專利名稱：頂板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在配置工作物的腔室內生成等離子體，在工作物上進 行等離子體處理的裝置。
背景技術：
參照圖21說明現有的等離子體處理裝置。這種等離子體處理裝置 具有腔室l，還具有作為高頻率供給裝置的天線部3，覆蓋該腔室的開 口上側。天線部3包含由鋁合金制成的天線蓋3a、由陶瓷制成的滯波 板3b，和由銅合金制成的天線板3c。在天線板3c上作出細長通孔的 多個隙縫孔20。另外，在天線部3和腔室1之間配置由石英或陶瓷等 介電體制成的頂板15。這里，稱為"頂板"有時稱為"介電窗""微 波透過窗"等。頂板15利用壓緊頂板的環(huán)16相對腔室1固定。天線 部3由天線壓緊環(huán)17固定。
在腔室1內配置基座7，在進行等離子體處理時，將要處理的基板 11放置在基座7的上面后，用真空泵9排出腔室1內的氣體，從氣體 導入口 (圖中省略)導入反應氣體。用高頻發(fā)生器5產生高頻。該高 頻通過導波管6傳送至天線部3，再通過滯波板3b，利用天線電極3c 的多個隙縫孔20在一定范圍內分配，供給腔室1偵ij。高頻經過頂板15， 使反應氣體成為等離子體。結果，在腔室1內產生等離子體13，對基 板11進行等離子體處理。在這個例子中，導波管6為由內側導管6a 和外側導體6b構成的同軸導波管，但也可以有其他形式的導波管。
腔室1內產生的等離子體13密度高，等離子體產生的截止頻率越 是提高頻的頻率值，則在高密度狀態(tài)下，等離子體密度越高。當將高頻供給腔室1內時，頂板15和等離子體13之間的界面上的高頻反射
的比例大。在頂板15薄到一定程度以上時，由界面反射的高頻，再從 頂板15，沿著導波管6返回高頻發(fā)生器5，通過通常配置在天線部3 和高頻發(fā)生器5之間的匹配器(圖中省略)，再次向天線部3反射。 結果，在從天線部3至匹配器的導波管6中。電磁場非常強，成為異 常放電或電力損失的原因。
另一方面，當頂板15厚到一定程度以上時，反射的高頻不沿著導 波管6返回，而是在頂板15的外面反復反射，封閉在板15內，有成 為駐波的傾向。這樣，在產生定駐波的情況下，如圖22所示，在頂板 15內的強電場區(qū)域18，在頂板15的半徑方向看時，只在局部地方表 現出來。另外，圖22只表示了左半部。圖22中的箭頭表示高頻傳播 方向。在這種情況下，在頂板15的中央附近產生強電場。結果，其影 響反映在腔室1內。這時的腔室1內的等離子體密度分布表示在圖23 中。即等離子體密度在腔室1內的中央附近高，等離子體密度的均 勻性受損害。如果等離子體密度的均勻性損壞，則等離子體處理的均 勻性也受損害。
另外，從隙縫孔20至等離子體13的距離越小，即頂板15越薄， 在隙縫孔20中形成的電場在等離子體13的表面附近，產生強的電場。 因此，換句話說，對等離子體的電力供給效率高。這本身較好，但頂 板15由介電體構成，實際上因為使用石英和陶瓷材質，機械強度成問 題，因此，減薄頂板有界限。例如，在用于等離子體處理4)300mm半 導體晶片的等離子體處理裝置中，在頂板中使用石英的情況下，從確 保強度的觀點來看，頂板的厚度至少應為40mm。在這種厚度下，容易 在頂板內部建立駐波。通過在頂板內部存在不希望的駐波，電力供給 效率降低，腔室內的等離子體密度均勻性受損害，等離子體處理的均 勻性也損害。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是要提供一種不產生異常放電和不希望的駐波，可 提高等離子體密度均勻性的等離子體處理裝置。
為了達到上述目的，在根據本發(fā)明的等離子體處理裝置的一個方面中， 一種等離子體處理裝置，它具有在內部進行等離子體處理用 的腔室；由塞住上述腔室的上側的電介質構成的頂板；和通過上述頂 板，將高頻供給上述腔室內的高頻供給部件；其特征為，上述頂板內
