋肋的原材料被涂覆在第一基板601的非顯示區(qū)中的第一電介質(zhì)層603上,其中多個第一偽阻擋肋的原材料從第一主阻擋肋的原材料延伸。第二主阻擋肋的原材料被涂覆在第二基板602的顯示區(qū)中的第一電介質(zhì)層604上,多個第二偽阻擋肋的原材料被涂覆在第二基板602的非顯示區(qū)中的第二電介質(zhì)層604上,其中多個第二偽阻擋肋的原材料從第二主阻擋肋的原材料延伸。 換句話說,阻擋肋原材料被印刷在基底基板600上。在已印刷在基底基板600上的阻擋肋原材料被干燥后,干膜設(shè)置在阻擋肋原材料上。然后,使用光刻來圖案化阻擋肋的形狀。 在這點上,基底基板600被沿X-軸方向傳送以通過噴砂方法形成阻擋肋。所形成的阻擋肋包括第一主阻擋肋和第二主阻擋肋以及分別從第一主阻擋肋和第二主阻擋肋延伸的多個第一偽阻擋肋和多個第二偽阻擋肋。 為了完成噴砂處理,設(shè)置在基底基板600附近的噴砂機615沿垂直于基底基板600移動方向的方向(即,Y-軸方向)擺動,以在高壓下將研磨劑諸如碳酸鈣(CaC03)噴射在基底基板600上,從而去除除了基底基板的將形成阻擋肋的部分之外的基底基板600剩余部分中已印刷的阻擋肋原材料,且剝除剩余干膜。因此,第一主阻擋肋和第二主阻擋肋以及多個第一和第二偽阻擋肋609至612能根據(jù)需要形成。 結(jié)果,第一偽阻擋肋609和610中的一個偽阻擋肋609以及第二偽阻擋肋611和612中的一個偽阻擋肋611設(shè)置在邊界Ba處,以彼此相對。 在第一尋址電極和第二尋址電極、第一電介質(zhì)層603和第二電介質(zhì)層604、第一主阻擋肋和第二主阻擋肋、以及第一和第二偽阻擋肋609至612分別形成于第一基板601和第二基板602上之后,切割基底基板600,以使第一基板601和第二基板602彼此分離。
在這點上,分別在第一基板601的第二邊緣692和第二基板602的第二邊緣694之間的邊界Ba處切割基底基板600,其中第一基板601的第二邊緣692和第二基板602的第二邊緣694分別是第一基板601的第一邊緣691和第二基板602的第一邊緣693的相對邊緣,其中在第一邊緣691和第二邊緣693處第一尋址電極端子605和第二尋址電極端子606分別連接到第一信號傳輸單元607和第二信號傳輸單元608。 因此,當(dāng)通過利用噴砂方法形成阻擋肋時,偽阻擋肋609和611的邊緣側(cè)壁可被蝕刻深于在其它位置處的阻擋肋。這是由于在靠近邊界Ba的偽阻擋肋609與偽阻擋肋611之間噴砂期間,阻擋肋原材料的粉末碰撞阻擋肋609和611的邊緣側(cè)壁而引起的。注意到第一尋址電極端子605和第二尋址電極端子606在邊界Ba的相對側(cè)分別連接到第一信號傳輸單元607和第二信號傳輸單元608。因而,與其中尋址電極端子在邊界Ba的側(cè)部連接到信號傳輸單元的情形相比,產(chǎn)生較少的噪音。 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的被分成兩個基板的基底基板700的圖。
在本發(fā)明的實施方式中,施加電介質(zhì)層以覆蓋邊界Ba,在該邊界Ba處,基底基板700被分成第一基板701和第二基板702,從而進(jìn)一步減小之前實施方式的PDP中的噪音。
參照圖7,基底基板700被分成第一基板701和第二基板702。第一基板701和第二基板702的頂表面分別被第一電介質(zhì)層703和第二電介質(zhì)層704覆蓋。
第一電介質(zhì)層703從第一基板701的第一邊緣791附近覆蓋到邊界Ba,第二電介質(zhì)層704從第二基板702的第一邊緣793附近覆蓋到邊界Ba。因而,在基底基板700被分成第一基板701和第二基板702的邊界Ba被第一電介質(zhì)層703和/或第二電介質(zhì)層704覆蓋。 第一尋址電極端子705設(shè)置在第一基板701的第一邊緣791附近的第一邊緣區(qū)處,其中第一尋址電極端子705沒有被第一電介質(zhì)層703覆蓋。第一尋址電極端子705電連接到第一信號傳輸單元707。 第二尋址電極端子706設(shè)置在第二基板702的第一邊緣793附近的第一邊緣區(qū)處,其中第二尋址電極端子706沒有被第二電介質(zhì)層704覆蓋。第二尋址電極端子706電連接到第二信號傳輸單元708。 另外,多個第一偽阻擋肋709和710設(shè)置在第一電介質(zhì)層703的兩個相對邊緣處,多個第二偽阻擋肋711和712設(shè)置在第二電介質(zhì)層704的兩個相對邊緣處。
