專利名稱：發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種發(fā)光二極管，尤指一種適用于模組化的發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
按發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)是一種半導(dǎo)體元件，具 有耗電少、壽命長、及節(jié)省能源的優(yōu)點(diǎn)，于現(xiàn)今講求環(huán)保、節(jié)省能源的時(shí) 代，己日益普遍使用于各種照明設(shè)備中。
一般已知的發(fā)光二極管為因應(yīng)小型封裝與工廠自動化的需求，是采表 面粘著的技術(shù)將發(fā)光二極管芯片與連接端子組裝成一發(fā)光二極管成品，即 俗稱的SMD(Surface Mount Device, SMD) LED,然發(fā)光二極管芯片的耐熱
性較一般的芯片為低，因此發(fā)光二極管成品易因受高溫的錫爐制程影響， 而產(chǎn)生功能不良現(xiàn)象，影響整體成品的良率，無形中也造成人力、時(shí)間的 浪費(fèi)，廠商的成本提高，相對地降低競爭力。
此外，己知的發(fā)光二極管芯片因需與連接端子組裝成成品，其組裝后 的發(fā)光二極管成品的體積較大，于現(xiàn)今電子信息產(chǎn)品走向輕薄短小的趨 勢，并不相符。因此，現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)并非十分理想。
創(chuàng)作人原因于此，本于積極發(fā)明創(chuàng)作的精神，亟思一種可以解決上述 問題的"發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)"，幾經(jīng)研究實(shí)驗(yàn)終至完成本實(shí)用新型。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其是將端子 利用沖壓技術(shù)完成后可與絕緣底座一起射出成型，再通過上蓋將發(fā)光二極 管芯片壓合于絕緣底座上，可避免現(xiàn)有會受高溫制程的影響，因而提升產(chǎn) 品品質(zhì)，且整體成品的結(jié)構(gòu)也較現(xiàn)有的為輕薄短小。
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，包括有 一絕緣底座、
一對端子、 一發(fā)光二極管芯片、及一上蓋。其中，絕緣底座具有一上表面， 上表面凹設(shè)有一容室，且容室并包括有一容置槽。
上述的端子，包括有一第一端子、及一第二端子，兩者是彼此不接觸， 且每一端子皆具有一插設(shè)部、及一接觸部，接觸部是容設(shè)于絕緣底座的容 置槽內(nèi)，而插設(shè)部則凸伸于絕緣底座之外，且第一端子、及一第二端子與 該絕緣底座為一體射出成型的結(jié)構(gòu)。
此外，上述的發(fā)光二極管芯片是承置于絕緣底座的容置槽上，且發(fā)光 二極管芯片的陰極及陽極并分別與第一端子及第二端子電性連接。而上述 的上蓋則蓋設(shè)于絕緣底座的容室上，上蓋是用以固定發(fā)光二極管芯片于絕 緣底座的容置槽上。
由此，本實(shí)用新型的端子利用沖壓技術(shù)完成后可與絕緣底座一起射出 成型，再通過上蓋將發(fā)光二極管芯片壓合于絕緣底座上，不需通過焊接方 式安裝，可避免現(xiàn)有會受高溫制程的影響，因而提升產(chǎn)品品質(zhì)，且整體發(fā) 光二極管的結(jié)構(gòu)也較現(xiàn)有者為輕薄短小。
此外，上述每一端子可包括有一連接部是連接插設(shè)部、及接觸部，絕 緣底座包覆端子的連接部而形成端子與絕緣底座一體射出成型的結(jié)構(gòu)。
另外，上述每一端子的接觸部并可具有一定位凸點(diǎn)，二定位凸點(diǎn)是用 以定位發(fā)光二極管芯片于絕緣底座的容置槽上，使發(fā)光二極管芯片于容置 槽上不會滑移。
再者，上述的上蓋包括有一貫孔，貫孔連通至絕緣底座的容置槽、并 位于發(fā)光二極管芯片上方，當(dāng)發(fā)光二極管芯片承置于絕緣底座的容置槽上 時(shí)，發(fā)光二極管芯片是容設(shè)于貫孔內(nèi)。
又，發(fā)光二極管芯片包括有一肩部，而上蓋緊抵肩部，將發(fā)光二極管 芯片固定于絕緣底座的容置槽上。
此外，絕緣底座的容室可還包括有一環(huán)凸緣，環(huán)凸緣上并設(shè)有一定位 凸柱，且上蓋對應(yīng)定位凸柱處并設(shè)有一通孔，由通孔套設(shè)于定位凸柱上可 將上蓋固定于絕緣底座上。