部具有用于反射在上述頂板內部傳播的高頻的波反射部件。通過采用 這種結構，可以抑制在頂板內部的不希望的高頻的傳播，使頂板內的 電磁狀態(tài)為較好狀態(tài)。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述波反射部件反射在上述頂板徑向傳播的 高頻。采用這種結構，可妨礙高頻在徑向的傳播，可糾正在中央和外 邊緣之間產生的頂板內的電場強度的偏移。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述波反射部件配置在上述頂板的大致中央。 采用這種結構，可防止在頂板中央產生電場強度高的部分，可使腔室 內的等離子體密度分布更均勻。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選，上述波反射部件分隔上述頂板。采用這種 結構，防止在頂板內部傳送的高頻在各個分隔的各區(qū)域間往返，使在 各個區(qū)域電磁狀態(tài)穩(wěn)定，容易抑制頂板內的各個區(qū)域的能量積累。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選，它具有在上述頂板和上述高頻供給部件之 間有隙縫孔的天線板，上述隙縫孔位于上述頂板的由上述波反射部件 分隔的各個區(qū)域內。采用這種結構，由于可以通過隙縫孔，個別地將 高頻供給所分隔的各個區(qū)域中的每個區(qū)域，以控制電場強度，因此可 以更可靠地控制頂板內的各個區(qū)域的積蓄能量。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述頂板具有從表面和背面中至少一個表面 凹下去的凹部，上述波反射部件為上述凹部的側壁部。采用這種結構， 可以不增加零件數目，用簡單的結構實現波反射部件。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述凹部為環(huán)狀。采用這種結構，可以的效 地防止波在徑向傳播。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述凹部在上述頂板的與上述高頻供給部件 面對側的面上。采用這種結構，可以配置波反射部件，將等離子體的 發(fā)出面維持與現有相同的高度。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述凹部在上述頂板的面向上述腔室側的面 上。采用這種結構，由于可將等離子體引入凹部內部，因此可縮短等 離子體發(fā)生面和天線部之間的距離，結果，可提高等離子體的電力供給效率。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述波反射部件為進入上述凹部中的等離子 體。采用這種結構，不需在頂板上設置特別的部件，利用等離子體本 身可以實現波反射部件。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選由與上述頂板不同的材料制成的反射部件， 配置在頂板內部，上述反射部件的側壁為上述波反射部件。采用這種 結構，利用反射部件，可以可靠地反射在給定位置上的波。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選，上述頂板中由相鄰的上述波反射部件夾住 的部分的長度，為上述高頻在上述頂板材質中傳播時的波長的1/2倍以 上。采用這種結構，由于夾在波反射部件彼此間的部分上產生強的駐 波，可在腔室內的等離子體附近產生強的電場。因此，可以更有效地 將電力供給等離子體。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述凹部的部分的上述頂板的厚度為上述高
頻在上述頂板的材質中傳播時的波長的1/2倍以下。采用這種結構，通
過存在凹部，可防止在頂板薄的部分上產生駐波。因此，可以個別獨 立地控制由凹部隔開的相鄰的區(qū)域之間的駐波發(fā)生狀況。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選上述凹部的部分的上述頂板的厚度，為上述
高頻在上述頂板的材質中傳播時的波長的1/4倍以下。采用這種結構， 由于存在凹部，可以更可靠地防止在頂板薄的部分上產生駐波。