用于由第一基板701和另一基板形成的面板(例如,參見圖5)的真空排氣的第一排放孔713穿透第一基板701形成,用于由第二基板702和另一基板形成的面板(例如,參見圖5)的真空排氣的第二排放孔715在與第一排放孔713相同的相對位置處穿透第二基板702形成。 與之前的實施方式不同,第一電介質(zhì)層703和第二電介質(zhì)層704連續(xù)形成以覆蓋邊界Ba。 第一 電介質(zhì)層703和第二電介質(zhì)層704在邊界Ba處的厚度可與第一 電介質(zhì)層703 和第二電介質(zhì)層704在基底基板700其它區(qū)域處的厚度基本相等。 換句話說,現(xiàn)在參照圖8,從第一電介質(zhì)層703或第二電介質(zhì)層704 —體延伸的邊 界線電介質(zhì)層801形成在邊界Ba處。邊界線電介質(zhì)層801的厚度D工形成為基本等于第一 電介質(zhì)層703和第二電介質(zhì)層704的厚度D2。 邊界線電介質(zhì)層801的厚度D工在第一偽阻擋肋709和第二偽阻擋肋711的高度112 的大約10%和大約15%之間。例如,如果第一偽阻擋肋709和第二偽阻擋肋711的高度4 在大約110微米至120微米之間,則邊界線電介質(zhì)層801的厚度D工可形成為15微米左右。
因此,通過在邊界Ba處形成具有厚度D工的邊界線電介質(zhì)層801,能減小阻擋肋原 材料的粉末802對第一偽阻擋肋709和第二偽阻擋肋711的下部分的蝕刻。另外,阻擋肋 原材料的粉末802被彈回的角度不同,從而能減少阻擋肋原材料的粉末802對第一偽阻擋 肋709和第二偽阻擋肋711的中間部分的蝕刻。因而,能進(jìn)一步降低噪音。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的電介質(zhì)層的厚度的圖。
參照圖9,邊界線電介質(zhì)層910,其從第一電介質(zhì)層903或第二電介質(zhì)層904延伸, 在基底基板被分成第一基板901和第二基板902處的邊界Ba處一體形成。
這里,邊界線電介質(zhì)層910的厚度03形成為大于第一電介質(zhì)層903和第二電介質(zhì) 層904的厚度D4。換句話說,邊界線電介質(zhì)層910的厚度D3在第一偽阻擋肋909和第二偽 阻擋肋911的高度Hg的大約30%至大約75%之間。例如,如果第一偽阻擋肋909和第二 偽阻擋肋911的高度H3在110微米和120微米之間,則邊界線電介質(zhì)層910的厚度D3可形 成為在大約30微米和90微米之間。 因此,通過在邊界Ba處形成具有厚度D3的邊界線電介質(zhì)層910,能進(jìn)一步減小阻 擋肋原材料的粉末919對第一偽阻擋肋909和第二偽阻擋肋911的中間部分的蝕刻。
表1示出了在利用本發(fā)明的實施方式執(zhí)行的實驗中觀察到的噪音降低效果。
表1
噪音(dB)
比較實例27
實施方式124
實施方式220
實施方式317 這里,比較實例是其中放電電極的端子和信號傳輸單元在基底基板被分成多個基
板的邊界處連接的情形。實施方式1是關(guān)于其中基底基板包括多個對稱設(shè)置的基板的結(jié) 構(gòu),其中單一掃描型放電電極(諸如尋址電極)的端子和信號傳輸單元在基底基板的兩個
相對邊緣處結(jié)合。實施方式2是關(guān)于其中電介質(zhì)層以與在基底基板其余區(qū)域處的電介質(zhì)層 的厚度相同的厚度形成于實施方式1的基底基板的邊界上的結(jié)構(gòu)。實施方式3是關(guān)于其中
12電介質(zhì)層以大于基底基板其余區(qū)域處電介質(zhì)層的厚度形成于實施方式1的基底基板的邊界上的結(jié)構(gòu)。 參照表1,當(dāng)比較實例的PDP產(chǎn)生27dB的噪音時,實施方式1至3的PDP分別產(chǎn)生24dB、20dB和17dB的噪音。因此,實施方式1至3的PDP產(chǎn)生與比較實例的PDP相比降低了 3dB至10dB的噪音。 如上所述,當(dāng)PDP基板接合時,由于放電電極的端子和信號傳輸單元在與基底基板被切割以分成多個單位基板的一側(cè)相對的一側(cè)相連接,所以根據(jù)本發(fā)明的實施方式的PDP及其制造方法能降低噪音。 另外,即使偽阻擋肋安裝在靠近基底基板被分成多個單位基板的邊界的位置處,
由于放電電極的端子和信號傳輸單元在相對側(cè)彼此連接,所以仍然能降低噪音。 雖然參考其示范性實施方式具體顯示和描述了本發(fā)明,然而本領(lǐng)域的一般技術(shù)人
員可以理解在不脫離由附屬的權(quán)利要求及其等效物所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況
下,可以做出形式和細(xì)節(jié)上的不同變化。 本申請要求享有2008年10月20日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請No. 10-2008-0102556的權(quán)益,在此結(jié)合其全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