另外，絕緣底座的上表面可更設(shè)有一凹槽，且上蓋對應(yīng)凹槽處設(shè)有一 凸環(huán)，由凸環(huán)卡合于凹槽內(nèi)可將上蓋定位于絕緣底座上，具有組裝上的防 呆功能。 再者，發(fā)光二極管芯片的陰極及陽極是可分別與第一端子與第二端子 的接觸部電性連接，且第一端子與第二端子的插設(shè)部皆是可垂直于絕緣底 座。而絕緣底座的容置槽可位于絕緣底座的中心位置，以使整體發(fā)光二極 管的結(jié)構(gòu)輕薄短小。
本實(shí)用新型的有益效果是
本實(shí)用新型的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其是將端子利用沖壓技術(shù)完成后 可與絕緣底座一起射出成型，再通過上蓋將發(fā)光二極管芯片壓合于絕緣底 座上，可避免現(xiàn)有會受高溫制程的影響，因而提升產(chǎn)品品質(zhì)，且整體成品 的結(jié)構(gòu)也較現(xiàn)有的為輕薄短小。


為使熟悉該項(xiàng)技術(shù)人士了解本實(shí)用新型的目的、特征及功效，由下述 具體實(shí)施例，并配合附圖，對本實(shí)用新型詳加說明如后，其中 圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的分解圖。 圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的端子立體圖。 圖3是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的絕緣底座與端子的剖視圖。 圖4是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的立體圖。 圖5是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施方式
請同時(shí)參閱圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的分解圖、圖2是本實(shí)用
新型一較佳實(shí)施例的端子立體圖、及圖3是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的絕
緣底座與端子的剖視圖。本實(shí)施例的發(fā)光二極管1包括有 一絕緣底座2、
一對端子3、 4、 一發(fā)光二極管芯片5、及一上蓋6。
如圖1所示，絕緣底座2包括有一上表面21，上表面21凹設(shè)有一容 室22、及一凹槽25，容室22并包括有一容置槽221、及一環(huán)凸緣24。在 本實(shí)施例中，容置槽221是位于絕緣底座2的中心位置。
如圖2所示，第一端子3與第二端子4是彼此不接觸，且每一端子3、 4包括有一插設(shè)部31、 41、 一連接部32、 42、及一接觸部33、 43。其中， 連接部32、 42是連接插設(shè)部31、 41、及接觸部33、 43，且如圖1所示，
接觸部33、 43是容設(shè)于容置槽221內(nèi)，而插設(shè)部31、 41則是凸伸于絕緣 底座2之外，且絕緣底座2是包覆每一端子3、 4的連接部32、 42而形成 端子3、 4與絕緣底座2—體成型的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，第一端子3與 第二端子4的插設(shè)部31、 41皆垂直于絕緣底座2。
此外，發(fā)光二極管芯片5是承置于絕緣底座2的容置槽221內(nèi)，且發(fā) 光二極管芯片5的陰極及陽極并分別與第一端子3及第二端子4的接觸部 33、 43電性連接。至于上蓋6是蓋設(shè)于絕緣底座2的容室22，用以固定 發(fā)光二極管芯片5于絕緣底座2的容置槽221上。
請繼續(xù)參閱圖4是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的立體圖、及圖5是本實(shí) 用新型一較佳實(shí)施例的剖視圖。其中，第一端子3及第二端子4的接觸部 33、 43并分別設(shè)有一定位凸點(diǎn)331、 431， 二定位凸點(diǎn)331、 431可用以定 位發(fā)光二極管芯片5于絕緣底座2的容置槽221上，使發(fā)光二極管芯片5 于容置槽221上不會滑移。
請一并參閱圖1 ，上蓋6具有一貫孔61 ，貫孔61是連通至容置槽221 、 并位于發(fā)光二極管芯片5上方。因此，當(dāng)發(fā)光二極管芯片5承置于絕緣底 座2的容置槽221上時(shí)，發(fā)光二極管芯片5是容設(shè)于上蓋6的貫孔61內(nèi)。
如圖所示，發(fā)光二極管芯片5具有一肩部51，而上蓋6是由緊抵肩部 51，將發(fā)光二極管芯片5固定于絕緣底座2的容置槽221上。
此外，絕緣底座2的環(huán)凸緣24上并設(shè)有二定位凸柱241，且上蓋6 于對應(yīng)定位凸柱241處并設(shè)有二通孔62，由通孔62套設(shè)于定位凸柱241 上，可將上蓋6固定于絕緣底座2上。另外，絕緣底座2的上表面21并 設(shè)有一凹槽25，而上蓋6于對應(yīng)凹槽25處也設(shè)有一凸環(huán)63，由凸環(huán)63 卡合于凹槽25，可將上蓋6定位于絕緣底座2上，具有組裝上的防呆功能。