為了達到上述目的，根據本發(fā)明的等離子體處理裝置的另一個方
面， 一種等離子體處理裝置，它具有在內部進行等離子體處理用的
腔室；由塞住上述腔室的上側的電介質構成的頂板；和通過上述頂板， 將高頻供給上述腔室內的高頻供給部件；和在上述頂板和上述高頻供 給部件之間有隙縫孔的天線板，其特征為，上述頂板具有厚的部分和 薄的部分，上述隙縫孔位于與上述薄的部分對應的位置上。采用這種 結構，利用厚的部分保持頂板的強度，該厚的部分可作為波反射部件 工作，另一方面，利用薄的部分，縮短從隙縫孔至等離子體發(fā)生面的 距離，提高對等離子體的電力供給效率。由于可防止在頂板內產生駐 波，可在腔室內實現所希望的等離子體分布。


圖1為根據本發(fā)明的實施方式1的等離子體處理裝置的部分截面圖。
圖2為表示根據本發(fā)明的實施方式1的等離子體處理裝置的頂板 內部的電場強度分布的說明圖。
圖3為表示根據本發(fā)明的實施方式1、 2的等離子體處理裝置的腔
室內的等離子體密度分布的圖形。
圖4為根據本發(fā)明的實施方式2的第一等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖5為表示根據本發(fā)明的實施方式2的第一等離子體處理裝置的 頂板內部的電場強度分布的說明圖。
圖6為根據本發(fā)明的實施方式2的第二等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖7為根據本發(fā)明的實施方式2的第三等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖8為根據本發(fā)明的實施方式2的第四等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖9為根據本發(fā)明的實施方式2的第五等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖10為根據本發(fā)明的實施方式2的第六等離子體處理裝置的部分 截面圖。
圖11為根據本發(fā)明的實施方式2的反射部件的配置方式的第一說 明圖。
圖12為根據本發(fā)明的實施方式2的反射部件的配置方式的第二說 明圖。
圖13為根據本發(fā)明的實施方式3的等離子體處理裝置的部分截面圖。
圖14為表示根據本發(fā)明的實施方式1 3的等離子體處理裝置的 各部分長度的說明圖。
圖15為根據本發(fā)明的實施方式4的等離子體處理裝置的部分截面圖。
圖16為根據本發(fā)明的實施方式5的等離子體處理裝置的部分截面圖。
圖17為根據本發(fā)明的實施方式5的等離子體處理裝置的部分截面圖。
圖18為根據本發(fā)明的實施方式5的等離子體處理裝置的第一變形 例的部分截面圖。
圖19為根據本發(fā)明的實施方式5的等離子體處理裝置的第二變形 例的部分截面圖。
圖20對本發(fā)明所用的頂板支承部和頂板的接點處的電場集中效果 的說明圖。
圖21為根據現有技術的等離子體處理裝置的截面圖。 圖22為表示根據現有技術的等離子體處理裝置的頂板內部的電場
強度分布的說明圖。
圖23為表示根據現有技術的等離子體處理裝置的腔室內的等離子
體密度分布的圖形。
具體實施例方式
(實施方式丄) (構成)
參照圖1，說明根據本發(fā)明的實施方式1的等離子體處理裝置。圖 1只表示該等離子體處理裝置的主要部分。大致左右對稱的部分，省略 右半部，只表示左半部分。在該等離子體處理裝置中，在頂板15的中 央埋入反射部件23a。反射部件23a由導電體或高電介體構成。頂板 15具有從面向天線部3側的表面(圖中上側的表面)凹下去的形狀的 凹部。反射部件23a為大致埋入該凹部內部空間的形狀，以收容在該 凹部內的狀態(tài)而設置。反射部件23a也可固定在頂板15頂lJ，也可固定 在天線部3側。反射部件23a利用其側壁作為波反射部件。 (作用和效果)
在該等離子體處理裝置中，在產生駐波的情況下，頂板15內的電 場強度分布表示在圖2中。強電場區(qū)域18，從頂板15的半徑方向看只 在局部表現這點與現有的例子(參照圖22)類似，但與現有的例子比 較，反射部件23a配置在頂板15的中央部，所以向外周靠近。通過在頂板15內部沿徑向傳播的高頻被反射部件23a的側壁反射，可以抑制 高頻向頂板15的中央集中。