一種制造等離子體顯示面板的方法,該方法包括準(zhǔn)備將被分成多個單位基板的基底基板;在所述多個單位基板上形成多個放電電極和覆蓋所述放電電極的電介質(zhì)層;在所述電介質(zhì)層上形成阻擋肋原材料;圖案化所述阻擋肋原材料以形成阻擋肋,其中所述阻擋肋包括在每個單位基板的用于顯示圖像的顯示區(qū)中的主阻擋肋;以及在所述顯示區(qū)外部的每個單位基板的非顯示區(qū)中的偽阻擋肋;以及沿所述單位基板之間的邊界分割所述基底基板,其中所述偽阻擋肋位于靠近基底基板被分割的位置,使得在相鄰單位基板上的所述偽阻擋肋關(guān)于所述邊界彼此相對,以及所述單位基板沿與放電電極的端子和信號傳輸單元連接處的邊緣相對的邊緣處的所述邊界彼此分離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中彼此鄰近的所述單位基板上形成有對稱布置的放 電電極、電介質(zhì)層和阻擋肋。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中圖案化所述阻擋肋原材料包括利用噴砂方法。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述基底基板的傳送方向與噴砂機的擺動方向彼 此垂直。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中用于真空排氣的排氣孔形成在靠近所述單位基板 之間的所述邊界的位置處。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在每個單位基板上圖案化所述電介質(zhì)層,以覆蓋 所述單位基板之間的所述邊界。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚度與在每個單位 基板上的電介質(zhì)層的厚度基本相同。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚度在所述阻擋肋 的高度的10%和15%之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚度大于所述電介 質(zhì)層在所述基底基板剩余區(qū)域處的厚度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚度在所述阻擋 肋高度的30%和75%之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述放電電極沿與所述基底基板被分成多個單 位基板的方向垂直的方向被圖案化。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述放電電極沿每個單位基板中從邊緣到相對 邊緣的多條單一線被圖案化。
13. —種等離子體顯示面板,包括 基板;在所述基板上的放電電極; 覆蓋所述放電電極的電介質(zhì)層;以及 在所述電介質(zhì)層上的阻擋肋,其中所述阻擋肋包括 在所述基板的用于顯示圖像的顯示區(qū)中的主阻擋肋;以及在所述顯示區(qū)外的所述基板的非顯示區(qū)中的偽阻擋肋, 其中,所述偽阻擋肋位于靠近所述基板的邊界的位置處,以及 所述放電電極的端子和信號傳輸單元在與所述邊界相反的邊緣處連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板,其中所述電介質(zhì)層延伸到所述邊界。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚 度和所述電介質(zhì)層在所述基板的剩余區(qū)域的厚度基本相同。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚 度在所述阻擋肋的高度的10%和15%之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚 度大于所述電介質(zhì)層在所述基板的剩余區(qū)域處的厚度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板,其中所述電介質(zhì)層在所述邊界處的厚 度在所述阻擋肋的高度的30%和75%之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板及其制造方法。該方法包括準(zhǔn)備將被分成多個單位基板的基底基板;在多個單位基板上形成多個放電電極和覆蓋放電電極的電介質(zhì)層;在所述電介質(zhì)層上形成阻擋肋原材料;圖案化所述阻擋肋原材料以形成阻擋肋,其中阻擋肋包括在顯示區(qū)中的阻擋肋和在非顯示區(qū)中的偽阻擋肋;以及沿單位基板的邊界劃分基底基板。偽阻擋肋位于靠近劃分基底基板的位置,使得相鄰單位基板的偽阻擋肋彼此相對。每個單位基板與另一單位基板沿邊界在與放電電極的端子和信號傳輸單元連接處的邊緣相對的邊緣處分離。
文檔編號H01J9/24GK101728145SQ20091017405
公開日2010年6月9日 申請日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月20日
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