本實(shí)施例的第一端子3與第二端子4利用沖壓技術(shù)完成后可與絕緣底 座2 —起射出成型，再通過上蓋6將發(fā)光二極管芯片5壓合于絕緣底座2 上，不需通過焊接方式安裝，可避免現(xiàn)有會受高溫的制程影響，因而提升 產(chǎn)品品質(zhì)，且整體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)也較現(xiàn)有者為輕薄短小。
上述實(shí)施例僅是為了方便說明而舉例而已，本實(shí)用新型所主張的權(quán)利 范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一絕緣底座，包括有一上表面，該上表面凹設(shè)有一容室，該容室并包括有一容置槽；一對端子，包括有一第一端子、及一第二端子彼此不接觸，每一端子包括有一插設(shè)部、及一接觸部，該接觸部容設(shè)于該容置槽內(nèi)，該插設(shè)部凸伸于該絕緣底座之外，且該對端子與該絕緣底座為一體成型的結(jié)構(gòu)；一發(fā)光二極管芯片，承置于該容置槽，且該發(fā)光二極管芯片的陰極及陽極并分別與該第一端子及該第二端子電性連接；以及一上蓋，蓋設(shè)于該絕緣底座的該容室，以固定該發(fā)光二極管芯片于該容置槽上。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 每一端子還包括有一連接部連接該插設(shè)部、及該接觸部，該絕緣底座包覆 該連接部形成一體成型的結(jié)構(gòu)。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 每一端子的該接觸部并包括有一用以定位該發(fā)光二極管芯片于該容置槽 上的定位凸點(diǎn)。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該上蓋包括有一貫孔連通至該容置槽、并位于該發(fā)光二極管芯片上方。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該發(fā)光二極管芯片包括有一肩部，該上蓋緊抵該肩部。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該容室并包括有一環(huán)凸緣，其上并設(shè)有一定位凸柱，且該上蓋并對應(yīng)設(shè)有 --通孔，該通孔套設(shè)于該定位凸柱以固定該上蓋于該絕緣底座上。
7、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該上表面并設(shè)有一凹槽，且該上蓋并對應(yīng)設(shè)有一凸環(huán)，該凸環(huán)卡合于該凹 槽以定位該上蓋于該絕緣底座上。
8、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該發(fā)光二極管芯片的陰極及陽極分別與該第一端子及該第二端子的該接 觸部電性連接。
9、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 每一端子的該插設(shè)部垂直于該絕緣底座。
10、 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中， 該容置槽位于該絕緣底座的中心位置。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種發(fā)光二極管模組結(jié)構(gòu)，包括有一絕緣底座、一對端子、一發(fā)光二極管芯片、及一上蓋。其中，每一端子皆具有一插設(shè)部及一接觸部，接觸部容設(shè)于絕緣底座的容置槽內(nèi)，而插設(shè)部則凸伸于絕緣底座之外，且端子與該絕緣底座為一體射出成型的結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管芯片承置于容置槽上，而上蓋則蓋設(shè)于絕緣底座的容室上。由此，本實(shí)用新型的端子利用沖壓技術(shù)完成后可與絕緣底座一起射出成型，再通過上蓋將發(fā)光二極管芯片壓合于絕緣底座上，可避免現(xiàn)有會受高溫制程的影響，因而提升產(chǎn)品品質(zhì)，且整體成品的結(jié)構(gòu)也較現(xiàn)有的輕薄短小。
文檔編號F21S2/00GK201212632SQ200820116368
公開日2009年3月25日 申請日期2008年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
發(fā)明者周美娟, 范信毅 申請人:福華電子股份有限公司