由于頂板15內的強電場區(qū)域18可將更強的電磁波給與觸及腔室 內空間中強電場區(qū)域18下面部分的等離子體，因此可提高該部分等離 子體密度。因此，通過使頂板15內的強電場區(qū)域18的位置向頂板15 的外周移動，腔室內空間中央的等離子體密度低，腔室1內的等離子 體密度分布如圖3的曲線B所示，比現有均勻。為了與圖3進行比較， 用曲線A表示現有沒有反射部件的等離子體處理裝置的腔室內的等離 子體密度分布，曲線A再次顯示圖23所示的情況。
(實施方式2)
(構成)
參照圖4說明根據本發(fā)明的實施方式2的等離子體處理裝置。在 該等離子體處理裝置中，與實施方式1的等離子體處理裝置同樣，反 射部件23a埋入頂板15的中央部。在實施方式2中，除了中央部的反 射部件23a外，還將反射部件23b配置成環(huán)狀，繞著反射部件23a。反 射部件23b也與反射部件23a同樣，利用其側壁作為波反射部件。 (作用和效果)
在該等離子體處理裝置中，在產生駐波的情況下，頂板15內的電 場強度分布表示在圖5中。在該頂板15中，除了反射部件23a外，還 配置環(huán)狀的反射部件23b，換句話說，由于頂板15作成同心狀分隔的 形狀，能夠產生強電場區(qū)域18的位置，與實施方式1 (參見圖2)比 較進一步受限制，強電場領域18在由反射部件23a、 23b分隔的區(qū)域 內產生。通過配置反射部件，遮住同心狀分開的頂板15的各個區(qū)域， 可以妨礙高頻在頂板15內沿徑向在各區(qū)域內來回傳播。因此，容易獨 立地控制頂板15內各個位置的高頻的積蓄能量。該等離子體處理裝置 的腔室1內的等離子體密度分布如3圖中的曲線C所示。從圖3可看 出，腔室1內的等離子體密度分布，比實施方式1的結果(由曲線B 表示)更均勻。
作為反射部件，這里表示了反射部件23a、 23b二種，但如圖6所 示，利用更多的反射部件，將頂板分隔為多重的同心狀也可以。通過 將頂板分隔為更多的區(qū)域，可以更細地控制頂板15內的各位置的高頻的積蓄能量。
如圖4所示，在本實施方式的等離子體處理裝置中，天線板3c的 隙縫孔20配置在與頂板15的分隔后的各區(qū)域分別對應的位置上。通 過將隙縫孔這樣配置，從隙縫孔向著頂板內放射的高頻向著側面的部 分，被反射部件的側壁反射，因此高頻被封閉在分隔的各區(qū)域內，表 示了在各區(qū)域內而向下的指向性。由于在分隔的各個區(qū)域中的每個區(qū) 域，可從單個的隙縫孔通過頂板內向著腔室內供給高頻，因此適當改 變隙縫孔的形狀和大小，可以控制腔室內的等離子體分布，因此，在 向腔室內均勻地供給高頻方面較優(yōu)選。
在實施方式1， 2的等離子體處理裝置中，在頂板15的高頻供給 部件側面，即天線部3側設置凹部，將嵌入反射部件的結構作為波反 射部件，因此不需要與反射部件相當的固體，只要是導體或介電率高 的介電體，氣體或液體也可以。在這種情況下，凹部的側壁具有作為 波反射部件的功能。另外，設置凹部也不是僅限于在高頻供給部件側， 如圖7所示，在面向腔室1的一側也可以。在圖7所示的例子中，在 這些凹部的內部配置反射部件23c、 23d。如圖8所示，從兩側設置凹 部而適當組合也可以。在圖8所示的例子中，配置反射部件23a、 23d。 或者作為波反射部件的反射部件，不配置在凹部，而如圖9所示，貫 通頂板也可以。在圖9所示的例子中，配置反射部件23e、 23f?；蛘?如圖10所示，反射部件為完全包容在頂板15的內部的結構也可以， 在圖10所示的例子中，配置反射部件23g、 23h。
在反射部件為金屬的情況下，如圖7-圖9所示的結構那樣，當反 射部件在腔室1內的空間中露出時，成為污染腔室1內部的原因，因 此，如圖l、圖4、 6、 IO中所示結構那樣，必需當從腔室l側看時， 反射部件隱藏的結構。
在圖l、圖4、圖6-10所示的反射部件的配置圖形中，在頂板表面 上作出凹部或通孔，將反射部件配置在該凹部或通孔內部，但在本說 明書中，將包含它們在內的一切都認為配置在"頂板內部"。
另外，在圖4，圖6-10所示的結構中，當將反射部件配置在頂板 15內時，如圖11所示的反射部件23r那樣，可以完全充滿作在頂板15 上的凹部或通孔中，但如圖12所示的反射部件23s那樣，也可以不完全充滿凹部或通孔，而在與頂板15的材料之間留有間隙24。另外，反
射部件不限于實心的，如有與和凹部或通孔的側壁連接的部分的面，則中空的也可以。
在圖7-圖IO所示的反射部件配置圖形中，如果增加反射部件數目，將頂板15分隔為多重同心狀，則可以更細地控制頂板15內的各個位置的高頻的積蓄能量。在圖4，圖6-圖10中都是利用反射部件，將頂板區(qū)域分為同心狀，但改變反射部件的配置圖形，將頂板的分隔方式作成同心狀以外的其它形狀也可以。
(實施方式3)
(構成)
參照圖13說明根據本發(fā)明的實施方式3的等離子體處理裝置。在該等離子體處理裝置中，頂板15的腔室1側的表面上作出凹部25a、25b。凹部25a、 25b向著腔室1內的空間開放。(作用和效果)
在該等離子體處理裝置中，當在腔室內產生等離子體13時，等離子體13進入凹部25a、 25b的內部。通過等離子體13在密度很高的狀態(tài)下在凹部25a、 25b內部的存在，使得當在頂板15內部沿水平方向傳播的高頻，從頂板內進入凹部25a、 25b內的等離子體內部時，可以反射。即成為利用進入凹部內的等離子體作為波反射部件的結構。
在上述各個實施方式中，由互相鄰接的波反射部件彼此夾住的部分的長度即圖14的長度A、 B優(yōu)選都為高頻在頂板材質中傳播時的波長的1/2倍以上。這樣，由于在由波反射部件夾住的部分中可以產生強的駐波，在腔室1內的等離子體附近可以產生強的電場，因此可將電力更有效地傳給等離子體。
在上述各個實施方式中，圖14的長度C、即凹部處的頂板厚度優(yōu)選為高頻在頂板材質中傳播的波長的1/2倍以下。這樣，通過存在凹部，可防止在頂板蒗的部分產生駐波。因此，可以分別獨立地控制由凹部隔開的相鄰的區(qū)域之間的駐波發(fā)生狀況。另外，凹部中的頂板厚度優(yōu)選為高頻在頂板材質中傳播時的波長的1/4倍以下。這樣，凹部的存在可以更可靠地防止在頂板薄的部分產生駐波。(實施方式4) 13(構成)
參照圖15說明根據本發(fā)明的實施方式4的等離子體處理裝置。在該等離子體處理裝置中，在頂板15的下側表面可以同心狀配置凹部
26。在天線部3c上作出隙縫孔20，凹部26和隙縫孔20分別配置在上下方向對應的位置上。
雖然在實施方式2的等離子體處理裝置(參照圖4)中，與頂板15的厚的部分對應地配置隙縫孔20，但是在實施方式4的等離子體處理裝置中，與頂板15的薄的部分對應地配置隙縫孔20。(作用和效果)
在該等離子體處理裝置中，由于從隙縫孔20向下放出的高頻供給頂板15的薄的部分，因此，在頂板15內難以產生駐波。供給的高頻與其變成駐波，不如通過頂板15，經過凹部26,向腔室l內的空間放射。由于凹部26內為等離子體可以進入的空間，這樣，從縫孔20至等離子體的距離短，可提高對等離子體的電力供給效率。另外，由于在頂板15上，與薄的部分同時有厚的部分，因此可以確保頂板15的機械強度。
另一方面，由于在作為凹部26的頂板15的薄的部分中，從頂板15的下面現至被處理物的距離長，因此等離子體發(fā)生面離被處理物遠，雖然被處理物的等離子體處理效率有所降低，但由于在凹部26內，高頻波向著側向的成分由凹部26的側壁反射而向下，因此可提高高頻向下方向的指向性。
在該等離子體處理裝置中，由于可防止在頂板內產生駐波，通過配置隙縫孔和凹部，可設定高頻對腔室內的等離子體的供給分布，因此可實現腔室內所希望的等離子體分布。
另外，作為使實施方式2和實施方式4融合的考慮，可以與頂板15的厚的部分和薄的部分二者分別對應而在天線板3c上配置隙縫孔20。在這種情況下，適當改變各個隙縫孔的形狀和大小，可使頂板內的電磁狀態(tài)為所希望的狀態(tài)。(實施方式5)(構成)
參照圖16說明根據本發(fā)明的實施方式5的等離子體裝置。在該等離子體處理裝置中，該板15由上頂板15s和下頂板15t二塊構成。在下頂板15t的上側表面上，同心狀地配置凹部27。在天線板3c上作出隙縫孔20，凹部27和隙縫孔20分別配置在上下方向對應的位置上。在下頂板15t的上側，配置堵塞凹部27地相接的上頂板15s。上頂板15s和下頂板15t由相同材料制成。(作用和效果)
在該等離子體處理裝置中，隙縫孔20的下部，通過薄的上頂板15s成為凹部27，因此從隙縫孔20向下放射的高頻通過上頂板15s，經過凹部27，通過下頂板15t，向著腔室l內的空間。由于上頂板15s和下頂板15t薄，高頻難以在頂板15內部成為駐波。另外，由于頂板15上與薄的部分同時有厚的部分，頂板15的機械強度可確保。又由于高頻通過凹部27時指向側面的分量，被凹部27的側壁反射，因此向下的指向性更強。又由于凹部27不在下頂板15t的腔室l側的面上，而在上側的面上，因此等離子體發(fā)生面離被處理物不遠，可以提高指向性。結果，在被處理體附近，等離子體或功能團的密度可改善。(實施方式6)
(參照圖17說明根據本發(fā)明的實施方式的等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置，基本上與參照圖15在實施方式4中說明的相似，在頂板15的下側表面上同心狀地配置凹部，但凹部的深度不同。圖17中放大表示頂板15的附近。該等離子體處理裝置是頂板15的下表面平坦，配置的凹部深度分別不同的結果，是凹部的底面高度分別不同。其他結構與實施方式4所述相同。
(作用和效果)
在本實施方式中，可得到與實施方式4同樣的效果。即可防止在頂板內產生駐波，可提高對等離子體的電供給效率。
作為變形例，如圖18所示，也可以是凹部底面高度相同、但頂板15下面的高度變化的結構。另外，作為變形例，如圖19所示，凹部底面高度和頂板15下面的高度都變化的結構也可以。在圖19的例子中，不論頂板15的下表面高度如何變化，凹部的深度本身大致一定，但也不只限于凹部深度大致一定的情況。
除了調整隙孔或凹部的放置，通過調整凹部的底面高度或頂板15的下面的高度，也可使頂板內的電磁狀態(tài)為所希望的狀態(tài)。
另外，在實施方式4-6所示以外的形狀中，在與隙縫孔下面觸及的位置上，頂板成為薄的結構，可防止頂板內內產生駐波，提高高頻向下的指向性。因此，可實現在腔室內所希望的等離子體分布。
一般，在作為支持頂板15的腔室1側的部件的頂板支承部10和頂板15的接點19 (參照圖20)附近，電場集中，頂板支承部10的材料受等離子體飛濺成為污染和顆粒的原因。但是，通過本發(fā)明，如在頂板15內設置波反射部件，可防止這個問題。在圖20所示的例子中，設置側壁31作為波反射部件，由于微波的一部分如箭頭30所示反射，可以減少在接點19處的電場集中程度，可以防止頂板支承部10受到飛濺的事情。利用上述各個實施方式所示的波反射部件，可以得到效果。
上述各個實施方式的例子中，設在頂板內部的反射面都是沿著垂直方向的面(與頂板的主表面垂直的面)但反射面的方向不是僅限于此。例如，相對于頂板的主表面傾斜方向的面也可以。
在本說明書中，雖然使用所謂"高頻"的用語，但在高頻中含有微波。
利用本發(fā)明，可以抑制高頻波在頂板內的不希望的傳播，可使頂板內的電磁狀態(tài)為優(yōu)選的狀態(tài)。特別是，可以抑制徑向的高頻傳播，可糾正在中央部和外邊緣之間產生的頂板內的電場強度的偏聚。結果，可使腔室內的等離子體密度分布更均勻。
這里公開的上述實施方式是由所有點例舉而不是限制。本發(fā)明的范圍不是由上述說明決定而是由權利要求的范圍表示，與權利要求的范圍具有相等的意義和范圍內的所有改變都是本發(fā)明的范圍。
產業(yè)上利用的可能性
本發(fā)明可在半導體裝置的制造現場等處，用于對工作物進行等離子體處理用的等離子體處理裝置。
權利要求
1.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件具有從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷的凹部，該凹部的變薄的部分的厚度為所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的1/2倍以下。
2. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部 傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件以劃分所述頂板的區(qū)域的方式設置。
3. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部 傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件通過在頂板的內部配置由與所述頂板不同的材料 構成的反射部件而構成。
4. 一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部 傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻， 所述頂板被所述波反射部件劃分為同心狀。
5. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，所述頂板包括厚的部分和薄的部分，所述薄的部分的厚度為所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的 1/2倍以下。
6. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，所述頂板包括厚的部分和薄的部分， 所述厚的部分和薄的部分在所述頂板的區(qū)域中以同心狀形成。
7. 如權利要求1 4中任一項所述的頂板，其特征在于 所述波反射部件配置在所述頂板的大致中央。
8. 如權利要求l所述的頂板，其特征在于 所述凹部為環(huán)狀。
9. 如權利要求1~4中任一項所述的頂板，其特征在于 所述頂板中夾在相鄰的所述波反射部件彼此之間的部分的長度為所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的1/2倍以上。
10. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部 傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件具有從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷的凹部，由于所述凹部而使得所述頂板變薄的部分處的所述頂板的厚度為 所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的1/4倍以下。
11. 如權利要求2或4所述的頂板，其特征在于-所述波反射部件以將所述頂板的區(qū)域劃分為多重的方式設置。
12. 如權利要求3所述的頂板，其特征在于所述反射部件由導電體或高電介質構成。
13. —種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部 傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件由反射部件構成，該反射部件由與所述頂板不同 的材料構成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體，該頂板的特征在于所述頂板由電介質構成，且具有波反射部件，在所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射高頻，所述波反射部件具有從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷的凹部，該凹部的變薄的部分的厚度為所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的1/2倍以下。
文檔編號H01J37/32GK101553074SQ200910135779
公開日2009年10月7日 申請日期2003年5月30日 優(yōu)先權日2002年6月6日
發(fā)明者石橋清隆, 野澤俊久 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社